Synchronous Dynamic Random Access Memory - Versionsgeschichte

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	[[Datei:128 MiB DIMM 168 PIN RAM (Vorderseite) 20220124.png\|mini\|PC-133-SDRAM-Modul]]		[[Datei:128 MiB DIMM 168 PIN RAM (Vorderseite) 20220124.png\|mini\|PC-133-SDRAM-Modul]]
	[[Datei:Speicherbaenke-SD-RAM 1-1600x1200.jpg\|mini\|SDRAM-Speichermodule auf einer [[Hauptplatine]]]]		[[Datei:Speicherbaenke-SD-RAM 1-1600x1200.jpg\|mini\|SDRAM-Speichermodule auf einer [[Hauptplatine]]]]

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	[[Datei:128 MiB DIMM 168 PIN RAM (Vorderseite) 20220124.png\|mini\|PC-133-SDRAM-Modul]]		[[Datei:128 MiB DIMM 168 PIN RAM (Vorderseite) 20220124.png\|mini\|PC-133-SDRAM-Modul]]
	[[Datei:Speicherbaenke-SD-RAM 1-1600x1200.jpg\|mini\|SDRAM-Speichermodule auf einer [[Hauptplatine]]]]		[[Datei:Speicherbaenke-SD-RAM 1-1600x1200.jpg\|mini\|SDRAM-Speichermodule auf einer [[Hauptplatine]]]]

Rainiger Winkler: /* Verschiedene Typen */ Triviale Aussagen entfernt, natürlich können die Taktzyklen verringert werden, wenn die Taktfrequenz verringert wird, das gleicht sich ja genau aus und man gewinnt vor allem nichts, im Gegenteil: Die Latenz (zeitbezogen) bleibt zwar gleich, aber die Übertragungsrate nimmt ab

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Verschiedene Typen: Triviale Aussagen entfernt, natürlich können die Taktzyklen verringert werden, wenn die Taktfrequenz verringert wird, das gleicht sich ja genau aus und man gewinnt vor allem nichts, im Gegenteil: Die Latenz (zeitbezogen) bleibt zwar gleich, aber die Übertragungsrate nimmt ab

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	SDRAM-Module wurden in den Speicherkapazitäten 16 [[Binärpräfix#Werte\|MiB]], 32 MiB, 64 MiB, 128 MiB, 256 MiB, 512 MiB und 1024 MiB (selten) produziert; meist wurden vier, acht oder sechzehn Chips pro DIMM verwendet. 16-MiB-Module kommen praktisch nur als [[Single-sided]]-Module vor, 32-MiB- und 1024-MiB-Module praktisch nur als [[Double-sided]]-Module. Alle anderen Größen gibt es sowohl als Single-sided- als auch als Double-sided-Module.		SDRAM-Module wurden in den Speicherkapazitäten 16 [[Binärpräfix#Werte\|MiB]], 32 MiB, 64 MiB, 128 MiB, 256 MiB, 512 MiB und 1024 MiB (selten) produziert; meist wurden vier, acht oder sechzehn Chips pro DIMM verwendet. 16-MiB-Module kommen praktisch nur als [[Single-sided]]-Module vor, 32-MiB- und 1024-MiB-Module praktisch nur als [[Double-sided]]-Module. Alle anderen Größen gibt es sowohl als Single-sided- als auch als Double-sided-Module.

	Zudem gibt es Module mit einer [[Column Address Strobe Latency\|CAS Latency]] von zwei (CL2) und einer von drei (CL3), wobei letztere geringfügig langsamer arbeiten. CL3-Module erlauben außerdem oft einen Betrieb mit CL2 bei niedrigerer Taktfrequenz. So können dafür geeignete PC-100-CL3-Module bis maximal 66 MHz Taktfrequenz mit CL2 betrieben werden, entsprechend PC-133-CL3-Module bis maximal 100 MHz Taktfrequenz mit CL2. PC-133-CL2-Module sind meist mit Speicherchips mit einer Zugriffszeit von 7,0 ns bestückt.		Zudem gibt es Module mit einer [[Column Address Strobe Latency\|CAS Latency]] von zwei (CL2) und einer von drei (CL3), wobei letztere geringfügig langsamer arbeiten. PC-133-CL2-Module sind meist mit Speicherchips mit einer Zugriffszeit von 7,0 ns bestückt.

