Intel Corporation ist eine US-amerikanische Firma mit Hauptsitz in Santa Clara, Kalifornien. Sie stellt Mikrochips für Computer her, insbesondere Prozessoren, und ist Marktführer auf diesem Gebiet.
Geschichte
Gründung
Die Firma Intel (Kurzform von INTegrated ELectronics) wurde am 18. Juli 1968 von Robert Noyce und Gordon Moore gegründet. Kurz darauf stieß auch der Andy Grove dazu, der dann lange Zeit bei Intel als Vorstandsvorsitzender (engl. Chairman of the Board) tätig war.
Die beiden Intel-Gründer waren bereits Veteranen im Halbleitergeschäft: zehn Jahre zuvor hatten sie zusammen mit sechs anderen Kollegen Fairchild Semiconductor gegründet. Das Unternehmen war damals der größte Halbleiterhersteller der Welt. Robert Noyce war General Manager von Fairchild Semiconductor, Gordon Moore Leiter der Forschung und Entwicklung.
Noyce und Moore waren unzufrieden mit ihrem Arbeitgeber Fairchild Semiconductor. In weniger als einem Jahr hatte der Aufsichtsrat von Fairchild Semiconductor dreimal den Vorstandsvorsitzenden ausgetauscht. Noyce schrieb deshalb seine Kündigung. Immer seltener wurden von Moore entwickelte Produkte auch tatsächlich produziert. Dabei stand die Elektronik damals an einer großen Wende: von der voluminösen und langsamen Kernspeichertechnologie ging der Trend zur kompakten und schnellen Halbleitertechnologie mit integrierten Schaltungen, die in den Halbleitergrundstoff Silizium geätzt wurden.
Auf dem Höhepunkt ihrer Frustration waren Moore und Noyce 41 Jahre alt. Die Idee zu einer zweiten Firmengründung entstand an einem Frühlingswochenende des Jahres 1968. Moore traf Noyce vor dessen Haus beim Rasenmähen. Noyce gab den entscheidenden Impuls. Er wollte das von ihm entwickelte photochemische Verfahren zur Herstellung von integrierten Schaltkreisen, die MOS-Technologie (Metal Oxide Semiconductor), zum Durchbruch bringen. MOS bezeichnet die grundlegenden Schichten im Aufbau eines Transistors nach dieser Technologie: Metall als elektrisch leitendes Material, Siliziumoxid als elektrisch nicht leitendes Material und Silizium als Halbleiter. Noyce ist der Erfinder dieser heute noch maßgeblichen Technologie für die Chip-Produktion. Er hatte auch großen Anteil an der Entdeckung des Transistoreffekts und der Erfindung des integrierten Schaltkreises, dem die heutige Elektronik ihre Leistungsstärke verdankt. Als Halbleiter-Pionier war Gordon Moore davon überzeugt, daß die damals noch vorherrschende Magnetkern-Speichertechnologie alsbald von hochintegrierten Transistorschaltungen auf Silizium abgelöst werden würde.
Größtes Hindernis waren die Kosten: das preiswerteste Speicherelement auf Halbleiterbasis war pro Speicher-Bit mehr als hundertmal teurer als die traditionelle Magnetkern-Technik. Wir waren jung und selbstbewußt genug, um in voller Unabhängigkeit unseren neuen Weg zu gehen, so erinnerte sich Bob Noyce 20 Jahre später an die Entscheidung, Intel zu gründen. Kurz nach der Unternehmensgründung stieß auch Andrew S. Grove, ein Exilungar, den es nach Kalifornien verschlagen hatte, zu dem Jungunternehmen. Grove war 1963, gleich nach Abschluß seiner Promotion in Chemie an der University of California in Berkeley, zu Fairchild Semiconductor gegangen. Als Produktionschef wurde Grove der erste leitende Angestellte der neu gegründeten Intel Corporation mit Sitz im kalifornischen Mountain View. Hier hatten die Intel-Gründer ein kleines, von Union Carbide Electronics aufgegebenes Gebäude übernommen.
Der Start mit Speicherchips
Intel startete mit einem Geschäftsplan, der aus einer einzigen, mit der Schreibmaschine beschriebenen Seite bestand. Doch er enthielt eine genaue Zielvorgabe: Arbeitsspeicher für Computer auf Halbleiterbasis zu entwickeln und auf den Markt zu bringen. Die Hochintegration (Very Large Scale Integration, VLSI) von Transistoren auf Silizium steckte im Jahr 1968 noch in den Kinderschuhen. Den Management-Enttäuschungen bei Fairchild folgten alsbald die MOS-Probleme bei Intel:
Ich war felsenfest davon überzeugt, daß wir einen Reinfall erleben, erinnert sich Andy Grove. Im September 1968 verwettete er im Kollegenkreis eine Flasche Cognac, wenn es bis zum bevorstehenden Erntedank einen stabilen MOS-Transistor gäbe, dessen Schwellenspannung um weniger als ein Zehntel Volt schwanken würde. Man wußte lediglich, daß die Probleme auf Unreinheiten in der Verfahrenstechnik zurückzuführen waren. Und man wußte auch, daß in der angemieteten Fabrik nicht einmal destilliertes Wasser zur Verfügung stand. Zunächst schleppte der Prozeß-Ingenieur Tom Rowe destilliertes Wasser in Flaschen herbei. Dann kam er auf die Idee, dem MOS-Prozeß etwas geschmolzenen Phosphor hinzuzufügen, gleichsam zur "Desinfektion". Damit war, mehr oder minder zufällig, das Produktionsproblem gelöst - Grove hatte seine Wette verloren.
