Zirconium

Isotop	NH	t_1/2	ZM	ZE M eV	ZP
⁹⁰Zr	51,45 %	Zr ist stabil mit 50 Neutronen
⁹¹Zr	11,22 %	Zr ist stabil mit 51 Neutronen
⁹²Zr	17,15 %	Zr ist stabil mit 52 Neutronen
⁹³Zr	{syn.}	1,53 · 10⁶ a	β^-	0,091	⁹³Nb
⁹⁴Zr	17,38 %	Zr ist stabil mit 54 Neutronen
⁹⁶Zr	2,8 %	> 3,8 · 10¹⁹ a	β^-	3,350	⁹⁶Mo

NMR-Eigenschaften

	⁹¹Zr
Kernspin	-5/2
gamma / rad/T	2,496 · 10⁷
Empfindlichkeit	0,00948
Larmorfrequenz bei B = 4,7 T	18,7 M Hz

SI-Einheiten und Standardbedingungen werden benutzt,
sofern nicht anders angegeben.

Es wurde nach dem Mineral Zirkon benannt, das eine Zirkoniumverbindung ist und 1789 von Martin Heinrich Klaproth entdeckt wurde.

Vorkommen

Verbindungen, in denen Zirkonium in der Natur am Häufigsten vorkommt:

Zirkon (Silikat ZrSiO₄)
Baddeleyit (Dioxid ZrO₂, siehe auch Zirkoniumdioxid)

Anwendungen

Für Zirkon gibt es zur Zeit keine nennenswerten Anwendungsgebiete. Allerdings wurde Zirkon zu Zeiten des Kalten Krieges, wegen seiner relativ geringen Dichte und seiner Fähigkeit Gammastrahlen zu blockieren, in den Kapseln von Atombomben verwendet. Heutzutage wird es selten in Pyrotechnik eingesetzt.

in Halbleitern

In der Halbleiterindustrie werden voraussichtlich ab 2007 bis 2008 für das Gate-Oxid von FETs so genannte high-k Materialien verwendet. Zur Zeit wird das Oxid von Silizium ${\mbox{SiO}}_{2}$ verwendet. Durch die fortschreitende Verkleinerung der Transistoren muss auch das Gate-Oxid dünner werden. Für die geplanten Prozesse wie 90 nm und 65 nm sind Oxiddicken von 1,1-1,6 nm notwendig.

Je dünner das Gate-Oxid, desto größer ist aber der Leckstrom vom Gate in den Halbleiter. Um den Leckstrom zu verringern, sucht man Materialien, mit einer höheren Dielektrizitäts-Konstante $\epsilon _{r}$ als ${\mbox{SiO}}_{2}$ . Letzters hat $\epsilon _{r}=3,9$ . Zirkonium-Oxid ${\mbox{ZrO}}_{2}$ hingegen erreicht $\epsilon _{r}=25$ . Das ebenfalls als high-k Material eingesetzte Hafnium-Oxid erreicht bis zu $\epsilon _{r}=30-40$ .

Das Gate im FET funktioniert ungefähr wie ein Kondensator. Durch eine angelegte Spannung werden an beiden Elektroden entgegensetzte Ladungen gesammelt. Die Ladung im Kanal (Inversions-Zone) führt zur Leitung des FETs. Die Ladung ist dabei $Q=CU$ . Beim Plattenkondensator ist

$C={\frac {\epsilon A}{d}}$ .

Würde man die Gate-Oxid-Dicke $d$ erhöhen, sinkt die Kapazität. Dadurch stehen bei gleicher angelegter Gate-Spannung $U_{GS}$ weniger Elektronen im Kanal zur Verfügung und der FET leitet schlechter. Das ist gleichbedeutend mit einer Erhöhung der Threshold-Spannung $U_{T}$ . Um die Ladung konstant zu halten, muss man die Dielektrizitäts-Konstate $\epsilon =\epsilon _{0}\epsilon _{r}$ erhöhen.

In der Prozesstechnik wird die so genannte Equivalent Oxide Thickness EOT eingeführt. Sie gibt die äquivalente Oxid-Dicke an. Das ist wegen einer quantenmechanisch begründeten Verschiebung des Schwerpunktes der Ladungsverteilung von der Oberfläche in den Halbleiter hinein notwendig. Darum ist sie ein bißchen größer als die physikalische Oxid-Dicke. Sie bezieht sich auf das Dielektrikum ${\mbox{SiO}}_{2}$ .

Durch die Verwendung von high-k Materialien ( $k=\epsilon _{r}$ ) kann die Oxiddicke bei gleichbleibender EOT um den Faktor

${\frac {\epsilon _{r,ZrO_{2}}}{\epsilon _{r,SiO_{2}}}}=6{,}4$

erhöht werden. Damit sinkt der Gate-Leckstrom beträchtlich.

Weblinks