„Aluminiumgalliumarsenid“ – Versionsunterschied

Kristallstruktur
	_ Ga3+/Al3+ 0 _ As3−
Allgemeines
Name	Aluminiumgalliumarsenid
Verhältnisformel	AlxGa1−xAs
Externe Identifikatoren/Datenbanken
Wikidata	Q304176
Eigenschaften
Molare Masse	variabel
Aggregatzustand	fest
Dichte	(5,32 − 1,56·x) g·cm−3 (bei 300 K)
Schmelzpunkt	(1240 − 58·x + 558·x2) °C
Sicherheitshinweise
H- und P-Sätze	H: 331‐301‐410
	P: ?
	Wenn nicht anders vermerkt, gelten die angegebenen Daten bei Standardbedingungen (0 °C, 1000 hPa).

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Aktuelle Version vom 17. September 2024, 20:12 Uhr

Aluminiumgalliumarsenid (Al_xGa_1−xAs) ist ein Halbleiter mit nahezu dem gleichen Gitterparameter wie GaAs, aber einer größeren Bandlücke. Der Aluminiumanteil x kann bei der Synthese zwischen 0 und 100 % variiert werden, wodurch die Bandlücke zwischen 1,42 eV (GaAs) und 2,16 eV (AlAs) eingestellt werden kann. Für x < 0,4 liegt eine direkte Bandlücke vor, ansonsten besteht eine indirekte Bandlücke.

Die Formel AlGaAs wird als Kurzbezeichnung benutzt, wenn der Aluminiumgehalt unbestimmt ist.

Die ternäre Verbindung AlGaAs ist ein sehr wichtiges Materialsystem in der Grundlagenforschung und industriellen Anwendung. Wegen des von der Zusammensetzung nahezu unabhängigen Gitterparameters ist es mit epitaktischen Methoden wie der Molekularstrahlepitaxie oder der metallorganischen Gasphasenepitaxie (engl.: metal organic vapor phase epitaxy, MOVPE) möglich, unverspannte Halbleiter-Heterostrukturen herzustellen.

Die Möglichkeit, die Bandlücke in verschiedenen Bereichen verschieden zu gestalten, ist die Grundlage für elektronische Bauelemente wie Diodenlaser, Leuchtdioden, Heterojunction bipolar transistoren (HBT) und High Electron Mobility Transistoren (HEMT).

Die Verbindung besitzt eine Kristallstruktur vom Zinkblendetyp mit der Raumgruppe F43m (Raumgruppen-Nr. 216)Vorlage:Raumgruppe/216.^[2]

Literatur

Sadao Adachi: Properties of aluminium gallium arsenide. IET, 1993, ISBN 978-0-85296-558-0 (eingeschränkte Vorschau in der Google-Buchsuche).

Weblinks

Physikalische Daten, Ioffe-Institut St.Petersburg (engl.)

Einzelnachweise

↑ Sadao Adachi: Properties of Aluminium Gallium Arsenide. IET, 1993, ISBN 978-0-85296-558-0, S. 39 (englisch, Google Books).
↑ ^a ^b ^c Basic Parameters at 300 K, abgerufen am 29. April 2021.
↑ Eintrag zu Arsenverbindungen in der GESTIS-Stoffdatenbank des IFA, abgerufen am 27. Juli 2024. (JavaScript erforderlich)
↑ Nicht explizit in Verordnung (EG) Nr. 1272/2008 (CLP) gelistet, fällt aber mit der angegebenen Kennzeichnung unter den Gruppeneintrag Arsenverbindungen, mit Ausnahme der namentlich in diesem Anhang bezeichneten im Classification and Labelling Inventory der Europäischen Chemikalienagentur (ECHA), abgerufen am 27. Juli 2024. Hersteller bzw. Inverkehrbringer können die harmonisierte Einstufung und Kennzeichnung erweitern.