	=== {{lang\|en\|Registered SDRAM}} ===		=== {{lang\|en\|Registered SDRAM}} ===

Rainiger Winkler: /* Kompatibilitätsprobleme */ Abschnitt Kompatibilitätsprobleme gelöscht, da mittlerweile sehr veraltet (15 Jahre?) und sehr spezifische Angaben, die eher wenig enzylopädischen Informationsgehalt hatten und besser in einem Forum oÄ aufgehoben wären.

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Kompatibilitätsprobleme: Abschnitt Kompatibilitätsprobleme gelöscht, da mittlerweile sehr veraltet (15 Jahre?) und sehr spezifische Angaben, die eher wenig enzylopädischen Informationsgehalt hatten und besser in einem Forum oÄ aufgehoben wären.

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	SDRAM-Speicherchips benötigen eine Betriebsspannung von 3,3 V.<ref>Robert Köhring, Mirko Wünsch: [http://www.tu-chemnitz.de/informatik/RA/news/stack/kompendium/vortraege_98/speicher/section4.htm#_p3 ''4. Speichertechnologie – DRAM-Speichermodule''] In: ''IBM-PC Speichertechnologie -- RAM-Speicher'', Ausarbeitung zum Proseminar IBM-PC (SS 1998),		SDRAM-Speicherchips benötigen eine Betriebsspannung von 3,3 V.<ref>Robert Köhring, Mirko Wünsch: [http://www.tu-chemnitz.de/informatik/RA/news/stack/kompendium/vortraege_98/speicher/section4.htm#_p3 ''4. Speichertechnologie – DRAM-Speichermodule''] In: ''IBM-PC Speichertechnologie -- RAM-Speicher'', Ausarbeitung zum Proseminar IBM-PC (SS 1998),
	Technische Universität Chemnitz, Fakultät für Informatik.</ref>		Technische Universität Chemnitz, Fakultät für Informatik.</ref>

	== Kompatibilitätsprobleme ==
	PC133-Module aus jüngerer Produktion können inkompatibel zu den frühen [[Speichercontroller]]n mit SDRAM-Unterstützung sein. So kommt es vor, dass neuere PC133-Module auf älteren [[Hauptplatine]]n nicht ordnungsgemäß funktionieren, obwohl die DIMMs bezüglich ihrer Gesamtspeicherkapazität noch innerhalb der [[Chipsatz]]- bzw. Mainboard-Spezifikationen liegen. Ein typisches Beispiel sind 256-MiB-PC-133-Module auf Super-[[Sockel 7\|Sockel-7]]-Mainboards mit dem Chipsatz [[VIA Apollo#Apollo MVP3\|VIA Apollo MVP3]]. Während ältere DIMMs, [[Single-sided/double-sided\|doppelseitig]] mit jeweils acht 128-[[Binärpräfix\|Mibit]]-Chips bestückt, auf solchen Hauptplatinen fehlerfrei arbeiten, funktionieren neuere, nur einseitig mit acht 256-Mibit-Chips bestückte 256-MiB-Speichermodule nicht oder werden nur als 128-MiB-DIMM erkannt. Neben der [[Speicherdichte]] kann auch eine ungünstige interne Organisation der verwendeten SDRAM-Chips die Kompatibilität zum Speichercontroller beeinträchtigen.<ref>Support der [[Shuttle Inc.\|Shuttle Computer Handels GmbH]]: [http://www.shuttle.eu/_archive/older/de/simmdimm.htm#simmsunddimm ''Speicher und Cache – SIMMs und DIMMs'']</ref> 512-MiB- und 1024-MiB-Module funktionieren auf Hauptplatinen mit VIAs Apollo-MVP3-Chipsatz gar nicht. Ein Grund kann eine zu hohe kapazitive Last durch zu viele parallele Speicherzellen sein, die die Treiber überfordert und zu weichen Taktflanken führt.

