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Ein Bipolartransistor, meist als BJT (Bipolar Junction Transistor) bezeichnet, ist ein Transistor, bei dem Ladungsträger beider Polarität (Elektronen und Defektelektronen) zur Funktion beitragen.
Typen und Schaltzeichen
Es gibt npn-Typen und pnp-Typen, die Buchstaben geben die Reihenfolge der Schichtung an. Somit bildet ein Bipolartransistor immer zwei gegeneinander geschaltete Dioden.
Beim pnp-Transistor ist die Reihenfolge der Schichten p-n-p, d. h. die beiden Dioden zwischen Basis und Emitter sowie zwischen Basis und Kollektor haben jeweils die entgegengesetzte Polung gegenüber dem npn-Typ.
Datei:Bipolar pnp.PNGDioden-Ersatzschaltbild (oben) und und Schaltzeichen eines pnp-Bipolartransistors
Im Schaltzeichen drückt man den Unterschied aus, indem man den Richtungspfeil der Basis-Emitter-Diode umdreht.
Um sich die Pfeilrichtung des Schaltzeichens besser merken zu können gibt es einen einprägsamen Spruch: "Tut der Pfeil der Basis weh, handelt sich's um pnp." Ein einfacher Satz für den pnp-Typ ist auch: Pfeil-Nach-Platte--> PNP
Die Pfeilrichtung kann man auch mit der Stromrichtung erklären npn negativ-positiv-negativ von Plus nach Minus
also zeigt der Pfeil von p nach n also nach außen. Umgekehrt beim pnp Transistor positiv-negativ-positiv von Plus nach Minus also nach innen.
Aufbau
Der Bipolartransistor wurde auf der Grundlage der Diode entwickelt. Eine Diode besteht aus zwei dotierten Halbleiterschichten (PN- beziehungsweise NP-dotiert) und „schaltet“ Strom nur in einer Richtung durch. Ein Transistor ist nun eine Kombination aus drei abwechselnden p- und n-dotiertenHalbleiterschichten (NPN- beziehungsweise PNP). Sie werden als Kollektor (C), Basis (B) und Emitter (E) bezeichnet. Die Basis ist besonders dünn und liegt zwischen Kollektor und Emitter.
Eine konsequente Erweiterung dieses Prinzips sind Halbleiterbauelemente aus mehreren Schichten (z. B. PNPN); diese werden auch als Thyristoren bezeichnet.
Funktionsweise
Beim Bipolartransistor steuert ein Strom IB im Basis-Emitter-Kreis einen (stärkeren) Strom IC im Kollektor-Emitter-Kreis.
Die drei Kristallschichten bilden zwei p-n-Übergänge aus, d. h. es handelt sich um zwei Dioden mit einer gemeinsamen Elektrode. Als Beispiel ist ein npn-Transistor gewählt.
Nachfolgend sind oben schematisch die Verhältnisse im Kristall dargestellt, darunter im Bändermodell. Hierbei stellen die kleinen +/- Symbole bewegliche Ladungsträger (Majoritätsladungsträger, Elektronen bzw. Defektelektronen) dar, während die Großen die ionisierten Dotieratome symbolisieren.
Solange man nur Kollektor und Emitter anschließt (+ am Kollektor, - am Emitter), hat man es mit zwei Dioden zu tun, von denen eine gesperrt ist, es fließt also nur ein kleiner Strom, welcher betragsgleich mit dem Sperrstrom der BC-Diode ist. Die angelegte Spannung verkleinert zwar die B-E-Sperrschicht, vergrößert aber die C-B-Sperrschicht.
Durch Schließen des B-E-Stromkreises (+ an der Basis, - am Emitter) wird die B-E-Diode leitend. Es gelangen Elektronen aus dem Emitter (lat. emittere = aussenden) in die Basis. Wegen der geringen Weite der Basis können die meisten Elektronen auf die Seite der C-B-Sperrschicht diffundieren, von der aus diese keinen Potenzialwall, sondern ein Gefälle darstellt. Das elektrische Feld in der Sperrschicht beschleunigt die Elektronen in Richtung Kollektor (lat. colligere = sammeln). Somit fließt nun auch Strom im C-E-Stromkreis.
Da der zwischen Basis und Emitter fließende Strom nur die B-E-Sperrschicht leitend machen muss, genügt hier eine kleine Spannung an der Basis. Die einmal in die Basis gelangten Elektronen fließen zum größten Teil (ca. 99 %) weiter zum Kollektor. Es wird also ein viel größerer Strom durch den kleinen gesteuert. Das Verhältnis der Ströme ist vom Typ abhängig, man bezeichnet es als den Stromverstärkungsfaktor β. Er liegt in der Größenordnung von 10 bis 10.000, je nach Konstruktion des Transistors.
Die Wirkungsweise eines pnp-Transistors ist entsprechend, jedoch sind die Polungen beider Stromkreise umzukehren, um der entgegengesetzten Polung der beiden Sperrschichten Rechnung zu tragen.
Der Bipolartransistor besteht aus zwei PN-Übergängen, so dass man ihn auch als Hintereinanderschaltung von zwei Dioden betrachten kann. Indem man entsprechende Spannungen anlegt, kann man beide Übergänge unabhängig voneinander sperren oder durchschalten. Dadurch ergeben sich vier mögliche Arbeitsbereiche, in denen der Transistor ein je eigenes Verhalten zeigt.
Sperrbereich: Beide Übergänge sperren. Hier leitet der Transistor keinen Strom. Er entspricht einem geöffneten Schalter.
Verstärkungsbereich: Der Basis-Kollektor-Übergang sperrt, der Basis-Emitter-Übergang schaltet durch. Hier gilt näherungsweise , wobei B der Stromverstärkungsfaktor ist. Da B relativ groß ist, führen hier kleine Änderungen des Basisstroms zu großen Änderungen des Kollektorstroms . Transistoren werden in diesem Bereich betrieben, um Signale zu verstärken.
Sättigungsbereich: Beide Übergänge schalten durch. Hier leitet der Transistor den Strom, allerdings ist der Kollektorstrom unabhängig vom Basisstrom . Der Transistor entspricht einem geschlossenen Schalter.
Der Bipolartransistor besteht aus zwei PN-Übergängen, so dass man ihn auch als Hintereinanderschaltung von zwei Dioden betrachten kann. Indem man entsprechende Spannungen anlegt, kann man beide Übergänge unabhängig voneinander sperren oder durchschalten. Dadurch ergeben sich vier mögliche Arbeitsbereiche, in denen der Transistor ein je eigenes Verhalten zeigt.
Sperrbereich: Beide Übergänge sperren. Hier leitet der Transistor keinen Strom. Er entspricht einem geöffneten Schalter.
Verstärkungsbereich: Der Basis-Kollektor-Übergang sperrt, der Basis-Emitter-Übergang schaltet durch. Hier gilt näherungsweise , wobei B der Stromverstärkungsfaktor ist. Da B relativ groß ist, führen hier kleine Änderungen des Basisstroms zu großen Änderungen des Kollektorstroms . Transistoren werden in diesem Bereich betrieben, um Signale zu verstärken.
Sättigungsbereich: Beide Übergänge schalten durch. Hier leitet der Transistor den Strom, allerdings ist der Kollektorstrom unabhängig vom Basisstrom . Der Transistor entspricht einem geschlossenen Schalter.
inverser Verstärkungsbereich: Der Basis-Kollektor-Übergang schaltet durch, der
Der Bipolartransistor besteht aus zwei PN-Übergängen, so dass man ihn auch als Hintereinanderschaltung von zwei Dioden betrachten kann. Indem man entsprechende Spannungen anlegt, kann man beide Übergänge unabhängig voneinander sperren oder durchschalten. Dadurch ergeben sich vier mögliche Arbeitsbereiche, in denen der Transistor ein je eigenes Verhalten zeigt.
Sperrbereich: Beide Übergänge sperren. Hier leitet der Transistor keinen Strom. Er entspricht einem geöffneten Schalter.
Verstärkungsbereich: Der Basis-Kollektor-Übergang sperrt, der Basis-Emitter-Übergang schaltet durch. Hier gilt näherungsweise , wobei B der Stromverstärkungsfaktor ist. Da B relativ groß ist, führen hier kleine Änderungen des Basisstroms zu großen Änderungen des Kollektorstroms . Transistoren werden in diesem Bereich betrieben, um Signale zu verstärken.
Sättigungsbereich: Beide Übergänge schalten durch. Hier leitet der Transistor den Strom, allerdings ist der Kollektorstrom unabhängig vom Basisstrom . Der Transistor entspricht einem geschlossenen Schalter.
inverser Verstärkungsbereich: Der Basis-Kollektor-Übergang schaltet durch, der B
Der Bipolartransistor besteht aus zwei PN-Übergängen, so dass man ihn auch als Hintereinanderschaltung von zwei Dioden betrachten kann. Indem man entsprechende Spannungen anlegt, kann man beide Übergänge unabhängig voneinander sperren oder durchschalten. Dadurch ergeben sich vier mögliche Arbeitsbereiche, in denen der Transistor ein je eigenes Verhalten zeigt.
Sperrbereich: Beide Übergänge sperren. Hier leitet der Transistor keinen Strom. Er entspricht einem geöffneten Schalter.
Verstärkungsbereich: Der Basis-Kollektor-Übergang sperrt, der Basis-Emitter-Übergang schaltet durch. Hier gilt näherungsweise , wobei B der Stromverstärkungsfaktor ist. Da B relativ groß ist, führen hier kleine Änderungen des Basisstroms zu großen Änderungen des Kollektorstroms . Transistoren werden in diesem Bereich betrieben, um Signale zu verstärken.
Sättigungsbereich: Beide Übergänge schalten durch. Hier leitet der Transistor den Strom, allerdings ist der Kollektorstrom unabhängig vom Basisstrom . Der Transistor entspricht einem geschlossenen Schalter.
inverser Verstärkungsbereich: Der Basis-Kollektor-Übergang schaltet durch, der Basis-
Der Bipolartransistor besteht aus zwei PN-Übergängen, so dass man ihn auch als Hintereinanderschaltung von zwei Dioden betrachten kann. Indem man entsprechende Spannungen anlegt, kann man beide Übergänge unabhängig voneinander sperren oder durchschalten. Dadurch ergeben sich vier mögliche Arbeitsbereiche, in denen der Transistor ein je eigenes Verhalten zeigt.
