Diskussion:Magnetoresistive Random Access Memory

Zitat: "Ein Lese-/Schreibzyklus dauert 35 ns, also um ein vielfaches länger als bei SDRAM oder gar neueren RAM-Technologien."

Das ist Unsinn.

Ein MRAM wie der MR2A16A wird als asynchroner SRAM angesteuert, also Adresse anlegen und nach x ns das Datenwort abholen. Besagte 35ns gelten als Zugriffszeit für *beliebige* Adressen.

SDRAM hingegen wird zweistufig adressiert (RAS bzw. CAS Zugriffe) und erreicht wohl beim Zugriff auf mehrere Adressen innerhalb der selben Speicherseite geringere Zeiten, aber nicht wenn die Daten auf verschiedenen Seiten liegen. Beim wahlfreien Zugriff muß man bei SDRAM also mit der CAS-Zykluszeit rechen und die liegt auch bei neuesten DDR3 SDRAMs bei 50-60ns - ist also *länger* als besagte 35ns beim MRAM.

-- 89.12.107.193 14:44, 20. Aug. 2007 (CEST)

Im Burst-Zugriff ist aber SDRAM wesentlich schneller mit 1 Taktzyklus, DDR-SDRAM schafft das sogar in 1/2 Taktzyklus. Das wären dann z.B. bei DDR2-800 1,25ns. --MrBurns 00:33, 25. Nov. 2008 (CET)

"Die Zugriffszeiten sehen göttlich aus. Die neuesten Zahlen von zwei Nanosekunden Zugriffszeit sind ein Traum in der IT. "

2ns - 35ns ... "kleiner" unterschied und man sollte auch nicht vergessen, dass diese technologie noch in ihren kinderschuhen steckt, SDRAM hingegen schon (siehe zb. DDR3 oder GDDR5) extrem fortgeschritten

MRAM ist meiner meinung nach dem SDRAM vorzuziehen, nicht aufgrund der geringeren zugriffszeiten sondern ganz einfach weil es ein nicht flüchtiger speicher ist, damit erreicht man wirklich boot-zeiten von wenigen sekunden und werden noch so viele programme "geladen" (letzeres ist ja gerade das geile, sie wurden einfach nie beendet xD) das booten sollte also etwa so lange wie S3-->S0 dauern schade nur, dass die speicherkapazität noch bei lausigen 4MBit pro chip liegt... das wird noch eine ganze weile dauern, bis da mal genug speicher zusammen kommt..