	== Technische Weiterentwicklung ==		== Technische Weiterentwicklung ==

Y2kbug: /* {{lang|en|Buffered/unbuffered SDRAM}} */ +Anker

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{{lang|en|Buffered/unbuffered SDRAM}}: +Anker

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	Als {{lang\|en\|''Registered SDRAM''}} werden SDRAM-Module bezeichnet, die mit einem [[Register (Computer)\|Register]] für die Adress- und Steuerleitungen ausgestattet sind. Registered-SDRAM-DIMMs verringern somit die [[Fan-Out\|Last]] (Fan-Out), die sie für die Hauptplatine verursachen, so dass größere und mehr DIMM-Module verwendet werden können. Das ist eine bei Servern weit verbreitete Technik, um die maximal mögliche Arbeitsspeichergröße zu erhöhen. Auf ein Registered SDRAM-DIMM kann etwas langsamer zugegriffen werden als auf entsprechende ungepufferte Module (unbuffered).		Als {{lang\|en\|''Registered SDRAM''}} werden SDRAM-Module bezeichnet, die mit einem [[Register (Computer)\|Register]] für die Adress- und Steuerleitungen ausgestattet sind. Registered-SDRAM-DIMMs verringern somit die [[Fan-Out\|Last]] (Fan-Out), die sie für die Hauptplatine verursachen, so dass größere und mehr DIMM-Module verwendet werden können. Das ist eine bei Servern weit verbreitete Technik, um die maximal mögliche Arbeitsspeichergröße zu erhöhen. Auf ein Registered SDRAM-DIMM kann etwas langsamer zugegriffen werden als auf entsprechende ungepufferte Module (unbuffered).

	=== {{lang\|en\|Buffered/unbuffered SDRAM}} ===		=== {{Anker\|buffered\|unbuffered}}{{lang\|en\|Buffered/unbuffered SDRAM}} ===
	SDRAM-DIMMs hoher Speicherkapazität verursachen mit ihrer großen Zahl an [[Halbleiterspeicher#Speicherzelle\|Speicherzellen]] bei den heute üblichen hohen Taktraten im Vergleich zu SDRAM-DIMMs kleinerer Speicherkapazität höhere kapazitive und induktive [[Fan-Out\|Lasten]] auf den Adress- und Steuerleitungen. Daher setzten einige Platinen-Designer doppelte Treiberpuffer auf das SDRAM-DIMM-Modul, um so die Signale auf den Leitungen zu verstärken und die Systemlast im Vergleich zu sonst gleichen Speichermodulen mit diesen zusätzlichen Ausgangspuffern zu verringern. Diese Puffer verursachen aber eine kleine Zeitverzögerung der elektrischen Impulse, so dass das Hinzufügen solcher Puffer zu einem normal dicht besetzten Modul ohne Puffer zu einer Verlangsamung der Signale im Vergleich zum gleichen Modul mit Ausgangspuffern führt. Dies ist eine ebenfalls hauptsächlich im Bereich der Server verbreitete Technik, um die maximal mögliche Arbeitsspeichergröße auf einer Systemplatine (Mainboard) zu erhöhen.		SDRAM-DIMMs hoher Speicherkapazität verursachen mit ihrer großen Zahl an [[Halbleiterspeicher#Speicherzelle\|Speicherzellen]] bei den heute üblichen hohen Taktraten im Vergleich zu SDRAM-DIMMs kleinerer Speicherkapazität höhere kapazitive und induktive [[Fan-Out\|Lasten]] auf den Adress- und Steuerleitungen. Daher setzten einige Platinen-Designer doppelte Treiberpuffer auf das SDRAM-DIMM-Modul, um so die Signale auf den Leitungen zu verstärken und die Systemlast im Vergleich zu sonst gleichen Speichermodulen mit diesen zusätzlichen Ausgangspuffern zu verringern. Diese Puffer verursachen aber eine kleine Zeitverzögerung der elektrischen Impulse, so dass das Hinzufügen solcher Puffer zu einem normal dicht besetzten Modul ohne Puffer zu einer Verlangsamung der Signale im Vergleich zum gleichen Modul mit Ausgangspuffern führt. Dies ist eine ebenfalls hauptsächlich im Bereich der Server verbreitete Technik, um die maximal mögliche Arbeitsspeichergröße auf einer Systemplatine (Mainboard) zu erhöhen.

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	PC-66, PC-100 und PC-133 sind vom zuständigen [[JEDEC Solid State Technology Association\|JEDEC]]-Gremium als Standards spezifiziert worden. Demgegenüber sind die PC-150- und PC-166-Module lediglich übertaktete PC-133-Module, die vom Hersteller für den Betrieb mit 150 bzw. 166 MHz freigegeben wurden.		PC-66, PC-100 und PC-133 sind vom zuständigen [[JEDEC Solid State Technology Association\|JEDEC]]-Gremium als Standards spezifiziert worden. Demgegenüber sind die PC-150- und PC-166-Module lediglich übertaktete PC-133-Module, die vom Hersteller für den Betrieb mit 150 bzw. 166 MHz freigegeben wurden.