Sperrbereich: Beide Übergänge sperren. Hier leitet der Transistor keinen Strom. Er entspricht einem geöffneten Schalter.
Verstärkungsbereich: Der Basis-Kollektor-Übergang sperrt, der Basis-Emitter-Übergang schaltet durch. Hier gilt näherungsweise , wobei B der Stromverstärkungsfaktor ist. Da B relativ groß ist, führen hier kleine Änderungen des Basisstroms zu großen Änderungen des Kollektorstroms . Transistoren werden in diesem Bereich betrieben, um Signale zu verstärken.
Sättigungsbereich: Beide Übergänge schalten durch. Hier leitet der Transistor den Strom, allerdings ist der Kollektorstrom unabhängig vom Basisstrom . Der Transistor entspricht einem geschlossenen Schalter.
inverser Verstärkungsbereich: Der Basis-Kollektor-Übergang schaltet durch, der Basis-
Der Bipolartransistor besteht aus zwei PN-Übergängen, so dass man ihn auch als Hintereinanderschaltung von zwei Dioden betrachten kann. Indem man entsprechende Spannungen anlegt, kann man beide Übergänge unabhängig voneinander sperren oder durchschalten. Dadurch ergeben sich vier mögliche Arbeitsbereiche, in denen der Transistor ein je eigenes Verhalten zeigt.
Sperrbereich: Beide Übergänge sperren. Hier leitet der Transistor keinen Strom. Er entspricht einem geöffneten Schalter.
Verstärkungsbereich: Der Basis-Kollektor-Übergang sperrt, der Basis-Emitter-Übergang schaltet durch. Hier gilt näherungsweise , wobei B der Stromverstärkungsfaktor ist. Da B relativ groß ist, führen hier kleine Änderungen des Basisstroms zu großen Änderungen des Kollektorstroms . Transistoren werden in diesem Bereich betrieben, um Signale zu verstärken.
Sättigungsbereich: Beide Übergänge schalten durch. Hier leitet der Transistor den Strom, allerdings ist der Kollektorstrom unabhängig vom Basisstrom . Der Transistor entspricht einem geschlossenen Schalter.
inverser Verstärkungsbereich: Der Basis-Kollektor-Übergang schaltet durch, der Basis-
Der Bipolartransistor besteht aus zwei PN-Übergängen, so dass man ihn auch als Hintereinanderschaltung von zwei Dioden betrachten kann. Indem man entsprechende Spannungen anlegt, kann man beide Übergänge unabhängig voneinander sperren oder durchschalten. Dadurch ergeben sich vier mögliche Arbeitsbereiche, in denen der Transistor ein je eigenes Verhalten zeigt.
Sperrbereich: Beide Übergänge sperren. Hier leitet der Transistor keinen Strom. Er entspricht einem geöffneten Schalter.
Verstärkungsbereich: Der Basis-Kollektor-Übergang sperrt, der Basis-Emitter-Übergang schaltet durch. Hier gilt näherungsweise , wobei B der Stromverstärkungsfaktor ist. Da B relativ groß ist, führen hier kleine Änderungen des Basisstroms zu großen Änderungen des Kollektorstroms . Transistoren werden in diesem Bereich betrieben, um Signale zu verstärken.
Sättigungsbereich: Beide Übergänge schalten durch. Hier leitet der Transistor den Strom, allerdings ist der Kollektorstrom unabhängig vom Basisstrom . Der Transistor entspricht einem geschlossenen Schalter.
inverser Verstärkungsbereich: Der Basis-Kollektor-Übergang schaltet durch, der Basis-
Der Bipolartransistor besteht aus zwei PN-Übergängen, so dass man ihn auch als Hintereinanderschaltung von zwei Dioden betrachten kann. Indem man entsprechende Spannungen anlegt, kann man beide Übergänge unabhängig voneinander sperren oder durchschalten. Dadurch ergeben sich vier mögliche Arbeitsbereiche, in denen der Transistor ein je eigenes Verhalten zeigt.
Sperrbereich: Beide Übergänge sperren. Hier leitet der Transistor keinen Strom. Er entspricht einem geöffneten Schalter.
Verstärkungsbereich: Der Basis-Kollektor-Übergang sperrt, der Basis-Emitter-Übergang schaltet durch. Hier gilt näherungsweise , wobei B der Stromverstärkungsfaktor ist. Da B relativ groß ist, führen hier kleine Änderungen des Basisstroms zu großen Änderungen des Kollektorstroms . Transistoren werden in diesem Bereich betrieben, um Signale zu verstärken.
Sättigungsbereich: Beide Übergänge schalten durch. Hier leitet der Transistor den Strom, allerdings ist der Kollektorstrom unabhängig vom Basisstrom . Der Transistor entspricht einem geschlossenen Schalter.
inverser Verstärkungsbereich: Der Basis-Kollektor-Übergang schaltet durch, der Basis-
Der Bipolartransistor besteht aus zwei PN-Übergängen, so dass man ihn auch als Hintereinanderschaltung von zwei Dioden betrachten kann. Indem man entsprechende Spannungen anlegt, kann man beide Übergänge unabhängig voneinander sperren oder durchschalten. Dadurch ergeben sich vier mögliche Arbeitsbereiche, in denen der Transistor ein je eigenes Verhalten zeigt.
Sperrbereich: Beide Übergänge sperren. Hier leitet der Transistor keinen Strom. Er entspricht einem geöffneten Schalter.
Verstärkungsbereich: Der Basis-Kollektor-Übergang sperrt, der Basis-Emitter-Übergang schaltet durch. Hier gilt näherungsweise , wobei B der Stromverstärkungsfaktor ist. Da B relativ groß ist, führen hier kleine Änderungen des Basisstroms zu großen Änderungen des Kollektorstroms . Transistoren werden in diesem Bereich betrieben, um Signale zu verstärken.
Sättigungsbereich: Beide Übergänge schalten durch. Hier leitet der Transistor den Strom, allerdings ist der Kollektorstrom unabhängig vom Basisstrom . Der Transistor entspricht einem geschlossenen Schalter.
inverser Verstärkungsbereich: Der Basis-Kollektor-Übergang schaltet durch, der Basis-
Der Bipolartransistor besteht aus zwei PN-Übergängen, so dass man ihn auch als Hintereinanderschaltung von zwei Dioden betrachten kann. Indem man entsprechende Spannungen anlegt, kann man beide Übergänge unabhängig voneinander sperren oder durchschalten. Dadurch ergeben sich vier mögliche Arbeitsbereiche, in denen der Transistor ein je eigenes Verhalten zeigt.
Sperrbereich: Beide Übergänge sperren. Hier leitet der Transistor keinen Strom. Er entspricht einem geöffneten Schalter.
Verstärkungsbereich: Der Basis-Kollektor-Übergang sperrt, der Basis-Emitter-Übergang schaltet durch. Hier gilt näherungsweise , wobei B der Stromverstärkungsfaktor ist. Da B relativ groß ist, führen hier kleine Änderungen des Basisstroms zu großen Änderungen des Kollektorstroms . Transistoren werden in diesem Bereich betrieben, um Signale zu verstärken.
Sättigungsbereich: Beide Übergänge schalten durch. Hier leitet der Transistor den Strom, allerdings ist der Kollektorstrom unabhängig vom Basisstrom . Der Transistor entspricht einem geschlossenen Schalter.
inverser Verstärkungsbereich: Der Basis-Kollektor-Übergang schaltet durch, der Basis-
Der Bipolartransistor besteht aus zwei PN-Übergängen, so dass man ihn auch als Hintereinanderschaltung von zwei Dioden betrachten kann. Indem man entsprechende Spannungen anlegt, kann man beide Übergänge unabhängig voneinander sperren oder durchschalten. Dadurch ergeben sich vier mögliche Arbeitsbereiche, in denen der Transistor ein je eigenes Verhalten zeigt.
Sperrbereich: Beide Übergänge sperren. Hier leitet der Transistor keinen Strom. Er entspricht einem geöffneten Schalter.
Verstärkungsbereich: Der Basis-Kollektor-Übergang sperrt, der Basis-Emitter-Übergang schaltet durch. Hier gilt näherungsweise , wobei B der Stromverstärkungsfaktor ist. Da B relativ groß ist, führen hier kleine Änderungen des Basisstroms zu großen Änderungen des Kollektorstroms . Transistoren werden in diesem Bereich betrieben, um Signale zu verstärken.
Sättigungsbereich: Beide Übergänge schalten durch. Hier leitet der Transistor den Strom, allerdings ist der Kollektorstrom unabhängig vom Basisstrom . Der Transistor entspricht einem geschlossenen Schalter.
inverser Verstärkungsbereich: Der Basis-Kollektor-Übergang schaltet durch, der Basis-
Der Bipolartransistor besteht aus zwei PN-Übergängen, so dass man ihn auch als Hintereinanderschaltung von zwei Dioden betrachten kann. Indem man entsprechende Spannungen anlegt, kann man beide Übergänge unabhängig voneinander sperren oder durchschalten. Dadurch ergeben sich vier mögliche Arbeitsbereiche, in denen der Transistor ein je eigenes Verhalten zeigt.
Sperrbereich: Beide Übergänge sperren. Hier leitet der Transistor keinen Strom. Er entspricht einem geöffneten Schalter.
Verstärkungsbereich: Der Basis-Kollektor-Übergang sperrt, der Basis-Emitter-Übergang schaltet durch. Hier gilt näherungsweise , wobei B der Stromverstärkungsfaktor ist. Da B relativ groß ist, führen hier kleine Änderungen des Basisstroms zu großen Änderungen des Kollektorstroms . Transistoren werden in diesem Bereich betrieben, um Signale zu verstärken.
