Static random-access memory - Versionsgeschichte

Soulman: /* Eigenschaften und Aufbau */ Kompletten redundanten Absatz entfernt. Alles steht erneut im nachfolgenden Absatz.

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	== Eigenschaften und Aufbau ==		== Eigenschaften und Aufbau ==
	SRAM behält Daten in seinem Speicher, solange Strom zugeführt wird. Im Gegensatz zu [[DRAM]], der kontinuierlich aktualisiert werden muss, besteht bei SRAM diese Anforderung nicht~~, was zu einer besseren Leistung führt~~. Allerdings ist SRAM auch teurer als DRAM und benötigt ~~viel~~ mehr Platz. SRAM verwendet [[Flipflop\|Flipflops]] anstelle von [[Kondensator (Elektrotechnik)\|Kondensatoren]], um Daten in Form von Bits zu speichern. SRAM benötigt im Vergleich zu DRAM mehr Energie. Der Einsatz von SRAM führt also zu einem höheren Stromverbrauch.		SRAM behält Daten in seinem Speicher, solange Strom zugeführt wird. Im Gegensatz zu [[DRAM]], der kontinuierlich aktualisiert werden muss, besteht bei SRAM diese Anforderung nicht. Allerdings ist SRAM auch teurer als DRAM und benötigt mehr Platz. SRAM verwendet [[Flipflop\|Flipflops]] anstelle von [[Kondensator (Elektrotechnik)\|Kondensatoren]], um Daten in Form von Bits zu speichern. SRAM benötigt im Vergleich zu DRAM mehr Energie. Der Einsatz von SRAM führt also zu einem höheren Stromverbrauch.

	Dieses inhärente Designmerkmal bedeutet, dass keine ständige Aktualisierung erforderlich ist, um die Daten im SRAM zu behalten. Der Begriff ''statisch'' bedeutet, dass keine Aktion erforderlich ist, um die Daten intakt zu halten. Durch den Wegfall zeitaufwändiger Aktualisierungszyklen reduziert SRAM die [[Latenzzeit (Technik)\|Latenzzeit]] und ermöglicht einen schnelleren Datenzugriff. Diese Funktionen können besonders für Schlüsselkomponenten wie geschwindigkeitsempfindliche Caches der Zentraleinheit von entscheidender Bedeutung sein. Im Allgemeinen kann SRAM die Geschwindigkeit und Leistung von [[Computersystem\|Computersystemen]] besser verbessern, da es den [[Prozessor\|Prozessoren]] einen schnellen Zugriff ermöglicht.

	SRAM ist schneller als andere Arten von [[Elektronik\|elektronischen]] [[Speicherbaustein\|Speicherbausteinen]]. Weil SRAM außerdem keine zeitaufwändigen Aktualisierungszyklen erfordert, ermöglicht es schnellen Datenzugriff und bietet geringere [[Latenzzeit (Technik)\|Latenzzeit]]. Diese beiden Eigenschaften machen SRAM ideal für Anwendungen, bei denen Geschwindigkeit entscheidend ist. Datenintegrität ist ein weiterer Bereich, in dem SRAM gegenüber einigen anderen Speichertypen im Vorteil ist. Die Integrität der Daten bleibt durchgängig erhalten, da SRAM keine Kondensatoren verwendet und auch keine ständige Aktualisierung erfordert. Mittlerweile sind moderne SRAMs erhältlich, die Techniken wie Power Gating und dynamische Spannungsskalierung verwenden. Dadurch verbraucht es weniger Strom und ist energieeffizienter als seine Vorgänger. Trotzdem eignet sich SRAM am besten für Anwendungen, bei denen [[Energieeffizienz]] weniger Priorität hat als hohe Zugriffsgeschwindigkeiten und Reaktionsfähigkeit, geringe Latenzzeit und Datenintegrität. SRAM erzeugt außerdem weniger Wärme und ist strahlungsbeständiger.<ref name=":0">TechTarget: [https://www.techtarget.com/whatis/definition/SRAM-static-random-access-memory ''What is SRAM (static random access memory)?'']</ref>		SRAM ist schneller als andere Arten von [[Elektronik\|elektronischen]] [[Speicherbaustein\|Speicherbausteinen]]. Weil SRAM außerdem keine zeitaufwändigen Aktualisierungszyklen erfordert, ermöglicht es schnellen Datenzugriff und bietet geringere [[Latenzzeit (Technik)\|Latenzzeit]]. Diese beiden Eigenschaften machen SRAM ideal für Anwendungen, bei denen Geschwindigkeit entscheidend ist. Datenintegrität ist ein weiterer Bereich, in dem SRAM gegenüber einigen anderen Speichertypen im Vorteil ist. Die Integrität der Daten bleibt durchgängig erhalten, da SRAM keine Kondensatoren verwendet und auch keine ständige Aktualisierung erfordert. Mittlerweile sind moderne SRAMs erhältlich, die Techniken wie Power Gating und dynamische Spannungsskalierung verwenden. Dadurch verbraucht es weniger Strom und ist energieeffizienter als seine Vorgänger. Trotzdem eignet sich SRAM am besten für Anwendungen, bei denen [[Energieeffizienz]] weniger Priorität hat als hohe Zugriffsgeschwindigkeiten und Reaktionsfähigkeit, geringe Latenzzeit und Datenintegrität. SRAM erzeugt außerdem weniger Wärme und ist strahlungsbeständiger.<ref name=":0">TechTarget: [https://www.techtarget.com/whatis/definition/SRAM-static-random-access-memory ''What is SRAM (static random access memory)?'']</ref>

