Liste der Schaltzeichen
Allgemeine Symbole
Veränderbarkeit
Kraft und Bewegungsrichtung
Wirkungsrichtung
Abhängigkeit
Wirkungs- und Abhängigkeitsarten
Strahlung
Impulsarten
Mechanische Symbole
Stellteile
Antriebsarten
Elektrische Symbole
Ströme und Spannungen
Erde, Masse, Äquipotenzial
Ideale Stromkreise
Anschlüsse und Leiter
Leiter
Leitungen in Netzwerken
Leitungen in der Gebäudeinstallation
Verzögerungsleitungen
Sicherungen
Überspannungsableiter
Kontakte
Dosen
Steckdosen
Verbinder
Kontakte mit mehreren Schaltstellungen
Wischkontakte mit Kontaktaufgabe
Voreilende und nacheilende Kontakte
Handbetätigte Schalter
Mehrstellungsschalter
Elektromechanische Antriebe
Polarisierte Relais
Akkumulatoren und Primärzellen
Elektrische Bauelemente
Widerstände
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Widerstand, allgemein |
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Dämpfungsglied (allgemein) |
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Widerstand mit fester Anzapfung |
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Shunt, Nebenschlusswiderstand |
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Widerstand (veränderbar, allgemein) |
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Widerstand mit Schleifkontakt, Potenziometer |
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Widerstand mit Schleifkontakt und "Aus"-Stellung |
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Einstellbarer Widerstand mit Schleifkontakt |
| Datei:Symbol Varistor.svg | Spannungsabhängiger Widerstand, Varistor |
Kondensatoren
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Kondensator, allgemein |
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Gepolter Kondensator, Elektrolytkondensator |
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Durchführungskondensator |
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Gepolter Kondensator mit hohem Temperaturbeiwert |
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Veränderbarer Kondensator (allgemein) |
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Einstellbarer Kondensator |
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Einstellbarer Differenzialkondensator |
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Induktivitäten
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Induktivität (allgemein; Induktivität, Spule, Drossel oder Wicklung) |
| Induktivität mit fester Anzapfung | |
| Stufig einstellbare Induktivität | |
| Induktivität mit Magnetkern | |
| Induktivität mit Luftspalt im Magnetkern | |
| Induktivität mit Magnetkern und stufiger Einstellung | |
| Variometer | |
| Koaxiale Drossel mit Magnetkern |
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Piezoelektrische Kristalle
Magnetkerne
Elektronische Symbole
Allgemein
Besondere Funktionen
Dioden
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Diode, allgemein |
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Schottky-Diode |
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Zener-Diode, Z-Diode oder Esaky-Diode |
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Tunnel-Diode |
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Breakdown-Diode |
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Kapazitätsdiode |
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Diode mit starker Temperaturabhängigkeit |
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Backward-Diode, Unitunneldiode |
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Zweirichtungsdiode, Diac |
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Thyristoren
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Rückwärts sperrende Thyristordiode |
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|
Rückwärts leitende Thyristordiode |
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Zweirichtungs-Thyristordiode |
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Rückwärts sperrende Thyristordiode (allgemeines Symbol; dh. ohne Angabe des Gatetyps) |
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Rückwärts sperrende Thyristordiode mit gesteuerter Anode |
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Rückwärts sperrende Thyristordiode mit gesteuerter Kathode |
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|
Abschalt-Thyristordiode (allgemeines Symbol; dh. ohne Angabe des Gatetyps) |
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Abschalt-Thyristordiode mit gesteuerter Anode |
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|
Abschalt-Thyristordiode mit gesteuerter Kathode |
|
Rückwärts sperrende Thyristortetrode |
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Thyristortriode, bidirektional Triac |
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Rückwärts leitende Thyristortriode (allgemeines Symbol; dh. ohne Angabe des Gatetyps) |
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Rückwärts leitende Thyristortriode mit gesteuerter Anode |
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Rückwärts leitende Thyristortriode mit gesteuerter Kathode |
Fotoelemente
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Fotodiode |
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Leuchtdiode |
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Fotowiderstand |
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Fotoelement, Fotozelle |
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Fototransistor |
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Optokoppler |
Transistoren
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NPN-Transistor |
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PNP-Transistor |
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NPN-Transistor; Kollektor mit Gehäuse verbunden z. B. für bessere Wärmeableitung |
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NPN-Transistor mit zwei Basisanschlüssen |
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Unijunctiontransistor; P-dotierte Basis |
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Unijunctiontransistor; N-dotierte Basis |
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PNIP-Transistor Anschluss zur eigenleitenden Zone |
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PNIN-Transistor Anschluss zur eigenleitenden Zone |
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N-Kanal Sperrschicht-Feldeffekttransistor (N-JFET) |
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P-Kanal Sperrschicht-Feldeffekttransistor (P-JFET) |
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N-Kanal Isolierschicht-Feldeffekttransistor (N-IGFET) Verarmungstyp mit Gate |
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P-Kanal Isolierschicht-Feldeffekttransistor (P-IGFET) Verarmungstyp mit Gate |
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N-Kanal Isolierschicht-Feldeffekttransistor Anreicherungstyp mit Gate |
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P-Kanal Isolierschicht-Feldeffekttransistor Anreicherungstyp mit Gate |
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P-Kanal Isolierschicht-Feldeffekttransistor Anreicherungstyp mit Gate und zusätzlichem Substratanschluss |
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N-Kanal Isolierschicht-Feldeffekttransistor Anreicherungstyp mit Gate und zusätzlichem Substratanschluss Substratanschluss im Transistor mit Source verbunden |
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N-Kanal Isolierschicht-Feldeffekttransistor (N-IGFET) Verarmungstyp mit zwei Gates und zusätzlichem Substratanschluss |