Sättigungsbereich: Beide Übergänge schalten durch. Hier leitet der Transistor den Strom, allerdings ist der Kollektorstrom unabhängig vom Basisstrom . Der Transistor entspricht einem geschlossenen Schalter.
inverser Verstärkungsbereich: Der Basis-Kollektor-Übergang schaltet durch, der Basis-
Der Bipolartransistor besteht aus zwei PN-Übergängen, so dass man ihn auch als Hintereinanderschaltung von zwei Dioden betrachten kann. Indem man entsprechende Spannungen anlegt, kann man beide Übergänge unabhängig voneinander sperren oder durchschalten. Dadurch ergeben sich vier mögliche Arbeitsbereiche, in denen der Transistor ein je eigenes Verhalten zeigt.
Sperrbereich: Beide Übergänge sperren. Hier leitet der Transistor keinen Strom. Er entspricht einem geöffneten Schalter.
Verstärkungsbereich: Der Basis-Kollektor-Übergang sperrt, der Basis-Emitter-Übergang schaltet durch. Hier gilt näherungsweise , wobei B der Stromverstärkungsfaktor ist. Da B relativ groß ist, führen hier kleine Änderungen des Basisstroms zu großen Änderungen des Kollektorstroms . Transistoren werden in diesem Bereich betrieben, um Signale zu verstärken.
Sättigungsbereich: Beide Übergänge schalten durch. Hier leitet der Transistor den Strom, allerdings ist der Kollektorstrom unabhängig vom Basisstrom . Der Transistor entspricht einem geschlossenen Schalter.
inverser Verstärkungsbereich: Der Basis-Kollektor-Übergang schaltet durch, der Basis-
Der Bipolartransistor besteht aus zwei PN-Übergängen, so dass man ihn auch als Hintereinanderschaltung von zwei Dioden betrachten kann. Indem man entsprechende Spannungen anlegt, kann man beide Übergänge unabhängig voneinander sperren oder durchschalten. Dadurch ergeben sich vier mögliche Arbeitsbereiche, in denen der Transistor ein je eigenes Verhalten zeigt.
Sperrbereich: Beide Übergänge sperren. Hier leitet der Transistor keinen Strom. Er entspricht einem geöffneten Schalter.
Verstärkungsbereich: Der Basis-Kollektor-Übergang sperrt, der Basis-Emitter-Übergang schaltet durch. Hier gilt näherungsweise , wobei B der Stromverstärkungsfaktor ist. Da B relativ groß ist, führen hier kleine Änderungen des Basisstroms zu großen Änderungen des Kollektorstroms . Transistoren werden in diesem Bereich betrieben, um Signale zu verstärken.
Sättigungsbereich: Beide Übergänge schalten durch. Hier leitet der Transistor den Strom, allerdings ist der Kollektorstrom unabhängig vom Basisstrom . Der Transistor entspricht einem geschlossenen Schalter.
inverser Verstärkungsbereich: Der Basis-Kollektor-Übergang schaltet durch, der Basis-
Der Bipolartransistor besteht aus zwei PN-Übergängen, so dass man ihn auch als Hintereinanderschaltung von zwei Dioden betrachten kann. Indem man entsprechende Spannungen anlegt, kann man beide Übergänge unabhängig voneinander sperren oder durchschalten. Dadurch ergeben sich vier mögliche Arbeitsbereiche, in denen der Transistor ein je eigenes Verhalten zeigt.
Sperrbereich: Beide Übergänge sperren. Hier leitet der Transistor keinen Strom. Er entspricht einem geöffneten Schalter.
Verstärkungsbereich: Der Basis-Kollektor-Übergang sperrt, der Basis-Emitter-Übergang schaltet durch. Hier gilt näherungsweise , wobei B der Stromverstärkungsfaktor ist. Da B relativ groß ist, führen hier kleine Änderungen des Basisstroms zu großen Änderungen des Kollektorstroms . Transistoren werden in diesem Bereich betrieben, um Signale zu verstärken.
Sättigungsbereich: Beide Übergänge schalten durch. Hier leitet der Transistor den Strom, allerdings ist der Kollektorstrom unabhängig vom Basisstrom . Der Transistor entspricht einem geschlossenen Schalter.
inverser Verstärkungsbereich: Der Basis-Kollektor-Übergang schaltet durch, der Basis-
Der Bipolartransistor besteht aus zwei PN-Übergängen, so dass man ihn auch als Hintereinanderschaltung von zwei Dioden betrachten kann. Indem man entsprechende Spannungen anlegt, kann man beide Übergänge unabhängig voneinander sperren oder durchschalten. Dadurch ergeben sich vier mögliche Arbeitsbereiche, in denen der Transistor ein je eigenes Verhalten zeigt.
Sperrbereich: Beide Übergänge sperren. Hier leitet der Transistor keinen Strom. Er entspricht einem geöffneten Schalter.
Verstärkungsbereich: Der Basis-Kollektor-Übergang sperrt, der Basis-Emitter-Übergang schaltet durch. Hier gilt näherungsweise , wobei B der Stromverstärkungsfaktor ist. Da B relativ groß ist, führen hier kleine Änderungen des Basisstroms zu großen Änderungen des Kollektorstroms . Transistoren werden in diesem Bereich betrieben, um Signale zu verstärken.
Sättigungsbereich: Beide Übergänge schalten durch. Hier leitet der Transistor den Strom, allerdings ist der Kollektorstrom unabhängig vom Basisstrom . Der Transistor entspricht einem geschlossenen Schalter.
inverser Verstärkungsbereich: Der Basis-Kollektor-Übergang schaltet durch, der Basis-
Der Bipolartransistor besteht aus zwei PN-Übergängen, so dass man ihn auch als Hintereinanderschaltung von zwei Dioden betrachten kann. Indem man entsprechende Spannungen anlegt, kann man beide Übergänge unabhängig voneinander sperren oder durchschalten. Dadurch ergeben sich vier mögliche Arbeitsbereiche, in denen der Transistor ein je eigenes Verhalten zeigt.
Sperrbereich: Beide Übergänge sperren. Hier leitet der Transistor keinen Strom. Er entspricht einem geöffneten Schalter.
Verstärkungsbereich: Der Basis-Kollektor-Übergang sperrt, der Basis-Emitter-Übergang schaltet durch. Hier gilt näherungsweise , wobei B der Stromverstärkungsfaktor ist. Da B relativ groß ist, führen hier kleine Änderungen des Basisstroms zu großen Änderungen des Kollektorstroms . Transistoren werden in diesem Bereich betrieben, um Signale zu verstärken.
Sättigungsbereich: Beide Übergänge schalten durch. Hier leitet der Transistor den Strom, allerdings ist der Kollektorstrom unabhängig vom Basisstrom . Der Transistor entspricht einem geschlossenen Schalter.
inverser Verstärkungsbereich: Der Basis-Kollektor-Übergang schaltet durch, der Basis-
Der Bipolartransistor besteht aus zwei PN-Übergängen, so dass man ihn auch als Hintereinanderschaltung von zwei Dioden betrachten kann. Indem man entsprechende Spannungen anlegt, kann man beide Übergänge unabhängig voneinander sperren oder durchschalten. Dadurch ergeben sich vier mögliche Arbeitsbereiche, in denen der Transistor ein je eigenes Verhalten zeigt.
Sperrbereich: Beide Übergänge sperren. Hier leitet der Transistor keinen Strom. Er entspricht einem geöffneten Schalter.
Verstärkungsbereich: Der Basis-Kollektor-Übergang sperrt, der Basis-Emitter-Übergang schaltet durch. Hier gilt näherungsweise , wobei B der Stromverstärkungsfaktor ist. Da B relativ groß ist, führen hier kleine Änderungen des Basisstroms zu großen Änderungen des Kollektorstroms . Transistoren werden in diesem Bereich betrieben, um Signale zu verstärken.
Sättigungsbereich: Beide Übergänge schalten durch. Hier leitet der Transistor den Strom, allerdings ist der Kollektorstrom unabhängig vom Basisstrom . Der Transistor entspricht einem geschlossenen Schalter.
inverser Verstärkungsbereich: Der Basis-Kollektor-Übergang schaltet durch, der Basis-
Der Bipolartransistor besteht aus zwei PN-Übergängen, so dass man ihn auch als Hintereinanderschaltung von zwei Dioden betrachten kann. Indem man entsprechende Spannungen anlegt, kann man beide Übergänge unabhängig voneinander sperren oder durchschalten. Dadurch ergeben sich vier mögliche Arbeitsbereiche, in denen der Transistor ein je eigenes Verhalten zeigt.
Sperrbereich: Beide Übergänge sperren. Hier leitet der Transistor keinen Strom. Er entspricht einem geöffneten Schalter.
Verstärkungsbereich: Der Basis-Kollektor-Übergang sperrt, der Basis-Emitter-Übergang schaltet durch. Hier gilt näherungsweise , wobei B der Stromverstärkungsfaktor ist. Da B relativ groß ist, führen hier kleine Änderungen des Basisstroms zu großen Änderungen des Kollektorstroms . Transistoren werden in diesem Bereich betrieben, um Signale zu verstärken.
Sättigungsbereich: Beide Übergänge schalten durch. Hier leitet der Transistor den Strom, allerdings ist der Kollektorstrom unabhängig vom Basisstrom . Der Transistor entspricht einem geschlossenen Schalter.
inverser Verstärkungsbereich: Der Basis-Kollektor-Übergang schaltet durch, der Basis-
Der Bipolartransistor besteht aus zwei PN-Übergängen, so dass man ihn auch als Hintereinanderschaltung von zwei Dioden betrachten kann. Indem man entsprechende Spannungen anlegt, kann man beide Übergänge unabhängig voneinander sperren oder durchschalten. Dadurch ergeben sich vier mögliche Arbeitsbereiche, in denen der Transistor ein je eigenes Verhalten zeigt.
Sperrbereich: Beide Übergänge sperren. Hier leitet der Transistor keinen Strom. Er entspricht einem geöffneten Schalter.
