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„NRAM“ – Versionsunterschied

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'''Nanotube-based''', '''Nano-RAM''' oder auch '''NRAM''' ist der Name einer [[Halbleiterspeicher|Halbleiterspeichertechnik]]. Sie wurde von Thomas Rückes bei der Firma [[Nantero]] in [[Woburn (Massachusetts)|Woburn]] entwickelt.
'''Nanotube-based''', '''Nano-RAM''' oder auch '''NRAM''' ist der Name einer [[Halbleiterspeicher|Halbleiterspeichertechnik]]. Sie wurde von Thomas Rückes bei der Firma [[Nantero]] in [[Woburn (Massachusetts)|Woburn]] entwickelt.


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* [http://www.newscientist.com/article.ns?id=dn3838 newscientist]
* [http://www.newscientist.com/article.ns?id=dn3838 newscientist]
* [http://www.elektroniknet.de/halbleiter/sonstiges/artikel/120224/1/ Nantero: Neue NRAMs gehen in Serienproduktion: Der heilige Gral der Speichertechnik - endlich gefunden? ], elektroniknet.de vom 5. Juni 2015, abgerufen am 6. Juni 2015
* [http://www.elektroniknet.de/halbleiter/sonstiges/artikel/120224/1/ Nantero: Neue NRAMs gehen in Serienproduktion: Der heilige Gral der Speichertechnik - endlich gefunden? ], elektroniknet.de vom 5. Juni 2015, abgerufen am 6. Juni 2015



[[Kategorie:Halbleiterspeichertechnik]]
[[Kategorie:Halbleiterspeichertechnik]]

Version vom 1. September 2016, 12:44 Uhr

Nanotube-based, Nano-RAM oder auch NRAM ist der Name einer Halbleiterspeichertechnik. Sie wurde von Thomas Rückes bei der Firma Nantero in Woburn entwickelt.

Die Technik zeichnet sich dadurch aus, dass Nanoröhren aus Kohlenstoff zum Speichern von Daten verwendet werden. Sie beruht darauf, dass die Röhrchen ihre Form oder Ausrichtung beim Anlegen einer Spannung verändern, was ihren elektrischen Widerstand verändert und dadurch eine Funktion wie bei einem Speichertransistor gegeben ist. Da die Röhrchen diese veränderte Form/Richtung auch beibehalten, wenn die Spannung wieder weggenommen wird, zählt diese Speichertechnologie zu den nichtflüchtigen Speichern.