Liste der Schaltzeichen

Wikimedia-Liste
Dies ist eine alte Version dieser Seite, zuletzt bearbeitet am 9. März 2006 um 01:11 Uhr durch MovGP0 (Diskussion | Beiträge) (Kondensatoren). Sie kann sich erheblich von der aktuellen Version unterscheiden.

Allgemeine Symbole

Veränderbarkeit

Kraft und Bewegungsrichtung

Wirkungsrichtung

Abhängigkeit

Wirkungs- und Abhängigkeitsarten

Strahlung

Impulsarten

Mechanische Symbole

Stellteile

Antriebsarten

Elektrische Symbole

Ströme und Spannungen

Erde, Masse, Äquipotenzial

Ideale Stromkreise

Anschlüsse und Leiter

Leiter

Leitungen in Netzwerken

Leitungen in der Gebäudeinstallation

Verzögerungsleitungen

Sicherungen

Überspannungsableiter

Kontakte

Dosen

Steckdosen

Verbinder

Kontakte mit mehreren Schaltstellungen

Wischkontakte mit Kontaktaufgabe

Voreilende und nacheilende Kontakte

Handbetätigte Schalter

Mehrstellungsschalter

Elektromechanische Antriebe

Polarisierte Relais

Akkumulatoren und Primärzellen

Elektrische Bauelemente

Widerstände

  Widerstand, allgemein
  Dämpfungsglied (allgemein)
  Widerstand mit fester Anzapfung
  Shunt, Nebenschlusswiderstand
  Widerstand (veränderbar, allgemein)
  Widerstand mit Schleifkontakt, Potenziometer
  Widerstand mit Schleifkontakt und "Aus"-Stellung
  Einstellbarer Widerstand mit Schleifkontakt
Datei:Symbol Varistor.svg Spannungsabhängiger Widerstand, Varistor

Kondensatoren

  Kondensator, allgemein
 

 

Gepolter Kondensator, Elektrolytkondensator
  Durchführungskondensator
  Gepolter Kondensator mit hohem Temperaturbeiwert
  Veränderbarer Kondensator (allgemein)
  Einstellbarer Kondensator
  Einstellbarer Differenzialkondensator

Induktivitäten

 

 

Induktivität (allgemein; Induktivität, Spule, Drossel oder Wicklung)
Induktivität mit fester Anzapfung
Stufig einstellbare Induktivität
Induktivität mit Magnetkern
Induktivität mit Luftspalt im Magnetkern
Induktivität mit Magnetkern und stufiger Einstellung
Variometer
Koaxiale Drossel mit Magnetkern

Piezoelektrische Kristalle

Magnetkerne

Elektronische Symbole

Allgemein

Besondere Funktionen

Dioden

 

 
 

Diode, allgemein
  Schottky-Diode
  Zener-Diode, Z-Diode oder Esaky-Diode
  Tunnel-Diode
  Breakdown-Diode
  Kapazitätsdiode
  Diode mit starker Temperaturabhängigkeit
  Backward-Diode, Unitunneldiode
  Zweirichtungsdiode, Diac

Thyristoren

  Rückwärts sperrende Thyristordiode
  Rückwärts leitende Thyristordiode
  Zweirichtungs-Thyristordiode
  Rückwärts sperrende Thyristordiode (allgemeines Symbol; dh. ohne Angabe des Gatetyps)
  Rückwärts sperrende Thyristordiode mit gesteuerter Anode
  Rückwärts sperrende Thyristordiode mit gesteuerter Kathode
  Abschalt-Thyristordiode (allgemeines Symbol; dh. ohne Angabe des Gatetyps)
  Abschalt-Thyristordiode mit gesteuerter Anode
  Abschalt-Thyristordiode mit gesteuerter Kathode
  Rückwärts sperrende Thyristortetrode
  Thyristortriode, bidirektional Triac
  Rückwärts leitende Thyristortriode (allgemeines Symbol; dh. ohne Angabe des Gatetyps)
  Rückwärts leitende Thyristortriode mit gesteuerter Anode
  Rückwärts leitende Thyristortriode mit gesteuerter Kathode

Fotoelemente

  Fotodiode
  Leuchtdiode
  Fotowiderstand
  Fotoelement, Fotozelle
 

 

Fototransistor
  Optokoppler

Transistoren

  NPN-Transistor
  PNP-Transistor
  NPN-Transistor; Kollektor mit Gehäuse verbunden
z. B. für bessere Wärmeableitung
  NPN-Transistor mit zwei Basisanschlüssen
  Unijunctiontransistor; P-dotierte Basis
  Unijunctiontransistor; N-dotierte Basis
  PNIP-Transistor
Anschluss zur eigenleitenden Zone
  PNIN-Transistor
Anschluss zur eigenleitenden Zone
  N-Kanal Sperrschicht-Feldeffekttransistor (N-JFET)
  P-Kanal Sperrschicht-Feldeffekttransistor (P-JFET)
  N-Kanal Isolierschicht-Feldeffekttransistor (N-IGFET)
Verarmungstyp mit Gate
  P-Kanal Isolierschicht-Feldeffekttransistor (P-IGFET)
Verarmungstyp mit Gate
  N-Kanal Isolierschicht-Feldeffekttransistor
Anreicherungstyp mit Gate
  P-Kanal Isolierschicht-Feldeffekttransistor
Anreicherungstyp mit Gate
  P-Kanal Isolierschicht-Feldeffekttransistor
Anreicherungstyp mit Gate und zusätzlichem Substratanschluss
  N-Kanal Isolierschicht-Feldeffekttransistor
Anreicherungstyp mit Gate und zusätzlichem Substratanschluss
Substratanschluss im Transistor mit Source verbunden
  N-Kanal Isolierschicht-Feldeffekttransistor (N-IGFET)
Verarmungstyp mit zwei Gates und zusätzlichem Substratanschluss

Binäre Schaltelemente

Analoge Elemente

Verstärker

Koordinatenwandler

Koeffizientenpotenziometer

Umsetzer

Analogschalter

Komparator

Elektronenröhren

Fluidtechnik

Ströme

Pumpen, Kompressor

Motoren

Pumpe/Motor-Einheiten

Getriebe

Zylinder

Übertragung, Aufbereitung

Ventile

Wegeventile

Sperrventile

Druckventile

Stromventile

Betätigungsarten

Mess- und Steuertechnik

Messgeräte

Zähleinrichtungen

Signaleinrichtungen

Fernmesseinrichtung

Thermoelemente

Datenübertragung

Koppelstufen

Wählerelemente

Fernsprecher

Sende- und Empfangseinrichtungen

Wandler

Aufzeichnungs- und Widergabegeräte

Verstärker

Vierpole

Begrenzer

Gabelübertrager

Multiplexer

Modulation

Pulsmodulation

Frequenzpläne

Lichtwellenleiter

Antennen und Funk

Verzweiger

Kopplungen und Sonden

Signalgeneratoren

Umformer

Siehe auch