Diskussion:Flash-Speicher

Bitte lasst diese Beschreibung an dieser Stelle, weil hier eindeutig der Speicher selbst beschrieben wird und nicht NUR der Speichervorgang darauf.

Überarbeiten

Der Abschnitt zur Funktionsweise benötigt noch eine Überarbeitung bzw Erweiterung: es springen keine Elektronen zum Gate über (Blitz etc), sondern es handelt sich um einen Tunneleffekt. --Kohl 19:48, 29. Jul 2005 (CEST)

Ists so ok? --Harald Wehner 15:46, 25. Nov 2005 (CET)

Können im Flash-Speicher Bytes einzeln beschrieben werden, oder nicht? Im Artikel Flash-Speicher heißt es "Bytes können einzeln geschrieben werden", Im Artikel EEPROM heißt es "EEPROMs können byteweise beschrieben werden. Flash-EEPROMs blockweise (wobei die Blockgröße variiert)". Das passt nicht zusammen. --NilsB 08:45, 10. Aug 2005 (CEST)

Das, was hier steht, stimmt soweit. --Harald Wehner 15:46, 25. Nov 2005 (CET)

allgemeinverständlicher

Ich finde den Artikel zu speziell formuliert. Allgemeinverständlicher wäre er nützlicher. Oliver +++ Bin der gleichen Meinung. Als Laie wüßte ich schon mal gerne, wie dieses Ding eigentlich speichert, optisch, magnetisch oder wieder anders. Günter

Ich habe 1969 mal ein Vordiplom in Physik erworben. Mein Wissen von damals reicht nicht, diesen Artikel voll zu verstehen. Das Wort Tunneleffekt sagt mir zwar etwas, aber durch das Wissen, dass dieser Effekt hier genutzt wird, versteh ich auch nicht mehr. --SonniWP 09:47, 31. Mai 2007 (CEST)

Bezeichnung Flash-EEPROM

Wo soll diese Bezeichnung herkommen? Soweit ich die Entwicklung von FLASH mitbekommen habe, hiesen die Teile früher einfach FLASH-Speicher. Wofür das FLASH steht, weiß ich leider nicht. Aber das -EEPROM hinterher hat gefehlt. Manche Skriblifaxer in Computerzeitschriften haben dann auch noch FLASH-RAM oder FLASH-ROM daraus gemacht, je nach Einsatzzweck. Für mich war das Zeug aber immer einfach FLASH - ohne irgend einen weiteren Zusatz. --Harald Wehner 19:10, 28. Sep 2005 (CEST)

Weder Flash-RAM oder Flash-ROM ist korrekt. Den Speicher nur mit Flash zu bezeichnen mag ja im Alltag ok sein, aber genaugenommen ist es ein EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory - elektrisch wiederbeschreibarer Speicher) in einer speziellen Bauart. --Kohl 20:17, 28. Sep 2005 (CEST)

Hat denn eine Zelle im FLASH den gleichen Aufbau wie ein EEPROM? Wenn ja würd ich den Begriff „EEPROM“ ja akzeptieren. Ich denke aber, mich erinnern zu können, daß eine FLASH-Zelle einen anderen Aufbau wie eine EEPROM-Zelle hat. Oder irre ich? --Harald Wehner 14:32, 29. Sep 2005 (CEST)

Den Begriff Flash-EEPROM gibt es im Englischen nicht. Dort wird Flash Memory also Flash-Speicher geschreiben, auch in den Datenblättern dieser Bauteile wird von Flash Memory gesprochen. Der Begriff Flash-EEPROM ist somit verwirrend, auch wenn es prinzipell richtig ist, dass der Baustein elektrisch lösch- und wieder beschreibbar ist. Jedoch wird durch den Gebrauch der Bezeichung Flash-Speicher auf die unterschiedlich verwendete Technologie hingewiesen. -- Ottacher Harald 17:56, 29. Sep 2005 (CEST)

Da hat uns die Welt gerade überholt: SST bietet Flash-EEPROMs http://www.sst.com/products.xhtml/parallel_flash/28/SST28SF040A wobei es sich offensichtlich tatsächlich um FLASH-Speicher handelt und nicht EEPROMs, da „sector-erasable“. Darüberliegend reden sie aber wieder von FLASH-Memory. Und auch die Bezeichnung mit dem F040 (kein C040 oder so was) weist eindeutig auf FLASH. --Harald Wehner 16:22, 2. Okt 2005 (CEST)

Bin kein E-Techniker

Hi,

und was ist nun der Grund dafür, dass der Speicher ohne Strom so bleibt?

