Programmable unijunction transistor - Versionsgeschichte

Aka: /* Literatur */ Tippfehler entfernt

2023-07-25T10:59:14Z

← Nächstältere Version		Version vom 25. Juli 2023, 12:59 Uhr
Zeile 33:		Zeile 33:

	== Literatur ==		== Literatur ==
	* [[Charles Platt (Autor)\|Charles Platt]], Philip Steffan (Übers.): ''Make: Elektronik: Lernen durch Entdecken.'' ~~O'Reilly~~ Verlag, Köln 2010, S. 83f.		* [[Charles Platt (Autor)\|Charles Platt]], Philip Steffan (Übers.): ''Make: Elektronik: Lernen durch Entdecken.'' O’Reilly Verlag, Köln 2010, S. 83f.

	== Weblinks ==		== Weblinks ==

Dulciana: /* Aufbau und Unterschied zum Unijunctiontransistor */ 'und' => 'bzw.'

2023-04-29T14:45:35Z

Aufbau und Unterschied zum Unijunctiontransistor: 'und' => 'bzw.'

← Nächstältere Version		Version vom 29. April 2023, 16:45 Uhr
Zeile 5:		Zeile 5:
	[[Datei:PUT-SNG-ABB02.svg\|mini\|Abb. 2: Äquivalentschaltbild PUT und UJTs.]]		[[Datei:PUT-SNG-ABB02.svg\|mini\|Abb. 2: Äquivalentschaltbild PUT und UJTs.]]
	[[Datei:PUT-SNG-ABB03.svg\|mini\|Abb. 3: Gesteuerte RC-Oszillatorschaltung mit einem PUT]]		[[Datei:PUT-SNG-ABB03.svg\|mini\|Abb. 3: Gesteuerte RC-Oszillatorschaltung mit einem PUT]]
	Wie ein Thyristor besteht der PUT aus vier alternierenden p-, n-dotieren Schichten und enthält damit drei p-n-Übergänge (Abb. 1). Er hat eine Anode und eine Kathode, die an die erste ~~und~~ an die letzte Schicht angeschlossen sind, und ein „Gate“, das mit einer der inneren Schichten verbunden ist.		Wie ein Thyristor besteht der PUT aus vier alternierenden p-, n-dotieren Schichten und enthält damit drei p-n-Übergänge (Abb. 1). Er hat eine Anode und eine Kathode, die an die erste bzw. an die letzte Schicht angeschlossen sind, und ein „Gate“, das mit einer der inneren Schichten verbunden ist.

	Der [[Unijunctiontransistor]] (UJT) weist im Gegensatz zu einem programmierbaren Unijunctiontransistor nur einen [[p-n-Übergang]] (engl. {{lang\|en\|p-n junction}}) auf. Die etablierte Bezeichnung „programmierbarer Unijunctiontransistor“ ist somit irreführend, da es sich nicht um eine Variation des Unijunctiontransistor (UJT) handelt, sondern um eine Variation des Thyristors.		Der [[Unijunctiontransistor]] (UJT) weist im Gegensatz zu einem programmierbaren Unijunctiontransistor nur einen [[p-n-Übergang]] (engl. {{lang\|en\|p-n junction}}) auf. Die etablierte Bezeichnung „programmierbarer Unijunctiontransistor“ ist somit irreführend, da es sich nicht um eine Variation des Unijunctiontransistor (UJT) handelt, sondern um eine Variation des Thyristors.

Blaues-Monsterle: Z: Durchkopplung

2018-11-23T15:47:48Z

Z: Durchkopplung

← Nächstältere Version		Version vom 23. November 2018, 17:47 Uhr
Zeile 1:		Zeile 1:
	[[Datei:PUT-SNG-ABB01.svg\|mini\|Abb. 1: Schaltzeichen, Schichtaufbau und Strom-~~Spannungskurve~~ eines programmierbaren Unijunctiontransistors.]]		[[Datei:PUT-SNG-ABB01.svg\|mini\|Abb. 1: Schaltzeichen, Schichtaufbau und Strom-Spannungs-Kurve eines programmierbaren Unijunctiontransistors.]]
	Ein {{lang\|en\|'''programmable unijunction transistor'''}} (PUT, {{enS}}, dt. ''programmierbarer Unijunctiontransistor'') ist ein [[Halbleiter]]-[[elektronisches Bauelement\|Bauelement]] und im Aufbau ähnlich einem [[Thyristor]]. Seine drei Anschlüsse werden als [[Gate-Elektrode\|Gate]] (G), [[Anode]] (A) und [[Kathode]] (K) bezeichnet.		Ein {{lang\|en\|'''programmable unijunction transistor'''}} (PUT, {{enS}}, dt. ''programmierbarer Unijunctiontransistor'') ist ein [[Halbleiter]]-[[elektronisches Bauelement\|Bauelement]] und im Aufbau ähnlich einem [[Thyristor]]. Seine drei Anschlüsse werden als [[Gate-Elektrode\|Gate]] (G), [[Anode]] (A) und [[Kathode]] (K) bezeichnet.

