Der ISFET ist ein Ionen-Sensitiver Feldeffekttransistor.
Anstelle des metallischen Gate tritt hier eine Ionensensitive Schicht, die mit einer zu messenden Flüssigkeit in Kontakt gebracht wird. Je nach Ionenzusammensetzung der Flüssigkeit werden im leitenden Kanal zwischen Source und Drain Ladungsträger verdrängt oder angereichert. Dadurch ändert sich der elektrische Widerstand, der gemessen werden kann.