	SDRAM-Module wurden in den Speicherkapazitäten 16 [[Binärpräfix#~~IEC-Präfixe zur Basis 2~~\|MiB]], 32 MiB, 64 MiB, 128 MiB, 256 MiB, 512 MiB und 1024 MiB (selten) produziert; meist wurden vier, acht oder sechzehn Chips pro DIMM verwendet. 16-MiB-Module kommen praktisch nur als [[Single-sided]]-Module vor, 32-MiB- und 1024-MiB-Module praktisch nur als [[Double-sided]]-Module. Alle anderen Größen gibt es sowohl als Single-sided- als auch als Double-sided-Module.		SDRAM-Module wurden in den Speicherkapazitäten 16 [[Binärpräfix#Werte\|MiB]], 32 MiB, 64 MiB, 128 MiB, 256 MiB, 512 MiB und 1024 MiB (selten) produziert; meist wurden vier, acht oder sechzehn Chips pro DIMM verwendet. 16-MiB-Module kommen praktisch nur als [[Single-sided]]-Module vor, 32-MiB- und 1024-MiB-Module praktisch nur als [[Double-sided]]-Module. Alle anderen Größen gibt es sowohl als Single-sided- als auch als Double-sided-Module.

	Zudem gibt es Module mit einer [[Column Address Strobe Latency\|CAS Latency]] von zwei (CL2) und einer von drei (CL3), wobei letztere geringfügig langsamer arbeiten. CL3-Module erlauben außerdem oft einen Betrieb mit CL2 bei niedrigerer Taktfrequenz. So können dafür geeignete PC-100-CL3-Module bis maximal 66 MHz Taktfrequenz mit CL2 betrieben werden, entsprechend PC-133-CL3-Module bis maximal 100 MHz Taktfrequenz mit CL2. PC-133-CL2-Module sind meist mit Speicherchips mit einer Zugriffszeit von 7,0 ns bestückt.		Zudem gibt es Module mit einer [[Column Address Strobe Latency\|CAS Latency]] von zwei (CL2) und einer von drei (CL3), wobei letztere geringfügig langsamer arbeiten. CL3-Module erlauben außerdem oft einen Betrieb mit CL2 bei niedrigerer Taktfrequenz. So können dafür geeignete PC-100-CL3-Module bis maximal 66 MHz Taktfrequenz mit CL2 betrieben werden, entsprechend PC-133-CL3-Module bis maximal 100 MHz Taktfrequenz mit CL2. PC-133-CL2-Module sind meist mit Speicherchips mit einer Zugriffszeit von 7,0 ns bestückt.

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	[[Datei:~~SDRAM-Modul~~.~~jpg~~\|mini\|SDRAM-Modul]]		[[Datei:128 MiB DIMM 168 PIN RAM (Vorderseite) 20220124.png\|mini\|PC-133-SDRAM-Modul]]
	[[Datei:Speicherbaenke-SD-RAM 1-1600x1200.jpg\|mini\|SDRAM-Speichermodule auf einer [[Hauptplatine]]]]		[[Datei:Speicherbaenke-SD-RAM 1-1600x1200.jpg\|mini\|SDRAM-Speichermodule auf einer [[Hauptplatine]]]]
	{{lang\|en\|		{{lang\|en\|

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	PC-66, PC-100 und PC-133 sind vom zuständigen [[JEDEC Solid State Technology Association\|JEDEC]]-Gremium als Standards spezifiziert worden. Demgegenüber sind die PC-150- und PC-166-Module lediglich übertaktete PC-133-Module, die vom Hersteller für den Betrieb mit 150 bzw. 166 MHz freigegeben wurden.		PC-66, PC-100 und PC-133 sind vom zuständigen [[JEDEC Solid State Technology Association\|JEDEC]]-Gremium als Standards spezifiziert worden. Demgegenüber sind die PC-150- und PC-166-Module lediglich übertaktete PC-133-Module, die vom Hersteller für den Betrieb mit 150 bzw. 166 MHz freigegeben wurden.