[Sadao_Adachi-1] Sadao Adachi: Properties of Aluminium Gallium Arsenide. IET, 1993, ISBN 978-0-85296-558-0, S. 39 (englisch, Google Books).

[ioffe-2] Basic Parameters at 300 K, abgerufen am 29. April 2021.

[GESTIS-3] Eintrag zu Arsenverbindungen in der GESTIS-Stoffdatenbank des IFA, abgerufen am 27. Juli 2024. (JavaScript erforderlich)

[CLP_100.240.769-4] Nicht explizit in Verordnung (EG) Nr. 1272/2008 (CLP) gelistet, fällt aber mit der angegebenen Kennzeichnung unter den Gruppeneintrag Arsenverbindungen, mit Ausnahme der namentlich in diesem Anhang bezeichneten im Classification and Labelling Inventory der Europäischen Chemikalienagentur (ECHA), abgerufen am 27. Juli 2024. Hersteller bzw. Inverkehrbringer können die harmonisierte Einstufung und Kennzeichnung erweitern.

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+{{Infobox Chemikalie
-'''Aluminium-Gallium-Arsenid''' ([[Aluminium|Al]]<sub>x</sub>[[Gallium|Ga]]<sub>1-x</sub>[[Arsen|As]]) ist ein [[Halbleiter]] mit nahezu der gleichen [[Gitterkonstante]] wie [[Gallium-Arsenid|GaAs]], aber einer größeren [[Bandlücke]]. Das ''x'' in der obigen Formel kann zwischen 0 und 1 variieren, wodurch die Bandlücke zwischen 1.42 [[Elektronenvolt|eV]] (GaAs) und 2.16 eV (AlAs) eingestellt werden kann. Für x < 0.4 handelt es sich ume eine [[direkte Bandlücke]], sonst um eine [[indirekte Bandlücke]].
+| Strukturformel   = [[Datei:Sphalerite polyhedra.png|250px|Struktur von Galliumarsenid]]
+| Kristallstruktur = Ja
+| Strukturhinweis  = {{Farbe|#C0C0C0|Kreis=1}} Ga<sup>3+</sup>/Al<sup>3+</sup> {{0}} {{Farbe|#EEEE00|Kreis=1}} As<sup>3−</sup>
+| Suchfunktion     = AlxGa(1-x)As AlGaAs
+| Andere Namen     =
+| Summenformel     = Al<sub>x</sub>Ga<sub>1−x</sub>As
+| CAS              = ''nicht vergeben''
+| EG-Nummer        =
+| ECHA-ID          =
+| PubChem          =
+| ChemSpider       =
+| Beschreibung     =
+| Molare Masse     = ''variabel''
+| Aggregat         = fest<ref name="Sadao Adachi">{{Literatur |Autor=Sadao Adachi |Titel=Properties of Aluminium Gallium Arsenide |Verlag=IET |Datum=1993 |Sprache=en |ISBN=978-0-85296-558-0 |Seiten=39 |Online=[http://books.google.com/books?id=s7icD_5b67oC&pg=PA39 Google Books]}}</ref>
+| Dichte           = (5,32 − 1,56·x) g·cm<sup>−3</sup> (bei 300&nbsp;[[Kelvin|K]])<ref name="ioffe">[http://www.ioffe.ru/SVA/NSM/Semicond/AlGaAs/basic.html Basic Parameters at 300 K], abgerufen am 29. April 2021.</ref>
+| Schmelzpunkt     = (1240 − 58·x + 558·x<sup>2</sup>) °C<ref name="ioffe" />
+| Siedepunkt       = <!-- °C -->
+| Löslichkeit      = <!-- ??? löslich in ???:  g·l<sup>−1</sup> ( °C) -->
+| CLH              = {{CLH-ECHA|Sammeleinstufung=ja|ID=100.240.769 |Name=Arsenverbindungen, mit Ausnahme der namentlich in diesem Anhang bezeichneten |Abruf=2024-07-27}}
