„Bipolarer Leistungstransistor“ – Versionsunterschied
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Ein '''Leistungs-Bipolartransistor''' (engl. '''Power Bipolartransistor (Power BJT)''', BJT: ''bipolar junction transistor'') ist eine spezialisierte Version eines [[Bipolartransistor|Bipolartransistors]], der für das Leiten und Sperren von großen elektrischen Strömen und Spannungen optimiert ist (bis mehrere hundert [[Ampere]] und bis ca. 1000 [[Volt]], bei einem Bauteilvolumen von ca. einem Kubikzentimeter). Im Gegensatz zum normalen Bipolartransistor besitzt der Leistungs-Bipolartransistor eine vertikale Anordnung, damit sich die Ströme gleichmäßig über ein grosses Gebiet verteilen. |
Ein '''Leistungs-Bipolartransistor''' (engl. '''Power Bipolartransistor (Power BJT)''', BJT: ''bipolar junction transistor'') ist eine spezialisierte Version eines [[Bipolartransistor|Bipolartransistors]], der für das Leiten und Sperren von großen elektrischen Strömen und Spannungen optimiert ist (bis mehrere hundert [[Ampere]] und bis ca. 1000 [[Volt]], bei einem Bauteilvolumen von ca. einem Kubikzentimeter). Im Gegensatz zum normalen Bipolartransistor besitzt der Leistungs-Bipolartransistor eine vertikale Anordnung, damit sich die Ströme gleichmäßig über ein grosses Gebiet verteilen. |
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In der Industrie stellt der Leistungs-Bipolartransistor – |
In der Industrie stellt der Leistungs-Bipolartransistor – ebenso wie der [[Leistungs-MOSFET]] – ein industrielles Standardbauteil zur Beeinflussung des elektrischen Stromes da. Er wird als Leistungsverstärker und Schalter verwendet und wirkt wie ein stromgesteuerter [[Widerstand]]. |
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==Aufbau und Funktionsweise== |
==Aufbau und Funktionsweise== |
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Der sichere Arbeitsbereich (safe operating ara, SOA) ist durch obige Kenngrößen begrenzt. Es muss sichergestellt werden, dass die maximal zulässige Transistorleistung unter einem bestimmten Wert liegt, damit die Temperatur des Halbleiter-Materials unter dem Maximalwert liegt. |
Der sichere Arbeitsbereich (safe operating ara, SOA) ist durch obige Kenngrößen begrenzt. Es muss sichergestellt werden, dass die maximal zulässige Transistorleistung unter einem bestimmten Wert liegt, damit die Temperatur des Halbleiter-Materials unter dem Maximalwert liegt. |
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==Siehe auch== |
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*[[Leistungs-MOSFET]] |
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[[Kategorie:Leistungselektronik]] |
[[Kategorie:Leistungselektronik]] |
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