Zeile 10:		Zeile 10:

	== Funktionsweise ==		== Funktionsweise ==
	Der PUT besitzt eine einstellbare („programmierbare“) Schaltschwelle: Legt man an Anode und Kathode eine Spannung an, so fließt kein Strom, solange die Schwellenspannung (''U''<sub>S</sub> ~ ''U''<sub>P</sub>) nicht erreicht wird. Übersteigt die angelegte Spannung jedoch den [[Schwellspannung]]swert, so wird die A-K-Strecke des PUT leitend. Die Schwellenspannung kann über eine an das Gate angelegte Spannung ''U''<sub>G</sub> modifiziert („programmiert“) werden. Abb. 1 zeigt das Schaltzeichen, den Schichtaufbau und die typische Strom-~~Spannungskurve~~ eines PUT.		Der PUT besitzt eine einstellbare („programmierbare“) Schaltschwelle: Legt man an Anode und Kathode eine Spannung an, so fließt kein Strom, solange die Schwellenspannung (''U''<sub>S</sub> ~ ''U''<sub>P</sub>) nicht erreicht wird. Übersteigt die angelegte Spannung jedoch den [[Schwellspannung]]swert, so wird die A-K-Strecke des PUT leitend. Die Schwellenspannung kann über eine an das Gate angelegte Spannung ''U''<sub>G</sub> modifiziert („programmiert“) werden. Abb. 1 zeigt das Schaltzeichen, den Schichtaufbau und die typische Strom-Spannungs-Kurve eines PUT.

	== Anwendungsbereiche ==		== Anwendungsbereiche ==

WolfgangRieger: /* Literatur */

2018-06-24T16:09:04Z

Literatur

← Nächstältere Version		Version vom 24. Juni 2018, 18:09 Uhr
Zeile 33:		Zeile 33:

	== Literatur ==		== Literatur ==
	* Charles Platt, Philip Steffan (Übers.): ''Make: Elektronik: Lernen durch Entdecken.'' O'Reilly Verlag, Köln 2010, S. 83f.		* [[Charles Platt (Autor)\|Charles Platt]], Philip Steffan (Übers.): ''Make: Elektronik: Lernen durch Entdecken.'' O'Reilly Verlag, Köln 2010, S. 83f.

	== Weblinks ==		== Weblinks ==

Aka: Leerzeichen vor Zahl eingefügt, deutsch

2018-03-01T22:18:44Z

Leerzeichen vor Zahl eingefügt, deutsch

← Nächstältere Version		Version vom 2. März 2018, 00:18 Uhr
Zeile 1:		Zeile 1:
	[[Datei:PUT-SNG-ABB01.svg\|~~thumb\|right~~\|Abb.1: Schaltzeichen, Schichtaufbau und Strom-Spannungskurve eines programmierbaren Unijunctiontransistors.]]		[[Datei:PUT-SNG-ABB01.svg\|mini\|Abb. 1: Schaltzeichen, Schichtaufbau und Strom-Spannungskurve eines programmierbaren Unijunctiontransistors.]]
	Ein {{lang\|en\|'''programmable unijunction transistor'''}} (PUT, {{enS}}, dt. ''programmierbarer Unijunctiontransistor'') ist ein [[Halbleiter]]-[[elektronisches Bauelement\|Bauelement]] und im Aufbau ähnlich einem [[Thyristor]]. Seine drei Anschlüsse werden als [[Gate-Elektrode\|Gate]] (G), [[Anode]] (A) und [[Kathode]] (K) bezeichnet.		Ein {{lang\|en\|'''programmable unijunction transistor'''}} (PUT, {{enS}}, dt. ''programmierbarer Unijunctiontransistor'') ist ein [[Halbleiter]]-[[elektronisches Bauelement\|Bauelement]] und im Aufbau ähnlich einem [[Thyristor]]. Seine drei Anschlüsse werden als [[Gate-Elektrode\|Gate]] (G), [[Anode]] (A) und [[Kathode]] (K) bezeichnet.

