Random access memory - Versionsgeschichte

Millbart: linkfix

2009-11-26T20:49:30Z

linkfix

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	#weiterleitung [[Random-Access-Memory]]		#weiterleitung [[Random-Access Memory]]

Tilla: AZ: Weiterleitung nach Random-Access-Memory erstellt

2009-11-26T14:46:24Z

AZ: Weiterleitung nach Random-Access-Memory erstellt

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	#weiterleitung [[Random-Access Memory]]		#weiterleitung [[Random-Access-Memory]]

Xqbot: Bot: Korrigiere doppelten Redirect

2009-05-28T00:48:56Z

Bot: Korrigiere doppelten Redirect

← Nächstältere Version		Version vom 28. Mai 2009, 02:48 Uhr
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	#~~REDIRECT~~ [[Random Access Memory]]		#weiterleitung [[Random-Access Memory]]

Murkel: artikel in redirekt aufgelöst

2007-03-07T17:26:41Z

artikel in redirekt aufgelöst

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		⚫	#REDIRECT [[Random Access Memory]]
	'''Random Access Memory''' (der; dt. ''Speicher mit [[wahlfreier Zugriff\|wahlfreiem Zugriff]]''), abgekürzt '''RAM''', ist ein [[Datenspeicher\|Speicher]], der besonders bei [[Computer]]n als [[Arbeitsspeicher]] Verwendung findet. Er ist den [[Halbleiterspeicher\|Halbleiterspeichern]] zuzuornen. RAMs werden als [[integrierter Schaltkreis\|integrierte Schaltkreise]] hauptsächlich in [[Silizium]]-Technologie realisiert. RAM wird in allen Arten von elektronischen Geräten eingesetzt.
	[[Bild:DRAM-02.svg\|350px\|thumb\|Prinzipielle Anordnung der Speicherzellen in Reihen und Spalten (Matrix) in einem RAM. Die Adresscodierer befinden sich auf dem gleichen Chip. Der Schreib- / Leseschaltkreis schaltet die Informationsrichtung um und verstärkt die schwachen Signale der adressierten Speicherzellen.]]
	Wahlfrei bedeutet in diesem Zusammenhang, dass jede Speicherzelle über ihre [[Speicheradresse]] direkt angesprochen werden kann, der Speicher also nicht sequentiell oder in Blöcken ausgelesen werden muss (bei großen Speicherbausteinen erfolgt die [[Adressierung (Datenverarbeitung)\|Adressierung]] jedoch nicht über die einzelnen Zellen, sondern über ein Wort, dessen Breite von der Speicherarchitektur abhängt). Das unterscheidet den RAM von blockweise zu beschreibenden Speichern, den so genannten [[Flash-Speicher]]n. Im Gegensatz zu einem [[#Read only memory (ROM)\|ROM]] (''Read Only Memory'') kann RAM sowohl gelesen als auch beschrieben werden. Zu den Bezeichnungen ist zu bemerken, dass „Random Access“ an sich kein Gegensatz zu „Read Only“ ist, sondern dass der üblicherweise als RAM bezeichnete Speicher genauer als „Read-Write Random Access Memory“ (RWRAM) bezeichnet werden müsste <ref>[http://www.purl.org/stefan_ram/pub/ram Stefan Ram. ''Erklärung des Begriffs „RAM“'']</ref>.

	Der üblicherweise in Computern eingesetzte RAM ist 'flüchtig' (auch: 'volatil'), das heißt, die gespeicherten Daten gehen nach Abschaltung der Stromzufuhr verloren. Es gibt allerdings auch RAM-Typen, die ihre Information auch ohne Stromzufuhr erhalten ('nichtvolatil'). Diese werden [[NVRAM]] genannt.

	Die flüchtigen RAMs teilen sich in:
	* [[#Static Random Access Memory (SRAM)\|Statisches RAM]] oder SRAM
	* [[#Dynamisches RAM (DRAM)\|Dynamisches RAM]] oder DRAM

	==Adressierung==
	Um Bits in einer Bank zu adressieren, sendet die Speichersteuerung ein Signal an die entsprechende Bank. Die Daten werden mit folgenden Parametern adressiert:

	<!--Bitte die Überschriften nicht ändern wegen Verlinkung-->
	===RAS===
	'''Row Address Select''', dieses Signal liegt während einer gültigen Zeilenadresse an. Der Speicherbaustein legt diese Adresse in einem Zwischenspeicher ab.

	===CAS===
	'''Column Address Select''', dieses Signal liegt während einer gültigen Spaltenadresse an. Der Speicherbaustein legt diese Adresse in einem Zwischenspeicher ab.