	SDRAM-Module wurden in den Speicherkapazitäten 16 [[~~Byte~~#IEC-Präfixe\|MiB]], 32 MiB, 64 MiB, 128 MiB, 256 MiB, 512 MiB und 1024 MiB (selten) produziert; meist wurden vier, acht oder sechzehn Chips pro DIMM verwendet. 16-MiB-Module kommen praktisch nur als [[Single-sided]]-Module vor, 32-MiB- und 1024-MiB-Module praktisch nur als [[Double-sided]]-Module. Alle anderen Größen gibt es sowohl als Single-sided- als auch als Double-sided-Module.		SDRAM-Module wurden in den Speicherkapazitäten 16 [[Binärpräfix#IEC-Präfixe zur Basis 2\|MiB]], 32 MiB, 64 MiB, 128 MiB, 256 MiB, 512 MiB und 1024 MiB (selten) produziert; meist wurden vier, acht oder sechzehn Chips pro DIMM verwendet. 16-MiB-Module kommen praktisch nur als [[Single-sided]]-Module vor, 32-MiB- und 1024-MiB-Module praktisch nur als [[Double-sided]]-Module. Alle anderen Größen gibt es sowohl als Single-sided- als auch als Double-sided-Module.

	Zudem gibt es Module mit einer [[Column Address Strobe Latency\|CAS Latency]] von zwei (CL2) und einer von drei (CL3), wobei letztere geringfügig langsamer arbeiten. CL3-Module erlauben außerdem oft einen Betrieb mit CL2 bei niedrigerer Taktfrequenz. So können dafür geeignete PC-100-CL3-Module bis maximal 66 MHz Taktfrequenz mit CL2 betrieben werden, entsprechend PC-133-CL3-Module bis maximal 100 MHz Taktfrequenz mit CL2. PC-133-CL2-Module sind meist mit Speicherchips mit einer Zugriffszeit von 7,0 ns bestückt.		Zudem gibt es Module mit einer [[Column Address Strobe Latency\|CAS Latency]] von zwei (CL2) und einer von drei (CL3), wobei letztere geringfügig langsamer arbeiten. CL3-Module erlauben außerdem oft einen Betrieb mit CL2 bei niedrigerer Taktfrequenz. So können dafür geeignete PC-100-CL3-Module bis maximal 66 MHz Taktfrequenz mit CL2 betrieben werden, entsprechend PC-133-CL3-Module bis maximal 100 MHz Taktfrequenz mit CL2. PC-133-CL2-Module sind meist mit Speicherchips mit einer Zugriffszeit von 7,0 ns bestückt.

HReuter: /* Weblinks */ -typo

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	== Weblinks ==		== Weblinks ==
	{{Commonscat\|~~synchronous dynamic random-access memory~~\|Synchronous Dynamic Random Access Memory}}		{{Commonscat\|SDRAM\|Synchronous Dynamic Random Access Memory}}
	* [http://www.jedec.org JEDEC – das Standardisierungsgremium für SDRAM]		* [http://www.jedec.org JEDEC – das Standardisierungsgremium für SDRAM]
	* Hardwaregrundlagen.de: {{Webarchiv \| url=http://www.hardwaregrundlagen.de/oben08-008.htm \| wayback=20151226055953 \| text=Speicher Glossar}}, abgerufen am 9. September 2016		* Hardwaregrundlagen.de: {{Webarchiv \| url=http://www.hardwaregrundlagen.de/oben08-008.htm \| wayback=20151226055953 \| text=Speicher Glossar}}, abgerufen am 9. September 2016

HReuter: /* Weblinks */ +{{Commonscat|Synchronous Dynamic Random Access Memory|synchronous dynamic random-access memory}}

2021-03-21T00:02:48Z

Weblinks: +{{Commonscat|Synchronous Dynamic Random Access Memory|synchronous dynamic random-access memory}}

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	== Weblinks ==		== Weblinks ==
			{{Commonscat\|synchronous dynamic random-access memory\|Synchronous Dynamic Random Access Memory}}
	* [http://www.jedec.org JEDEC – das Standardisierungsgremium für SDRAM]		* [http://www.jedec.org JEDEC – das Standardisierungsgremium für SDRAM]
	* Hardwaregrundlagen.de: {{Webarchiv \| url=http://www.hardwaregrundlagen.de/oben08-008.htm \| wayback=20151226055953 \| text=Speicher Glossar}}, abgerufen am 9. September 2016		* Hardwaregrundlagen.de: {{Webarchiv \| url=http://www.hardwaregrundlagen.de/oben08-008.htm \| wayback=20151226055953 \| text=Speicher Glossar}}, abgerufen am 9. September 2016