	== Aufbau und Unterschied zum Unijunctiontransistor ==		== Aufbau und Unterschied zum Unijunctiontransistor ==
	[[Datei:PUT-SNG-ABB02.svg\|~~thumb\|right~~\|Abb.2: Äquivalentschaltbild PUT und UJTs.]]		[[Datei:PUT-SNG-ABB02.svg\|mini\|Abb. 2: Äquivalentschaltbild PUT und UJTs.]]
	[[Datei:PUT-SNG-ABB03.svg\|~~thumb\|right~~\|Abb.3: Gesteuerte RC-Oszillatorschaltung mit einem PUT]]		[[Datei:PUT-SNG-ABB03.svg\|mini\|Abb. 3: Gesteuerte RC-Oszillatorschaltung mit einem PUT]]
	Wie ein Thyristor besteht der PUT aus vier alternierenden p-, n-dotieren Schichten und enthält damit drei p-n-Übergänge (Abb. 1). Er hat eine Anode und eine Kathode, die an die erste und an die letzte Schicht angeschlossen sind, und ein „Gate“, das mit einer der inneren Schichten verbunden ist.		Wie ein Thyristor besteht der PUT aus vier alternierenden p-, n-dotieren Schichten und enthält damit drei p-n-Übergänge (Abb. 1). Er hat eine Anode und eine Kathode, die an die erste und an die letzte Schicht angeschlossen sind, und ein „Gate“, das mit einer der inneren Schichten verbunden ist.

Bildungsbürger: -BKL-Link mit AWB

2016-04-19T19:08:33Z

-BKL-Link mit AWB

← Nächstältere Version		Version vom 19. April 2016, 21:08 Uhr
Zeile 1:		Zeile 1:
	[[Datei:PUT-SNG-ABB01.svg\|thumb\|right\|Abb.1: Schaltzeichen, Schichtaufbau und Strom-Spannungskurve eines programmierbaren Unijunctiontransistors.]]		[[Datei:PUT-SNG-ABB01.svg\|thumb\|right\|Abb.1: Schaltzeichen, Schichtaufbau und Strom-Spannungskurve eines programmierbaren Unijunctiontransistors.]]
	Ein {{lang\|en\|'''programmable unijunction transistor'''}} (PUT, {{enS}}, dt. ''programmierbarer Unijunctiontransistor'') ist ein [[Halbleiter]]-[[elektronisches Bauelement\|Bauelement]] und im Aufbau ähnlich einem [[Thyristor]]. Seine drei Anschlüsse werden als [[Gate]] (G), [[Anode]] (A) und [[Kathode]] (K) bezeichnet.		Ein {{lang\|en\|'''programmable unijunction transistor'''}} (PUT, {{enS}}, dt. ''programmierbarer Unijunctiontransistor'') ist ein [[Halbleiter]]-[[elektronisches Bauelement\|Bauelement]] und im Aufbau ähnlich einem [[Thyristor]]. Seine drei Anschlüsse werden als [[Gate-Elektrode\|Gate]] (G), [[Anode]] (A) und [[Kathode]] (K) bezeichnet.

	== Aufbau und Unterschied zum Unijunctiontransistor ==		== Aufbau und Unterschied zum Unijunctiontransistor ==

82.82.180.22: K Div kleine Fehler weg, stilistisch überarbeitet.

2012-06-04T14:12:04Z

K Div kleine Fehler weg, stilistisch überarbeitet.

← Nächstältere Version		Version vom 4. Juni 2012, 16:12 Uhr
Zeile 1:		Zeile 1:
	[[Datei:PUT-SNG-ABB01.svg\|thumb\|right\|Abb.1: Schaltzeichen, Schichtaufbau und Strom-Spannungskurve eines programmierbaren Unijunctiontransistors.]]		[[Datei:PUT-SNG-ABB01.svg\|thumb\|right\|Abb.1: Schaltzeichen, Schichtaufbau und Strom-Spannungskurve eines programmierbaren Unijunctiontransistors.]]
	Ein {{lang\|en\|'''programmable unijunction transistor'''}} (PUT, {{enS}}, dt. ''programmierbarer Unijunctiontransistor'') ist ein ~~elektronisches~~ [[elektronisches Bauelement]] und im Aufbau ähnlich ~~wie ein~~ [[Thyristor]]. ~~Er besteht aus einem [[Halbleiter]] und umfasst~~ drei Anschlüsse ~~welche~~ als [[Gate]] (G), [[Anode]] (A) und [[Kathode]] (K) bezeichnet ~~werden~~.		Ein {{lang\|en\|'''programmable unijunction transistor'''}} (PUT, {{enS}}, dt. ''programmierbarer Unijunctiontransistor'') ist ein [[Halbleiter]]-[[elektronisches Bauelement\|Bauelement]] und im Aufbau ähnlich einem [[Thyristor]]. Seine drei Anschlüsse werden als [[Gate]] (G), [[Anode]] (A) und [[Kathode]] (K) bezeichnet.