	RAS und CAS bilden also die zwei Hälften des Adressbusses. Bei DRAMs werden sie normalerweise über identische [[Pin]]s in den Baustein geführt (also im [[Multiplex]]) und können deshalb nicht gleichzeitig angelegt werden. (Dagegen wird bei SRAMs zwecks höherer Geschwindigkeit meist der komplette Adressbus an Pins geführt, so dass der Zugriff in einer einzigen Operation erfolgen kann.) Meistens wird zuerst die RAS-Adresse mit den höherwertigen Adressbits angelegt, gefolgt von oftmals mehreren verschiedenen CAS-Werten, so dass innerhalb derselben Zeile mehrere Zellen schnellstmöglich in „Burst“-Zyklen ausgelesen oder geschrieben werden können. Es gibt jedoch speziell zum Refresh mit dem ''CAS-before-RAS-Refresh'' auch die genau umgekehrte Reihenfolge.

	==Versorgungsspannung==
	Der Energiebedarf steigt und fällt mit dem Spannungsniveau: Je höher die Spannung, desto höher der Energiebedarf. Die Hersteller von Speicher versuchen kontinuierlich, den Energiebedarf zu senken, denn der Energiebedarf kann je nach Arbeitsspeichergröße mehrere Watt betragen und sich bei Notebooks negativ auf die Akkulaufzeit auswirken. Die Versorgungsspannung von DDR2-SDRAM liegt bei 1,8 Volt. Der Vorgänger DDR-SDRAM benötigt 2,5 Volt, noch ältere Speicher wie SDR-SDRAM benötigen 3,3 Volt. Bei DDR3-SDRAM soll die Spannung auf 1,5 Volt gesenkt werden.

	===Dynamisches RAM (DRAM)===
	*siehe Hauptartikel: [[Dynamisches RAM]]

	'''DRAM''' steht für '''Dynamisches RAM''' und bezeichnet einen elektronischen Speicherbaustein, der hauptsächlich in [[Computer]]n eingesetzt wird und als [[integrierter Schaltkreis]] ausgeführt ist. Sein Inhalt ist flüchtig (volatil), das heißt die gespeicherte [[Information]] geht bei Abschaltung der Betriebsspannung verloren. Außerdem geht die Information auch sehr schnell durch Leckströme verloren, daher müssen die Speicherzellen regelmäßig [[Wiederauffrischung\|wiederaufgefrischt]] werden.

	===Phase-change RAM (PRAM)===
⚫	*siehe Hauptartikel : [[~~Phase Change~~ Random Access Memory]]

	'''PRAM''' steht für '''Phase-change [[Random Access Memory\|RAM]]''' und befindet sich bei [[Samsung]] noch in der Entwicklung. Er soll Vorteile gegenüber NOR-Flash-Speicher haben, zum Beispiel sollen Schreibzugriffe wesentlich schneller sein und die Anzahl der Schreib-/Lese-Zyklen soll um ein Vielfaches höher sein. Dabei belegt er weniger Fläche und ist einfacher in der Herstellung.

	[[Kategorie:Speicherbaustein]]
	[[Kategorie:Mikroelektronik]]
	[[Kategorie:Speichermedium]]

Staro1 am 9. Februar 2007 um 17:31 Uhr

2007-02-09T17:31:33Z

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	*siehe Hauptartikel: [[Dynamisches RAM]]		*siehe Hauptartikel: [[Dynamisches RAM]]

	'''DRAM''' steht für '''Dynamisches ~~[[Random Access Memory\|~~RAM]]''' und bezeichnet einen elektronischen Speicherbaustein, der hauptsächlich in [[Computer]]n eingesetzt wird und als [[integrierter Schaltkreis]] ausgeführt ist. Sein Inhalt ist flüchtig (volatil), das heißt die gespeicherte [[Information]] geht bei Abschaltung der Betriebsspannung verloren. Außerdem geht die Information auch sehr schnell durch Leckströme verloren, daher müssen die Speicherzellen regelmäßig [[Wiederauffrischung\|wiederaufgefrischt]] werden.		'''DRAM''' steht für '''Dynamisches RAM''' und bezeichnet einen elektronischen Speicherbaustein, der hauptsächlich in [[Computer]]n eingesetzt wird und als [[integrierter Schaltkreis]] ausgeführt ist. Sein Inhalt ist flüchtig (volatil), das heißt die gespeicherte [[Information]] geht bei Abschaltung der Betriebsspannung verloren. Außerdem geht die Information auch sehr schnell durch Leckströme verloren, daher müssen die Speicherzellen regelmäßig [[Wiederauffrischung\|wiederaufgefrischt]] werden.