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	SDRAM-Module wurden in den Speicherkapazitäten 16 [[Binärpräfix#Werte\|MiB]], 32 MiB, 64 MiB, 128 MiB, 256 MiB, 512 MiB und 1024 MiB (selten) produziert; meist wurden vier, acht oder sechzehn Chips pro DIMM verwendet. 16-MiB-Module kommen praktisch nur als [[Single-sided]]-Module vor, 32-MiB- und 1024-MiB-Module praktisch nur als [[Double-sided]]-Module. Alle anderen Größen gibt es sowohl als Single-sided- als auch als Double-sided-Module.		SDRAM-Module wurden in den Speicherkapazitäten 16 [[Binärpräfix#Werte\|MiB]], 32 MiB, 64 MiB, 128 MiB, 256 MiB, 512 MiB und 1024 MiB (selten) produziert; meist wurden vier, acht oder sechzehn Chips pro DIMM verwendet. 16-MiB-Module kommen praktisch nur als [[Single-sided]]-Module vor, 32-MiB- und 1024-MiB-Module praktisch nur als [[Double-sided]]-Module. Alle anderen Größen gibt es sowohl als Single-sided- als auch als Double-sided-Module.

	Zudem gibt es Module mit einer [[Column Address Strobe Latency\|CAS Latency]] von zwei (CL2) und einer von drei (CL3), wobei letztere geringfügig langsamer arbeiten. CL3-Module erlauben außerdem oft einen Betrieb mit CL2 bei niedrigerer Taktfrequenz. So können dafür geeignete PC-100-CL3-Module bis maximal 66 MHz Taktfrequenz mit CL2 betrieben werden, entsprechend PC-133-CL3-Module bis maximal 100 MHz Taktfrequenz mit CL2. PC-133-CL2-Module sind meist mit Speicherchips mit einer Zugriffszeit von 7,0 ns bestückt.		Zudem gibt es Module mit einer [[Column Address Strobe Latency\|CAS Latency]] von zwei (CL2) und einer von drei (CL3), wobei letztere geringfügig langsamer arbeiten. PC-133-CL2-Module sind meist mit Speicherchips mit einer Zugriffszeit von 7,0 ns bestückt.

	=== {{lang\|en\|Registered SDRAM}} ===		=== {{lang\|en\|Registered SDRAM}} ===

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	Als {{lang\|en\|''Registered SDRAM''}} werden SDRAM-Module bezeichnet, die mit einem [[Register (Computer)\|Register]] für die Adress- und Steuerleitungen ausgestattet sind. Registered-SDRAM-DIMMs verringern somit die [[Fan-Out\|Last]] (Fan-Out), die sie für die Hauptplatine verursachen, so dass größere und mehr DIMM-Module verwendet werden können. Das ist eine bei Servern weit verbreitete Technik, um die maximal mögliche Arbeitsspeichergröße zu erhöhen. Auf ein Registered SDRAM-DIMM kann etwas langsamer zugegriffen werden als auf entsprechende ungepufferte Module (unbuffered).		Als {{lang\|en\|''Registered SDRAM''}} werden SDRAM-Module bezeichnet, die mit einem [[Register (Computer)\|Register]] für die Adress- und Steuerleitungen ausgestattet sind. Registered-SDRAM-DIMMs verringern somit die [[Fan-Out\|Last]] (Fan-Out), die sie für die Hauptplatine verursachen, so dass größere und mehr DIMM-Module verwendet werden können. Das ist eine bei Servern weit verbreitete Technik, um die maximal mögliche Arbeitsspeichergröße zu erhöhen. Auf ein Registered SDRAM-DIMM kann etwas langsamer zugegriffen werden als auf entsprechende ungepufferte Module (unbuffered).