Verstärkungsbereich: Der Basis-Kollektor-Übergang sperrt, der Basis-Emitter-Übergang schaltet durch. Hier gilt näherungsweise , wobei B der Stromverstärkungsfaktor ist. Da B relativ groß ist, führen hier kleine Änderungen des Basisstroms zu großen Änderungen des Kollektorstroms . Transistoren werden in diesem Bereich betrieben, um Signale zu verstärken.
Sättigungsbereich: Beide Übergänge schalten durch. Hier leitet der Transistor den Strom, allerdings ist der Kollektorstrom unabhängig vom Basisstrom . Der Transistor entspricht einem geschlossenen Schalter.
inverser Verstärkungsbereich: Der Basis-Kollektor-Übergang schaltet durch, der Basis-
Der Bipolartransistor besteht aus zwei PN-Übergängen, so dass man ihn auch als Hintereinanderschaltung von zwei Dioden betrachten kann. Indem man entsprechende Spannungen anlegt, kann man beide Übergänge unabhängig voneinander sperren oder durchschalten. Dadurch ergeben sich vier mögliche Arbeitsbereiche, in denen der Transistor ein je eigenes Verhalten zeigt.
Sperrbereich: Beide Übergänge sperren. Hier leitet der Transistor keinen Strom. Er entspricht einem geöffneten Schalter.
Verstärkungsbereich: Der Basis-Kollektor-Übergang sperrt, der Basis-Emitter-Übergang schaltet durch. Hier gilt näherungsweise , wobei B der Stromverstärkungsfaktor ist. Da B relativ groß ist, führen hier kleine Änderungen des Basisstroms zu großen Änderungen des Kollektorstroms . Transistoren werden in diesem Bereich betrieben, um Signale zu verstärken.
Sättigungsbereich: Beide Übergänge schalten durch. Hier leitet der Transistor den Strom, allerdings ist der Kollektorstrom unabhängig vom Basisstrom . Der Transistor entspricht einem geschlossenen Schalter.
inverser Verstärkungsbereich: Der Basis-Kollektor-Übergang schaltet durch, der Basis-
Der Bipolartransistor besteht aus zwei PN-Übergängen, so dass man ihn auch als Hintereinanderschaltung von zwei Dioden betrachten kann. Indem man entsprechende Spannungen anlegt, kann man beide Übergänge unabhängig voneinander sperren oder durchschalten. Dadurch ergeben sich vier mögliche Arbeitsbereiche, in denen der Transistor ein je eigenes Verhalten zeigt.
Sperrbereich: Beide Übergänge sperren. Hier leitet der Transistor keinen Strom. Er entspricht einem geöffneten Schalter.
Verstärkungsbereich: Der Basis-Kollektor-Übergang sperrt, der Basis-Emitter-Übergang schaltet durch. Hier gilt näherungsweise , wobei B der Stromverstärkungsfaktor ist. Da B relativ groß ist, führen hier kleine Änderungen des Basisstroms zu großen Änderungen des Kollektorstroms . Transistoren werden in diesem Bereich betrieben, um Signale zu verstärken.
Sättigungsbereich: Beide Übergänge schalten durch. Hier leitet der Transistor den Strom, allerdings ist der Kollektorstrom unabhängig vom Basisstrom . Der Transistor entspricht einem geschlossenen Schalter.
inverser Verstärkungsbereich: Der Basis-Kollektor-Übergang schaltet durch, der Basis-
Der Bipolartransistor besteht aus zwei PN-Übergängen, so dass man ihn auch als Hintereinanderschaltung von zwei Dioden betrachten kann. Indem man entsprechende Spannungen anlegt, kann man beide Übergänge unabhängig voneinander sperren oder durchschalten. Dadurch ergeben sich vier mögliche Arbeitsbereiche, in denen der Transistor ein je eigenes Verhalten zeigt.
Sperrbereich: Beide Übergänge sperren. Hier leitet der Transistor keinen Strom. Er entspricht einem geöffneten Schalter.
Verstärkungsbereich: Der Basis-Kollektor-Übergang sperrt, der Basis-Emitter-Übergang schaltet durch. Hier gilt näherungsweise , wobei B der Stromverstärkungsfaktor ist. Da B relativ groß ist, führen hier kleine Änderungen des Basisstroms zu großen Änderungen des Kollektorstroms . Transistoren werden in diesem Bereich betrieben, um Signale zu verstärken.
Sättigungsbereich: Beide Übergänge schalten durch. Hier leitet der Transistor den Strom, allerdings ist der Kollektorstrom unabhängig vom Basisstrom . Der Transistor entspricht einem geschlossenen Schalter.
inverser Verstärkungsbereich: Der Basis-Kollektor-Übergang schaltet durch, der Basis-
Der Bipolartransistor besteht aus zwei PN-Übergängen, so dass man ihn auch als Hintereinanderschaltung von zwei Dioden betrachten kann. Indem man entsprechende Spannungen anlegt, kann man beide Übergänge unabhängig voneinander sperren oder durchschalten. Dadurch ergeben sich vier mögliche Arbeitsbereiche, in denen der Transistor ein je eigenes Verhalten zeigt.
Sperrbereich: Beide Übergänge sperren. Hier leitet der Transistor keinen Strom. Er entspricht einem geöffneten Schalter.
Verstärkungsbereich: Der Basis-Kollektor-Übergang sperrt, der Basis-Emitter-Übergang schaltet durch. Hier gilt näherungsweise , wobei B der Stromverstärkungsfaktor ist. Da B relativ groß ist, führen hier kleine Änderungen des Basisstroms zu großen Änderungen des Kollektorstroms . Transistoren werden in diesem Bereich betrieben, um Signale zu verstärken.
Sättigungsbereich: Beide Übergänge schalten durch. Hier leitet der Transistor den Strom, allerdings ist der Kollektorstrom unabhängig vom Basisstrom . Der Transistor entspricht einem geschlossenen Schalter.
inverser Verstärkungsbereich: Der Basis-Kollektor-Übergang schaltet durch, der Basis-
Der Bipolartransistor besteht aus zwei PN-Übergängen, so dass man ihn auch als Hintereinanderschaltung von zwei Dioden betrachten kann. Indem man entsprechende Spannungen anlegt, kann man beide Übergänge unabhängig voneinander sperren oder durchschalten. Dadurch ergeben sich vier mögliche Arbeitsbereiche, in denen der Transistor ein je eigenes Verhalten zeigt.
Sperrbereich: Beide Übergänge sperren. Hier leitet der Transistor keinen Strom. Er entspricht einem geöffneten Schalter.
Verstärkungsbereich: Der Basis-Kollektor-Übergang sperrt, der Basis-Emitter-Übergang schaltet durch. Hier gilt näherungsweise , wobei B der Stromverstärkungsfaktor ist. Da B relativ groß ist, führen hier kleine Änderungen des Basisstroms zu großen Änderungen des Kollektorstroms . Transistoren werden in diesem Bereich betrieben, um Signale zu verstärken.
Sättigungsbereich: Beide Übergänge schalten durch. Hier leitet der Transistor den Strom, allerdings ist der Kollektorstrom unabhängig vom Basisstrom . Der Transistor entspricht einem geschlossenen Schalter.
inverser Verstärkungsbereich: Der Basis-Kollektor-Übergang schaltet durch, der Basis-
Der Bipolartransistor besteht aus zwei PN-Übergängen, so dass man ihn auch als Hintereinanderschaltung von zwei Dioden betrachten kann. Indem man entsprechende Spannungen anlegt, kann man beide Übergänge unabhängig voneinander sperren oder durchschalten. Dadurch ergeben sich vier mögliche Arbeitsbereiche, in denen der Transistor ein je eigenes Verhalten zeigt.
Sperrbereich: Beide Übergänge sperren. Hier leitet der Transistor keinen Strom. Er entspricht einem geöffneten Schalter.
Verstärkungsbereich: Der Basis-Kollektor-Übergang sperrt, der Basis-Emitter-Übergang schaltet durch. Hier gilt näherungsweise , wobei B der Stromverstärkungsfaktor ist. Da B relativ groß ist, führen hier kleine Änderungen des Basisstroms zu großen Änderungen des Kollektorstroms . Transistoren werden in diesem Bereich betrieben, um Signale zu verstärken.
Sättigungsbereich: Beide Übergänge schalten durch. Hier leitet der Transistor den Strom, allerdings ist der Kollektorstrom unabhängig vom Basisstrom . Der Transistor entspricht einem geschlossenen Schalter.
inverser Verstärkungsbereich: Der Basis-Kollektor-Übergang schaltet durch, der Basis-
Der Bipolartransistor besteht aus zwei PN-Übergängen, so dass man ihn auch als Hintereinanderschaltung von zwei Dioden betrachten kann. Indem man entsprechende Spannungen anlegt, kann man beide Übergänge unabhängig voneinander sperren oder durchschalten. Dadurch ergeben sich vier mögliche Arbeitsbereiche, in denen der Transistor ein je eigenes Verhalten zeigt.
Sperrbereich: Beide Übergänge sperren. Hier leitet der Transistor keinen Strom. Er entspricht einem geöffneten Schalter.
Verstärkungsbereich: Der Basis-Kollektor-Übergang sperrt, der Basis-Emitter-Übergang schaltet durch. Hier gilt näherungsweise , wobei B der Stromverstärkungsfaktor ist. Da B relativ groß ist, führen hier kleine Änderungen des Basisstroms zu großen Änderungen des Kollektorstroms . Transistoren werden in diesem Bereich betrieben, um Signale zu verstärken.
Sättigungsbereich: Beide Übergänge schalten durch. Hier leitet der Transistor den Strom, allerdings ist der Kollektorstrom unabhängig vom Basisstrom . Der Transistor entspricht einem geschlossenen Schalter.
inverser Verstärkungsbereich: Der Basis-Kollektor-Übergang schaltet durch, der Basis-
Der Bipolartransistor besteht aus zwei PN-Übergängen, so dass man ihn auch als Hintereinanderschaltung von zwei Dioden betrachten kann. Indem man entsprechende Spannungen anlegt, kann man beide Übergänge unabhängig voneinander sperren oder durchschalten. Dadurch ergeben sich vier mögliche Arbeitsbereiche, in denen der Transistor ein je eigenes Verhalten zeigt.