	===Phase-change RAM (PRAM)===		===Phase-change RAM (PRAM)===
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	'''PRAM''' steht für '''Phase-change [[Random Access Memory\|RAM]]''' und befindet sich bei [[Samsung]] noch in der Entwicklung. Er soll Vorteile gegenüber NOR-Flash-Speicher haben, zum Beispiel sollen Schreibzugriffe wesentlich schneller sein und die Anzahl der Schreib-/Lese-Zyklen soll um ein Vielfaches höher sein. Dabei belegt er weniger Fläche und ist einfacher in der Herstellung.		'''PRAM''' steht für '''Phase-change [[Random Access Memory\|RAM]]''' und befindet sich bei [[Samsung]] noch in der Entwicklung. Er soll Vorteile gegenüber NOR-Flash-Speicher haben, zum Beispiel sollen Schreibzugriffe wesentlich schneller sein und die Anzahl der Schreib-/Lese-Zyklen soll um ein Vielfaches höher sein. Dabei belegt er weniger Fläche und ist einfacher in der Herstellung.

			[[Kategorie:Speicherbaustein]]
			[[Kategorie:Mikroelektronik]]
			[[Kategorie:Speichermedium]]

Floste: Aus Halbleiterspeicher ausgegliedert

2007-02-09T16:58:17Z

Aus Halbleiterspeicher ausgegliedert

← Nächstältere Version		Version vom 9. Februar 2007, 18:58 Uhr
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			'''Random Access Memory''' (der; dt. ''Speicher mit [[wahlfreier Zugriff\|wahlfreiem Zugriff]]''), abgekürzt '''RAM''', ist ein [[Datenspeicher\|Speicher]], der besonders bei [[Computer]]n als [[Arbeitsspeicher]] Verwendung findet. Er ist den [[Halbleiterspeicher\|Halbleiterspeichern]] zuzuornen. RAMs werden als [[integrierter Schaltkreis\|integrierte Schaltkreise]] hauptsächlich in [[Silizium]]-Technologie realisiert. RAM wird in allen Arten von elektronischen Geräten eingesetzt.
	#REDIRECT [[Halbleiterspeicher]]
			[[Bild:DRAM-02.svg\|350px\|thumb\|Prinzipielle Anordnung der Speicherzellen in Reihen und Spalten (Matrix) in einem RAM. Die Adresscodierer befinden sich auf dem gleichen Chip. Der Schreib- / Leseschaltkreis schaltet die Informationsrichtung um und verstärkt die schwachen Signale der adressierten Speicherzellen.]]
			Wahlfrei bedeutet in diesem Zusammenhang, dass jede Speicherzelle über ihre [[Speicheradresse]] direkt angesprochen werden kann, der Speicher also nicht sequentiell oder in Blöcken ausgelesen werden muss (bei großen Speicherbausteinen erfolgt die [[Adressierung (Datenverarbeitung)\|Adressierung]] jedoch nicht über die einzelnen Zellen, sondern über ein Wort, dessen Breite von der Speicherarchitektur abhängt). Das unterscheidet den RAM von blockweise zu beschreibenden Speichern, den so genannten [[Flash-Speicher]]n. Im Gegensatz zu einem [[#Read only memory (ROM)\|ROM]] (''Read Only Memory'') kann RAM sowohl gelesen als auch beschrieben werden. Zu den Bezeichnungen ist zu bemerken, dass „Random Access“ an sich kein Gegensatz zu „Read Only“ ist, sondern dass der üblicherweise als RAM bezeichnete Speicher genauer als „Read-Write Random Access Memory“ (RWRAM) bezeichnet werden müsste <ref>[http://www.purl.org/stefan_ram/pub/ram Stefan Ram. ''Erklärung des Begriffs „RAM“'']</ref>.

			Der üblicherweise in Computern eingesetzte RAM ist 'flüchtig' (auch: 'volatil'), das heißt, die gespeicherten Daten gehen nach Abschaltung der Stromzufuhr verloren. Es gibt allerdings auch RAM-Typen, die ihre Information auch ohne Stromzufuhr erhalten ('nichtvolatil'). Diese werden [[NVRAM]] genannt.

			Die flüchtigen RAMs teilen sich in:
			* [[#Static Random Access Memory (SRAM)\|Statisches RAM]] oder SRAM
			* [[#Dynamisches RAM (DRAM)\|Dynamisches RAM]] oder DRAM

			==Adressierung==
			Um Bits in einer Bank zu adressieren, sendet die Speichersteuerung ein Signal an die entsprechende Bank. Die Daten werden mit folgenden Parametern adressiert:

			<!--Bitte die Überschriften nicht ändern wegen Verlinkung-->
			===RAS===
			'''Row Address Select''', dieses Signal liegt während einer gültigen Zeilenadresse an. Der Speicherbaustein legt diese Adresse in einem Zwischenspeicher ab.

