„Optical proximity correction“ – Versionsunterschied
| [gesichtete Version] | [gesichtete Version] |
KKeine Bearbeitungszusammenfassung |
→Beschreibung: Satz eindeutiger formuliert |
||
| Zeile 5: | Zeile 5: | ||
[[Datei:Optical proximity correction structures DE.svg|thumb|Zusatzstrukturen]] |
[[Datei:Optical proximity correction structures DE.svg|thumb|Zusatzstrukturen]] |
||
Bei der fotolithografischen Abbildung einer Struktur mit Dimensionen im Bereich und unterhalb der verwendeten Wellenlänge, wie sie seit einigen Jahren in der Mikroelektronik der Fall ist, entstehen insbesondere durch wellenoptische Effekte (z. B. [[Beugung (Physik)|Beugung]]) Abbildungsfehler. Die OPC versucht diese Effekte, wie Linienendenverkürzung, Kantenverrundungen oder Verbreiterung benachbarter Linien, durch zusätzliche Strukturen auf der Fotomaske zu kompensieren. Zu diesen Korrekturstrukturen, die auch mehrstufig verwendet werden, gehören: |
Bei der fotolithografischen Abbildung einer Struktur mit Dimensionen im Bereich innerhalb und unterhalb der verwendeten Wellenlänge, wie sie seit einigen Jahren in der Mikroelektronik der Fall ist, entstehen insbesondere durch wellenoptische Effekte (z. B. [[Beugung (Physik)|Beugung]]) Abbildungsfehler. Die OPC versucht diese Effekte, wie Linienendenverkürzung, Kantenverrundungen oder Verbreiterung benachbarter Linien, durch zusätzliche Strukturen auf der Fotomaske zu kompensieren. Zu diesen Korrekturstrukturen, die auch mehrstufig verwendet werden, gehören: |
||
* verlängerte Linienenden (engl.: {{lang|en|''line end extensions''}}), um Linienverkürzungen zu korrigieren |
* verlängerte Linienenden (engl.: {{lang|en|''line end extensions''}}), um Linienverkürzungen zu korrigieren |
||
* teilweise verbreitete Linien (engl.: {{lang|en|''line end extensions''}}) zur Breitenkorrektur |
* teilweise verbreitete Linien (engl.: {{lang|en|''line end extensions''}}) zur Breitenkorrektur |
||
Version vom 16. Mai 2016, 13:22 Uhr
Optical proximity correction (OPC, englisch, deutsch etwa: optische Nahbereichskorrektur) ist in der Halbleitertechnik ein Verfahren zur Korrektur bzw. Verringerung von Abbildungsfehlern von Strukturen bei fotolithografische Prozessen. Es gehört zur Gruppe der Auflösungsverbesserungsverfahren (engl.: resolution enhancement technique, RET).
Beschreibung
Bei der fotolithografischen Abbildung einer Struktur mit Dimensionen im Bereich innerhalb und unterhalb der verwendeten Wellenlänge, wie sie seit einigen Jahren in der Mikroelektronik der Fall ist, entstehen insbesondere durch wellenoptische Effekte (z. B. Beugung) Abbildungsfehler. Die OPC versucht diese Effekte, wie Linienendenverkürzung, Kantenverrundungen oder Verbreiterung benachbarter Linien, durch zusätzliche Strukturen auf der Fotomaske zu kompensieren. Zu diesen Korrekturstrukturen, die auch mehrstufig verwendet werden, gehören:
- verlängerte Linienenden (engl.: line end extensions), um Linienverkürzungen zu korrigieren
- teilweise verbreitete Linien (engl.: line end extensions) zur Breitenkorrektur
- zusätzliche Linien an der Seite (engl.: subresolution scattering bar) zur Breitenkorrektur
- T-förmige Strukturen an den Linienenden (engl.: hammerheads), um Kantenverrundungen zu korrigieren
- zusätzliche oder fehlende rechteckige/quadratische Bereiche (engl.: serifs), um Kantenverrundungen zu korrigieren
- zusätzlichen Bereiche an den konvexen Ecken
- negative (fehlende) Bereiche an konkaven Ecken
Literatur
- Chris Mack: Fundamental principles of optical lithography. Wiley-Interscience, 2008, ISBN 978-0-470-01893-4, S. 419 ff. (eingeschränkte Vorschau in der Google-Buchsuche).
Weblinks
- Rolf Froböse: RET- und OPC-Masken. In: Scharfe Sache: Maskentechnologie. tecChannel, 23. Februar 2004, S. 4, abgerufen am 10. Januar 2010 (Bild einer DRAM-Struktur in unterschiedlichen Stufen der Herstellung).