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„Video Random Access Memory“ – Versionsunterschied

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Redundanz mit Grafikspeicher
 
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Als '''Video Random Access Memory''' (VRAM) bezeichnet man [[Halbleiterspeicher|DRAM]], der vor allem in den Jahren 1993/94 bis zur Jahrtausendwende als lokaler Speicher auf [[Grafikkarte]]n Anwendung fand. Wichtigste Eigenschaft des Speichers sind zwei Ports (''dual-ported RAM''), ein 'normaler' zum wahlfreien Lesen und Schreiben (''random access'') und einer zum sequentiellen Lesen (Videosignal-Erzeugung).
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{{Dieser Artikel|behandelt die Speichertechnologie. Zu weiteren Bedeutungen siehe [[Video-RAM]].}}
Als '''Video Random Access Memory''' (kurz: '''VRAM''', '''V-RAM''' oder '''WRAM''') bezeichnet man [[Halbleiterspeicher|DRAM]], der vor allem in den Jahren 1993 und 1994 bis zur Jahrtausendwende als lokaler Speicher auf [[Grafikkarte]]n Anwendung fand. Wichtigste Eigenschaft des Speichers sind zwei Ports ([[Dual-Port-RAM]]), ein „normaler“ zum wahlfreien Lesen und Schreiben (''random access'') und einer zum sequentiellen Lesen (Videosignal-Erzeugung).


Um die Jahrtausendwende wurde normaler RAM leistungsfähig genug, so dass normaler single ported-RAM (DDR oder GDDR) für Graphikkarten ausreichend wurde.
Um die Jahrtausendwende wurde normaler RAM leistungsfähig genug, so dass normaler single ported-RAM (DDR oder GDDR) für Grafikkarten ausreichend wurde.


Gelegentlich wird heute fälschlicherweise mit VRAM der Speicher einer Grafikkarte bezeichnet, unabhängig von der Speichertechnologie.
In vielen [[Computerzeitschrift]]en wird auch heute noch mit VRAM der [[Grafikspeicher|Speicher einer Grafikkarte]] bezeichnet, unabhängig von der Speichertechnologie.


== Aufbau ==
== Aufbau ==
Konzeptuell besteht VRAM aus zwei Teilen.
Konzeptuell besteht VRAM aus zwei Teilen:
* SAM (''Serial Access Memory'')<br />Das SAM-Interface dient zum Lesen der Daten für den [[RAMDAC]] zur Generierung des Videosignals. Es können nur sequentielle Lesezugriffe ausgeführt werden. Der Zugriff über das SAM-Interface (z.&nbsp;B. 110 MByte/s) ist etwas schneller als der über das DRAM-Interface (z.&nbsp;B. 60 MByte/s) und behindert Zugriffe über das DRAM-Interface kaum, da nur sehr selten (alle 2048, 4096 oder 8192 Byte) auf den eigentlichen RAM zugegriffen werden muss.
* SAM (''serial access memory'')<br />Das SAM Modul (meist in Form eines Schieberegisters) wird nicht durch Berechnungen verändert und enthält die vom [[RAMDAC]] auszulesenden Daten. Es wird als sequentieller Speicher umgesetzt, d. h. im Gegensatz zum [[Halbleiterspeicher|RAM]] können Daten nur nacheinander ausgewertet werden (ähnlich einer Kassette). SAM ist wesentlich schneller auszulesen als RAM, da im Prinzip keine Adressberechnungen nötig sind.


* DRAM (''dynamic random access memory'')<br />Dieser Speicherbereich wird stets durch Berechnungen zur Bildsynthese manipuliert. Auf Anfrage werden Daten zeilenweise in den SAM kopiert. Durch die lokale Trennung sind parallele Lese- und Schreibzugriffe möglich. Technologisch besteht das DRAM Modul entweder aus [[Fast Page Mode DRAM|FPM RAM]] (30–40 ns Zykluszeit) oder [[Extended Data Output Random Access Memory|EDO RAM]] (20–30 ns Zykluszeit), was Taktfrequenzen von 50–66 MHz ermöglicht.
* DRAM (''Dynamic Random Access Memory'')<br />Dieses Speicherinterface dient dem Zugriff durch die CPU oder integrierter Grafikfunktionen des Grafikprozessors zum Erstellen von Texten, Grafiken und Bildern. Technologisch besteht das VRAM-Modul entweder aus [[Fast Page Mode DRAM|FPM RAM]] (30–40 ns [[Zykluszeit (Datenverarbeitung)|Zykluszeit]]) oder [[Extended Data Output Random Access Memory|EDO RAM]] (20–30 ns Zykluszeit), was Taktfrequenzen von 50 bis 66 MHz ermöglicht.