	== Aufbau und Unterschied zum Unijunctiontransistor ==		== Aufbau und Unterschied zum Unijunctiontransistor ==
	[[Datei:PUT-SNG-ABB02.svg\|thumb\|right\|Abb.2: Äquivalentschaltbild PUT und UJTs.]]		[[Datei:PUT-SNG-ABB02.svg\|thumb\|right\|Abb.2: Äquivalentschaltbild PUT und UJTs.]]
	[[Datei:PUT-SNG-ABB03.svg\|thumb\|right\|Abb.3: Gesteuerte RC-Oszillatorschaltung mit einem PUT]]		[[Datei:PUT-SNG-ABB03.svg\|thumb\|right\|Abb.3: Gesteuerte RC-Oszillatorschaltung mit einem PUT]]
	Wie ein Thyristor besteht der ~~programmierbare Unijunctiontransistor~~ aus vier alternierenden p-, n-dotieren Schichten und enthält damit drei p-n-Übergänge (Abb. 1). Er ~~besitzt~~ eine Anode und eine Kathode, die an die erste und an die letzte Schicht angeschlossen sind. ~~Des Weiteren gibt es~~ ein „Gate“, ~~welches~~ mit einer der inneren Schichten verbunden ist.		Wie ein Thyristor besteht der PUT aus vier alternierenden p-, n-dotieren Schichten und enthält damit drei p-n-Übergänge (Abb. 1). Er hat eine Anode und eine Kathode, die an die erste und an die letzte Schicht angeschlossen sind, und ein „Gate“, das mit einer der inneren Schichten verbunden ist.

	Der [[Unijunctiontransistor]] (UJT) weist im Gegensatz zu einem programmierbaren Unijunctiontransistor nur einen [[p-n-Übergang]] (engl. {{lang\|en\|p-n junction}}) auf. Die etablierte Bezeichnung ~~„programmierbare~~ Unijunctiontransistor“ ist somit irreführend, da es sich nicht um eine Variation des Unijunctiontransistor (UJT) handelt sondern um eine Variation des Thyristors.		Der [[Unijunctiontransistor]] (UJT) weist im Gegensatz zu einem programmierbaren Unijunctiontransistor nur einen [[p-n-Übergang]] (engl. {{lang\|en\|p-n junction}}) auf. Die etablierte Bezeichnung „programmierbarer Unijunctiontransistor“ ist somit irreführend, da es sich nicht um eine Variation des Unijunctiontransistor (UJT) handelt, sondern um eine Variation des Thyristors.

	== Funktionsweise ==		== Funktionsweise ==
Zeile 13:		Zeile 13:

	== Anwendungsbereiche ==		== Anwendungsbereiche ==
	PUTs sind nicht direkt mit konventionellen ~~UJT~~ austauschbar, obwohl PUTs ähnliche Funktionen ausführen. In der richtigen Schaltkreisauslegung mit zwei „programmierenden“ Widerständen zur Einstellung des Systemparameters η verhalten sie sich wie ~~ein~~ ~~konventioneller UJT~~ (Abb. 2). Der 2N6027 ist ein Beispiel für derartige Bauelemente.		PUTs sind nicht direkt mit konventionellen UJTs austauschbar, obwohl PUTs ähnliche Funktionen ausführen. In der richtigen Schaltkreisauslegung mit zwei „programmierenden“ Widerständen zur Einstellung des Systemparameters η verhalten sie sich wie konventionelle UJTs (Abb. 2). Der 2N6027 ist ein Beispiel für derartige Bauelemente.