Sperrbereich: Beide Übergänge sperren. Hier leitet der Transistor keinen Strom. Er entspricht einem geöffneten Schalter.
Verstärkungsbereich: Der Basis-Kollektor-Übergang sperrt, der Basis-Emitter-Übergang schaltet durch. Hier gilt näherungsweise , wobei B der Stromverstärkungsfaktor ist. Da B relativ groß ist, führen hier kleine Änderungen des Basisstroms zu großen Änderungen des Kollektorstroms . Transistoren werden in diesem Bereich betrieben, um Signale zu verstärken.
Sättigungsbereich: Beide Übergänge schalten durch. Hier leitet der Transistor den Strom, allerdings ist der Kollektorstrom unabhängig vom Basisstrom . Der Transistor entspricht einem geschlossenen Schalter.
inverser Verstärkungsbereich: Der Basis-Kollektor-Übergang schaltet durch, der Basis-
Der Bipolartransistor besteht aus zwei PN-Übergängen, so dass man ihn auch als Hintereinanderschaltung von zwei Dioden betrachten kann. Indem man entsprechende Spannungen anlegt, kann man beide Übergänge unabhängig voneinander sperren oder durchschalten. Dadurch ergeben sich vier mögliche Arbeitsbereiche, in denen der Transistor ein je eigenes Verhalten zeigt.
Sperrbereich: Beide Übergänge sperren. Hier leitet der Transistor keinen Strom. Er entspricht einem geöffneten Schalter.
Verstärkungsbereich: Der Basis-Kollektor-Übergang sperrt, der Basis-Emitter-Übergang schaltet durch. Hier gilt näherungsweise , wobei B der Stromverstärkungsfaktor ist. Da B relativ groß ist, führen hier kleine Änderungen des Basisstroms zu großen Änderungen des Kollektorstroms . Transistoren werden in diesem Bereich betrieben, um Signale zu verstärken.
Sättigungsbereich: Beide Übergänge schalten durch. Hier leitet der Transistor den Strom, allerdings ist der Kollektorstrom unabhängig vom Basisstrom . Der Transistor entspricht einem geschlossenen Schalter.
inverser Verstärkungsbereich: Der Basis-Kollektor-Übergang schaltet durch, der Basis-
Der Bipolartransistor besteht aus zwei PN-Übergängen, so dass man ihn auch als Hintereinanderschaltung von zwei Dioden betrachten kann. Indem man entsprechende Spannungen anlegt, kann man beide Übergänge unabhängig voneinander sperren oder durchschalten. Dadurch ergeben sich vier mögliche Arbeitsbereiche, in denen der Transistor ein je eigenes Verhalten zeigt.
Sperrbereich: Beide Übergänge sperren. Hier leitet der Transistor keinen Strom. Er entspricht einem geöffneten Schalter.
Verstärkungsbereich: Der Basis-Kollektor-Übergang sperrt, der Basis-Emitter-Übergang schaltet durch. Hier gilt näherungsweise , wobei B der Stromverstärkungsfaktor ist. Da B relativ groß ist, führen hier kleine Änderungen des Basisstroms zu großen Änderungen des Kollektorstroms . Transistoren werden in diesem Bereich betrieben, um Signale zu verstärken.
Sättigungsbereich: Beide Übergänge schalten durch. Hier leitet der Transistor den Strom, allerdings ist der Kollektorstrom unabhängig vom Basisstrom . Der Transistor entspricht einem geschlossenen Schalter.
inverser Verstärkungsbereich: Der Basis-Kollektor-Übergang schaltet durch, der Basis-
Der Bipolartransistor besteht aus zwei PN-Übergängen, so dass man ihn auch als Hintereinanderschaltung von zwei Dioden betrachten kann. Indem man entsprechende Spannungen anlegt, kann man beide Übergänge unabhängig voneinander sperren oder durchschalten. Dadurch ergeben sich vier mögliche Arbeitsbereiche, in denen der Transistor ein je eigenes Verhalten zeigt.
Sperrbereich: Beide Übergänge sperren. Hier leitet der Transistor keinen Strom. Er entspricht einem geöffneten Schalter.
Verstärkungsbereich: Der Basis-Kollektor-Übergang sperrt, der Basis-Emitter-Übergang schaltet durch. Hier gilt näherungsweise , wobei B der Stromverstärkungsfaktor ist. Da B relativ groß ist, führen hier kleine Änderungen des Basisstroms zu großen Änderungen des Kollektorstroms . Transistoren werden in diesem Bereich betrieben, um Signale zu verstärken.
Sättigungsbereich: Beide Übergänge schalten durch. Hier leitet der Transistor den Strom, allerdings ist der Kollektorstrom unabhängig vom Basisstrom . Der Transistor entspricht einem geschlossenen Schalter.
inverser Verstärkungsbereich: Der Basis-Kollektor-Übergang schaltet durch, der Basis-
Der Bipolartransistor besteht aus zwei PN-Übergängen, so dass man ihn auch als Hintereinanderschaltung von zwei Dioden betrachten kann. Indem man entsprechende Spannungen anlegt, kann man beide Übergänge unabhängig voneinander sperren oder durchschalten. Dadurch ergeben sich vier mögliche Arbeitsbereiche, in denen der Transistor ein je eigenes Verhalten zeigt.
Sperrbereich: Beide Übergänge sperren. Hier leitet der Transistor keinen Strom. Er entspricht einem geöffneten Schalter.
Verstärkungsbereich: Der Basis-Kollektor-Übergang sperrt, der Basis-Emitter-Übergang schaltet durch. Hier gilt näherungsweise , wobei B der Stromverstärkungsfaktor ist. Da B relativ groß ist, führen hier kleine Änderungen des Basisstroms zu großen Änderungen des Kollektorstroms . Transistoren werden in diesem Bereich betrieben, um Signale zu verstärken.
Sättigungsbereich: Beide Übergänge schalten durch. Hier leitet der Transistor den Strom, allerdings ist der Kollektorstrom unabhängig vom Basisstrom . Der Transistor entspricht einem geschlossenen Schalter.
inverser Verstärkungsbereich: Der Basis-Kollektor-Übergang schaltet durch, der Basis-
Der Bipolartransistor besteht aus zwei PN-Übergängen, so dass man ihn auch als Hintereinanderschaltung von zwei Dioden betrachten kann. Indem man entsprechende Spannungen anlegt, kann man beide Übergänge unabhängig voneinander sperren oder durchschalten. Dadurch ergeben sich vier mögliche Arbeitsbereiche, in denen der Transistor ein je eigenes Verhalten zeigt.
Sperrbereich: Beide Übergänge sperren. Hier leitet der Transistor keinen Strom. Er entspricht einem geöffneten Schalter.
Verstärkungsbereich: Der Basis-Kollektor-Übergang sperrt, der Basis-Emitter-Übergang schaltet durch. Hier gilt näherungsweise , wobei B der Stromverstärkungsfaktor ist. Da B relativ groß ist, führen hier kleine Änderungen des Basisstroms zu großen Änderungen des Kollektorstroms . Transistoren werden in diesem Bereich betrieben, um Signale zu verstärken.
Sättigungsbereich: Beide Übergänge schalten durch. Hier leitet der Transistor den Strom, allerdings ist der Kollektorstrom unabhängig vom Basisstrom . Der Transistor entspricht einem geschlossenen Schalter.
inverser Verstärkungsbereich: Der Basis-Kollektor-Übergang schaltet durch, der Basis-
Der Bipolartransistor besteht aus zwei PN-Übergängen, so dass man ihn auch als Hintereinanderschaltung von zwei Dioden betrachten kann. Indem man entsprechende Spannungen anlegt, kann man beide Übergänge unabhängig voneinander sperren oder durchschalten. Dadurch ergeben sich vier mögliche Arbeitsbereiche, in denen der Transistor ein je eigenes Verhalten zeigt.
Sperrbereich: Beide Übergänge sperren. Hier leitet der Transistor keinen Strom. Er entspricht einem geöffneten Schalter.
Verstärkungsbereich: Der Basis-Kollektor-Übergang sperrt, der Basis-Emitter-Übergang schaltet durch. Hier gilt näherungsweise , wobei B der Stromverstärkungsfaktor ist. Da B relativ groß ist, führen hier kleine Änderungen des Basisstroms zu großen Änderungen des Kollektorstroms . Transistoren werden in diesem Bereich betrieben, um Signale zu verstärken.
Sättigungsbereich: Beide Übergänge schalten durch. Hier leitet der Transistor den Strom, allerdings ist der Kollektorstrom unabhängig vom Basisstrom . Der Transistor entspricht einem geschlossenen Schalter.
inverser Verstärkungsbereich: Der Basis-Kollektor-Übergang schaltet durch, der Basis-
Der Bipolartransistor besteht aus zwei PN-Übergängen, so dass man ihn auch als Hintereinanderschaltung von zwei Dioden betrachten kann. Indem man entsprechende Spannungen anlegt, kann man beide Übergänge unabhängig voneinander sperren oder durchschalten. Dadurch ergeben sich vier mögliche Arbeitsbereiche, in denen der Transistor ein je eigenes Verhalten zeigt.
Sperrbereich: Beide Übergänge sperren. Hier leitet der Transistor keinen Strom. Er entspricht einem geöffneten Schalter.
Verstärkungsbereich: Der Basis-Kollektor-Übergang sperrt, der Basis-Emitter-Übergang schaltet durch. Hier gilt näherungsweise , wobei B der Stromverstärkungsfaktor ist. Da B relativ groß ist, führen hier kleine Änderungen des Basisstroms zu großen Änderungen des Kollektorstroms . Transistoren werden in diesem Bereich betrieben, um Signale zu verstärken.
Sättigungsbereich: Beide Übergänge schalten durch. Hier leitet der Transistor den Strom, allerdings ist der Kollektorstrom unabhängig vom Basisstrom . Der Transistor entspricht einem geschlossenen Schalter.
inverser Verstärkungsbereich: Der Basis-Kollektor-Übergang schaltet durch, der Basis-
Der Bipolartransistor besteht aus zwei PN-Übergängen, so dass man ihn auch als Hintereinanderschaltung von zwei Dioden betrachten kann. Indem man entsprechende Spannungen anlegt, kann man beide Übergänge unabhängig voneinander sperren oder durchschalten. Dadurch ergeben sich vier mögliche Arbeitsbereiche, in denen der Transistor ein je eigenes Verhalten zeigt.