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	== Anwendungen ==		== Anwendungen ==
	Aufgrund seiner Kosten und Größe wird SRAM normalerweise nicht als [[Hauptspeicher]] eines [[Computer\|Computers]] verwendet. Die meisten Computer verwenden stattdessen [[DRAM]], da es höhere Datendichten bei geringeren Kosten unterstützt. SRAM kann Teil eines [[Digital-Analog-Umsetzer\|Digital-Analog-Umsetzers]] auf der Videokarte oder [[Grafikkarte]] eines Computers sein. Es kann auch in einem [[Festplattenlaufwerk]] als Puffercache verwendet werden, in einem [[Peripheriegerät]] wie einem [[Drucker (Gerät)\|Drucker]] oder einer [[Flüssigkristallanzeige]] oder in einem [[Netzwerkgerät]] wie einem [[Router]] oder [[Switch (Netzwerktechnik)\|Switch]]. Die häufigsten Verwendungszwecke von SRAM sind der [[Cache]]-Speicher eines Computers, beispielsweise der [[Prozessor-Cache]], und Hochgeschwindigkeitsregister. SRAM ist auch in anderen Geräten zu finden. Beispielsweise werden SRAM-Chips häufig in [[Mobiltelefon\|Mobiltelefonen]], [[Wearables]] und anderen Unterhaltungselektronikgeräten verwendet. Sie können auch in medizinische Produkte eingebettet sein, die alles von [[Hörgerät\|Hörgeräten]] bis hin zu [[Body Area Network\|Body Area Networks]] umfassen können, die aus mehreren im Körper eingebetteten Geräten bestehen. In all diesen Geräten ist ein schneller Datenzugriff unerlässlich, weshalb SRAM besser geeignet ist als DRAM oder [[Nichtflüchtiger Speicher\|nichtflüchtiger]] Flash-Speicher. Darüber hinaus wird SRAM in Spielzeugen, Haushaltsgeräten, Autos, Industrieanlagen und ~~Gerätes~~ des [[Internet der Dinge]] verwendet.<ref name=":0" />		Aufgrund seiner Kosten und Größe wird SRAM normalerweise nicht als [[Hauptspeicher]] eines [[Computer\|Computers]] verwendet. Die meisten Computer verwenden stattdessen [[DRAM]], da es höhere Datendichten bei geringeren Kosten unterstützt. SRAM kann Teil eines [[Digital-Analog-Umsetzer\|Digital-Analog-Umsetzers]] auf der Videokarte oder [[Grafikkarte]] eines Computers sein. Es kann auch in einem [[Festplattenlaufwerk]] als Puffercache verwendet werden, in einem [[Peripheriegerät]] wie einem [[Drucker (Gerät)\|Drucker]] oder einer [[Flüssigkristallanzeige]] oder in einem [[Netzwerkgerät]] wie einem [[Router]] oder [[Switch (Netzwerktechnik)\|Switch]]. Die häufigsten Verwendungszwecke von SRAM sind der [[Cache]]-Speicher eines Computers, beispielsweise der [[Prozessor-Cache]], und Hochgeschwindigkeitsregister. SRAM ist auch in anderen Geräten zu finden. Beispielsweise werden SRAM-Chips häufig in [[Mobiltelefon\|Mobiltelefonen]], [[Wearables]] und anderen Unterhaltungselektronikgeräten verwendet. Sie können auch in medizinische Produkte eingebettet sein, die alles von [[Hörgerät\|Hörgeräten]] bis hin zu [[Body Area Network\|Body Area Networks]] umfassen können, die aus mehreren im Körper eingebetteten Geräten bestehen. In all diesen Geräten ist ein schneller Datenzugriff unerlässlich, weshalb SRAM besser geeignet ist als DRAM oder [[Nichtflüchtiger Speicher\|nichtflüchtiger]] Flash-Speicher. Darüber hinaus wird SRAM in Spielzeugen, Haushaltsgeräten, Autos, Industrieanlagen und Geräten des [[Internet der Dinge]] verwendet.<ref name=":0" />

	SRAMs finden als schneller Speicher mit vergleichsweise kleiner Datenkapazität überall dort Anwendung, wo der Dateninhalt schnell im Zugriff sein muss, wie beispielsweise in [[Prozessor]]en als [[Cache]] und auf [[Digitalsignal\|digitalen]] oder [[Mixed-Signal]]-[[Integrierter Schaltkreis\|ICs]] wie [[Field Programmable Gate Array\|FPGAs]] als lokaler Speicher auf dem Chip.		SRAMs finden als schneller Speicher mit vergleichsweise kleiner Datenkapazität überall dort Anwendung, wo der Dateninhalt schnell im Zugriff sein muss, wie beispielsweise in [[Prozessor]]en als [[Cache]] und auf [[Digitalsignal\|digitalen]] oder [[Mixed-Signal]]-[[Integrierter Schaltkreis\|ICs]] wie [[Field Programmable Gate Array\|FPGAs]] als lokaler Speicher auf dem Chip.

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	== Anwendungen ==		== Anwendungen ==
	Aufgrund seiner Kosten und Größe wird SRAM normalerweise nicht als [[Hauptspeicher]] eines [[Computer\|Computers]] verwendet. Die meisten Computer verwenden stattdessen [[DRAM]], da es höhere Datendichten bei geringeren Kosten unterstützt. SRAM ~~kan~~ Teil eines [[Digital-Analog-Umsetzer\|Digital-Analog-Umsetzers]] auf der Videokarte oder [[Grafikkarte]] eines Computers sein. Es kann auch in einem [[Festplattenlaufwerk]] als Puffercache verwendet werden, in einem [[Peripheriegerät]] wie einem [[Drucker (Gerät)\|Drucker]] oder einer [[Flüssigkristallanzeige]] oder in einem [[Netzwerkgerät]] wie einem [[Router]] oder [[Switch (Netzwerktechnik)\|Switch]]. Die häufigsten Verwendungszwecke von SRAM sind der [[Cache]]-Speicher eines Computers, beispielsweise der [[Prozessor-Cache]], und Hochgeschwindigkeitsregister. SRAM ist auch in anderen Geräten zu finden. Beispielsweise werden SRAM-Chips häufig in [[Mobiltelefon\|Mobiltelefonen]], [[Wearables]] und anderen Unterhaltungselektronikgeräten verwendet. Sie können auch in medizinische Produkte eingebettet sein, die alles von [[Hörgerät\|Hörgeräten]] bis hin zu [[Body Area Network\|Body Area Networks]] umfassen können, die aus mehreren im Körper eingebetteten Geräten bestehen. In all diesen Geräten ist ein schneller Datenzugriff unerlässlich, weshalb SRAM besser geeignet ist als DRAM oder [[Nichtflüchtiger Speicher\|nichtflüchtiger]] Flash-Speicher. Darüber hinaus wird SRAM in Spielzeugen, Haushaltsgeräten, Autos, Industrieanlagen und Gerätes des [[Internet der Dinge]] verwendet.<ref name=":0" />		Aufgrund seiner Kosten und Größe wird SRAM normalerweise nicht als [[Hauptspeicher]] eines [[Computer\|Computers]] verwendet. Die meisten Computer verwenden stattdessen [[DRAM]], da es höhere Datendichten bei geringeren Kosten unterstützt. SRAM kann Teil eines [[Digital-Analog-Umsetzer\|Digital-Analog-Umsetzers]] auf der Videokarte oder [[Grafikkarte]] eines Computers sein. Es kann auch in einem [[Festplattenlaufwerk]] als Puffercache verwendet werden, in einem [[Peripheriegerät]] wie einem [[Drucker (Gerät)\|Drucker]] oder einer [[Flüssigkristallanzeige]] oder in einem [[Netzwerkgerät]] wie einem [[Router]] oder [[Switch (Netzwerktechnik)\|Switch]]. Die häufigsten Verwendungszwecke von SRAM sind der [[Cache]]-Speicher eines Computers, beispielsweise der [[Prozessor-Cache]], und Hochgeschwindigkeitsregister. SRAM ist auch in anderen Geräten zu finden. Beispielsweise werden SRAM-Chips häufig in [[Mobiltelefon\|Mobiltelefonen]], [[Wearables]] und anderen Unterhaltungselektronikgeräten verwendet. Sie können auch in medizinische Produkte eingebettet sein, die alles von [[Hörgerät\|Hörgeräten]] bis hin zu [[Body Area Network\|Body Area Networks]] umfassen können, die aus mehreren im Körper eingebetteten Geräten bestehen. In all diesen Geräten ist ein schneller Datenzugriff unerlässlich, weshalb SRAM besser geeignet ist als DRAM oder [[Nichtflüchtiger Speicher\|nichtflüchtiger]] Flash-Speicher. Darüber hinaus wird SRAM in Spielzeugen, Haushaltsgeräten, Autos, Industrieanlagen und Gerätes des [[Internet der Dinge]] verwendet.<ref name=":0" />