Rovanu 09:40, 20. Jan 2006 (CET)

Wie im Artikel erklärt, wird auf das Floating Gate eine Ladung aufgebracht - oder sie ist nicht drauf, je nach dem, welchen Zustand das Bit eben haben soll. Das Floating Gate ist isoliert gegen die anderen Elektroden des Flash-FETs. Wegen der Isolation kann die Ladung, die aufgebracht worden ist, nur durch den sog. Tunneleffekt dorthin oder von dort weg kommen. Dazu brauchts aber eine hohe Spannung. Ist die Ladung mal dort, so bleibt sie dort, auch wenn die Versorgungsspannung weg ist. Sie kann eben nur durch einen Tunneleffekt wieder weg. Und deshalb bleibt die Information auch da, wo sie hin gehört. --Harald Wehner 17:07, 24. Jan 2006 (CET)

Und ich finde ungefähr so sollte das auch im Artikel stehen. Ich habe mir das, was du da geschrieben hast, so gedacht, aber den Abschnitt zur Funktionsweise wirklich verstanden habe ich nicht. Zumal da auch noch was über die Ansteuerung drinsteht und und und. Irgendwie konfus und mit Fachbegriffen gespickt. --mudd1 17:32, 11. Mär 2006 (CET)

Kann mich da nur anschließen. Zweifellos ist bei einer Festplatte einfacher zu erklären, bzw. auch ein Laie kann noch verstehen, wie dort Informationen abgelegt werden (weil er Magneten aus der Erfahrung kennt, da hilft einem das Bild mit dem Zustand der Elementarmagneten, der eine "1" oder eine "0" repräsentiert), was beim Flash-Speicher sich etwas komplizierter vorzustellen ist. Aber es muss doch trotzdem irgendwie möglich sein, das Speicherprinzip genauso einfach zusammenzufassen. In etwa so, wie Harald es geschrieben hat, sollte es auch irgendwo im Artikel stehen, á la "Ladung = Zustand 1, keine Ladung = Zustand 2", am besten unter einer Extra-Überschrift. --84.184.15.123 17:12, 13. Jun 2006 (CEST)

Endurance

Wie ist die Angabe der Speicherhäufigkeit zu verstehen ? Wenn ich z.B. jedes Byte getrennt beschreiben kann, heisst das, dass mit jedem Schreibvorgang (Löschvorgang ?) die Lebensdauer nur dieser einen Zelle um 1 reduziert wird oder ist ein ganzer "Block" betroffen; sodass z.B. beim Beschreiben von 100 Bytes, die zu einem Block gehören, dieser in seiner Lebensdauer um 100 verringert wurde ?

Die Firma STMicroelectronics schreibt in einem ihrer Datenblätter: „100.000 program/erase cycles per block“. Also gehe ich davon aus, daß sich solche Angaben auf einen ganzen Block beziehen - also auf das Löschen. Habe ich 100 Byte in einen Block geschrieben und will diese 100 Byte wieder löschen, so muß ich den ganzen Block löschen und vermindere damit die Lebensdauer dieses einen Blocks um 1. --Harald Wehner 17:14, 2. Feb 2006 (CET)

Fehler im Text?

betreffend:

Flash-Speicher sind digitale Speicher(-Chips); die genaue Bezeichnung lautet Flash-EEPROM. Im Gegensatz zu "gewöhnlichem" EEPROM-Speicher lassen sich beim Flash-EEPROM Bytes , die kleinste adressierbare Speichereinheit, nicht einzeln löschen.

Sollte Bytes nicht durch Bit ersetzt werden?

Bin mir nicht sicher, wollte nur fragen

Es gibt nur wenige Speicher, bei denen man Bits adressiert. Der Normalfall ist schon, daß mehr wie ein Bit adressiert wird. Bei alten RAMs gabs meines Wissens mal die Bit-Adressierung. Aber beim FLASH sinds meistens die Bytes, manchmal auch mehr, manchmal auch nur ein Halb-Byte (vier Bit). Nennt sich dann „Wort“ (bis auf das Halb-Byte) und geht über zwei oder vier Byte. Man spart sich so Adressierungs-Leitungen. --Harald Wehner 23:09, 19. Feb 2006 (CET)