Sperrbereich: Beide Übergänge sperren. Hier leitet der Transistor keinen Strom. Er entspricht einem geöffneten Schalter.
Verstärkungsbereich: Der Basis-Kollektor-Übergang sperrt, der Basis-Emitter-Übergang schaltet durch. Hier gilt näherungsweise , wobei B der Stromverstärkungsfaktor ist. Da B relativ groß ist, führen hier kleine Änderungen des Basisstroms zu großen Änderungen des Kollektorstroms . Transistoren werden in diesem Bereich betrieben, um Signale zu verstärken.
Sättigungsbereich: Beide Übergänge schalten durch. Hier leitet der Transistor den Strom, allerdings ist der Kollektorstrom unabhängig vom Basisstrom . Der Transistor entspricht einem geschlossenen Schalter.
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Der Bipolartransistor besteht aus zwei PN-Übergängen, so dass man ihn auch als Hintereinanderschaltung von zwei Dioden betrachten kann. Indem man entsprechende Spannungen anlegt, kann man beide Übergänge unabhängig voneinander sperren oder durchschalten. Dadurch ergeben sich vier mögliche Arbeitsbereiche, in denen der Transistor ein je eigenes Verhalten zeigt.
Sperrbereich: Beide Übergänge sperren. Hier leitet der Transistor keinen Strom. Er entspricht einem geöffneten Schalter.
Verstärkungsbereich: Der Basis-Kollektor-Übergang sperrt, der Basis-Emitter-Übergang schaltet durch. Hier gilt näherungsweise , wobei B der Stromverstärkungsfaktor ist. Da B relativ groß ist, führen hier kleine Änderungen des Basisstroms zu großen Änderungen des Kollektorstroms . Transistoren werden in diesem Bereich betrieben, um Signale zu verstärken.
Sättigungsbereich: Beide Übergänge schalten durch. Hier leitet der Transistor den Strom, allerdings ist der Kollektorstrom unabhängig vom Basisstrom . Der Transistor entspricht einem geschlossenen Schalter.
inverser Verstärkungsbereich: Der Basis-Kollektor-Übergang schaltet durch, der Basis-
Der Bipolartransistor besteht aus zwei PN-Übergängen, so dass man ihn auch als Hintereinanderschaltung von zwei Dioden betrachten kann. Indem man entsprechende Spannungen anlegt, kann man beide Übergänge unabhängig voneinander sperren oder durchschalten. Dadurch ergeben sich vier mögliche Arbeitsbereiche, in denen der Transistor ein je eigenes Verhalten zeigt.
Sperrbereich: Beide Übergänge sperren. Hier leitet der Transistor keinen Strom. Er entspricht einem geöffneten Schalter.
Verstärkungsbereich: Der Basis-Kollektor-Übergang sperrt, der Basis-Emitter-Übergang schaltet durch. Hier gilt näherungsweise , wobei B der Stromverstärkungsfaktor ist. Da B relativ groß ist, führen hier kleine Änderungen des Basisstroms zu großen Änderungen des Kollektorstroms . Transistoren werden in diesem Bereich betrieben, um Signale zu verstärken.
Sättigungsbereich: Beide Übergänge schalten durch. Hier leitet der Transistor den Strom, allerdings ist der Kollektorstrom unabhängig vom Basisstrom . Der Transistor entspricht einem geschlossenen Schalter.
inverser Verstärkungsbereich: Der Basis-Kollektor-Übergang schaltet durch, der Basis-
Der Bipolartransistor besteht aus zwei PN-Übergängen, so dass man ihn auch als Hintereinanderschaltung von zwei Dioden betrachten kann. Indem man entsprechende Spannungen anlegt, kann man beide Übergänge unabhängig voneinander sperren oder durchschalten. Dadurch ergeben sich vier mögliche Arbeitsbereiche, in denen der Transistor ein je eigenes Verhalten zeigt.
Sperrbereich: Beide Übergänge sperren. Hier leitet der Transistor keinen Strom. Er entspricht einem geöffneten Schalter.
Verstärkungsbereich: Der Basis-Kollektor-Übergang sperrt, der Basis-Emitter-Übergang schaltet durch. Hier gilt näherungsweise , wobei B der Stromverstärkungsfaktor ist. Da B relativ groß ist, führen hier kleine Änderungen des Basisstroms zu großen Änderungen des Kollektorstroms . Transistoren werden in diesem Bereich betrieben, um Signale zu verstärken.
Sättigungsbereich: Beide Übergänge schalten durch. Hier leitet der Transistor den Strom, allerdings ist der Kollektorstrom unabhängig vom Basisstrom . Der Transistor entspricht einem geschlossenen Schalter.
inverser Verstärkungsbereich: Der Basis-Kollektor-Übergang schaltet durch, der Basis-
Der Bipolartransistor besteht aus zwei PN-Übergängen, so dass man ihn auch als Hintereinanderschaltung von zwei Dioden betrachten kann. Indem man entsprechende Spannungen anlegt, kann man beide Übergänge unabhängig voneinander sperren oder durchschalten. Dadurch ergeben sich vier mögliche Arbeitsbereiche, in denen der Transistor ein je eigenes Verhalten zeigt.
Sperrbereich: Beide Übergänge sperren. Hier leitet der Transistor keinen Strom. Er entspricht einem geöffneten Schalter.
Verstärkungsbereich: Der Basis-Kollektor-Übergang sperrt, der Basis-Emitter-Übergang schaltet durch. Hier gilt näherungsweise , wobei B der Stromverstärkungsfaktor ist. Da B relativ groß ist, führen hier kleine Änderungen des Basisstroms zu großen Änderungen des Kollektorstroms . Transistoren werden in diesem Bereich betrieben, um Signale zu verstärken.
Sättigungsbereich: Beide Übergänge schalten durch. Hier leitet der Transistor den Strom, allerdings ist der Kollektorstrom unabhängig vom Basisstrom . Der Transistor entspricht einem geschlossenen Schalter.
inverser Verstärkungsbereich: Der Basis-Kollektor-Übergang schaltet durch, der Basis-
Der Bipolartransistor besteht aus zwei PN-Übergängen, so dass man ihn auch als Hintereinanderschaltung von zwei Dioden betrachten kann. Indem man entsprechende Spannungen anlegt, kann man beide Übergänge unabhängig voneinander sperren oder durchschalten. Dadurch ergeben sich vier mögliche Arbeitsbereiche, in denen der Transistor ein je eigenes Verhalten zeigt.
Sperrbereich: Beide Übergänge sperren. Hier leitet der Transistor keinen Strom. Er entspricht einem geöffneten Schalter.
Verstärkungsbereich: Der Basis-Kollektor-Übergang sperrt, der Basis-Emitter-Übergang schaltet durch. Hier gilt näherungsweise , wobei B der Stromverstärkungsfaktor ist. Da B relativ groß ist, führen hier kleine Änderungen des Basisstroms zu großen Änderungen des Kollektorstroms . Transistoren werden in diesem Bereich betrieben, um Signale zu verstärken.
Sättigungsbereich: Beide Übergänge schalten durch. Hier leitet der Transistor den Strom, allerdings ist der Kollektorstrom unabhängig vom Basisstrom . Der Transistor entspricht einem geschlossenen Schalter.
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Der Bipolartransistor besteht aus zwei PN-Übergängen, so dass man ihn auch als Hintereinanderschaltung von zwei Dioden betrachten kann. Indem man entsprechende Spannungen anlegt, kann man beide Übergänge unabhängig voneinander sperren oder durchschalten. Dadurch ergeben sich vier mögliche Arbeitsbereiche, in denen der Transistor ein je eigenes Verhalten zeigt.
Sperrbereich: Beide Übergänge sperren. Hier leitet der Transistor keinen Strom. Er entspricht einem geöffneten Schalter.
Verstärkungsbereich: Der Basis-Kollektor-Übergang sperrt, der Basis-Emitter-Übergang schaltet durch. Hier gilt näherungsweise , wobei B der Stromverstärkungsfaktor ist. Da B relativ groß ist, führen hier kleine Änderungen des Basisstroms zu großen Änderungen des Kollektorstroms . Transistoren werden in diesem Bereich betrieben, um Signale zu verstärken.
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Der Bipolartransistor besteht aus zwei PN-Übergängen, so dass man ihn auch als Hintereinanderschaltung von zwei Dioden betrachten kann. Indem man entsprechende Spannungen anlegt, kann man beide Übergänge unabhängig voneinander sperren oder durchschalten. Dadurch ergeben sich vier mögliche Arbeitsbereiche, in denen der Transistor ein je eigenes Verhalten zeigt.
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Verstärkungsbereich: Der Basis-Kollektor-Übergang sperrt, der Basis-Emitter-Übergang schaltet durch. Hier gilt näherungsweise , wobei B der Stromverstärkungsfaktor ist. Da B relativ groß ist, führen hier kleine Änderungen des Basisstroms zu großen Änderungen des Kollektorstroms . Transistoren werden in diesem Bereich betrieben, um Signale zu verstärken.
Sättigungsbereich: Beide Übergänge schalten durch. Hier leitet der Transistor den Strom, allerdings ist der Kollektorstrom unabhängig vom Basisstrom . Der Transistor entspricht einem geschlossenen Schalter.
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Der Bipolartransistor besteht aus zwei PN-Übergängen, so dass man ihn auch als Hintereinanderschaltung von zwei Dioden betrachten kann. Indem man entsprechende Spannungen anlegt, kann man beide Übergänge unabhängig voneinander sperren oder durchschalten. Dadurch ergeben sich vier mögliche Arbeitsbereiche, in denen der Transistor ein je eigenes Verhalten zeigt.
Sperrbereich: Beide Übergänge sperren. Hier leitet der Transistor keinen Strom. Er entspricht einem geöffneten Schalter.