	SRAMs finden als schneller Speicher mit vergleichsweise kleiner Datenkapazität überall dort Anwendung, wo der Dateninhalt schnell im Zugriff sein muss, wie beispielsweise in [[Prozessor]]en als [[Cache]] und auf [[Digitalsignal\|digitalen]] oder [[Mixed-Signal]]-[[Integrierter Schaltkreis\|ICs]] wie [[Field Programmable Gate Array\|FPGAs]] als lokaler Speicher auf dem Chip.		SRAMs finden als schneller Speicher mit vergleichsweise kleiner Datenkapazität überall dort Anwendung, wo der Dateninhalt schnell im Zugriff sein muss, wie beispielsweise in [[Prozessor]]en als [[Cache]] und auf [[Digitalsignal\|digitalen]] oder [[Mixed-Signal]]-[[Integrierter Schaltkreis\|ICs]] wie [[Field Programmable Gate Array\|FPGAs]] als lokaler Speicher auf dem Chip.

Istvan.tarnai: es war ein fachlicher Fehler zu SRAM … führt eben nicht zu einem geringeren Stromverbrauch

2025-02-08T19:20:35Z

es war ein fachlicher Fehler zu SRAM … führt eben nicht zu einem geringeren Stromverbrauch

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	== Eigenschaften und Aufbau ==		== Eigenschaften und Aufbau ==
	SRAM behält Daten in seinem Speicher, solange Strom zugeführt wird. Im Gegensatz zu [[DRAM]], der kontinuierlich aktualisiert werden muss, besteht bei SRAM diese Anforderung nicht, was zu einer besseren Leistung ~~und einem geringeren Stromverbrauch~~ führt. Allerdings ist SRAM auch teurer als DRAM und benötigt viel mehr Platz. SRAM verwendet [[Flipflop\|Flipflops]] anstelle von [[Kondensator (Elektrotechnik)\|Kondensatoren]] ~~verwendet~~, um Daten in Form von Bits zu speichern. Dieses inhärente Designmerkmal bedeutet, dass keine ständige Aktualisierung erforderlich ist, um die Daten im SRAM zu behalten. Der Begriff ''statisch'' bedeutet, dass keine Aktion erforderlich ist, um die Daten intakt zu halten. Durch den Wegfall zeitaufwändiger Aktualisierungszyklen reduziert SRAM die [[Latenzzeit (Technik)\|Latenzzeit]] und ermöglicht einen schnelleren Datenzugriff. Diese Funktionen können besonders für Schlüsselkomponenten wie geschwindigkeitsempfindliche Caches der Zentraleinheit von entscheidender Bedeutung sein. Im Allgemeinen kann SRAM die Geschwindigkeit und Leistung von [[Computersystem\|Computersystemen]] besser verbessern, da es den [[Prozessor\|Prozessoren]] einen schnellen Zugriff ermöglicht.		SRAM behält Daten in seinem Speicher, solange Strom zugeführt wird. Im Gegensatz zu [[DRAM]], der kontinuierlich aktualisiert werden muss, besteht bei SRAM diese Anforderung nicht, was zu einer besseren Leistung führt. Allerdings ist SRAM auch teurer als DRAM und benötigt viel mehr Platz. SRAM verwendet [[Flipflop\|Flipflops]] anstelle von [[Kondensator (Elektrotechnik)\|Kondensatoren]], um Daten in Form von Bits zu speichern. SRAM benötigt im Vergleich zu DRAM mehr Energie. Der Einsatz von SRAM führt also zu einem höheren Stromverbrauch.

			Dieses inhärente Designmerkmal bedeutet, dass keine ständige Aktualisierung erforderlich ist, um die Daten im SRAM zu behalten. Der Begriff ''statisch'' bedeutet, dass keine Aktion erforderlich ist, um die Daten intakt zu halten. Durch den Wegfall zeitaufwändiger Aktualisierungszyklen reduziert SRAM die [[Latenzzeit (Technik)\|Latenzzeit]] und ermöglicht einen schnelleren Datenzugriff. Diese Funktionen können besonders für Schlüsselkomponenten wie geschwindigkeitsempfindliche Caches der Zentraleinheit von entscheidender Bedeutung sein. Im Allgemeinen kann SRAM die Geschwindigkeit und Leistung von [[Computersystem\|Computersystemen]] besser verbessern, da es den [[Prozessor\|Prozessoren]] einen schnellen Zugriff ermöglicht.

