Der piezoresistive Effekt beruht auf der Veränderung eines spezifischen Widerstands durch Druck oder Zug.
Silicium ist nur in einem begrenzten Bereich verformbar (spröde), sein elektrischer Widerstand ist jedoch stärker veränderbar.
Eine technische Anwendung des piezoresistiven Effekts ist die Messung von Kraft oder Druck.
Der Vorteil im Vergleich zu alternativen Messmethoden wie z. B. mit einem Metall-Dehnungsmessstreifen liegt in der hohen Empfindlichkeit. Außerdem lassen sich positive und negative Proportionalitätsfaktoren (K-Faktoren) realisieren, sodass leichter Vollbrücken aufgebaut werden können. Somit lässt sich mit Silicium eine viel höhere Genauigkeit erzielen. Auf Grund der Nichtlinearität ist ist der Messbereich aber auf kleinere Dehnungen als beim Metall-DMS beschränkt.
Piezoresistive Sensoren aus Silicium sind aber deutlich günstiger herstellbar als sogenannte Dünnfilmsensoren (Faktor ~ 1:7). Sie werden gerne für Drucksensoren eingesetzt, da sich die zur Umsetzung des Druckes auf eine Verformung notwendige Membran, die Sensoren selbst, sowie die Auswerte und Abgleichelektronik gemeinsam auf einem Halbleiterplättchen unterbringen lassen. Bei den Dünnfilm-Sensoren hingegen muss dafür eine separate metallische (meist Edelstahl) Membran verwendet werden, was einen höheren Aufwand bedeutet.
Siehe auch: Piezoelektrizität, Piezokristall