	=== {{lang\|en\|Buffered/unbuffered SDRAM}} ===		=== {{Anker\|buffered\|unbuffered}}{{lang\|en\|Buffered/unbuffered SDRAM}} ===
	SDRAM-DIMMs hoher Speicherkapazität verursachen mit ihrer großen Zahl an [[Halbleiterspeicher#Speicherzelle\|Speicherzellen]] bei den heute üblichen hohen Taktraten im Vergleich zu SDRAM-DIMMs kleinerer Speicherkapazität höhere kapazitive und induktive [[Fan-Out\|Lasten]] auf den Adress- und Steuerleitungen. Daher setzten einige Platinen-Designer doppelte Treiberpuffer auf das SDRAM-DIMM-Modul, um so die Signale auf den Leitungen zu verstärken und die Systemlast im Vergleich zu sonst gleichen Speichermodulen mit diesen zusätzlichen Ausgangspuffern zu verringern. Diese Puffer verursachen aber eine kleine Zeitverzögerung der elektrischen Impulse, so dass das Hinzufügen solcher Puffer zu einem normal dicht besetzten Modul ohne Puffer zu einer Verlangsamung der Signale im Vergleich zum gleichen Modul mit Ausgangspuffern führt. Dies ist eine ebenfalls hauptsächlich im Bereich der Server verbreitete Technik, um die maximal mögliche Arbeitsspeichergröße auf einer Systemplatine (Mainboard) zu erhöhen.		SDRAM-DIMMs hoher Speicherkapazität verursachen mit ihrer großen Zahl an [[Halbleiterspeicher#Speicherzelle\|Speicherzellen]] bei den heute üblichen hohen Taktraten im Vergleich zu SDRAM-DIMMs kleinerer Speicherkapazität höhere kapazitive und induktive [[Fan-Out\|Lasten]] auf den Adress- und Steuerleitungen. Daher setzten einige Platinen-Designer doppelte Treiberpuffer auf das SDRAM-DIMM-Modul, um so die Signale auf den Leitungen zu verstärken und die Systemlast im Vergleich zu sonst gleichen Speichermodulen mit diesen zusätzlichen Ausgangspuffern zu verringern. Diese Puffer verursachen aber eine kleine Zeitverzögerung der elektrischen Impulse, so dass das Hinzufügen solcher Puffer zu einem normal dicht besetzten Modul ohne Puffer zu einer Verlangsamung der Signale im Vergleich zum gleichen Modul mit Ausgangspuffern führt. Dies ist eine ebenfalls hauptsächlich im Bereich der Server verbreitete Technik, um die maximal mögliche Arbeitsspeichergröße auf einer Systemplatine (Mainboard) zu erhöhen.

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	PC-66, PC-100 und PC-133 sind vom zuständigen [[JEDEC Solid State Technology Association\|JEDEC]]-Gremium als Standards spezifiziert worden. Demgegenüber sind die PC-150- und PC-166-Module lediglich übertaktete PC-133-Module, die vom Hersteller für den Betrieb mit 150 bzw. 166 MHz freigegeben wurden.		PC-66, PC-100 und PC-133 sind vom zuständigen [[JEDEC Solid State Technology Association\|JEDEC]]-Gremium als Standards spezifiziert worden. Demgegenüber sind die PC-150- und PC-166-Module lediglich übertaktete PC-133-Module, die vom Hersteller für den Betrieb mit 150 bzw. 166 MHz freigegeben wurden.

	SDRAM-Module wurden in den Speicherkapazitäten 16 [[Binärpräfix#~~IEC-Präfixe zur Basis 2~~\|MiB]], 32 MiB, 64 MiB, 128 MiB, 256 MiB, 512 MiB und 1024 MiB (selten) produziert; meist wurden vier, acht oder sechzehn Chips pro DIMM verwendet. 16-MiB-Module kommen praktisch nur als [[Single-sided]]-Module vor, 32-MiB- und 1024-MiB-Module praktisch nur als [[Double-sided]]-Module. Alle anderen Größen gibt es sowohl als Single-sided- als auch als Double-sided-Module.		SDRAM-Module wurden in den Speicherkapazitäten 16 [[Binärpräfix#Werte\|MiB]], 32 MiB, 64 MiB, 128 MiB, 256 MiB, 512 MiB und 1024 MiB (selten) produziert; meist wurden vier, acht oder sechzehn Chips pro DIMM verwendet. 16-MiB-Module kommen praktisch nur als [[Single-sided]]-Module vor, 32-MiB- und 1024-MiB-Module praktisch nur als [[Double-sided]]-Module. Alle anderen Größen gibt es sowohl als Single-sided- als auch als Double-sided-Module.