Nebensätze und Appositionen

ja, hier gibts ja reichlich nebensätze und appositionen. sind schöne erfindungen - könnte man meinen. ich wollte mir im artikel nur kurz durchlesen, wie ein flash-speicher speichert. aber bereits im ersten satz vergeht mir dermaßen die lust weiterzulesen. das ist echt heftig. hier muss so einiges entschachtelt werden: weniger klammern, weniger nebensätze, weniger kommas ^^. -- Brightster 03:06, 9. Apr 2006 (CEST)

nachtrag... nun gut: es ist dann doch der zweite satz unter funktionsprinzip ;-). na jedenfalls fehlt unter funktionsprinzip überhaupt ein einstieg. da muss noch sowas hin wie flash-speicher beruht auf dem system von...schlagmichtot.....oder im gegensatz zu festplatten...bladingenskeks... . aber dann muss auch gleich ganz kurz kommen wie gespeichert wird. da wäre ich mit meiner kurzen informationslücke schon zufrieden gewesen. der artikel ist vollgepackt mit wissen - das ist echt gut. aber der output ist nicht so gelungen. -- Brightster 03:13, 9. Apr 2006 (CEST)

Hm... uNd dIeser ErGuss sTaMMt nuN voN eiNem, dEr nicHtmal dAs miT der gRoss/KleinsChreibung kaPIerT hAt. nIchT sehR hElle, BRIGHSTER!

Usb-Stick im Betrieb abziehen

hallo, mal eine ganz andere Frag. wieso darf man den usb-stick nicht einfach aus dem slot ziehen: bisher habe ich zwei versionen gehört, von denen mir die eine einleuchtet, die andere nicht. die mir einleutchtende: Dadurch, dass der stick auch mit strom versorgt wird führt der "stromabriss" evt. zu überspannungen, die die daten ggf. beschädigen und damit unleserlich machen können. die mir nicht einleuchtende: das speichermedium selbst soll dadurch geschädigt werden, so dass entweder der ganze stick unbrauchbar wird, zumindest aber eine teilkapazität. wer weiss die antwort??

Das mit dem "stromabriss" oder Überspannung schädigt kein Usb-Gerät, weil die Usb-Schnittstelle so ausgelegt ist, das man jederzeit ein-/ausstöpseln darf. Der Grund liegt im Dateisystem. Das ist meist Fat32 und verträgt es nicht während des Schreibens unterbrochen zu werden. Anders ein Journaling Dateisystem wie ext3, ReiserFS oder NTFS. Außerdem muss das Betriebssystem noch den Cache leeren. Alex42 19:52, 24. Okt. 2006 (CEST)

Das sind alles richtige Gründe. Darüber hinaus gibt es noch eine eklige Eigenschaft von Flash-Speichern: Beim Schreiben kann es vorkommen, dass ein ganzer Datenbereich zwischengespeichert, dann gelöscht und dann wieder neu (verändert) geschrieben wird. Siehe Artikel, warum. Wenn nach dem Teil mit dem Löschen plötzlich der Strom weg ist, dann is Essich mit die Daten. --Mudd1 02:51, 25. Okt. 2006 (CEST)

Wer soll das verstehen?

...ehrlich gesagt, ich war nach dem Lesen dieses Artikels kein bisschen schlauer. Ich bin technisch schon versiert, aber dieser Text ist wahrscheinlich von/für Techniker geschrieben. Ich fände es klasse, wenn man zugunsten des Verständnisses für Laien das Prinzip des Flash-Speichers einfacher/ allgemeiner erklären könnte und dann die Details und Fremdwörter in Unterkategorien "aufdröselt".

Ich bin der Meinnung, dass der Text so wie er jetzt ist, keinem wirklich weiterhilft.

Bitte lies dir das eben geschriebene Flash-Speicher#.C3.9Cberblick durch und sag mir, ob du immer noch nicht verstehst, was ungefaehr vor sich geht. Die quantenmechanische Voodoo-Zauberei zu erklaeren, die hinter Flashspeichern steckt, kann der Artikel natuerlich nicht leisten, da muesstest du dich entweder bei den Leute vom Tunneleffektartikel beschweren oder den Deppen, der sich ausgedacht hat, dass das Universum nur mit klassischer Mechanik nicht funktioniert. --Mudd1 11:18, 14. Mär. 2007 (CET)