	Es ist ein Vorteil der PUTs, dass man mit ihnen Oszillatoren aus wenigen diskreten Bauelementen aufbauen kann (Abb. 3). Da der gleiche Zweck aber auch mit preisgünstigen integrierten Schaltkreisen erreichbar ist (z. B. Timer [[NE555]]), werden PUTs nur noch selten eingesetzt.		Es ist ein Vorteil der PUTs, dass man mit ihnen Oszillatoren aus wenigen diskreten Bauelementen aufbauen kann (Abb. 3). Da der gleiche Zweck aber auch mit preisgünstigen integrierten Schaltkreisen erreichbar ist (z. B. Timer [[NE555]]), werden PUTs nur noch selten eingesetzt.

Cepheiden am 26. September 2011 um 13:47 Uhr

2011-09-26T13:47:01Z

← Nächstältere Version		Version vom 26. September 2011, 15:47 Uhr
Zeile 1:		Zeile 1:
	[[Datei:PUT-SNG-ABB01.svg\|thumb\|right\|Abb.1: Schaltzeichen, Schichtaufbau und Strom-Spannungskurve eines programmierbaren Unijunctiontransistors.]]		[[Datei:PUT-SNG-ABB01.svg\|thumb\|right\|Abb.1: Schaltzeichen, Schichtaufbau und Strom-Spannungskurve eines programmierbaren Unijunctiontransistors.]]
	Ein {{lang\|en\|'''~~Programmable~~ ~~Unijunction~~ ~~Transistor~~'''}} (PUT, dt. ''programmierbarer Unijunctiontransistor'') ist ein elektronisches [[elektronisches Bauelement]] und im Aufbau ähnlich wie ein [[Thyristor]]. Er besteht aus einem [[Halbleiter]] und umfasst drei Anschlüsse welche als [[Gate]] (G), [[Anode]] (A) und [[Kathode]] (K) bezeichnet werden.		Ein {{lang\|en\|'''programmable unijunction transistor'''}} (PUT, {{enS}}, dt. ''programmierbarer Unijunctiontransistor'') ist ein elektronisches [[elektronisches Bauelement]] und im Aufbau ähnlich wie ein [[Thyristor]]. Er besteht aus einem [[Halbleiter]] und umfasst drei Anschlüsse welche als [[Gate]] (G), [[Anode]] (A) und [[Kathode]] (K) bezeichnet werden.

	== Aufbau und Unterschied zum Unijunctiontransistor ==		== Aufbau und Unterschied zum Unijunctiontransistor ==

Cepheiden: verschob „Programmable Unijunction Transistor“ nach „Programmable unijunction transistor“: Englischer Begriff, englisches Lemma

2011-09-26T13:46:20Z

verschob „Programmable Unijunction Transistor“ nach „Programmable unijunction transistor“: Englischer Begriff, englisches Lemma

← Nächstältere Version	Version vom 26. September 2011, 15:46 Uhr
(kein Unterschied)

Wdwd: Math Formelsatz

2010-11-24T17:03:54Z

Math Formelsatz

← Nächstältere Version		Version vom 24. November 2010, 19:03 Uhr
Zeile 20:		Zeile 20:
	Die Berechnung der elektrischen Größen aus Abb. 2 erfolgt mit den unten stehenden Gleichungen:		Die Berechnung der elektrischen Größen aus Abb. 2 erfolgt mit den unten stehenden Gleichungen:

	:<math> R_\text{BB} = R_\text{B1} + R_\text{B2}</math>		:<math> R_\text{BB} = R_\text{B1} + R_\text{B2} \,</math>

	:<math> R_\text{G} =\frac{R_\text{B1} \cdot R_\text{B2} }{R_\text{B1} + R_\text{B2} } </math>		:<math> R_\text{G} =\frac{R_\text{B1} \cdot R_\text{B2} }{R_\text{B1} + R_\text{B2} } \,</math>

	:<math> \eta =\frac{R_\text{B1}}{R_\text{B1} + R_\text{B2} } </math>		:<math> \eta =\frac{R_\text{B1}}{R_\text{B1} + R_\text{B2} } \,</math>

	:<math> U_\text{G} =\eta \cdot U_\text{BB} </math>		:<math> U_\text{G} =\eta \cdot U_\text{BB} \,</math>

	:<math> U_\text{P} = U_G + U_\text{AK} </math>		:<math> U_\text{P} = U_G + U_\text{AK} \,</math>

	wobei <math> \eta </math> ein Systemparameter ist.		wobei <math> \eta </math> ein Systemparameter ist.