Resistive random-access memory

RAM resistiva (resistive random-access memory, RRAM o ReRAM) és una mena de memòria de computadora no volátil (NV) d'accés aleatori (RAM) que funciona canviant la resistència elèctrica d'un material dielèctric d'estat sòlid que també s'anomena memristència. Aquesta tecnologia s'assembla a CBRAM (RAM de pont conductor) i PCM (memòria de canvi de fase).

Fig.1 Corba d'un material amb dielèctric anomenat memristor

Funcionament

Normalment, un material dielèctric no coundueix el corrent elèctric. De fet, les substències dielèctriques s'empren per a construir condensadors i evitar el corrent elèctric tot carregant-se en dos pols oposats. Si un material dielèctric és sotmès a un voltatge suficientment elevat, llavors conduirà sobtadament a causa d'un fenomen anomenat trencament de la rigidesa dielèctrica. En materials dielèctrics convencionals, aquest trencament causa dany permanent al component. En un memristor, aquest trencament dielèctric és temporal i reversible. En un memristor, aquesta diferència de potencial causa que el medi adquireixi camins conductors anomenats filaments. Aquests filaments apareixen com a resultat de diversos fenòmens tals com migració de metall o defectes físics. Una vegada ha aparegut el filament, es pot trencar o revertir aplicant una diferència de potencial diferent. D'aquesta manera es pot emmagatzemar informació digital.

Propietats

Es poden destacar:

• Molt baix consum, inferior a la memòria flaix i SRAM.
• Molt alta velocitat, superior a la memòria flaix.
• Alta densitat d'integració.

Circuits integrats ReRAM

Llistat de les implementacions reals d'aquesta tecnologia:

• 17.01.2017 : crossbar juntament amb SMIC.

Vegeu també

• SRAM : RAM estàtica.
• DRAM : RAM dinàmica.
• Flaix : memòria flaix.
• E2PROM : memòria esborrable elèctricament.
• Nano-RAM : memòria RAM amb nanotubs de carboni.
• FeRAM : memòria ferro-elèctrica.