Diffusionstransistor
Als Diffusionstransistor bezeichnet man jeden Transistor, bei dem die elektrisch aktiven Bereiche durch Diffusion von Fremdatomen (Dotierung) in ein Halbleiter-Substrat (z. B. Silizium-Wafer) hergestellt werden. Diffusionstransistoren umfassen Bipolartransistoren und Feldeffekttransistoren.
Mitarbeiter der Bell Labs entwickelten 1954 den ersten Prototyp eines Diffusionsbipolartransistors, bei dem das Basisgebiet auf diese Weise hergestellt wurde.[1] Wichtige Vertreter dieser Gruppe von Transistoren sind unter anderem der Mesatransistor und der Planartransistor.
Einzelnachweise
[Bearbeiten | Quelltext bearbeiten]- ↑ Bell Labs Prototype Diffused Base Germanium Silicon Transistor. Transistor Museum Photo Gallery, abgerufen am 10. Februar 2010.