Aluminiumgalliumarsenid
Aluminium-Gallium-Arsenid (AlxGa1-xAs) ist ein Halbleiter mit nahezu der gleichen Gitterkonstante wie GaAs, aber einer größeren Bandlücke. Das x in der obigen Formel kann zwischen 0 und 1 variieren, wodurch die Bandlücke zwischen 1.42 eV (GaAs) und 2.16 eV (AlAs) eingestellt werden kann. Für x < 0.4 handelt es sich ume eine direkte Bandlücke, sonst um eine indirekte Bandlücke.
Die Möglichkeit die Bandlücke in verschiedenen Bereichen verschieden zu gestalten, ist die Grundlage für die HBT und HEMT Transistoren.
Die Formel AlGaAs wird oft als Kurzbezeichnung benutzt, wobei der Wert von x dann offen ist.