Diskussion:Sputtern

Überarbeitung

Besteht Bedarf, die einzelnen Varianten, d.h. reaktiv-nichtreaktiv, balanced-unbalanced, DC-pulsed DC- AC-RF, HPPMS, Ionenstrahl und Doppel-Ionenstrahl, zu erwähnen/erläutern?

Man sollte vieleicht erstmal erklären was Sputtern ist ((Schneideverfahren zur Herstellung von dünnen Halbleiterscheiben). Ich bintechnisch auf dem Gebiet nicht so sehr involviert. --Alma 19:48, 1. Feb 2006 (CET)

@ Alma "Schneideverfahren zur Herstellung von dünnen Halbleiterscheiben" das ist nicht richtig. Ich finde den Arikel eigentlich ganz in Ordnung, denn er zeigt die Verschiedenen Anwendungsmöglichkeiten des Sputtern auf und wie man auch lesen kann, ist Sputtern Kathodenzerstäubung, also der Beschuss einer Oberfläche mit Ionen. Natürlich kann man mit Sputtern auch schneiden, aber ebenso analysieren und beschichten.Benutzer:Do_ut_des 26.2.2006

Mit Zeit könnte man sicher viel ergänzen. Ich habe den Bericht zur Magnetronzerstäunbung mal mit verlinkt und an den entsprechenden Stellen auf DC und reaktives Sputtern hingewiesen. --OZ 11:57, 8. Feb 2006 (CET)

Also der Artikel genügt meiner Meinung nach nicht den Qualitätskriterien der Wikipedia. Aus diesem Grund sollte er überarbeitet werden. Dazu gehört vor allem die Gliederung des Artikels. Im Artikel sollten dann die Grundlagen des Verfahrens, Varianten, Schichteigenschaften (auch in Bezug auf ein paar markante Prozessparameter (Druck, Temperatur) und natürlich Anwendungsbereiche behandelt werden. --Cepheiden 18:16, 26. Feb 2006 (CET)

"Beim Beschuss einer Oberfläche mit Ionen können, abhängig von den verwendeten Ionen und ihrer kinetischen Energie, verschiedene Effekte auftreten" - Effekte nicht nur abhängig von Energie und Ionenart, sondern auch vom Material der Oberfläche, Ladung der Ionen und auch dem Einfallswinkel - das ist mir aufgefallen da ich grad meine Mikrosystemtechnik Vorlesung durcharbeite --Brainer Sep 2006

Ja und? Weiterbringen tut einen das jetzt aber nicht wirklich. --Cepheiden 01:02, 27. Sep 2006 (CEST)

Die Formel für die Anzahl gesputterter Teilchen kann so nicht richtig sein. Die Anzahl sollte doch von 0 bis Nmax mit t ansteigen. Hier müsste meiner Meinung nach (1-exp()) stehen. 6.12.06

Bild

Das Bild ist etwas unpassend bzw. teilweise irreführend, der Begriff "Sputtering Gas" macht den eindruck als würde ein Spezielles gas was geputtert (abgeschieden) wird eingeleitet. Ich würd es eher Prozessgas oder ähnlich nennen weil es ja nur "Werkzeug" ist Außerdem ist auf dem Bild das Target unten, bei allen Anlagen die ich bisher gesehen habe ist das Target oben, obwohl das für die Funktion nicht zwangsläufig notwendig ist, ist es doch einfavch eine Tatsache. Die Einkopplung der Hochfrequenz wäre auch noch interessant, die ist ja auch unterschiedlich. Der Hinweis auf Ionenätzen (auch Sputterätzen) fehlt auch (oder ich hab ihn übersehen) Cyberhofi

Wie du siehst ist das aus der englischen Wikipedia. Ich mag das Bild auch nicht und wollte eignetlich bald mal ein passendes Bild erstellen. Die Darstellung ist eh nicht ganz richtig. Es macht fast den Eindruck als wenn das "sputteriing gas" aus Argonionen besteht und schräg auf das Target beschleunigt werden. Wie gesagt mir gefällt die Darstellung nicht --Cepheiden 20:08, 6. Feb. 2007 (CET)

So ich hab mal fix eine eigene Grafik erstellt. So richtig gefällt sie mir noch nicht. Aber ich wollte mal hören, was ihr dazu sagt. --Cepheiden 10:43, 8. Feb. 2007 (CET)

Sieht ein bisschen überfüllt aus würd ich sagen, die "Atome" des Prozessgases (Argon und Reaktionsgas) würd ich weglassen und mich nur auf die Ionen beschränken, ein Pfeil rin mit "Prozessgase" und einer raus mit "Absaugung" oder "Vakuum" würde reichen denk ich. --Cyberhofi

Ja, stimmt. Ich hab mal die Version kurz überarbeiten und jetzt mehr wert auf mögliche Einzelreaktionen gelegt, die dann im Text erklärt werden können (1-5). --Cepheiden 09:47, 9. Feb. 2007 (CET)