Single electron transistor

En single electron transistor eller set er en transistor som er yderst ladningspåvirkelig i source-drain-strækningen. Den er styrbar via gate-elektroden.

En set baseret på halvledere indeholder en kvanteø, som er kapacitivt til en elektrode - gaten. Kvanteøen har 2 ender, som hver har et tyndt oxidlag, 1 nanometer tyndt hvilket ca. svarer til 10 atomers bredde, hvorigennem elektroner kan foretage kvantemekanisk tunnelering igennem til 2 elektroder; henholdsvis source og drain. Når gaten trækker en elektron over i kvanteøen, kan SETen lede elektrisk strøm, men kun én elektron ad gangen, via source og drain og det vil sige tunnelering gennem oxidlag, kvanteø og til sidst den anden tunnelering gennem oxidlag.

En SET kan f.eks. anvendes til at måle ekstremt svage elektriske felter.

Den var i 2004 endnu ikke i masseproduktion.

Se også

• Josephson tunneldiode
• Resonant tunneling diode, rtd
• Resonant tunneling transistor, rtt

Eksterne henvisninger

• Single-Electron Transistors (SETs)
• Feature: September 1998, PhysicWeb: Single-electron transistors Citat: "...This year two experiments have demonstrated that SET transistors can work at room temperature..."
• 26 May 2004, PhysicWeb: Single-electron transistor goes mechanical
• Single Electron Device Bibliography
• Single Electron Transistors K. Matsumoto
• July 06, 2001, Scientific American: Scientists Create First Room-Temperature Single-Electron Transistor Citat: "...From a carbon nanotube, Dutch researchers have crafted a transistor that toggles on and off with the flow of a single electron..."
• Fabrication of a Scanning Single Electron Transistor Citat: "...The scanning Single Electron Transistor consists of a Single Electron Transistor fabricated at the end of a scanning probe. It is aimed at imaging the electric potential landscape of a surface and can be applied to a wide variety of samples with a resolution much better than single electron charge..."