			===CAS===
			'''Column Address Select''', dieses Signal liegt während einer gültigen Spaltenadresse an. Der Speicherbaustein legt diese Adresse in einem Zwischenspeicher ab.

			RAS und CAS bilden also die zwei Hälften des Adressbusses. Bei DRAMs werden sie normalerweise über identische [[Pin]]s in den Baustein geführt (also im [[Multiplex]]) und können deshalb nicht gleichzeitig angelegt werden. (Dagegen wird bei SRAMs zwecks höherer Geschwindigkeit meist der komplette Adressbus an Pins geführt, so dass der Zugriff in einer einzigen Operation erfolgen kann.) Meistens wird zuerst die RAS-Adresse mit den höherwertigen Adressbits angelegt, gefolgt von oftmals mehreren verschiedenen CAS-Werten, so dass innerhalb derselben Zeile mehrere Zellen schnellstmöglich in „Burst“-Zyklen ausgelesen oder geschrieben werden können. Es gibt jedoch speziell zum Refresh mit dem ''CAS-before-RAS-Refresh'' auch die genau umgekehrte Reihenfolge.

			==Versorgungsspannung==
			Der Energiebedarf steigt und fällt mit dem Spannungsniveau: Je höher die Spannung, desto höher der Energiebedarf. Die Hersteller von Speicher versuchen kontinuierlich, den Energiebedarf zu senken, denn der Energiebedarf kann je nach Arbeitsspeichergröße mehrere Watt betragen und sich bei Notebooks negativ auf die Akkulaufzeit auswirken. Die Versorgungsspannung von DDR2-SDRAM liegt bei 1,8 Volt. Der Vorgänger DDR-SDRAM benötigt 2,5 Volt, noch ältere Speicher wie SDR-SDRAM benötigen 3,3 Volt. Bei DDR3-SDRAM soll die Spannung auf 1,5 Volt gesenkt werden.

			===Dynamisches RAM (DRAM)===
			*siehe Hauptartikel: [[Dynamisches RAM]]

			'''DRAM''' steht für '''Dynamisches [[Random Access Memory\|RAM]]''' und bezeichnet einen elektronischen Speicherbaustein, der hauptsächlich in [[Computer]]n eingesetzt wird und als [[integrierter Schaltkreis]] ausgeführt ist. Sein Inhalt ist flüchtig (volatil), das heißt die gespeicherte [[Information]] geht bei Abschaltung der Betriebsspannung verloren. Außerdem geht die Information auch sehr schnell durch Leckströme verloren, daher müssen die Speicherzellen regelmäßig [[Wiederauffrischung\|wiederaufgefrischt]] werden.

			===Phase-change RAM (PRAM)===
			*siehe Hauptartikel : [[Phase Change Random Access Memory]]

			'''PRAM''' steht für '''Phase-change [[Random Access Memory\|RAM]]''' und befindet sich bei [[Samsung]] noch in der Entwicklung. Er soll Vorteile gegenüber NOR-Flash-Speicher haben, zum Beispiel sollen Schreibzugriffe wesentlich schneller sein und die Anzahl der Schreib-/Lese-Zyklen soll um ein Vielfaches höher sein. Dabei belegt er weniger Fläche und ist einfacher in der Herstellung.

Karottenreibe: fix

2006-01-28T17:23:13Z

fix

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	#REDIRECT [[~~Random_Access_Memory~~]]		#REDIRECT [[Halbleiterspeicher]]

Anneke Wolf: link in redirect umgewandelt

2004-08-25T13:50:43Z

link in redirect umgewandelt

← Nächstältere Version		Version vom 25. August 2004, 15:50 Uhr
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			#REDIRECT [[Random_Access_Memory]]

	[http://de.wikipedia.org/wiki/Random_Access_Memory Random Access Memory]

193.154.217.132 am 25. August 2004 um 13:43 Uhr

2004-08-25T13:43:34Z

← Nächstältere Version		Version vom 25. August 2004, 15:43 Uhr
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	~~<a href="~~http://de.wikipedia.org/wiki/Random_Access_Memory">Random Access Memory~~</a>~~		[http://de.wikipedia.org/wiki/Random_Access_Memory Random Access Memory]

193.154.217.132 am 25. August 2004 um 13:42 Uhr

2004-08-25T13:42:58Z

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