Verstärkungsbereich: Der Basis-Kollektor-Übergang sperrt, der Basis-Emitter-Übergang schaltet durch. Hier gilt näherungsweise , wobei B der Stromverstärkungsfaktor ist. Da B relativ groß ist, führen hier kleine Änderungen des Basisstroms zu großen Änderungen des Kollektorstroms . Transistoren werden in diesem Bereich betrieben, um Signale zu verstärken.
Sättigungsbereich: Beide Übergänge schalten durch. Hier leitet der Transistor den Strom, allerdings ist der Kollektorstrom unabhängig vom Basisstrom . Der Transistor entspricht einem geschlossenen Schalter.
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Der Bipolartransistor besteht aus zwei PN-Übergängen, so dass man ihn auch als Hintereinanderschaltung von zwei Dioden betrachten kann. Indem man entsprechende Spannungen anlegt, kann man beide Übergänge unabhängig voneinander sperren oder durchschalten. Dadurch ergeben sich vier mögliche Arbeitsbereiche, in denen der Transistor ein je eigenes Verhalten zeigt.
Sperrbereich: Beide Übergänge sperren. Hier leitet der Transistor keinen Strom. Er entspricht einem geöffneten Schalter.
Verstärkungsbereich: Der Basis-Kollektor-Übergang sperrt, der Basis-Emitter-Übergang schaltet durch. Hier gilt näherungsweise , wobei B der Stromverstärkungsfaktor ist. Da B relativ groß ist, führen hier kleine Änderungen des Basisstroms zu großen Änderungen des Kollektorstroms . Transistoren werden in diesem Bereich betrieben, um Signale zu verstärken.
Sättigungsbereich: Beide Übergänge schalten durch. Hier leitet der Transistor den Strom, allerdings ist der Kollektorstrom unabhängig vom Basisstrom . Der Transistor entspricht einem geschlossenen Schalter.
inverser Verstärkungsbereich: Der Basis-Kollektor-Übergang schaltet durch, der Basis-
Der Bipolartransistor besteht aus zwei PN-Übergängen, so dass man ihn auch als Hintereinanderschaltung von zwei Dioden betrachten kann. Indem man entsprechende Spannungen anlegt, kann man beide Übergänge unabhängig voneinander sperren oder durchschalten. Dadurch ergeben sich vier mögliche Arbeitsbereiche, in denen der Transistor ein je eigenes Verhalten zeigt.
Sperrbereich: Beide Übergänge sperren. Hier leitet der Transistor keinen Strom. Er entspricht einem geöffneten Schalter.
Verstärkungsbereich: Der Basis-Kollektor-Übergang sperrt, der Basis-Emitter-Übergang schaltet durch. Hier gilt näherungsweise , wobei B der Stromverstärkungsfaktor ist. Da B relativ groß ist, führen hier kleine Änderungen des Basisstroms zu großen Änderungen des Kollektorstroms . Transistoren werden in diesem Bereich betrieben, um Signale zu verstärken.
Sättigungsbereich: Beide Übergänge schalten durch. Hier leitet der Transistor den Strom, allerdings ist der Kollektorstrom unabhängig vom Basisstrom . Der Transistor entspricht einem geschlossenen Schalter.
inverser Verstärkungsbereich: Der Basis-Kollektor-Übergang schaltet durch, der Basis-
Der Bipolartransistor besteht aus zwei PN-Übergängen, so dass man ihn auch als Hintereinanderschaltung von zwei Dioden betrachten kann. Indem man entsprechende Spannungen anlegt, kann man beide Übergänge unabhängig voneinander sperren oder durchschalten. Dadurch ergeben sich vier mögliche Arbeitsbereiche, in denen der Transistor ein je eigenes Verhalten zeigt.
Sperrbereich: Beide Übergänge sperren. Hier leitet der Transistor keinen Strom. Er entspricht einem geöffneten Schalter.
Verstärkungsbereich: Der Basis-Kollektor-Übergang sperrt, der Basis-Emitter-Übergang schaltet durch. Hier gilt näherungsweise , wobei B der Stromverstärkungsfaktor ist. Da B relativ groß ist, führen hier kleine Änderungen des Basisstroms zu großen Änderungen des Kollektorstroms . Transistoren werden in diesem Bereich betrieben, um Signale zu verstärken.
Sättigungsbereich: Beide Übergänge schalten durch. Hier leitet der Transistor den Strom, allerdings ist der Kollektorstrom unabhängig vom Basisstrom . Der Transistor entspricht einem geschlossenen Schalter.
inverser Verstärkungsbereich: Der Basis-Kollektor-Übergang schaltet durch, der Basis-
Der Bipolartransistor besteht aus zwei PN-Übergängen, so dass man ihn auch als Hintereinanderschaltung von zwei Dioden betrachten kann. Indem man entsprechende Spannungen anlegt, kann man beide Übergänge unabhängig voneinander sperren oder durchschalten. Dadurch ergeben sich vier mögliche Arbeitsbereiche, in denen der Transistor ein je eigenes Verhalten zeigt.
Sperrbereich: Beide Übergänge sperren. Hier leitet der Transistor keinen Strom. Er entspricht einem geöffneten Schalter.
Verstärkungsbereich: Der Basis-Kollektor-Übergang sperrt, der Basis-Emitter-Übergang schaltet durch. Hier gilt näherungsweise , wobei B der Stromverstärkungsfaktor ist. Da B relativ groß ist, führen hier kleine Änderungen des Basisstroms zu großen Änderungen des Kollektorstroms . Transistoren werden in diesem Bereich betrieben, um Signale zu verstärken.
Sättigungsbereich: Beide Übergänge schalten durch. Hier leitet der Transistor den Strom, allerdings ist der Kollektorstrom unabhängig vom Basisstrom . Der Transistor entspricht einem geschlossenen Schalter.
inverser Verstärkungsbereich: Der Basis-Kollektor-Übergang schaltet durch, der Basis-
Der Bipolartransistor besteht aus zwei PN-Übergängen, so dass man ihn auch als Hintereinanderschaltung von zwei Dioden betrachten kann. Indem man entsprechende Spannungen anlegt, kann man beide Übergänge unabhängig voneinander sperren oder durchschalten. Dadurch ergeben sich vier mögliche Arbeitsbereiche, in denen der Transistor ein je eigenes Verhalten zeigt.
Sperrbereich: Beide Übergänge sperren. Hier leitet der Transistor keinen Strom. Er entspricht einem geöffneten Schalter.
Verstärkungsbereich: Der Basis-Kollektor-Übergang sperrt, der Basis-Emitter-Übergang schaltet durch. Hier gilt näherungsweise , wobei B der Stromverstärkungsfaktor ist. Da B relativ groß ist, führen hier kleine Änderungen des Basisstroms zu großen Änderungen des Kollektorstroms . Transistoren werden in diesem Bereich betrieben, um Signale zu verstärken.
Sättigungsbereich: Beide Übergänge schalten durch. Hier leitet der Transistor den Strom, allerdings ist der Kollektorstrom unabhängig vom Basisstrom . Der Transistor entspricht einem geschlossenen Schalter.
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Der Bipolartransistor besteht aus zwei PN-Übergängen, so dass man ihn auch als Hintereinanderschaltung von zwei Dioden betrachten kann. Indem man entsprechende Spannungen anlegt, kann man beide Übergänge unabhängig voneinander sperren oder durchschalten. Dadurch ergeben sich vier mögliche Arbeitsbereiche, in denen der Transistor ein je eigenes Verhalten zeigt.
Sperrbereich: Beide Übergänge sperren. Hier leitet der Transistor keinen Strom. Er entspricht einem geöffneten Schalter.
Verstärkungsbereich: Der Basis-Kollektor-Übergang sperrt, der Basis-Emitter-Übergang schaltet durch. Hier gilt näherungsweise , wobei B der Stromverstärkungsfaktor ist. Da B relativ groß ist, führen hier kleine Änderungen des Basisstroms zu großen Änderungen des Kollektorstroms . Transistoren werden in diesem Bereich betrieben, um Signale zu verstärken.
Sättigungsbereich: Beide Übergänge schalten durch. Hier leitet der Transistor den Strom, allerdings ist der Kollektorstrom unabhängig vom Basisstrom . Der Transistor entspricht einem geschlossenen Schalter.
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Der Bipolartransistor besteht aus zwei PN-Übergängen, so dass man ihn auch als Hintereinanderschaltung von zwei Dioden betrachten kann. Indem man entsprechende Spannungen anlegt, kann man beide Übergänge unabhängig voneinander sperren oder durchschalten. Dadurch ergeben sich vier mögliche Arbeitsbereiche, in denen der Transistor ein je eigenes Verhalten zeigt.
Sperrbereich: Beide Übergänge sperren. Hier leitet der Transistor keinen Strom. Er entspricht einem geöffneten Schalter.
Verstärkungsbereich: Der Basis-Kollektor-Übergang sperrt, der Basis-Emitter-Übergang schaltet durch. Hier gilt näherungsweise , wobei B der Stromverstärkungsfaktor ist. Da B relativ groß ist, führen hier kleine Änderungen des Basisstroms zu großen Änderungen des Kollektorstroms . Transistoren werden in diesem Bereich betrieben, um Signale zu verstärken.
Sättigungsbereich: Beide Übergänge schalten durch. Hier leitet der Transistor den Strom, allerdings ist der Kollektorstrom unabhängig vom Basisstrom . Der Transistor entspricht einem geschlossenen Schalter.
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Der Bipolartransistor besteht aus zwei PN-Übergängen, so dass man ihn auch als Hintereinanderschaltung von zwei Dioden betrachten kann. Indem man entsprechende Spannungen anlegt, kann man beide Übergänge unabhängig voneinander sperren oder durchschalten. Dadurch ergeben sich vier mögliche Arbeitsbereiche, in denen der Transistor ein je eigenes Verhalten zeigt.
Sperrbereich: Beide Übergänge sperren. Hier leitet der Transistor keinen Strom. Er entspricht einem geöffneten Schalter.
