Scandiumnitrid

Kristallstruktur
	_ N 0 _ Sc
Allgemeines
Name	Scandiumnitrid
Andere Namen	Azanylidynescandium; Nitridoscandium;
Verhältnisformel	ScN
Kurzbeschreibung	schwarzes Pulver (Handelsform)
Externe Identifikatoren/Datenbanken
EG-Nummer	247-247-2
ECHA-InfoCard	100.042.938
PubChem	117629
ChemSpider	105117
Wikidata	Q4321619
Eigenschaften
Molare Masse	58,96 g·mol−1
Aggregatzustand	fest
Dichte	4,4 g·cm−3
Schmelzpunkt	2600 °C
Sicherheitshinweise
H- und P-Sätze	H: 228‐302‐315‐319‐332‐335
	P: 210‐240‐241‐261‐280‐301+330+331‐304+340‐305+351+338‐332+313‐370+378‐405‐501
	Wenn nicht anders vermerkt, gelten die angegebenen Daten bei Standardbedingungen (0 °C, 1000 hPa).

Scandiumnitrid (ScN) ist eine anorganische chemische Verbindung aus der Gruppe der Nitride mit dem Metall Scandium und stellt einen III-V-Verbindungshalbleiter mit indirekter Bandlücke dar. Scandiumnitrid ist ein Kristall mit kubischer Kristallstruktur, einer Gitterkonstante von 0,451 nm und wird mittels Kristallzucht auf einer Folie aus Wolfram gewonnen.^[3] Das Halbleitermaterial weist eine indirekte Bandlücke von 0,9 eV und eine direkte Bandlücke mit 2 eV bis 2,4 eV auf.^[4]

Scandiumnitrid wird in der Halbleiterindustrie unter anderem bei elektronischen Bauelementen wie Feldeffekttransistoren als Gate-Material eingesetzt, da es sich gut auf die Isolationsschichten wie Siliziumdioxid (SiO₂) oder Hafniumdioxid (HfO₂) aufbringen lässt.^[5] Weiters wird es als Legierungsbestand bei Nichteisenmetallen eingesetzt.^[1]

Einzelnachweise

1 2 3 4 Scandium Nitride Powder. Heegermaterials, abgerufen am 21. April 2023.
1 2 Safety Data Sheet – Scandium Nitride. LTS Research Laboratories, Inc., abgerufen am 21. April 2023.
↑ Zheng Gu, J H Edgar, J Pomeroy, M Kuball, D W Coffey: Crystal Growth and Properties of Scandium Nitride. In: Journal of Materials Science: Materials in Electronics. 15. Jahrgang, Nr. 8, August 2004, S. 555–559, doi:10.1023/B:JMSE.0000032591.54107.2c (englisch).
↑ Bidesh Biswas, Bivas Saha: Development of semiconducting ScN. In: Physical Review Materials. 3. Jahrgang, Nr. 2, 14. Februar 2019, doi:10.1103/physrevmaterials.3.020301 (englisch).
↑ Hyundoek Yang, Sungho Heo, Dongkyu Lee, Sangmoo Choi, Hyunsang Hwang: Effective Work Function of Scandium Nitride Gate Electrodes on SiO₂ and HfO₂. In: Japanese Journal of Applied Physics. 45. Jahrgang, Nr. 2, 13. Januar 2006, S. L83–L85, doi:10.1143/JJAP.45.L83 (englisch).

[heeg1-1] 1 2 3 4 Scandium Nitride Powder. Heegermaterials, abgerufen am 21. April 2023.

[lts1-2] 1 2 Safety Data Sheet – Scandium Nitride. LTS Research Laboratories, Inc., abgerufen am 21. April 2023.

[JMS2004-3] Zheng Gu, J H Edgar, J Pomeroy, M Kuball, D W Coffey: Crystal Growth and Properties of Scandium Nitride. In: Journal of Materials Science: Materials in Electronics. 15. Jahrgang, Nr. 8, August 2004, S. 555–559, doi:10.1023/B:JMSE.0000032591.54107.2c (englisch).

[biswas1-4] Bidesh Biswas, Bivas Saha: Development of semiconducting ScN. In: Physical Review Materials. 3. Jahrgang, Nr. 2, 14. Februar 2019, doi:10.1103/physrevmaterials.3.020301 (englisch).

[hyun1-5] Hyundoek Yang, Sungho Heo, Dongkyu Lee, Sangmoo Choi, Hyunsang Hwang: Effective Work Function of Scandium Nitride Gate Electrodes on SiO₂ and HfO₂. In: Japanese Journal of Applied Physics. 45. Jahrgang, Nr. 2, 13. Januar 2006, S. L83–L85, doi:10.1143/JJAP.45.L83 (englisch).

[3]

[4]

[5]

[1]

[2]