	SRAM ist schneller als andere Arten von [[Elektronik\|elektronischen]] [[Speicherbaustein\|Speicherbausteinen]]. Weil SRAM außerdem keine zeitaufwändigen Aktualisierungszyklen erfordert, ermöglicht es schnellen Datenzugriff und bietet geringere [[Latenzzeit (Technik)\|Latenzzeit]]. Diese beiden Eigenschaften machen SRAM ideal für Anwendungen, bei denen Geschwindigkeit entscheidend ist. Datenintegrität ist ein weiterer Bereich, in dem SRAM gegenüber einigen anderen Speichertypen im Vorteil ist. Die Integrität der Daten bleibt durchgängig erhalten, da SRAM keine Kondensatoren verwendet und auch keine ständige Aktualisierung erfordert. Mittlerweile sind moderne SRAMs erhältlich, die Techniken wie Power Gating und dynamische Spannungsskalierung verwenden. Dadurch verbraucht es weniger Strom und ist energieeffizienter als seine Vorgänger. Trotzdem eignet sich SRAM am besten für Anwendungen, bei denen [[Energieeffizienz]] weniger Priorität hat als hohe Zugriffsgeschwindigkeiten und Reaktionsfähigkeit, geringe Latenzzeit und Datenintegrität. SRAM erzeugt außerdem weniger Wärme und ist strahlungsbeständiger.<ref name=":0">TechTarget: [https://www.techtarget.com/whatis/definition/SRAM-static-random-access-memory ''What is SRAM (static random access memory)?'']</ref>		SRAM ist schneller als andere Arten von [[Elektronik\|elektronischen]] [[Speicherbaustein\|Speicherbausteinen]]. Weil SRAM außerdem keine zeitaufwändigen Aktualisierungszyklen erfordert, ermöglicht es schnellen Datenzugriff und bietet geringere [[Latenzzeit (Technik)\|Latenzzeit]]. Diese beiden Eigenschaften machen SRAM ideal für Anwendungen, bei denen Geschwindigkeit entscheidend ist. Datenintegrität ist ein weiterer Bereich, in dem SRAM gegenüber einigen anderen Speichertypen im Vorteil ist. Die Integrität der Daten bleibt durchgängig erhalten, da SRAM keine Kondensatoren verwendet und auch keine ständige Aktualisierung erfordert. Mittlerweile sind moderne SRAMs erhältlich, die Techniken wie Power Gating und dynamische Spannungsskalierung verwenden. Dadurch verbraucht es weniger Strom und ist energieeffizienter als seine Vorgänger. Trotzdem eignet sich SRAM am besten für Anwendungen, bei denen [[Energieeffizienz]] weniger Priorität hat als hohe Zugriffsgeschwindigkeiten und Reaktionsfähigkeit, geringe Latenzzeit und Datenintegrität. SRAM erzeugt außerdem weniger Wärme und ist strahlungsbeständiger.<ref name=":0">TechTarget: [https://www.techtarget.com/whatis/definition/SRAM-static-random-access-memory ''What is SRAM (static random access memory)?'']</ref>

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Eigenschaften und Aufbau: Abbildung hinzugefügt

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	Die Informationen werden durch Zustandsänderung einer bistabilen Kippstufe in Form eines [[Flipflop]]s pro Bit gespeichert. Das erlaubt es zwar, die Speicherzelle schnell auszulesen, aber im Vergleich zu dynamischen Speicherzellen ist die Speicherzelle verhältnismäßig groß und daher die Speicherkapazität des gesamten Chips entsprechend kleiner. Im statischen Betrieb (Halten der Information) ist der Leistungsbedarf einer Zelle sehr klein.		Die Informationen werden durch Zustandsänderung einer bistabilen Kippstufe in Form eines [[Flipflop]]s pro Bit gespeichert. Das erlaubt es zwar, die Speicherzelle schnell auszulesen, aber im Vergleich zu dynamischen Speicherzellen ist die Speicherzelle verhältnismäßig groß und daher die Speicherkapazität des gesamten Chips entsprechend kleiner. Im statischen Betrieb (Halten der Information) ist der Leistungsbedarf einer Zelle sehr klein.
			[[Datei:SRAM Cell (4 Transistors).svg\|mini\|''4-Transistor-Zelle'' in SRAM-Technik]]

	[[Datei:6t-SRAM-cell.png\|mini\|''6-Transistor-Zelle'' in [[Complementary metal-oxide-semiconductor\|CMOS]]-Technik]]		[[Datei:6t-SRAM-cell.png\|mini\|''6-Transistor-Zelle'' in [[Complementary metal-oxide-semiconductor\|CMOS]]-Technik]]
	SRAMs werden heutzutage meist als ''6-Transistor-Zelle'' (6T-SRAM-Zelle) in [[Complementary metal-oxide-semiconductor\|CMOS]]-Technik hergestellt. Der Aufbau einer Kippstufe mit [[Elektrischer Widerstand\|Widerständen]] als Lastelementen (sogenannte 4T-SRAM-Zelle) wird nicht mehr eingesetzt; statt der Lastwiderstände werden heute p-Kanal-MOS-Transistoren verwendet. Mit weiteren zwei Transistoren zur Ankopplung an die Spalten- bzw. Zeilen-Auswahlleitungen ergibt sich die besagte 6-Transistor-Zelle wie im Bild anbei. Wegen dieses komplizierteren Aufbaus verbraucht eine SRAM-Zelle im Vergleich zu einer [[Dynamic Random Access Memory\|DRAM]]-Zelle deutlich mehr Chipfläche (über 140 [[Minimale Strukturgröße\|F²]]).<ref>{{Webarchiv \|url=http://www.itrs.net/Links/2007ITRS/2007_Chapters/2007_ERD.pdf \|text=The International Technology Roadmap for Semiconductors 2007 – Emerging Research Devices \|wayback=20100326112759}}, Seite 7 (engl., PDF; 1,1 MB)</ref><ref>{{Webarchiv \|url=http://www.itrs.net/Links/2007ITRS/2007_Chapters/2007_SystemDrivers.pdf \|text=The International Technology Roadmap for Semiconductors 2007 – System Drivers \|wayback=20090306164237}} (engl., PDF; 603 kB)</ref> Prinzipiell wird also jedes Bit in der SRAM-Zelle in vier Transistoren gespeichert, die zwei gegeneinander verschaltete [[Nicht-Gatter\|Inverter]] bilden. Diese Speicherzelle hat zwei stabile Zustände, die 0 und 1 darstellen. Die beiden zusätzlichen Zugriffstransistoren werden benutzt, um den Zugriff auf die Speicherzelle während Lese- und Schreibzugriff zu steuern.		SRAMs werden heutzutage meist als ''6-Transistor-Zelle'' (6T-SRAM-Zelle) in [[Complementary metal-oxide-semiconductor\|CMOS]]-Technik hergestellt. Der Aufbau einer Kippstufe mit [[Elektrischer Widerstand\|Widerständen]] als Lastelementen (sogenannte 4T-SRAM-Zelle) wird nicht mehr eingesetzt; statt der Lastwiderstände werden heute p-Kanal-MOS-Transistoren verwendet. Mit weiteren zwei Transistoren zur Ankopplung an die Spalten- bzw. Zeilen-Auswahlleitungen ergibt sich die besagte 6-Transistor-Zelle wie im Bild anbei. Wegen dieses komplizierteren Aufbaus verbraucht eine SRAM-Zelle im Vergleich zu einer [[Dynamic Random Access Memory\|DRAM]]-Zelle deutlich mehr Chipfläche (über 140 [[Minimale Strukturgröße\|F²]]).<ref>{{Webarchiv \|url=http://www.itrs.net/Links/2007ITRS/2007_Chapters/2007_ERD.pdf \|text=The International Technology Roadmap for Semiconductors 2007 – Emerging Research Devices \|wayback=20100326112759}}, Seite 7 (engl., PDF; 1,1 MB)</ref><ref>{{Webarchiv \|url=http://www.itrs.net/Links/2007ITRS/2007_Chapters/2007_SystemDrivers.pdf \|text=The International Technology Roadmap for Semiconductors 2007 – System Drivers \|wayback=20090306164237}} (engl., PDF; 603 kB)</ref> Prinzipiell wird also jedes Bit in der SRAM-Zelle in vier Transistoren gespeichert, die zwei gegeneinander verschaltete [[Nicht-Gatter\|Inverter]] bilden. Diese Speicherzelle hat zwei stabile Zustände, die 0 und 1 darstellen. Die beiden zusätzlichen Zugriffstransistoren werden benutzt, um den Zugriff auf die Speicherzelle während Lese- und Schreibzugriff zu steuern.

