Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor

MOSFET ist die Abkürzung für Metal Oxide Silicium Field Effect Transistor.

Statt die normale p-n-p-Struktur eines Transistors wird als Gate eine Metallschicht über eine isolierende Siliziumdioxidschicht zwischen Source und Drain gelegt. Normalerweise sperrt das darunterliegende, leicht p-dotierte Silizium (Kanal) sperrend, so dass kein Strom zwischen den beiden Kontakten Source und Drain fließen kann. Wenn über den Gate eine Spannung angelegt wird, erzeugt diese eine Inversion in dem Kanal, so dass Ladungsträger zwischen Source und Drain fließen können.

Der Vorteil der MOSFET ist seine Schnelligkeit. Er ist außerdem wegen seines einfachen Herstellungsprozesses besonders für Integrierte Schaltungen geeignet.