+| Quelle GHS-Kz    = <ref name="GESTIS">{{GESTIS|Name=Arsenverbindungen|ZVG=520009|CAS=|Abruf=2024-07-27}}</ref>
+| GHS-Piktogramme  = {{GHS-Piktogramme|06|09}}
+| GHS-Signalwort   = Gefahr
+| H                = {{H-Sätze|331|301|410}}
+| EUH              = {{EUH-Sätze|-}}
+| P                = {{P-Sätze|?}}
+| Quelle P         =
+}}
+'''Aluminiumgalliumarsenid''' ([[Aluminium|Al]]<sub>x</sub>[[Gallium|Ga]]<sub>1−x</sub>[[Arsen|As]]) ist ein [[Halbleiter]] mit nahezu dem gleichen [[Gitterparameter]] wie [[Galliumarsenid|GaAs]], aber einer größeren [[Bandlücke]]. Der Aluminiumanteil ''x'' kann bei der Synthese zwischen 0 und 100 % variiert werden, wodurch die Bandlücke zwischen 1,42&nbsp;[[Elektronenvolt|eV]] (GaAs) und 2,16&nbsp;eV (AlAs) eingestellt werden kann. Für x < 0,4 liegt eine [[direkte Bandlücke]] vor, ansonsten besteht eine [[indirekte Bandlücke]].
-Die Möglichkeit die Bandlücke in verschiedenen Bereichen verschieden zu gestalten, ist die Grundlage für die [[HBT]] und [[HEMT]] [[Transistor]]en.
-Die Formel ''AlGaAs'' wird oft als Kurzbezeichnung benutzt, wobei der Wert von ''x'' dann offen ist.
+Die Formel ''AlGaAs'' wird als Kurzbezeichnung benutzt, wenn der Aluminiumgehalt unbestimmt ist.
+Die ternäre Verbindung AlGaAs ist ein sehr wichtiges Materialsystem in der Grundlagenforschung und industriellen Anwendung. Wegen des von der Zusammensetzung nahezu unabhängigen Gitterparameters ist es mit epitaktischen Methoden wie der [[Molekularstrahlepitaxie]] oder der metallorganischen Gasphasenepitaxie (engl.: metal organic vapor phase epitaxy, [[MOVPE]]) möglich, unverspannte Halbleiter-[[Heterostruktur]]en herzustellen.
-[[Kategorie:Werkstoff]]
+Die Möglichkeit, die Bandlücke in verschiedenen Bereichen verschieden zu gestalten, ist die Grundlage für elektronische Bauelemente wie [[Diodenlaser]], [[Leuchtdiode]]n, [[Heterojunction bipolar transistor]]en (HBT) und [[High Electron Mobility Transistor]]en (HEMT).
-[[en:Aluminium gallium arsenide]]
+Die Verbindung besitzt eine Kristallstruktur vom [[Zinkblende]]typ mit der {{Raumgruppe|F-43m|lang}}.<ref name="ioffe" />
+== Literatur ==
+* Sadao Adachi: ''Properties of aluminium gallium arsenide''. IET, 1993, ISBN 978-0-85296-558-0 ({{Google Buch|BuchID=s7icD_5b67oC}}).
+== Weblinks ==
+* [http://www.ioffe.ru/SVA/NSM/Semicond/AlGaAs/index.html Physikalische Daten, Ioffe-Institut St.Petersburg (engl.)]
+== Einzelnachweise ==
+<references />
+[[Kategorie:Verbindungshalbleiter]]
+[[Kategorie:Aluminiumverbindung]]
+[[Kategorie:Galliumverbindung]]
+[[Kategorie:Arsenid]]
+[[Kategorie:Beschränkter Stoff nach REACH-Anhang XVII, Eintrag 19]]
+[[Kategorie:Beschränkter Stoff nach REACH-Anhang XVII, Eintrag 72]]
+[[Kategorie:Beschränkter Stoff nach REACH-Anhang XVII, Eintrag 75]]