== Weiterentwicklungen ==
== Weiterentwicklungen ==
[[Bild:ET6000.JPG|right|thumb|180px|ET6000 mit 2 MB MDRAM von MoSys.]]
[[Datei:ET6000.JPG|mini|ET6000 mit 2 MB MDRAM von MoSys]]
* WRAM (''Window RAM'') ist analog zu VRAM mit getrennten Lese- und Schreibleitungen ausgestattet, bietet aber schnellere Zugriffszeiten und ist billiger in der Herstellung. Z. B. verfügen die Grafikkarten Matrox MGA Millennium und die [[Number Nine]] Revólution 3D "Ticket to Ride" über WRAM.
* WRAM (''Window RAM'') ist analog zu VRAM mit getrennten Lese- und Schreibleitungen ausgestattet, bietet aber schnellere Zugriffszeiten und ist billiger in der Herstellung. Z.&nbsp;B. verfügen die Grafikkarten Matrox MGA Millennium und die [[Number Nine]] Revólution 3D „Ticket to Ride“ über WRAM.
* SGRAM (''Synchronous Graphics RAM'') ist ein technologisch mit [[Synchronous Dynamic Random Access Memory | SDRAM]] verwandter ''single-ported'' Speicher, d. h. gleichzeitige Lese- und Schreibzugriffe sind nicht möglich. Er bietet einen um Grafikoperationen erweiterten Funktionsumfang (z. B. blockweises Lesen und Schreiben) und höhere Taktfrequenzen.
* SGRAM (''Synchronous Graphics RAM'') ist ein technologisch mit [[Synchronous Dynamic Random Access Memory|SDRAM]] verwandter ''single-ported'' Speicher, d.&nbsp;h. gleichzeitige Lese- und Schreibzugriffe sind nicht möglich. Er bietet einen um Grafikoperationen erweiterten Funktionsumfang (z.&nbsp;B. blockweises Lesen und Schreiben) und höhere Taktfrequenzen.
* MDRAM (''Multi-bank DRAM'') ist als Feld unabhängiger Speicherbänke aufgebaut, die über einen gemeinsamen Bus verbunden sind. Mit dieser Struktur ist ein hoher Grad der Parallelisierung möglich. Die Grafikkarte Hercules Dynamite 128 ([[Grafikprozessor|GPU]]: TSENG ET6000) verfügt über bis zu 4&nbsp;MB MDRAM.
* MDRAM (''Multi-bank DRAM'') ist als Feld unabhängiger Speicherbänke aufgebaut, die über einen gemeinsamen Bus verbunden sind. Mit dieser Struktur ist ein hoher Grad der Parallelisierung möglich. Die Grafikkarte Hercules Dynamite 128 ([[Grafikprozessor|GPU]]: [[Tseng Labs]] ET6000) verfügt über bis zu 4&nbsp;MB MDRAM.
* CDRAM (''Cache DRAM'') ist eine Mischung aus statischem Speicher ([[Halbleiterspeicher|SRAM]]) und dynamischem Speicher (DRAM). Ähnlich dem Cache moderner Prozessoren werden beim CDRAM häufig benutzte Daten im schnellen SRAM abgelegt, was zu einer Leistungssteigerung führt.
* CDRAM (''Cache DRAM'') ist eine Mischung aus statischem Speicher ([[Static random-access memory|SRAM]]) und dynamischem Speicher (DRAM). Ähnlich dem Cache moderner Prozessoren werden beim CDRAM häufig benutzte Daten im schnellen SRAM abgelegt, was zu einer Leistungssteigerung führt.
* 3D RAM ist eine Entwicklung von [[Mitsubishi]] bestehend aus Speicherbausteinen mit dazwischen befindlicher integrierter [[Arithmetisch-logische Einheit|Logik]]. So sind einige Grafikoperationen (z. B. [[z-Buffer]] Test) direkt im Speicher ausführbar. Einsatz findet dieser Speicher in der [[Sun SPARC|UltraSparc]] von [[Sun Microsystems]].
* 3D RAM ist eine Entwicklung von [[Mitsubishi]] bestehend aus Speicherbausteinen mit dazwischen befindlicher integrierter [[Arithmetisch-logische Einheit|Logik]]. So sind einige Grafikoperationen (z.&nbsp;B. [[z-Buffer]]-Test) direkt im Speicher ausführbar. Einsatz findet dieser Speicher in der [[Sun SPARC|UltraSparc]] von [[Sun Microsystems]].
* GDDR-SDRAM (''Graphics Double Data Rate SDRAM'') ist ein auf [[DDR-SDRAM]] basierender Grafikspeicher, der sich durch optimierte Zugriffszeiten und hohe Taktfrequenzen auszeichnet.
* [[Graphics Double Data Rate|GDDR-SDRAM]] (''Graphics Double Data Rate SDRAM'') ist ein auf [[DDR-SDRAM]] basierender Grafikspeicher, der sich durch optimierte Zugriffszeiten und hohe Taktfrequenzen auszeichnet.
[[Kategorie:Speichermodul]]


