Magneto-resistive Random Access Memory (MRAM) ist eine nichtflüchtige Speicher-Technologie, die seit den 90er Jahren entwickelt wird.
Im Gegensatz zu herkömmlichen Speichertechnologien, wie DRAM oder SRAM, werden die Informationen nicht mit elektrischen, sondern mit magnetischen Ladungselementen gespeichert, d.h. es wird die Eigenschaft bestimmter Materialien ausgenutzt, die ihren elektrischen Widerstand unter dem Einfluss magnetischer Felder ändern. Prinzipiell können verschiedene Wirkmechanismen angewandt werden:
- Anistropic Magneto Resistance (AMR)
- Giant Magneto Resistance (GMR)
- Tunneling Magneto Resistance (TMR)/Magnetischer Tunnelwiderstand
Letztere ist derzeit die favorisierte Technologie für die Entwicklung Magnetoresistiver RAMs.
Der Vorteil der MRAM-Technologie liegt darin, dass sie nichtflüchtig ist, d.h. dass die Chips ihre gespeicherten Daten auch nach dem Abschalten der Energieversorgung behalten. Damit können elektronische Geräte, wie z. B. Computer, realisiert werden, die sofort nach dem Einschalten betriebsbereit sind und nicht erst die zum Betrieb notwendigen Daten von einem Festspeicher, etwa einer Festplatte, in den Arbeitsspeicher laden müssen. Im Gegensatz zu etablierten nichtflüchtigen Speichertechnologien, wie Flash, können MRAMs so oft beschrieben werden wie herkömmlicher DRAM /SRAM: praktisch unendlich. Schreib- und Lesezugriffszeiten (random access) werden im Bereich von DRAM bis SRAM liegen. MRAM soll so die Vorteile der verschiedenen etablierten Speichertechnologien kombinieren und dadurch das Potential zum sogenannten 'Universal Memory' aufweisen, der DRAM, SRAM und Flash ersetzen könnte.
Im Sommer 2003 wurde ein 128-kb-MRAM-Chip vorgestellt, der mit der 0,18-Mikrometer-Technologie gefertigt wurde. [1]
Im Juni 2004 hat die Firma Infineon den ersten 16-Mb-MRAM-Baustein, ebenfalls in 0,18-µ-Technologie, vorgestellt. [2]
Ende 2004 hat Freescale Semiconductor (ehemals Motorola Semiconductor) mit der Auslieferung von 4-Mb-Prototypen (0,18µ) begonnen.[3]
Man erwartet die Serienfertigung von MRAM-Chips ab 2005, die jedoch zunächst aufgrund von Kostenposition und Größenordnung eher für Nischenapplikationen geeignet sein werden.