Maximum 2520: /* Eigenschaften und Aufbau */ ergänzt

2025-01-31T21:41:36Z

Eigenschaften und Aufbau: ergänzt

← Nächstältere Version		Version vom 31. Januar 2025, 23:41 Uhr
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	== Eigenschaften und Aufbau ==		== Eigenschaften und Aufbau ==
	SRAM behält Daten in seinem Speicher, solange Strom zugeführt wird. Im Gegensatz zu [[DRAM]], der kontinuierlich aktualisiert werden muss, besteht bei SRAM diese Anforderung nicht, was zu einer besseren Leistung und einem geringeren Stromverbrauch führt. Allerdings ist SRAM auch teurer als DRAM und benötigt viel mehr Platz. SRAM verwendet [[Flipflop\|Flipflops]] anstelle von [[Kondensator (Elektrotechnik)\|Kondensatoren]] verwendet, um Daten in Form von Bits zu speichern. Dieses inhärente Designmerkmal bedeutet, dass keine ständige Aktualisierung erforderlich ist, um die Daten im SRAM zu behalten. Der Begriff ''statisch'' bedeutet, dass keine Aktion erforderlich ist, um die Daten intakt zu halten. Durch den Wegfall zeitaufwändiger Aktualisierungszyklen reduziert SRAM die [[Latenzzeit (Technik)\|Latenzzeit]] und ermöglicht einen schnelleren Datenzugriff. Diese Funktionen können besonders für Schlüsselkomponenten wie geschwindigkeitsempfindliche Caches der Zentraleinheit von entscheidender Bedeutung sein. Im Allgemeinen kann SRAM die Geschwindigkeit und Leistung von [[Computersystem\|Computersystemen]] besser verbessern, da es den [[Prozessor\|Prozessoren]] einen schnellen Zugriff ermöglicht.~~<ref name=":0">TechTarget: [https://www.techtarget.com/whatis/definition/SRAM-static-random-access-memory ''What is SRAM (static random access memory)?'']</ref>~~		SRAM behält Daten in seinem Speicher, solange Strom zugeführt wird. Im Gegensatz zu [[DRAM]], der kontinuierlich aktualisiert werden muss, besteht bei SRAM diese Anforderung nicht, was zu einer besseren Leistung und einem geringeren Stromverbrauch führt. Allerdings ist SRAM auch teurer als DRAM und benötigt viel mehr Platz. SRAM verwendet [[Flipflop\|Flipflops]] anstelle von [[Kondensator (Elektrotechnik)\|Kondensatoren]] verwendet, um Daten in Form von Bits zu speichern. Dieses inhärente Designmerkmal bedeutet, dass keine ständige Aktualisierung erforderlich ist, um die Daten im SRAM zu behalten. Der Begriff ''statisch'' bedeutet, dass keine Aktion erforderlich ist, um die Daten intakt zu halten. Durch den Wegfall zeitaufwändiger Aktualisierungszyklen reduziert SRAM die [[Latenzzeit (Technik)\|Latenzzeit]] und ermöglicht einen schnelleren Datenzugriff. Diese Funktionen können besonders für Schlüsselkomponenten wie geschwindigkeitsempfindliche Caches der Zentraleinheit von entscheidender Bedeutung sein. Im Allgemeinen kann SRAM die Geschwindigkeit und Leistung von [[Computersystem\|Computersystemen]] besser verbessern, da es den [[Prozessor\|Prozessoren]] einen schnellen Zugriff ermöglicht.

			SRAM ist schneller als andere Arten von [[Elektronik\|elektronischen]] [[Speicherbaustein\|Speicherbausteinen]]. Weil SRAM außerdem keine zeitaufwändigen Aktualisierungszyklen erfordert, ermöglicht es schnellen Datenzugriff und bietet geringere [[Latenzzeit (Technik)\|Latenzzeit]]. Diese beiden Eigenschaften machen SRAM ideal für Anwendungen, bei denen Geschwindigkeit entscheidend ist. Datenintegrität ist ein weiterer Bereich, in dem SRAM gegenüber einigen anderen Speichertypen im Vorteil ist. Die Integrität der Daten bleibt durchgängig erhalten, da SRAM keine Kondensatoren verwendet und auch keine ständige Aktualisierung erfordert. Mittlerweile sind moderne SRAMs erhältlich, die Techniken wie Power Gating und dynamische Spannungsskalierung verwenden. Dadurch verbraucht es weniger Strom und ist energieeffizienter als seine Vorgänger. Trotzdem eignet sich SRAM am besten für Anwendungen, bei denen [[Energieeffizienz]] weniger Priorität hat als hohe Zugriffsgeschwindigkeiten und Reaktionsfähigkeit, geringe Latenzzeit und Datenintegrität. SRAM erzeugt außerdem weniger Wärme und ist strahlungsbeständiger.<ref name=":0">TechTarget: [https://www.techtarget.com/whatis/definition/SRAM-static-random-access-memory ''What is SRAM (static random access memory)?'']</ref>