Als Unternehmen startete Intel zwar mit dem MOS-Prozeß, versteifte sich aber nicht allein auf diese Technologie, sondern entwickelte als ersten Speicherbaustein ein bipolares 64-bit-Schottky-RAM. Es wurde im April 1969 unter der Produktbezeichnung Intel 3101 vorgestellt.
Noyce und Moore hatten die Bipolar-Technologie des deutschen Halbleiter-Pioniers Walter Schottky kennengelernt, als sie gemeinsam (vor ihrem Engagement bei Fairchild) im Shockley Semiconductur Laboratory des amerikanischen Halbleiter-Gurus William Shockley beschäftigt waren. Das Shockley-Labor im kalifornischen Palo Alto gilt als die erste kommerzielle Halbleiterfabrik der Welt.
Einen Durchbruch in der bahnbrechenden MOS-Technologie erwartete Gordon Moore nach den Anfangsschwierigkeiten erst in fünf Jahren. Aber bereits drei Monate nach der Vorstellung des ersten elektronischen Speicherchips auf Halbleiterbasis und gut ein Jahr nach der Firmengründung folgte mit dem Intel 1101 - als statisches RAM - der erste MOS-Baustein der Welt. Während der ersten Mondlandung von Apollo 11 im Juli 1969 arbeitete die kleine Intel-Mannschaft rund um die Uhr am letzten Redesign dieses Chips. Als Produkt war der erste MOS-Speicherbaustein zwar bedeutungslos, aber von der Durchschlagskraft der MOS-Technologie waren Moore und seine Mannschaft überzeugt. Im Gegensatz zur Bipolar-Technik versprach der MOS-Prozeß hohe Speichervolumina zu realistischen Kosten bei einem angemessenen Energieverbrauch, der zu einer akzeptablen Wärmeabgabe führte. Unerwünschte Wärme erforderte Kühlaggregate. Die aber standen der Miniaturisierung der Mikroelektronik im Wege.
Im Oktober 1970, in der Hälfte der ursprünglich veranschlagten Zeit, gelang der erste große Sprung nach vorn. Intel stellt unter der Produktbezeichnung 1103 den ersten DRAM (Dynamic Random Access Memory)-Speicherbaustein vor, der auf dem MOS-Prozeß basierte und die Vorzüge der Hochintegration zu bieten hatte. Während der Bipolar-Prozeß nur noch bei Hochgeschwindigkeits-Bauteilen den Vorzug genoß, entwickelte sich fortan die MOS-Technologie zur bevorzugten Halbleiter-Fertigungstechnik.
Doch dieser Durchbruch war verbunden mit einem kommerziellen Schock: Für unseren ersten Auftrag erzielten wir etwa ein Drittel des Preises, den wir uns vorgestellt hatten, so erinnert sich Les Vadasz, damals verantwortlich für das kaufmännische Management, an das Drama mit dem 1103-DRAM. Der kalkulierte Preis war am Markt nicht zu erzielen. So lernte das noch junge Unternehmen eine ebenso branchentypische wie existenzentscheidende Lektion: die fortlaufende Kostensenkung. Dennoch: Der erste dynamische Speicherchip der Welt vollbrachte ein kleines Wunder. Er deklassierte, nicht zuletzt aufgrund seiner überragenden Leistung und seines minimalen Platzbedarfs, den bis dahin traditionellen Magnetkern-Speicher zu altem Eisen. Knapp anderthalb Jahre nach der Markteinführung war der 1103 der meistverkaufte Halbleiterbaustein der Welt.
Als weitsichtiger Integrations-Stratege hatte Gordon Moore schon 1965 einen Trend erkannt, der später als das Moore`sche Gesetz nicht nur die Geschichte von Intel, sondern die Entwicklung der gesamten Hochtechnologie maßgeblich geprägt hat. Das Gesetz lautet: Die Dichte der integrierten Schaltungen verdoppelt sich alle 24 Monate.