Frage: Blockweises Löschen und Löschspannung

Hallo, habe mich genauer mit der Funktionsweise beschäftigt, und Artikel enthält wichtige Angaben, finde ich. Da steht, das es implementierungsabhängig ist, ob der geladene oder ungeladene Zustand des Floatig Gate ne 1 oder 0 repräsentiert. Weiterhin bedarf es einer hohen Spannung (10-18V) um das Floating Gate zu laden, steht auch so im Artikel: damit die Elektronen tunneln können, brauchen Sie hohe Spannung. Habe erfahren, das die Löschung nur blockweise geschehen kann, weil die Löschspannung so hoch ist (10-18V)? Also müsste doch der geladene Zustand des Floating Gates eigentlich für das System immer eine 0 repräsentieren (gelöscht) oder? In der Beziehung könnte der Artikel noch genauer werden.

Ein Artikel kann meistens „noch genauer“ sein. Das Problem dabei: Er wird dann einfach zu lang. Zum Thema: Es ist eben implementierungsabhängig, ob der geladene Zustand des Floating Gate eine 0 oder eine 1 repräsentiert. Beschrieben ist die Geschichte mit der 0. Ich selbst hab bislang immer nur mit Teilen zu tun gehabt, die mit der 1 funktionierten. Da ist der gelöschte Zustand dann als 1 vorhanden. „Programmieren“ tut man dann also 0. Wenn die mal drin ist, ist sie drin, bis zum Löschen. (Da hatte ein unbedarfter Kollege letzte Woche seine Probleme...) „Löschen“ heißt in diesem Zusammenhang auch „nur“, in eine Grundstellung bringen. Das „Schreiben“ ändert dann „nur“ diese Grundstellung. Und ob eine 0 geschrieben wird oder eine 1 ist letzendlich ja irrelevant.

Ich habe keine Ahnung, wie man die unterschiedlichen Implementierungen voneinander unterscheiden kann, resp. wo eine Implementierung mit der 0 als gelöschtem Zustand überhaupt vorkommt. Das kommt aber davon, daß ich sehr einseitig mit embedded Flash herumturne, früher auch mal mit NOR-Varianten. Da war aber immer die 1 der gelöschte Zustand. Vielleicht ist bei NAND-Typen die 0 implementiert? Oder bei anderen Herstellern? Da könnte vielleicht mal ein Halbleiterspezialist mehr dazu sagen. --Harald Wehner 22:51, 10. Dez. 2006 (CET)

Vielen Dank für die Antwort. Ich glaube, ich habe den Begriff Löschspannung etwas zu eng betrachtet. Auf den Stromfluß bezogen ist es insofern eine Löschspannung, weil bei Anlegen derselben das Floating Gate geladen wird, und somit sich die Teilchen abstoßen und kein Strom mehr fließt (kein Strom=Löschung). Wie das System diesen Zustand des nicht-fließenden Stroms bzw. des geladenen Floating Gates interpretiert bleibt ja, wie schon gesagt, implementierungsabhängig...

So im Nachgang betrachtet setze ich dazu: Wenn ich es richtig sehe, geht es weder um Strom noch um Spannung - es geht um Ladung. Da kommt beides zusammen. Ohne Spannung: Keine Verschiebung der Ladung. Bei Verschiebung der Ladung: Strom. Bei Anwesenheit von Ladung und zu wenig Spannung: Kein Strom. Wie ich es in meiner Vorstellung drehe: Immer kommt die Ladung hervor. Also ist der zentrale Begriff der Speicherung im Flash (und auch im EEPROM) der Begriff der „Ladung“. Vielleicht kann ein Halbleitertechnologe mal mehr dazu sagen. --Harald Wehner 23:35, 18. Dez. 2006 (CET)

Begrenzte Zahl von Schreibzyklen

Warum ist die Zahl der Schreibzyklen begrenzt?--Uwe W. 19:10, 10. Jan. 2007 (CET)

Aus dem Artikel: "Bei einem Löschzyklus durchtunneln die Elektronen die Oxidschicht. Dafür sind hohe Spannungen erforderlich. Dadurch wird bei jedem Löschvorgang die Oxidschicht, die das Floating-Gate umgibt ein klein wenig beschädigt (Degeneration). Irgendwann ist die Isolation durch die Oxidschicht nicht mehr gegeben und die Elektronen bleiben nicht mehr auf dem Floating-Gate gefangen und die auf der Speicherzelle gespeicherte Information geht verloren." Kannst du genauer sagen, was daran unklar ist, dann koennte ich vielleicht versuchen, die Stelle verstaendlicher zu formulieren. Momentan faellt mir aber nichts ein, was gleichzeitig weniger Vorwissen erfordert und trotzdem vom Informationsgehalt ueber "Lange benutzen macht Chip kaputt" hinaus geht ;) --Mudd1 11:22, 14. Mär. 2007 (CET)

