Optical proximity correction - Versionsgeschichte

Neutronstar2 am 5. Juli 2023 um 09:57 Uhr

2023-07-05T09:57:48Z

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	{{Lückenhaft\|Es fehlen Informationen zu typischen OPC-Methoden, von regelbasiert über modellbasiert (~~sparce~~ & dense OPC) bis hin zur inversen OPC-Modellierung }}		{{Lückenhaft\|Es fehlen Informationen zu typischen OPC-Methoden, von regelbasiert über modellbasiert (sparse / dense OPC) bis hin zur inversen OPC-Modellierung }}
	[[Datei:Optical proximity correction DE.svg\|mini\|Abbildungsfehler ohne OPC und Verbesserung mit OPC-Strukturen in der Fotomaske (Schema)]]		[[Datei:Optical proximity correction DE.svg\|mini\|Abbildungsfehler ohne OPC und Verbesserung mit OPC-Strukturen in der Fotomaske (Schema)]]
	'''{{lang\|en\|Optical proximity correction}}''' (OPC, englisch, deutsch etwa: ''optische Nahbereichskorrektur'') ist in der [[Halbleitertechnik]] ein Verfahren zur Korrektur bzw. Verringerung von Abbildungsfehlern von Strukturen bei [[Fotolithografie (Halbleitertechnik)\|fotolithografischen]] Prozessen. Es gehört zur Gruppe der [[Auflösungsverbesserungsverfahren]] (engl.: {{lang\|en\|resolution enhancement technique}}, RET), welche bei Strukturgrößen unterhalb der Lichtwellenlänge (193 nm) zum Einsatz kommen.		'''{{lang\|en\|Optical proximity correction}}''' (OPC, englisch, deutsch etwa: ''optische Nahbereichskorrektur'') ist in der [[Halbleitertechnik]] ein Verfahren zur Korrektur bzw. Verringerung von Abbildungsfehlern von Strukturen bei [[Fotolithografie (Halbleitertechnik)\|fotolithografischen]] Prozessen. Es gehört zur Gruppe der [[Auflösungsverbesserungsverfahren]] (engl.: {{lang\|en\|resolution enhancement technique}}, RET), welche bei Strukturgrößen unterhalb der Lichtwellenlänge (193 nm) zum Einsatz kommen.

Cepheiden am 21. November 2022 um 22:22 Uhr

2022-11-21T22:22:21Z

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	{{Lückenhaft\|Es fehlen Informationen zu typischen OPC-Methoden, von regelbasiert über modellbasiert (sparce & dense OPC) bis hin zur inversen OPC-Modellierung }}		{{Lückenhaft\|Es fehlen Informationen zu typischen OPC-Methoden, von regelbasiert über modellbasiert (sparce & dense OPC) bis hin zur inversen OPC-Modellierung }}
	[[Datei:Optical proximity correction DE.svg\|mini\|Abbildungsfehler ohne OPC und Verbesserung mit OPC-Strukturen in der Fotomaske (Schema)]]		[[Datei:Optical proximity correction DE.svg\|mini\|Abbildungsfehler ohne OPC und Verbesserung mit OPC-Strukturen in der Fotomaske (Schema)]]
	'''{{lang\|en\|Optical proximity correction}}''' (OPC, englisch, deutsch etwa: ''optische Nahbereichskorrektur'') ist in der [[Halbleitertechnik]] ein Verfahren zur Korrektur bzw. Verringerung von Abbildungsfehlern von Strukturen bei [[Fotolithografie (Halbleitertechnik)\|fotolithografischen]] Prozessen. Es gehört zur Gruppe der Auflösungsverbesserungsverfahren (engl.: {{lang\|en\|resolution enhancement technique}}, RET), welche bei Strukturgrößen unterhalb der Lichtwellenlänge (193 nm) zum Einsatz kommen.		'''{{lang\|en\|Optical proximity correction}}''' (OPC, englisch, deutsch etwa: ''optische Nahbereichskorrektur'') ist in der [[Halbleitertechnik]] ein Verfahren zur Korrektur bzw. Verringerung von Abbildungsfehlern von Strukturen bei [[Fotolithografie (Halbleitertechnik)\|fotolithografischen]] Prozessen. Es gehört zur Gruppe der [[Auflösungsverbesserungsverfahren]] (engl.: {{lang\|en\|resolution enhancement technique}}, RET), welche bei Strukturgrößen unterhalb der Lichtwellenlänge (193 nm) zum Einsatz kommen.

