Tight-Binding-Methode

Die Tight-Binding-Methode (TB) dient zum Berechnen der elektronischen Struktur. Sie ist deutlich weniger rechenintensiv als die DFT, da hier meist nur die Valenzelektronen berechnet werden, nur Wechselwirkungen der ersten N Nachbaratome berücksichtigt werden und Ein-Elektron-Betrachtungen durchgeführt werden. Es wird eine atomzentrierte Basis angenommen. Im Gegensatz zu k.p ist TB eine atomistische Methode und eignet sich auch für die Simulation von Bauteilen der Mikroelektronik.

Referenzen

• J.C. Slater and G.F. Koster, Phys. Rev. 94, 1498 (1954).
• C.M. Goringe, D.R. Bowler and E. Hernández, Rep. Prog. Phys. 60, 1447 (1997).
• N. W. Ashcroft and N. D. Mermin, Solid State Physics (Thomson Learning, Toronto, 1976).

siehe auch: DFT