GB/cm³)

Was soll diese Maßzahl - welche Vergleichsgrößen in welcher Technologie soll man dazu haben? --SonniWP 09:38, 31. Mai 2007 (CEST)

Anzahl der Löschzyklen

Im Artikel steht

Laut einem Test der c't wurde ein USB-Stick 16 Millionen Mal beschrieben

(immer auf dieselbe Datei), ohne das ein Fehler auftrat. Dies bedingt jedoch ein gutes :::Defektmanagement des Sticks.

Jedoch wird dabei verschwiegen, dass der Controller eines USB-Sticks beim Schreiben einer Datei deren Daten so auf Speicherblöcke verteilt, dass die Abnutzung möglichst gleichmäßig ist. Wenn ich also 16 Millionen Mal eine 512 Byte (=1 Sektor) große Datei auf einen 1GB-Stick schreibe, wurde ein beliebiger Sekteor eben nicht 16 Mio. mal gelöscht sondern nur ~15 mal (16000000000 / (1024*1024*1024)). Desweiteren ist aus diesem Grund auch ein Defragmentieren eines Flash-Speichers nicht möglich. --Peter

Ein "Defragmentieren" eines Flash-Speichers ist auch reichlich ueberfluessig. Bei einer Festplatte ist es bloed, wenn der Kopf zum Lesen einer Datei viel umherspringen muss. Bei einem EEPROM springt aber nichts. --Mudd1 10:23, 15. Aug. 2007 (CEST)

Wäre es nicht noch ganz gut anzugeben, wieviel Platz der USB-Stick bot? Aus dem Grund den Peter bereits beschrieb ist das relativ wichtig für diesen Satz.. (wenn ich das ganze jetzt nicht total falsch verstanden hab) Genauso wichtig ist sicher auch, wie groß die Datei war.. Eine 1kb Datei auf einem 16 GB Stick immer wieder zu schreiben ist sicher keine große Kunst, da diese 1KB ja schön verteilt werden. Eine 256mb Datei auf einen 256mb Stick immer wieder neu zu schreiben, würde jedoch wieder total andere Werte liefern. Ich bin der Meinung, dass da mehr Informationen zu dem Satz gehören, oder wenigstens ein Link auf den Artikel/Diskussion dazu. Derzeit sehe ich in diesem Satz aus genannten Gründen 0 Informationsgehalt. 89.247.91.246 04:12, 7. Okt. 2007 (CEST)

Bezeichnung der Chips

Es wäre sehr interessant wenn der Artikel auch darüber Auskunft geben koennte, wie Flash-Speicher in der Praxis bezeichnet werden d.h. wie man den Speicher (z.B. eines Mobiltelefons) von den anderen Chips unterscheiden kann. (alle sind schwarz und haben kryptische aufdrucke) - woher weiss der Fachmann (ohne interne Herstellerkenntnisse) was ist ein Flash-Speicher und was ein Mikrokontroller usw. ? Kooopik 14:23, 30. Aug. 2007 (CEST)

Du meinst sicher 28Fxxx, 29Fxxx, 29Cxxx, Samsung K9K* mit xxx = KBit/MBit. Ich weiß allerdings nicht, ob jeder Hersteller sich an diese Typenbezeichnungen hält. Samsung ist hier zum Beispiel schon eine Ausnahme. - Appaloosa 16:02, 30. Aug. 2007 (CEST)

Zitat

Dieser Artikel wird in der FAZ] zitiert.--TUBS was? 13:18, 27. Okt. 2007 (CEST)

Source-Drain-Strecke, Floating Gate, Steuer-Gate u.v.a. mehr: ein saumäßiger Artikel

Dieses Kauderwelsch verstehe ich einfach nicht. Vielleicht hätte ich eine Chance, wenn dieser englisch-deutsche Begriffs-Wirrwarr wenigstens vollständig ins Deutsche übertragen würde. Doch auch daran habe ich meine erheblichen Zweifel. Der Autor war einfach zu faul, zu arrogant oder zu unfähig, sein englisch-deutsches Kauderwelsch in verständliche Sätze zu übersetzen.