Verstärkungsbereich: Der Basis-Kollektor-Übergang sperrt, der Basis-Emitter-Übergang schaltet durch. Hier gilt näherungsweise , wobei B der Stromverstärkungsfaktor ist. Da B relativ groß ist, führen hier kleine Änderungen des Basisstroms zu großen Änderungen des Kollektorstroms . Transistoren werden in diesem Bereich betrieben, um Signale zu verstärken.
Sättigungsbereich: Beide Übergänge schalten durch. Hier leitet der Transistor den Strom, allerdings ist der Kollektorstrom unabhängig vom Basisstrom . Der Transistor entspricht einem geschlossenen Schalter.
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Der Bipolartransistor besteht aus zwei PN-Übergängen, so dass man ihn auch als Hintereinanderschaltung von zwei Dioden betrachten kann. Indem man entsprechende Spannungen anlegt, kann man beide Übergänge unabhängig voneinander sperren oder durchschalten. Dadurch ergeben sich vier mögliche Arbeitsbereiche, in denen der Transistor ein je eigenes Verhalten zeigt.
Sperrbereich: Beide Übergänge sperren. Hier leitet der Transistor keinen Strom. Er entspricht einem geöffneten Schalter.
Verstärkungsbereich: Der Basis-Kollektor-Übergang sperrt, der Basis-Emitter-Übergang schaltet durch. Hier gilt näherungsweise , wobei B der Stromverstärkungsfaktor ist. Da B relativ groß ist, führen hier kleine Änderungen des Basisstroms zu großen Änderungen des Kollektorstroms . Transistoren werden in diesem Bereich betrieben, um Signale zu verstärken.
Sättigungsbereich: Beide Übergänge schalten durch. Hier leitet der Transistor den Strom, allerdings ist der Kollektorstrom unabhängig vom Basisstrom . Der Transistor entspricht einem geschlossenen Schalter.
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Der Bipolartransistor besteht aus zwei PN-Übergängen, so dass man ihn auch als Hintereinanderschaltung von zwei Dioden betrachten kann. Indem man entsprechende Spannungen anlegt, kann man beide Übergänge unabhängig voneinander sperren oder durchschalten. Dadurch ergeben sich vier mögliche Arbeitsbereiche, in denen der Transistor ein je eigenes Verhalten zeigt.
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Verstärkungsbereich: Der Basis-Kollektor-Übergang sperrt, der Basis-Emitter-Übergang schaltet durch. Hier gilt näherungsweise , wobei B der Stromverstärkungsfaktor ist. Da B relativ groß ist, führen hier kleine Änderungen des Basisstroms zu großen Änderungen des Kollektorstroms . Transistoren werden in diesem Bereich betrieben, um Signale zu verstärken.
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Der Bipolartransistor besteht aus zwei PN-Übergängen, so dass man ihn auch als Hintereinanderschaltung von zwei Dioden betrachten kann. Indem man entsprechende Spannungen anlegt, kann man beide Übergänge unabhängig voneinander sperren oder durchschalten. Dadurch ergeben sich vier mögliche Arbeitsbereiche, in denen der Transistor ein je eigenes Verhalten zeigt.
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Verstärkungsbereich: Der Basis-Kollektor-Übergang sperrt, der Basis-Emitter-Übergang schaltet durch. Hier gilt näherungsweise , wobei B der Stromverstärkungsfaktor ist. Da B relativ groß ist, führen hier kleine Änderungen des Basisstroms zu großen Änderungen des Kollektorstroms . Transistoren werden in diesem Bereich betrieben, um Signale zu verstärken.
Sättigungsbereich: Beide Übergänge schalten durch. Hier leitet der Transistor den Strom, allerdings ist der Kollektorstrom unabhängig vom Basisstrom . Der Transistor entspricht einem geschlossenen Schalter.
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Der Bipolartransistor besteht aus zwei PN-Übergängen, so dass man ihn auch als Hintereinanderschaltung von zwei Dioden betrachten kann. Indem man entsprechende Spannungen anlegt, kann man beide Übergänge unabhängig voneinander sperren oder durchschalten. Dadurch ergeben sich vier mögliche Arbeitsbereiche, in denen der Transistor ein je eigenes Verhalten zeigt.
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Verstärkungsbereich: Der Basis-Kollektor-Übergang sperrt, der Basis-Emitter-Übergang schaltet durch. Hier gilt näherungsweise , wobei B der Stromverstärkungsfaktor ist. Da B relativ groß ist, führen hier kleine Änderungen des Basisstroms zu großen Änderungen des Kollektorstroms . Transistoren werden in diesem Bereich betrieben, um Signale zu verstärken.
Sättigungsbereich: Beide Übergänge schalten durch. Hier leitet der Transistor den Strom, allerdings ist der Kollektorstrom unabhängig vom Basisstrom . Der Transistor entspricht einem geschlossenen Schalter.
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Der Bipolartransistor besteht aus zwei PN-Übergängen, so dass man ihn auch als Hintereinanderschaltung von zwei Dioden betrachten kann. Indem man entsprechende Spannungen anlegt, kann man beide Übergänge unabhängig voneinander sperren oder durchschalten. Dadurch ergeben sich vier mögliche Arbeitsbereiche, in denen der Transistor ein je eigenes Verhalten zeigt.
Sperrbereich: Beide Übergänge sperren. Hier leitet der Transistor keinen Strom. Er entspricht einem geöffneten Schalter.
Verstärkungsbereich: Der Basis-Kollektor-Übergang sperrt, der Basis-Emitter-Übergang schaltet durch. Hier gilt näherungsweise , wobei B der Stromverstärkungsfaktor ist. Da B relativ groß ist, führen hier kleine Änderungen des Basisstroms zu großen Änderungen des Kollektorstroms . Transistoren werden in diesem Bereich betrieben, um Signale zu verstärken.
Sättigungsbereich: Beide Übergänge schalten durch. Hier leitet der Transistor den Strom, allerdings ist der Kollektorstrom unabhängig vom Basisstrom . Der Transistor entspricht einem geschlossenen Schalter.
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Der Bipolartransistor besteht aus zwei PN-Übergängen, so dass man ihn auch als Hintereinanderschaltung von zwei Dioden betrachten kann. Indem man entsprechende Spannungen anlegt, kann man beide Übergänge unabhängig voneinander sperren oder durchschalten. Dadurch ergeben sich vier mögliche Arbeitsbereiche, in denen der Transistor ein je eigenes Verhalten zeigt.
Sperrbereich: Beide Übergänge sperren. Hier leitet der Transistor keinen Strom. Er entspricht einem geöffneten Schalter.
Verstärkungsbereich: Der Basis-Kollektor-Übergang sperrt, der Basis-Emitter-Übergang schaltet durch. Hier gilt näherungsweise , wobei B der Stromverstärkungsfaktor ist. Da B relativ groß ist, führen hier kleine Änderungen des Basisstroms zu großen Änderungen des Kollektorstroms . Transistoren werden in diesem Bereich betrieben, um Signale zu verstärken.
Sättigungsbereich: Beide Übergänge schalten durch. Hier leitet der Transistor den Strom, allerdings ist der Kollektorstrom unabhängig vom Basisstrom . Der Transistor entspricht einem geschlossenen Schalter.
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Der Bipolartransistor besteht aus zwei PN-Übergängen, so dass man ihn auch als Hintereinanderschaltung von zwei Dioden betrachten kann. Indem man entsprechende Spannungen anlegt, kann man beide Übergänge unabhängig voneinander sperren oder durchschalten. Dadurch ergeben sich vier mögliche Arbeitsbereiche, in denen der Transistor ein je eigenes Verhalten zeigt.
Sperrbereich: Beide Übergänge sperren. Hier leitet der Transistor keinen Strom. Er entspricht einem geöffneten Schalter.
Verstärkungsbereich: Der Basis-Kollektor-Übergang sperrt, der Basis-Emitter-Übergang schaltet durch. Hier gilt näherungsweise , wobei B der Stromverstärkungsfaktor ist. Da B relativ groß ist, führen hier kleine Änderungen des Basisstroms zu großen Änderungen des Kollektorstroms . Transistoren werden in diesem Bereich betrieben, um Signale zu verstärken.
Sättigungsbereich: Beide Übergänge schalten durch. Hier leitet der Transistor den Strom, allerdings ist der Kollektorstrom unabhängig vom Basisstrom . Der Transistor entspricht einem geschlossenen Schalter.
inverser Verstärkungsbereich: Der Basis-Kollektor-Übergang schaltet durch, der Basis-asis-Basis-
inverser Verstärkungsbereich: Der Basis-Kollektor-Übergang schaltet durch, der Basis-Emitter-Übergang sperrt. Dieser Bereich funktioniert ähnlich wie der normale Verstärkungsbereich, aber meist mit einem deutlich kleineren Stromverstärkungsfaktor.
Während in der Signaltechnik Transistoren oft im Verstärkungsbereich betrieben werden, werden Transistoren in der Digitaltechnik fast ausschließlich im Sperr- und Sättigungsbereich betrieben, um so die logischen Signale "0" beziehungsweise "1" darstellen zu können. Dafür werden aber üblicherweise MOSFETs in CMOS-Technologie eingesetzt, die wesentlich verlustärmer und damit auch kühler betrieben werden können. Allerdings haben bis heute Bauteile in Bipolar-Technologie gegenüber MOSFETs Geschwindigkeitsvorteile, weshalb sie in der analogen Signalverarbeitung den MOSFETs vorzuziehen sind!
Stromverstärkungsfaktor
Man unterscheidet beim Bipolartransistor den Gleichstromverstärkungsfaktor B (auch ) und die differentielle Stromverstärkung β (auch ). Beide können sehr unterschiedlich sein (je nach Aufbau und Dotierung des Transistors).
Die Formel für den Gleichstromverstärkungsfaktor lautet:
,
Die Formel für die differentielle Stromverstärkung lautet:
mit
wobei IC der Kollektorstrom , IB der Basisstrom, IE der Emitterstrom und die Kollektor-Emitter Spannung des Transistors ist.
Typische Werte für B liegen bei
Man bezeichnet B auch als Großsignalverstärkung und als Kleinsignalverstärkung.