	Die Informationen werden durch Zustandsänderung einer bistabilen Kippstufe in Form eines [[Flipflop]]s pro Bit gespeichert. Das erlaubt es zwar, die Speicherzelle schnell auszulesen, aber im Vergleich zu dynamischen Speicherzellen ist die Speicherzelle verhältnismäßig groß und daher die Speicherkapazität des gesamten Chips entsprechend kleiner. Im statischen Betrieb (Halten der Information) ist der Leistungsbedarf einer Zelle sehr klein.		Die Informationen werden durch Zustandsänderung einer bistabilen Kippstufe in Form eines [[Flipflop]]s pro Bit gespeichert. Das erlaubt es zwar, die Speicherzelle schnell auszulesen, aber im Vergleich zu dynamischen Speicherzellen ist die Speicherzelle verhältnismäßig groß und daher die Speicherkapazität des gesamten Chips entsprechend kleiner. Im statischen Betrieb (Halten der Information) ist der Leistungsbedarf einer Zelle sehr klein.

Maximum 2520: /* Arten von SRAM */ hinzugefügt

2025-01-31T21:37:56Z

Arten von SRAM: hinzugefügt

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	=== Schreibzugriff ===		=== Schreibzugriff ===
	Der Schreibzugriff beginnt damit, dass der zu schreibende Wert auf die Bitlines gelegt wird. Wenn wir also eine 0 schreiben wollen, wird BL auf 0 und <span style="text-decoration:overline;">BL</span> auf 1 gesetzt. Beim Schreiben einer 1 werden die beiden Werte vertauscht. In der Folge wird dann die Wordline geschaltet, so dass der Wert in die Speicherzelle geschrieben wird. Dies funktioniert, weil die relativ schwachen Transistoren, die die Inverter bilden, durch die relativ starken Bitlines überschrieben werden können. Eine entsprechende Größenauslegung der Transistoren ist bei der Herstellung notwendig, damit das Überschreiben einwandfrei funktioniert.		Der Schreibzugriff beginnt damit, dass der zu schreibende Wert auf die Bitlines gelegt wird. Wenn wir also eine 0 schreiben wollen, wird BL auf 0 und <span style="text-decoration:overline;">BL</span> auf 1 gesetzt. Beim Schreiben einer 1 werden die beiden Werte vertauscht. In der Folge wird dann die Wordline geschaltet, so dass der Wert in die Speicherzelle geschrieben wird. Dies funktioniert, weil die relativ schwachen Transistoren, die die Inverter bilden, durch die relativ starken Bitlines überschrieben werden können. Eine entsprechende Größenauslegung der Transistoren ist bei der Herstellung notwendig, damit das Überschreiben einwandfrei funktioniert.

			== Arten von SRAM ==
			Es gibt viele Arten von SRAM mit unterschiedlichen Designs und für unterschiedliche Anwendungen entwickelt. Der gebräuchlichste Typ ist binärer SRAM, bei dem eine Speicherzelle ein Bit in einem von zwei binären Zuständen speichert. Dieses SRAM eignet sich am besten für Anwendungen, die geringe [[Latenzzeit (Technik)\|Latenzzeit]] und schnellen Datenzugriff erfordern. Ternärer SRAM speichert drei Zustände pro Zelle und bietet so eine höhere Datendichte und effizientere Lesevorgänge und Schreibvorgänge. SRAM ist auch in synchronen und asynchronen Varianten erhältlich. Synchrones SRAM ist mit der Systemuhr synchronisiert, während asynchroner SRAM nicht synchron mit der Systemuhr arbeitet. Erstere eignet sich für die digitale Hochgeschwindigkeitssignalverarbeitung in der digitalen Kommunikation und anderen Anwendungen, bei denen die Datentaktung zwischen SRAM und Systemuhr präzise koordiniert werden muss. Letztere eignet sich am besten für Hochgeschwindigkeitsanwendungen. Quad Data Rate SRAM ist ein spezieller Typ synchroner SRAM, der hohe Geschwindigkeit und Effizienz bietet, indem er den Datenzugriff mit den steigenden und fallenden Flanken des Systemtaktsignals synchronisiert.