Möglicherweise versteht er selbst nicht wirklich, was er sagt. Der fehlende Link zu "Source-Drain-Strecke", einem Begriff, den er gleichwohl benutzt, weist in diese Richtung: wüsste er, wovon er redet, hätte er den Link mit Inhalt gefüllt. Von einem Artikel zum Stichwort erwartete ich jedoch ohnehin, dass auftauchende neue Fachbegriffe zunächst INNERHALB des Artikels zunächst kurz - und deutsch - erklärt würden, bevor dann mit einem Link auf weiter führende Erläuterungen verwiesen würde.

Hier ist jedoch weder das eine noch das andere vorhanden.

Linguistisch hieße das: Mit inhaltlich nicht gefüllten Versatzstücken werden grammatisch korrekte Gebilde erzeugt, die folglich überhaupt gar nichts bedeuten. Die Sätze dieses Artikels sind von der Struktur:

Querzus sind Warias, die sich kanonam verhalten, solange sie yertzi sind. Andernfalls sind sie kwandum.

Der Artikel ist also schlicht saumäßig.

Demonstration des Unsinns

Am Beispiel des ersten Abschnitts, des "Überblicks", möchte ich zeigen, wie miserabel der Unsinn dieses Artikels ist:

"Überblick: Bei einem Flash-EEPROM werden Bits in jeweils einem Floating Gate genannten Transistor gespeichert (bei neueren Speichern auch mehrere Bits pro Gate, da verschiedene Ladungszustände benutzt werden), der von der Stromzufuhr durch eine Schicht eines Isolators abgeschnitten ist, sodass dort gespeicherte Ladung nicht abfließen kann. Eine Änderung des Ladungszustands kann nur mithilfe des quantenphysikalischen Tunneleffekts geschehen, der es den Elektronen erlaubt, den eigentlichen Nichtleiter zu passieren."

"Bei einem Flash-EEPROM werden Bits in jeweils einem Floating Gate genannten Transistor gespeichert" - abgesehen davon, dass es besser hieße: "in einem Transistor gespeichert (Floating Gate)", fragt man sich bereits im Überblick, wozu sie dort gespeichert werden und warum nicht anderswo? Dieser Transistor ist "von der Stromzufuhr ... abgeschnitten" - naja - und warum? Eine Änderung des Ladungszustandes könne nur durch den quantenphysikalischen Tunneleffekt überwunden werden. Hochinteressant. Aber warum macht man das? Was bringt es?

In den Überblick gehört an erster Stelle, was diese bestimmte Technik vor anderen, älteren, auszeichnet, was sie diesen gegenüber an Mehr leistet, und welche Technologie - grob dargestellt - zu dieser Mehrleistung führt. In die weiter führenden Abschnitte gehören dann Sachen wie der Tunneleffekt, Isolationstechniken und anderes, d.h. die Darstellung der einzelnen technischen Détails, die zu dieser Mehrleistung notwendig sind. Man beginnt nicht mit - einigen - technischen Détails im Überblick, deren Bedeutung dem Leser zu diesem Zeitpunkt noch überhaupt nicht klar sein kann. Vielmehr erklärt man zunächst, worum es geht - und erläutert sodann die Détails.

Würde mir im normalen wissenschaftlichen Alltag eine Arbeit wie diese vorgelegt, bekäme sie schon aus formalen Gründen eine Note zwischen 4 und 5.

Demonstration des Unsinns

Am Beispiel des ersten Abschnitts, des "Überblicks", möchte ich zeigen, wie miserabel der Unsinn dieses Artikels ist:

"Überblick Bei einem Flash-EEPROM werden Bits in jeweils einem Floating Gate genannten Transistor gespeichert (bei neueren Speichern auch mehrere Bits pro Gate, da verschiedene Ladungszustände benutzt werden), der von der Stromzufuhr durch eine Schicht eines Isolators abgeschnitten ist, sodass dort gespeicherte Ladung nicht abfließen kann. Eine Änderung des Ladungszustands kann nur mithilfe des quantenphysikalischen Tunneleffekts geschehen, der es den Elektronen erlaubt, den eigentlichen Nichtleiter zu passieren."

