„Fast-recovery epitaxial diode field-effect transistor“ – Versionsunterschied
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mit einer schnell schaltenden [[Diode]] (kurze Schaltzeiten) und geringen Schaltverlusten, wie sie zum Treiben hoher induktiver Lasten (z. B. [[Elektromotor]], insbesondere [[Gleichstrommaschine#Bürstenlose_Gleichstrom-Maschinen|bürstenlose Gleichstrommaschine]]) benötigt werden. |
mit einer schnell schaltenden [[Diode]] (kurze Schaltzeiten) und geringen Schaltverlusten, wie sie zum Treiben hoher induktiver Lasten (z. B. [[Elektromotor]], insbesondere [[Gleichstrommaschine#Bürstenlose_Gleichstrom-Maschinen|bürstenlose Gleichstrommaschine]]) benötigt werden. |
Version vom 7. Oktober 2008, 11:37 Uhr
Ein FREDFET (Fast-Recovery Epitaxial Diode Field Effect Transistor, alternativ FredFET) sind Leistungs-MOSFETs mit einer schnell schaltenden Diode (kurze Schaltzeiten) und geringen Schaltverlusten, wie sie zum Treiben hoher induktiver Lasten (z. B. Elektromotor, insbesondere bürstenlose Gleichstrommaschine) benötigt werden.
Beim diesem Transistor sind schnelle Inversdioden (engl fast-recovery epitaxial diode, auch Fast-Recovery-Gleichrichterdiode) integriert. Dies wird durch die Schwermetalldotierung erreicht, welche die Speicherladung und die Sperrverzögerungszeit signifikant vermindert.
Weblinks
- Power MOSFET Modules Rated for 100 V. Auf: powerelectronics.com. 30. November 2005.
- High-Speed, High-Voltage Gate Driver IC and Half-Bridge FredFET Combo Delivered in Compact 11-Pin SIP (MiniSIP). Auf: International Rectifier. Februar 2004