	Zudem gibt es Module mit einer [[Column Address Strobe Latency\|CAS Latency]] von zwei (CL2) und einer von drei (CL3), wobei letztere geringfügig langsamer arbeiten. CL3-Module erlauben außerdem oft einen Betrieb mit CL2 bei niedrigerer Taktfrequenz. So können dafür geeignete PC-100-CL3-Module bis maximal 66 MHz Taktfrequenz mit CL2 betrieben werden, entsprechend PC-133-CL3-Module bis maximal 100 MHz Taktfrequenz mit CL2. PC-133-CL2-Module sind meist mit Speicherchips mit einer Zugriffszeit von 7,0 ns bestückt.		Zudem gibt es Module mit einer [[Column Address Strobe Latency\|CAS Latency]] von zwei (CL2) und einer von drei (CL3), wobei letztere geringfügig langsamer arbeiten. CL3-Module erlauben außerdem oft einen Betrieb mit CL2 bei niedrigerer Taktfrequenz. So können dafür geeignete PC-100-CL3-Module bis maximal 66 MHz Taktfrequenz mit CL2 betrieben werden, entsprechend PC-133-CL3-Module bis maximal 100 MHz Taktfrequenz mit CL2. PC-133-CL2-Module sind meist mit Speicherchips mit einer Zugriffszeit von 7,0 ns bestückt.

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	PC-66, PC-100 und PC-133 sind vom zuständigen [[JEDEC Solid State Technology Association\|JEDEC]]-Gremium als Standards spezifiziert worden. Demgegenüber sind die PC-150- und PC-166-Module lediglich übertaktete PC-133-Module, die vom Hersteller für den Betrieb mit 150 bzw. 166 MHz freigegeben wurden.		PC-66, PC-100 und PC-133 sind vom zuständigen [[JEDEC Solid State Technology Association\|JEDEC]]-Gremium als Standards spezifiziert worden. Demgegenüber sind die PC-150- und PC-166-Module lediglich übertaktete PC-133-Module, die vom Hersteller für den Betrieb mit 150 bzw. 166 MHz freigegeben wurden.

	SDRAM-Module wurden in den Speicherkapazitäten 16 [[~~Byte~~#IEC-Präfixe\|MiB]], 32 MiB, 64 MiB, 128 MiB, 256 MiB, 512 MiB und 1024 MiB (selten) produziert; meist wurden vier, acht oder sechzehn Chips pro DIMM verwendet. 16-MiB-Module kommen praktisch nur als [[Single-sided]]-Module vor, 32-MiB- und 1024-MiB-Module praktisch nur als [[Double-sided]]-Module. Alle anderen Größen gibt es sowohl als Single-sided- als auch als Double-sided-Module.		SDRAM-Module wurden in den Speicherkapazitäten 16 [[Binärpräfix#IEC-Präfixe zur Basis 2\|MiB]], 32 MiB, 64 MiB, 128 MiB, 256 MiB, 512 MiB und 1024 MiB (selten) produziert; meist wurden vier, acht oder sechzehn Chips pro DIMM verwendet. 16-MiB-Module kommen praktisch nur als [[Single-sided]]-Module vor, 32-MiB- und 1024-MiB-Module praktisch nur als [[Double-sided]]-Module. Alle anderen Größen gibt es sowohl als Single-sided- als auch als Double-sided-Module.

	Zudem gibt es Module mit einer [[Column Address Strobe Latency\|CAS Latency]] von zwei (CL2) und einer von drei (CL3), wobei letztere geringfügig langsamer arbeiten. CL3-Module erlauben außerdem oft einen Betrieb mit CL2 bei niedrigerer Taktfrequenz. So können dafür geeignete PC-100-CL3-Module bis maximal 66 MHz Taktfrequenz mit CL2 betrieben werden, entsprechend PC-133-CL3-Module bis maximal 100 MHz Taktfrequenz mit CL2. PC-133-CL2-Module sind meist mit Speicherchips mit einer Zugriffszeit von 7,0 ns bestückt.		Zudem gibt es Module mit einer [[Column Address Strobe Latency\|CAS Latency]] von zwei (CL2) und einer von drei (CL3), wobei letztere geringfügig langsamer arbeiten. CL3-Module erlauben außerdem oft einen Betrieb mit CL2 bei niedrigerer Taktfrequenz. So können dafür geeignete PC-100-CL3-Module bis maximal 66 MHz Taktfrequenz mit CL2 betrieben werden, entsprechend PC-133-CL3-Module bis maximal 100 MHz Taktfrequenz mit CL2. PC-133-CL2-Module sind meist mit Speicherchips mit einer Zugriffszeit von 7,0 ns bestückt.