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High-k+Metal-Gate-Technik

Zu klären:

H. Takeuchi, E. Quévy, S. A Bhave, T. J King, R. T Howe: Ge-blade damascene process for post-CMOS integration of nano-mechanical resonators. In: Electron Device Letters, IEEE. Band 25, Nr. 8, 2004, S. 529–531, doi:10.1109/LED.2004.831898.
Z. Krivokapic, W. Maszara, F. Arasnia, E. Paton, Y. Kim, L. Washington, E. Zhao, J. Chan, J. Zhang, A. Marathe, M.R. Lin: High performance 25 nm FDSOI devices with extremely thin silicon channel. In: VLSI Technology, 2003. Digest of Technical Papers. 2003 Symposium on. 2003, S. 131–132, doi:10.1109/VLSIT.2003.1221120.
Mikhail Baklanov, Martin Green, Karen Maex: Dielectric films for advanced microelectronics. John Wiley and Sons, 2007, ISBN 978-0-470-01360-1.
Leonard J. Brillson: Surfaces and Interfaces of Electronic Materials. Wiley-IEEE, 2010, ISBN 978-3-527-40915-0.

Savitzky-Golay-Filter

Als Savitzky-Golay-Filter wird ein von Abraham Savitzky und Marcel J. E. Golay 1964 vorgestellter eindimensionaler Glättungsalgorithmus für beliebige Daten bezeichnet.^[1]

Zum Glätten der Daten wird jeder Wert der Serie durch einen neu berechneten Wert ersetzt. Die Berechnung des neuen Werts erfolgt über die Anpassung einer Polynomfunktion mit 2·n+1 Nachbarpunkten.

g_{\text{i}}=\sum _{k=n_{\text{L}}}^{n_{\text{R}}}c_{\text{n}}f_{\text{i+k}}

Der Vorteil des Savitzky-Golay-Filter ist, dass anders als bei anderen Glättungsfiltern Anteile von hohe Frequenzen nicht einfach abgeschnitten werden, sondern in die Berechnung mit einfließen. Der Filter nutzt eine variable Fensterbreite und variable Glättungsfaktoren, deren Werte die Wirkung der Filters entscheidend beeinflussen. So kann der Filter durch Anpassung der Koeffizienten nicht nur wie eine Polynomialglättung sondern auch wie eine gleitende Mittelwertsbildung oder gar eine geglättete Ableitung wirken.^[2]

Angewendet wird der Savitzky-Golay-Filter beispielsweise in der Spektroskopie.

== Literatur ==

Per-Olof Persson, Gilbert Strang: Smoothing by Savitzky-Golay and Legendre Filters. In: David S. Gilliam (Hrsg.): Mathematical systems theory in biology, communications, computation, and finance. Springer, 2003, ISBN 978-0-387-40319-9, S. 301 (eingeschränkte Vorschau in der Google-Buchsuche).

== Weblinks ==

Hans Lohninger: Savitzky-Golay-Filter. Grundlagen der Statistik, 19. März 2011 (Koeffizienten).
http://www.wire.tu-bs.de/OLDWEB/mameyer/cmr/savgol.pdf

== Einzelnachweise ==

↑ Abraham. Savitzky, M. J. E. Golay: Smoothing and Differentiation of Data by Simplified Least Squares Procedures. In: Analytical Chemistry. Band 36, Nr. 8, 1. Juni 1964, S. 1627–1639, doi:10.1021/ac60214a047.
↑ Hans Lohninger: Savitzky-Golay-Filter - Koeffizienten. Grundlagen der Statistik, 19. März 2011.

[[es:Filtro de Savitzky–Golay]]
[[nl:Savitzky-Golayfilter]]

Calciumsilicide

Calciumsilicide, auch Calcium-Silicium genannt, sind eine Gruppe von intermetallischen Verbindungen des Calciums mit Silicium.