Das erste EPROM, eine zufällige Entdeckung
Das zweite Baby nach der glücklichen Geburt des Intel 1103 DRAM war nicht geplant. Es kam völlig überraschend. Sein "Vater" und Erfinder Dov Frohman hatte, wie er später einräumte, viel geträumt und sich dann gefragt: warum nicht? Der realisierte Traum war ein programmierbarer Speicherchip, ein Erasable Programmable Read-Only Memory, in der Sprache der Elektronik EPROM genannt. Bereits bei der Vorstellung des ersten EPROMs der Welt auf der Solid State Circuits Conference des Jahres 1971 landete Dov Frohman einen durchschlagenden Erfolg. Er zeigte einen Film über das Bit-Muster der EPROM-Speicherzellen. Als die Zellen einer ultravioletten Lichtquelle ausgesetzt wurden, verließ ein Bit nach dem anderen die Zellen, bis nur noch das Intel Logo übrig blieb. Das letzte Bit war soeben dem EPROM-Speicher entschlüpft - da brach im Konferenzsaal tosender Beifall aus. Das Intel-EPROM 1702 war ein großer Erfolg. Es wurde bis Mitte der achtziger Jahre in hohen Stückzahlen verlangt, nicht zuletzt weil Intel viele Jahre der einzige Hersteller war, der EPROMs in hoher Stückzahl produzieren konnte.
Der Mikroprozessor (4004)
Als große Erfindung war der Mikroprozessor nicht geplant. Das japanische Unternehmen Busicom erteilte Intel bereits im Jahr 1969 den Auftrag, einen Satz Chips für eine programmierbare Rechenmaschine zu entwickeln. Statt der mechanischen Apparatur, die bereits 1885 in den USA erfunden worden war, wollten die Japaner ein "intelligentes", programmierbares Produkt auf den Markt bringen. Nach den Plänen der Japaner war hierfür ein Design aus zwölf Halbleiterbausteinen erforderlich. Der Intel-Ingenieur Marcian E. 'Ted' Hoff jedoch war davon überzeugt, daß ein Set von nur vier Chips, zentriert um einen Allround-Logik-Baustein, ausreichen würde. Außerdem glaubte Ted Hoff, daß sein Chip-Set weitaus mehr Anwendungen zulassen würde als die Programmierung einer Rechenmaschine.
Im Jahr 1971 wurde der erste kommerziell erfolgreiche Mikroprozessor, der Intel 4004, entwickelt. Die 4-Bit Datenbreite reichte für den Einsatz in Taschenrechnern und zur Steuerung von elektronischen Geräten. Entscheidend fuer seinen Erfolg war die gleichzeitige Verfuegbarkeit von EPROMS, da zum erstem Mal einfach zu hantierende "nicht fluechtige" (non volatile) Programmspeicher zur Verfuegung standen. Diese Produktkombination machte das Intel-Konzept zu einem attraktiven Angebot.
Diesem 4-Bit-Prozessor folgte 1972 der Intel 8008 8-Bit-Prozessor und 1974 der 8080.
x86-Prozessoren
Die bekannteste Baureihe von Intel sind die x86er Mikroprozessoren, deren erstes Modell im Jahre 1978 mit dem 8086/8088 erschien und im weit verbreiteten IBM-PC verbaut wurde. Heute baut Intel Chips für Desktop-Computer (Pentium-Serie, Celeron-Serie), für Notebooks (Pentium M/Centrino) und für Workstations und Server den Xeon. Der große Serverprozessor Itanium 2 ist mit seinem Befehlssatz IA64 nicht nativ kompatibel zu x86.
Der große Erfolg der x86er Reihe führte zu einer marktbeherrschenden Stellung in der PC-Industrie, zeitweise 85% der PC-CPUs kamen von Intel. So kam es immer wieder zu Untersuchungen der amerikanischen Wettbewerbsbehörde FTC und Klagen von Konkurrenten. Der heutige einzige größere Konkurrent des Sektors ist AMD (Advanced Micro Devices), die seit 1976 ein Patentaustauschabkommen mit Intel haben, also alle technischen Innovationen wechselseitig genutzt werden können. Derzeit liefern sich beide Firmen einen harten Wettbewerb, der zu immer schnelleren Prozessoren und fallenden Preisen führt. Erst in der letzten Zeit hat hier mit dem Stromverbrauch bzw. der Abwärme ein weiteres Kriterium Bedeutung erlangt - ein Trend, den intel im Desktop-Markt völlig verschlafen hat.
Siehe auch
- IA-64 – die 64-Bit-Architektur der Itaniumprozessoren
- Liste der Mikroprozessoren von Intel
- IA-32 – die 32-Bit-Architektur der Intelprozessoren ab dem 80386
- EM64T – die 64-Bit-Erweiterung (kompatibel zu AMD64) für IA-32-Prozessoren
- AC97 - Audio Codec 97
- Konkurrenten: AMD, Motorola, VIA, Transmeta