	== Schnittstellen ==		== Schnittstellen ==

2A00:6020:A70C:2200:3883:886F:61D1:4BC9: Doppeltes Wort

2025-01-31T00:50:42Z

Doppeltes Wort

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	== Eigenschaften und Aufbau ==		== Eigenschaften und Aufbau ==
	SRAM behält Daten in seinem Speicher ~~behält~~, solange Strom zugeführt wird. Im Gegensatz zu [[DRAM]], der kontinuierlich aktualisiert werden muss, besteht bei SRAM diese Anforderung nicht, was zu einer besseren Leistung und einem geringeren Stromverbrauch führt. Allerdings ist SRAM auch teurer als DRAM und benötigt viel mehr Platz. SRAM verwendet [[Flipflop\|Flipflops]] anstelle von [[Kondensator (Elektrotechnik)\|Kondensatoren]] verwendet, um Daten in Form von Bits zu speichern. Dieses inhärente Designmerkmal bedeutet, dass keine ständige Aktualisierung erforderlich ist, um die Daten im SRAM zu behalten. Der Begriff ''statisch'' bedeutet, dass keine Aktion erforderlich ist, um die Daten intakt zu halten. Durch den Wegfall zeitaufwändiger Aktualisierungszyklen reduziert SRAM die [[Latenzzeit (Technik)\|Latenzzeit]] und ermöglicht einen schnelleren Datenzugriff. Diese Funktionen können besonders für Schlüsselkomponenten wie geschwindigkeitsempfindliche Caches der Zentraleinheit von entscheidender Bedeutung sein. Im Allgemeinen kann SRAM die Geschwindigkeit und Leistung von [[Computersystem\|Computersystemen]] besser verbessern, da es den [[Prozessor\|Prozessoren]] einen schnellen Zugriff ermöglicht.<ref name=":0">TechTarget: [https://www.techtarget.com/whatis/definition/SRAM-static-random-access-memory ''What is SRAM (static random access memory)?'']</ref>		SRAM behält Daten in seinem Speicher, solange Strom zugeführt wird. Im Gegensatz zu [[DRAM]], der kontinuierlich aktualisiert werden muss, besteht bei SRAM diese Anforderung nicht, was zu einer besseren Leistung und einem geringeren Stromverbrauch führt. Allerdings ist SRAM auch teurer als DRAM und benötigt viel mehr Platz. SRAM verwendet [[Flipflop\|Flipflops]] anstelle von [[Kondensator (Elektrotechnik)\|Kondensatoren]] verwendet, um Daten in Form von Bits zu speichern. Dieses inhärente Designmerkmal bedeutet, dass keine ständige Aktualisierung erforderlich ist, um die Daten im SRAM zu behalten. Der Begriff ''statisch'' bedeutet, dass keine Aktion erforderlich ist, um die Daten intakt zu halten. Durch den Wegfall zeitaufwändiger Aktualisierungszyklen reduziert SRAM die [[Latenzzeit (Technik)\|Latenzzeit]] und ermöglicht einen schnelleren Datenzugriff. Diese Funktionen können besonders für Schlüsselkomponenten wie geschwindigkeitsempfindliche Caches der Zentraleinheit von entscheidender Bedeutung sein. Im Allgemeinen kann SRAM die Geschwindigkeit und Leistung von [[Computersystem\|Computersystemen]] besser verbessern, da es den [[Prozessor\|Prozessoren]] einen schnellen Zugriff ermöglicht.<ref name=":0">TechTarget: [https://www.techtarget.com/whatis/definition/SRAM-static-random-access-memory ''What is SRAM (static random access memory)?'']</ref>

	Die Informationen werden durch Zustandsänderung einer bistabilen Kippstufe in Form eines [[Flipflop]]s pro Bit gespeichert. Das erlaubt es zwar, die Speicherzelle schnell auszulesen, aber im Vergleich zu dynamischen Speicherzellen ist die Speicherzelle verhältnismäßig groß und daher die Speicherkapazität des gesamten Chips entsprechend kleiner. Im statischen Betrieb (Halten der Information) ist der Leistungsbedarf einer Zelle sehr klein.		Die Informationen werden durch Zustandsänderung einer bistabilen Kippstufe in Form eines [[Flipflop]]s pro Bit gespeichert. Das erlaubt es zwar, die Speicherzelle schnell auszulesen, aber im Vergleich zu dynamischen Speicherzellen ist die Speicherzelle verhältnismäßig groß und daher die Speicherkapazität des gesamten Chips entsprechend kleiner. Im statischen Betrieb (Halten der Information) ist der Leistungsbedarf einer Zelle sehr klein.

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	== Eigenschaften und Aufbau ==		== Eigenschaften und Aufbau ==
	SRAM behält Daten in seinem Speicher behält, solange Strom zugeführt wird. Im Gegensatz zu [[DRAM]], der kontinuierlich aktualisiert werden muss, besteht bei SRAM diese Anforderung nicht, was zu einer besseren Leistung und einem geringeren Stromverbrauch führt. Allerdings ist SRAM auch teurer als DRAM und benötigt viel mehr Platz. SRAM verwendet [[Flipflop\|Flipflops]] anstelle von [[Kondensator (Elektrotechnik)\|Kondensatoren]] verwendet, um Daten in Form von Bits zu speichern. Dieses inhärente Designmerkmal bedeutet, dass keine ständige Aktualisierung erforderlich ist, um die Daten im SRAM zu behalten. Der Begriff ''statisch'' bedeutet, dass keine Aktion erforderlich ist, um die Daten intakt zu halten. Durch den Wegfall zeitaufwändiger Aktualisierungszyklen reduziert SRAM die [[Latenzzeit (Technik)\|Latenzzeit]] und ermöglicht einen schnelleren Datenzugriff. Diese Funktionen können besonders für Schlüsselkomponenten wie geschwindigkeitsempfindliche Caches der Zentraleinheit von entscheidender Bedeutung sein. Im Allgemeinen kann SRAM die Geschwindigkeit und Leistung von [[Computersystem\|Computersystemen]] besser verbessern, da es den [[Prozessor\|Prozessoren]] einen schnellen Zugriff ermöglicht.<ref>TechTarget: [https://www.techtarget.com/whatis/definition/SRAM-static-random-access-memory ''What is SRAM (static random access memory)?'']</ref>		SRAM behält Daten in seinem Speicher behält, solange Strom zugeführt wird. Im Gegensatz zu [[DRAM]], der kontinuierlich aktualisiert werden muss, besteht bei SRAM diese Anforderung nicht, was zu einer besseren Leistung und einem geringeren Stromverbrauch führt. Allerdings ist SRAM auch teurer als DRAM und benötigt viel mehr Platz. SRAM verwendet [[Flipflop\|Flipflops]] anstelle von [[Kondensator (Elektrotechnik)\|Kondensatoren]] verwendet, um Daten in Form von Bits zu speichern. Dieses inhärente Designmerkmal bedeutet, dass keine ständige Aktualisierung erforderlich ist, um die Daten im SRAM zu behalten. Der Begriff ''statisch'' bedeutet, dass keine Aktion erforderlich ist, um die Daten intakt zu halten. Durch den Wegfall zeitaufwändiger Aktualisierungszyklen reduziert SRAM die [[Latenzzeit (Technik)\|Latenzzeit]] und ermöglicht einen schnelleren Datenzugriff. Diese Funktionen können besonders für Schlüsselkomponenten wie geschwindigkeitsempfindliche Caches der Zentraleinheit von entscheidender Bedeutung sein. Im Allgemeinen kann SRAM die Geschwindigkeit und Leistung von [[Computersystem\|Computersystemen]] besser verbessern, da es den [[Prozessor\|Prozessoren]] einen schnellen Zugriff ermöglicht.<ref name=":0">TechTarget: [https://www.techtarget.com/whatis/definition/SRAM-static-random-access-memory ''What is SRAM (static random access memory)?'']</ref>