Die Herstellung von Calciumsiliciden kann zum einen durch das Ausfschmelzen von Calciumcarbid (CaC₂) und Siliciumdioxid (SiO₂), zum anderen durch Reduktion von Siliciumdioxid, Calciumoxid oder Calciumcarbid mit Kohlenstoff im Elektroofen hergestellt werden.

Eingesetzt werden Calciumsilicide beispielsweise in der Metallverarbeitung. Dort kommen sie unter anderem wegen ihrer stark reduzierenden Eigenschaften als Desoxidationsmittel für Stählen zum Einsatz.

Wie viele andere Silicide besitzen auch Calciumsilicide eine gute elektrische Leitfähigkeit. Allerdings ist diese stark von der Modifikation abhängig, so ist beispielsweise Dicalciumsilicid (Ca₂Si) ein Halbleiter.

Liste der Calciumsilicide
Name	Summenformel	CAS-Nr.	Zustand	Molmasse	Dichte	Schoenflies-Symbolik	Hermann-Mauguin-Symbolik	Größe der Einheitszelle
Calciumdisilicid^[1]	CaSi₂	12053-56-8	fest	68,17	2,32	$D_{2h}^{17}$	$Cmcm$	3,91 Å 4,59 Å 10,795 Å
Calciummonosilicid^[1]	CaSi	12737-18-7	fest	96,25	2,50	$D_{4h}^{19}$	$I4_{1}/amd$	4,283 Å 13,52 Å
Dicalciumsilicid	Ca₂Si	12049-73-9					$Pnma$ ^[2]	a = 7,667 Å b = 9,002 Å c = 4,799 Å^[3]
Pentacalciumtrisilicid	Ca₅Si₃						$I4/mcm$ ^[4]
	Ca₆Si₆
	Ca₁₁Si₁₀
	Ca₁₄Si₁₉^[5]	174879-69-7			2,44^[6]		$R-3ch$ ^[6]	a = 0,86785(6) Å b = 0,86785(6) Å c = 6,8528(8) Å^[6]

== Literatur ==

Arnold F. Holleman, Egon Wiberg, Nils Wiberg: Lehrbuch der anorganischen Chemie. Walter de Gruyter, 1995, ISBN 978-3-11-012641-9, S. 890–891 (eingeschränkte Vorschau in der Google-Buchsuche).
Jean D'Ans, Ellen Lax: Taschenbuch für Chemiker und Physiker. Band 3. Elemente, anorganische Verbindungen und Materialien, Minerale. Springer, 1998, ISBN 978-3-540-60035-0, S. 358–359.

== weblinks ==

http://www.springermaterials.com/qs/search?query=%22CaSi%22

== Einzelnachweise ==

↑ ^a ^b Jean D'Ans, Ellen Lax: Taschenbuch für Chemiker und Physiker. Band 3. Elemente, anorganische Verbindungen und Materialien, Minerale. Springer, 1998, ISBN 978-3-540-60035-0, S. 358–359.
↑ P. Eckerlin, E. Wölfel: Die Kristallstruktur von Ca₂Si und Ca₂Ge. In: Zeitschrift fuer anorganische und allgemeine Chemie. Band 280, Nr. 5–6, 1955, S. 321–331, doi:10.1002/zaac.19552800509.
↑ O. Madelung, U. Rössler, M. Schulz: Ca₂Si, Ca₂Sn, Ca₂Pb crystal structure, physical properties. In: Non-Tetrahedrally Bonded Elements and Binary Compounds I. 41C. Springer-Verlag, Berlin/Heidelberg 1998, ISBN 3-540-64583-7, doi:10.1007/10681727_135.
↑ B. Eisenmann, H. Schäfer: Die Kristallstrukturen der Verbindungen Ca₅Si₃ und. Ca₅Ge₃. In: Z. Naturforsch. 29b, 1974, S. 460–463.
↑ A. Currao, S. Wengert, R. Nesper, J. Curda, H. Hillebrecht: Ca₁₄Si₁₉ - a Zintl Phase with a Novel Twodimensional Silicon Framework. In: Z.anorg.allg.Chem. Band 622, 1996, S. 501–508.
↑ ^a ^b ^c http://www.springermaterials.com/docs/VSP/datasheet/lpf-sd/01252000/LPFSD_1252047.html

