Diode-Transistor-Logik

In der Elektronik ist DTL die Abkürzung für die Logikfamilie "Diode Transistor Logic".

Diese Technik digitaler elektronischer Schaltkreise wurde Anfang der 1960er Jahre als Nachfolger der Widerstands-Transistor-Logik (RTL) entwickelt.

Logikgatter und Funktionen wurden durch die Verknüpfung von Dioden und anschließender Verstärkung durch Transistoren realisiert. Gegenüber der RTL ergibt dies eine höhere Verarbeitungsgeschwindigkeit und niedrigere Leistungsaufnahme.

Aufbau

NAND-Gatter in DTL-Technik Type: MC849; PV=15mW; tpd=25ns

Die nebenstehende Schaltung zeigt den Aufbau eines NAND-Gatters in DTL-Technik. Wenn die Eingangsdioden V₁ und V₂ sperren (Eingänge auf High-Potenzial), so fließt der Strom über den Widerstand R₂, der mit dem Widerstand R₁ einen Spannungsteiler bildet. Die auf diese Weise erhöhte Spannung auf der Basis des Transistors V₅ führt zum Durchschalten des Transistors. Dadurch geht der Ausgang in den Low-Pegel. In positiver Logik entspricht dies einem NAND-Gatter. Da der Transistor in Sättigung geht, erhält man aufgrund der notwendigen Räumung der Sperrschicht eine hohe Gatterlaufzeit. DTL-Schaltungen werden deshalb nicht mehr eingesetzt.

Siehe auch

• Widerstands-Transistor-Logik (RTL)
• Langsame störsichere Logik (LSL)
• Transistor-Transistor-Logik (TTL)
• Emittergekoppelte Logik (ECL)
• Komplementäre MOS-Logik (CMOS)