	Die Informationen werden durch Zustandsänderung einer bistabilen Kippstufe in Form eines [[Flipflop]]s pro Bit gespeichert. Das erlaubt es zwar, die Speicherzelle schnell auszulesen, aber im Vergleich zu dynamischen Speicherzellen ist die Speicherzelle verhältnismäßig groß und daher die Speicherkapazität des gesamten Chips entsprechend kleiner. Im statischen Betrieb (Halten der Information) ist der Leistungsbedarf einer Zelle sehr klein.		Die Informationen werden durch Zustandsänderung einer bistabilen Kippstufe in Form eines [[Flipflop]]s pro Bit gespeichert. Das erlaubt es zwar, die Speicherzelle schnell auszulesen, aber im Vergleich zu dynamischen Speicherzellen ist die Speicherzelle verhältnismäßig groß und daher die Speicherkapazität des gesamten Chips entsprechend kleiner. Im statischen Betrieb (Halten der Information) ist der Leistungsbedarf einer Zelle sehr klein.
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	== Anwendungen ==		== Anwendungen ==
			Aufgrund seiner Kosten und Größe wird SRAM normalerweise nicht als [[Hauptspeicher]] eines [[Computer\|Computers]] verwendet. Die meisten Computer verwenden stattdessen [[DRAM]], da es höhere Datendichten bei geringeren Kosten unterstützt. SRAM kan Teil eines [[Digital-Analog-Umsetzer\|Digital-Analog-Umsetzers]] auf der Videokarte oder [[Grafikkarte]] eines Computers sein. Es kann auch in einem [[Festplattenlaufwerk]] als Puffercache verwendet werden, in einem [[Peripheriegerät]] wie einem [[Drucker (Gerät)\|Drucker]] oder einer [[Flüssigkristallanzeige]] oder in einem [[Netzwerkgerät]] wie einem [[Router]] oder [[Switch (Netzwerktechnik)\|Switch]]. Die häufigsten Verwendungszwecke von SRAM sind der [[Cache]]-Speicher eines Computers, beispielsweise der [[Prozessor-Cache]], und Hochgeschwindigkeitsregister. SRAM ist auch in anderen Geräten zu finden. Beispielsweise werden SRAM-Chips häufig in [[Mobiltelefon\|Mobiltelefonen]], [[Wearables]] und anderen Unterhaltungselektronikgeräten verwendet. Sie können auch in medizinische Produkte eingebettet sein, die alles von [[Hörgerät\|Hörgeräten]] bis hin zu [[Body Area Network\|Body Area Networks]] umfassen können, die aus mehreren im Körper eingebetteten Geräten bestehen. In all diesen Geräten ist ein schneller Datenzugriff unerlässlich, weshalb SRAM besser geeignet ist als DRAM oder [[Nichtflüchtiger Speicher\|nichtflüchtiger]] Flash-Speicher. Darüber hinaus wird SRAM in Spielzeugen, Haushaltsgeräten, Autos, Industrieanlagen und Gerätes des [[Internet der Dinge]] verwendet.<ref name=":0" />

	SRAMs finden als schneller Speicher mit vergleichsweise kleiner Datenkapazität überall dort Anwendung, wo der Dateninhalt schnell im Zugriff sein muss, wie beispielsweise in [[Prozessor]]en als [[Cache]] und auf [[Digitalsignal\|digitalen]] oder [[Mixed-Signal]]-[[Integrierter Schaltkreis\|ICs]] wie [[Field Programmable Gate Array\|FPGAs]] als lokaler Speicher auf dem Chip.		SRAMs finden als schneller Speicher mit vergleichsweise kleiner Datenkapazität überall dort Anwendung, wo der Dateninhalt schnell im Zugriff sein muss, wie beispielsweise in [[Prozessor]]en als [[Cache]] und auf [[Digitalsignal\|digitalen]] oder [[Mixed-Signal]]-[[Integrierter Schaltkreis\|ICs]] wie [[Field Programmable Gate Array\|FPGAs]] als lokaler Speicher auf dem Chip.

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	== Eigenschaften und Aufbau ==		== Eigenschaften und Aufbau ==
			SRAM behält Daten in seinem Speicher behält, solange Strom zugeführt wird. Im Gegensatz zu [[DRAM]], der kontinuierlich aktualisiert werden muss, besteht bei SRAM diese Anforderung nicht, was zu einer besseren Leistung und einem geringeren Stromverbrauch führt. Allerdings ist SRAM auch teurer als DRAM und benötigt viel mehr Platz. SRAM verwendet [[Flipflop\|Flipflops]] anstelle von [[Kondensator (Elektrotechnik)\|Kondensatoren]] verwendet, um Daten in Form von Bits zu speichern. Dieses inhärente Designmerkmal bedeutet, dass keine ständige Aktualisierung erforderlich ist, um die Daten im SRAM zu behalten. Der Begriff ''statisch'' bedeutet, dass keine Aktion erforderlich ist, um die Daten intakt zu halten. Durch den Wegfall zeitaufwändiger Aktualisierungszyklen reduziert SRAM die [[Latenzzeit (Technik)\|Latenzzeit]] und ermöglicht einen schnelleren Datenzugriff. Diese Funktionen können besonders für Schlüsselkomponenten wie geschwindigkeitsempfindliche Caches der Zentraleinheit von entscheidender Bedeutung sein. Im Allgemeinen kann SRAM die Geschwindigkeit und Leistung von [[Computersystem\|Computersystemen]] besser verbessern, da es den [[Prozessor\|Prozessoren]] einen schnellen Zugriff ermöglicht.<ref>TechTarget: [https://www.techtarget.com/whatis/definition/SRAM-static-random-access-memory ''What is SRAM (static random access memory)?'']</ref>

	Die Informationen werden durch Zustandsänderung einer bistabilen Kippstufe in Form eines [[Flipflop]]s pro Bit gespeichert. Das erlaubt es zwar, die Speicherzelle schnell auszulesen, aber im Vergleich zu dynamischen Speicherzellen ist die Speicherzelle verhältnismäßig groß und daher die Speicherkapazität des gesamten Chips entsprechend kleiner. Im statischen Betrieb (Halten der Information) ist der Leistungsbedarf einer Zelle sehr klein.		Die Informationen werden durch Zustandsänderung einer bistabilen Kippstufe in Form eines [[Flipflop]]s pro Bit gespeichert. Das erlaubt es zwar, die Speicherzelle schnell auszulesen, aber im Vergleich zu dynamischen Speicherzellen ist die Speicherzelle verhältnismäßig groß und daher die Speicherkapazität des gesamten Chips entsprechend kleiner. Im statischen Betrieb (Halten der Information) ist der Leistungsbedarf einer Zelle sehr klein.