Gunndiode

Die Gunndiode oder Gunn-Diode (nach John B. Gunn) ist ein 1963 erfundenes Halbleiter-Bauelement, das für die Mikrowellenerzeugung eingesetzt wird.

Eine Gunn-Diode besteht nur aus n-dotierten Halbleiterbereichen. Diese sind hintereinander angeordnet, unterschiedlich stark dotiert. Durch die spezielle Dotierung wird eine Art Falle für Elektronen aufgebaut (so genannter negativer Widerstand), die unter Umständen dazu führt, dass Elektronen sich aufstauen und in Schüben (wie Wellen) durch die Diode wandern. Dies geschieht sehr schnell. Die Gunndiode erzeugt Frequenzen von 1.5 - ~10000 GHz = 10 THz. Die Leistung ist dabei ziemlich groß. Man kann unter Umständen 200 - 300 mW mit einem Gunn-Oszillator erreichen, der aus nur wenigen Bauteilen besteht. Verwandt ist die Gunndiode mit der IMPATT-Diode, der Tunneldiode und auch anderen Diodentypen.

Wichtig: Die Gunndiode besteht nur aus n-dotierten Halbleitern, meist GaAs (Galiumarsenid), GaN (Galliumnitrid) oder Indiumphosphid. Sie ist relativ billig und wird in vielen Bereichen angewendet (Mikrowellensender, kleine Radaranlagen, Amateurfunk).

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