Immersionslithografie

== Recherchematerial ==

Roger H. French, Hoang V. Tran: Immersion Lithography: Photomask and Wafer-Level Materials. In: Annual Review of Materials Research. Band 39, Nr. 1, S. 93–126, doi:10.1146/annurev-matsci-082908-145350.
L. Bremer, R. Tuinier, S. Jahromi: High Refractive Index Nanocomposite Fluids for Immersion Lithography. In: Langmuir. Band 25, Nr. 4, 17. Januar 2009, S. 2390–2401, doi:10.1021/la8026896.
Kazuya Matsumoto, Elizabeth A. Costner, Isao Nishimura, Mitsuru Ueda, C. Grant Willson: High Index Resist for 193 nm Immersion Lithography. In: Macromolecules. Band 41, Nr. 15, 2008, S. 5674–5680, doi:10.1021/ma800295s.
Christian Wagner, Noreen Harned: EUV lithography: Lithography gets extreme. In: Nat Photon. Band 4, Nr. 1, 2010, S. 24–26, doi:10.1038/nphoton.2009.251.
M. Switkes, M. Rothschild: Immersion lithography at 157 nm. In: Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures. Band 19, Nr. 6, 2001, S. 2353, doi:10.1116/1.1412895.
Daniel Bratton, Da Yang, Junyan Dai, Christopher K Ober: Recent progress in high resolution lithography. In: Polymers for Advanced Technologies. Band 17, Nr. 2, 1. Januar 2006, S. 94–103, doi:10.1002/pat.662.

[1] Abraham. Savitzky, M. J. E. Golay: Smoothing and Differentiation of Data by Simplified Least Squares Procedures. In: Analytical Chemistry. Band 36, Nr. 8, 1. Juni 1964, S. 1627–1639, doi:10.1021/ac60214a047.

[2] Hans Lohninger: Savitzky-Golay-Filter - Koeffizienten. Grundlagen der Statistik, 19. März 2011.

[DAnsLax-3] Jean D'Ans, Ellen Lax: Taschenbuch für Chemiker und Physiker. Band 3. Elemente, anorganische Verbindungen und Materialien, Minerale. Springer, 1998, ISBN 978-3-540-60035-0, S. 358–359.

[Eckerling1955-4] P. Eckerlin, E. Wölfel: Die Kristallstruktur von Ca₂Si und Ca₂Ge. In: Zeitschrift fuer anorganische und allgemeine Chemie. Band 280, Nr. 5–6, 1955, S. 321–331, doi:10.1002/zaac.19552800509.

[LB_Ca2Si-5] O. Madelung, U. Rössler, M. Schulz: Ca₂Si, Ca₂Sn, Ca₂Pb crystal structure, physical properties. In: Non-Tetrahedrally Bonded Elements and Binary Compounds I. 41C. Springer-Verlag, Berlin/Heidelberg 1998, ISBN 3-540-64583-7, doi:10.1007/10681727_135.

[Eisenman1974-6] B. Eisenmann, H. Schäfer: Die Kristallstrukturen der Verbindungen Ca₅Si₃ und. Ca₅Ge₃. In: Z. Naturforsch. 29b, 1974, S. 460–463.

[Currao1996-7] A. Currao, S. Wengert, R. Nesper, J. Curda, H. Hillebrecht: Ca₁₄Si₁₉ - a Zintl Phase with a Novel Twodimensional Silicon Framework. In: Z.anorg.allg.Chem. Band 622, 1996, S. 501–508.

[LB_Ca14Si19-8] ttp://www.springermaterials.com/docs/VSP/datasheet/lpf-sd/01252000/LPFSD_1252047.html

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