Zum Inhalt springen

Resonanztunneldiode

aus Wikipedia, der freien Enzyklopädie
Dies ist eine alte Version dieser Seite, zuletzt bearbeitet am 29. Mai 2006 um 12:24 Uhr durch 62.154.210.2 (Diskussion) (Link ergänzt.). Sie kann sich erheblich von der aktuellen Version unterscheiden.

Die Resonanztunneldiodentechnik nutzt so genannte Resonanztunneldioden oder auch Interband-Tunnel-Dioden. Eine solche Diode besitzt zwei Nanometer dicke Tunnelbarrieren. Für einen elektrischen Strom müssen Elektronen diese Barrieren durchtunneln. Die Wahrscheinlichkeit hierfür ist abhängig vom Niveau des quantisierten Energiezustands zwischen den Tunnelbarrieren. Hieraus folgt die Besonderheit der Tunneldioden. Sie besitzen einen negativen differenziellen Widerstand, engl. Negative Differential Resistance (NDR). Auf der Basis von Tunneldioden lassen sich sowohl Logikelemente als auch Speicher verwirklichen. Siehe auch: Tunnel-Diode

Literaturliste - Silicon-Based Resonant Interband Tunnel Diode

Die Resonanztunneldiode