"Bei einem Flash-EEPROM werden Bits in jeweils einem Floating Gate genannten Transistor gespeichert" - abgesehen davon, dass es besser hieße: "in einem Transistor gespeichert (Floating Gate)", fragt man sich bereits im Überblick, wozu sie dort gespeichert werden und warum nicht anderswo? Dieser Transistor ist "von der Stromzufuhr ... abgeschnitten" - naja - und warum? Eine Änderung des Ladungszustandes könne nur durch den quantenphysikalischen Tunneleffekt überwunden werden. Hochinteressant. Aber warum macht man das? Was bringt es?

In den Überblick gehört an erster Stelle, was diese bestimmte Technik vor anderen, älteren, auszeichnet, was sie diesen gegenüber an Mehr leistet, und welche Technologie - grob dargestellt - zu dieser Mehrleistung führt. In die weiter führenden Abschnitte gehören dann Sachen wie der Tunneleffekt, Isolationstechniken und anderes.

Würde mir im normalen wissenschaftlichen Alltag eine Arbeit wie diese vorgelegt, bekäme sie schon aus formalen Gründen eine Note zwischen 4 und 5.

Demonstration des Unsinns

Wieso steht das denn jetzt zigmal hier? Das kann einen ebenfalls verwirren. --PeterFrankfurt 02:18, 11. Dez. 2007 (CET)

Am Beispiel des ersten Abschnitts, des "Überblicks", möchte ich zeigen, wie miserabel der Unsinn dieses Artikels ist:

"Überblick Bei einem Flash-EEPROM werden Bits in jeweils einem Floating Gate genannten Transistor gespeichert (bei neueren Speichern auch mehrere Bits pro Gate, da verschiedene Ladungszustände benutzt werden), der von der Stromzufuhr durch eine Schicht eines Isolators abgeschnitten ist, sodass dort gespeicherte Ladung nicht abfließen kann. Eine Änderung des Ladungszustands kann nur mithilfe des quantenphysikalischen Tunneleffekts geschehen, der es den Elektronen erlaubt, den eigentlichen Nichtleiter zu passieren."

"Bei einem Flash-EEPROM werden Bits in jeweils einem Floating Gate genannten Transistor gespeichert" - abgesehen davon, dass es besser hieße: "in einem Transistor gespeichert (Floating Gate)", fragt man sich bereits im Überblick, wozu sie dort gespeichert werden und warum nicht anderswo?

Nee, falsch. Die Formulierung ist tatsächlich etwas holprig. Das ist ein Transistor mit einem Floating Gate. Die Begriffe Source, Gate und Drain bei einem Feldeffekttransistor werden im Deutschen nicht übersetzt, im Artikel folgen etwas ausführlichere Erläuterungen zwei Sätze weiter. Und wozu sie gespeichert werden? Das ist doch schließlich der Zweck der ganzen Bemühungen, wir wollen Bits speichern. --PeterFrankfurt 02:18, 11. Dez. 2007 (CET)

Dieser Transistor ist "von der Stromzufuhr ... abgeschnitten" - naja - und warum? Eine Änderung des Ladungszustandes könne nur durch den quantenphysikalischen Tunneleffekt überwunden werden. Hochinteressant. Aber warum macht man das? Was bringt es?

Auch wieder zugegebenermaßen holprig: Nicht der ganze Transistor ist abgeschnitten, nur das Floating Gate, daher auch das "Floating" in seinem Namen. Es soll sich eben nicht über irgendeinen Anschluss entladen können, die Ladung ist schließlich der zu erhaltende Speicherinhalt. --PeterFrankfurt 02:18, 11. Dez. 2007 (CET)

In den Überblick gehört an erster Stelle, was diese bestimmte Technik vor anderen, älteren, auszeichnet, was sie diesen gegenüber an Mehr leistet, und welche Technologie - grob dargestellt - zu dieser Mehrleistung führt. In die weiter führenden Abschnitte gehören dann Sachen wie der Tunneleffekt, Isolationstechniken und anderes.

Nein, zuallererst muss dort stehen, was das Teil macht und in Grundzügen auch schon wie. Details dazu dann im weiteren Text. Vergleiche und Einordnungen ins Umfeld sind erst anschließend sinnvoll. --PeterFrankfurt 02:18, 11. Dez. 2007 (CET)

Würde mir im normalen wissenschaftlichen Alltag eine Arbeit wie diese vorgelegt, bekäme sie schon aus formalen Gründen eine Note zwischen 4 und 5.

So, ich habe das jetzt etwas umformuliert. --PeterFrankfurt 02:26, 11. Dez. 2007 (CET)