[[Kategorie:Speichermodul]]
[[bs:VRAM]]
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[[es:VRAM]]
[[fr:Mémoire vidéo]]
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[[ja:VRAM]]
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[[pl:VRAM]]
[[pt:VRAM]]
[[ro:VRAM]]
[[zh:VRAM]]

Aktuelle Version vom 12. Mai 2025, 09:26 Uhr

Als Video Random Access Memory (kurz: VRAM, V-RAM oder WRAM) bezeichnet man DRAM, der vor allem in den Jahren 1993 und 1994 bis zur Jahrtausendwende als lokaler Speicher auf Grafikkarten Anwendung fand. Wichtigste Eigenschaft des Speichers sind zwei Ports (Dual-Port-RAM), ein „normaler“ zum wahlfreien Lesen und Schreiben (random access) und einer zum sequentiellen Lesen (Videosignal-Erzeugung).

Um die Jahrtausendwende wurde normaler RAM leistungsfähig genug, so dass normaler single ported-RAM (DDR oder GDDR) für Grafikkarten ausreichend wurde.

In vielen Computerzeitschriften wird auch heute noch mit VRAM der Speicher einer Grafikkarte bezeichnet, unabhängig von der Speichertechnologie.

Konzeptuell besteht VRAM aus zwei Teilen:

  • SAM (Serial Access Memory)
    Das SAM-Interface dient zum Lesen der Daten für den RAMDAC zur Generierung des Videosignals. Es können nur sequentielle Lesezugriffe ausgeführt werden. Der Zugriff über das SAM-Interface (z. B. 110 MByte/s) ist etwas schneller als der über das DRAM-Interface (z. B. 60 MByte/s) und behindert Zugriffe über das DRAM-Interface kaum, da nur sehr selten (alle 2048, 4096 oder 8192 Byte) auf den eigentlichen RAM zugegriffen werden muss.
  • DRAM (Dynamic Random Access Memory)
    Dieses Speicherinterface dient dem Zugriff durch die CPU oder integrierter Grafikfunktionen des Grafikprozessors zum Erstellen von Texten, Grafiken und Bildern. Technologisch besteht das VRAM-Modul entweder aus FPM RAM (30–40 ns Zykluszeit) oder EDO RAM (20–30 ns Zykluszeit), was Taktfrequenzen von 50 bis 66 MHz ermöglicht.

Weiterentwicklungen

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ET6000 mit 2 MB MDRAM von MoSys
  • WRAM (Window RAM) ist analog zu VRAM mit getrennten Lese- und Schreibleitungen ausgestattet, bietet aber schnellere Zugriffszeiten und ist billiger in der Herstellung. Z. B. verfügen die Grafikkarten Matrox MGA Millennium und die Number Nine Revólution 3D „Ticket to Ride“ über WRAM.
  • SGRAM (Synchronous Graphics RAM) ist ein technologisch mit SDRAM verwandter single-ported Speicher, d. h. gleichzeitige Lese- und Schreibzugriffe sind nicht möglich. Er bietet einen um Grafikoperationen erweiterten Funktionsumfang (z. B. blockweises Lesen und Schreiben) und höhere Taktfrequenzen.
  • MDRAM (Multi-bank DRAM) ist als Feld unabhängiger Speicherbänke aufgebaut, die über einen gemeinsamen Bus verbunden sind. Mit dieser Struktur ist ein hoher Grad der Parallelisierung möglich. Die Grafikkarte Hercules Dynamite 128 (GPU: Tseng Labs ET6000) verfügt über bis zu 4 MB MDRAM.
  • CDRAM (Cache DRAM) ist eine Mischung aus statischem Speicher (SRAM) und dynamischem Speicher (DRAM). Ähnlich dem Cache moderner Prozessoren werden beim CDRAM häufig benutzte Daten im schnellen SRAM abgelegt, was zu einer Leistungssteigerung führt.
  • 3D RAM ist eine Entwicklung von Mitsubishi bestehend aus Speicherbausteinen mit dazwischen befindlicher integrierter Logik. So sind einige Grafikoperationen (z. B. z-Buffer-Test) direkt im Speicher ausführbar. Einsatz findet dieser Speicher in der UltraSparc von Sun Microsystems.
  • GDDR-SDRAM (Graphics Double Data Rate SDRAM) ist ein auf DDR-SDRAM basierender Grafikspeicher, der sich durch optimierte Zugriffszeiten und hohe Taktfrequenzen auszeichnet.