	== Beschreibung ==		== Beschreibung ==
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	\|ISBN=978-0-470-01893-4		\|ISBN=978-0-470-01893-4
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	\|Online={{Google Buch\|BuchID=nHm4e7rFNfgC\|Seite=419}}}}		\|Online={{Google Buch \|BuchID=nHm4e7rFNfgC \|Seite=419}}}}

	== Weblinks ==		== Weblinks ==

Cepheiden am 30. September 2019 um 20:57 Uhr

2019-09-30T20:57:14Z

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	{{Lückenhaft\|~~grund=~~Es fehlen Informationen zu typischen OPC-Methoden, von regelbasiert über modellbasiert (sparce & dense OPC) bis hin zur inversen OPC-Modellierung }}		{{Lückenhaft\|Es fehlen Informationen zu typischen OPC-Methoden, von regelbasiert über modellbasiert (sparce & dense OPC) bis hin zur inversen OPC-Modellierung }}
	[[Datei:Optical proximity correction DE.svg\|mini\|Abbildungsfehler ohne OPC und Verbesserung mit OPC-Strukturen in der Fotomaske (Schema)]]		[[Datei:Optical proximity correction DE.svg\|mini\|Abbildungsfehler ohne OPC und Verbesserung mit OPC-Strukturen in der Fotomaske (Schema)]]
	'''{{lang\|en\|Optical proximity correction}}''' (OPC, englisch, deutsch etwa: ''optische Nahbereichskorrektur'') ist in der [[Halbleitertechnik]] ein Verfahren zur Korrektur bzw. Verringerung von Abbildungsfehlern von Strukturen bei [[Fotolithografie (Halbleitertechnik)\|fotolithografischen]] Prozessen. Es gehört zur Gruppe der Auflösungsverbesserungsverfahren (engl.: {{lang\|en\|resolution enhancement technique}}, RET), welche bei Strukturgrößen unterhalb der Lichtwellenlänge (193 nm) zum Einsatz kommen.		'''{{lang\|en\|Optical proximity correction}}''' (OPC, englisch, deutsch etwa: ''optische Nahbereichskorrektur'') ist in der [[Halbleitertechnik]] ein Verfahren zur Korrektur bzw. Verringerung von Abbildungsfehlern von Strukturen bei [[Fotolithografie (Halbleitertechnik)\|fotolithografischen]] Prozessen. Es gehört zur Gruppe der Auflösungsverbesserungsverfahren (engl.: {{lang\|en\|resolution enhancement technique}}, RET), welche bei Strukturgrößen unterhalb der Lichtwellenlänge (193 nm) zum Einsatz kommen.

Cepheiden am 30. September 2019 um 20:56 Uhr

2019-09-30T20:56:46Z

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			{{Lückenhaft\|grund=Es fehlen Informationen zu typischen OPC-Methoden, von regelbasiert über modellbasiert (sparce & dense OPC) bis hin zur inversen OPC-Modellierung }}
	[[Datei:Optical proximity correction DE.svg\|~~thumb~~\|Abbildungsfehler ohne OPC und Verbesserung mit OPC-Strukturen in der Fotomaske (Schema)]]		[[Datei:Optical proximity correction DE.svg\|mini\|Abbildungsfehler ohne OPC und Verbesserung mit OPC-Strukturen in der Fotomaske (Schema)]]
	'''{{lang\|en\|Optical proximity correction}}''' (OPC, englisch, deutsch etwa: ''optische Nahbereichskorrektur'') ist in der [[Halbleitertechnik]] ein Verfahren zur Korrektur bzw. Verringerung von Abbildungsfehlern von Strukturen bei [[Fotolithografie (Halbleitertechnik)\|fotolithografischen]] Prozessen. Es gehört zur Gruppe der Auflösungsverbesserungsverfahren (engl.: {{lang\|en\|resolution enhancement technique}}, RET), welche bei Strukturgrößen unterhalb der Lichtwellenlänge (193 nm) zum Einsatz kommen.		'''{{lang\|en\|Optical proximity correction}}''' (OPC, englisch, deutsch etwa: ''optische Nahbereichskorrektur'') ist in der [[Halbleitertechnik]] ein Verfahren zur Korrektur bzw. Verringerung von Abbildungsfehlern von Strukturen bei [[Fotolithografie (Halbleitertechnik)\|fotolithografischen]] Prozessen. Es gehört zur Gruppe der Auflösungsverbesserungsverfahren (engl.: {{lang\|en\|resolution enhancement technique}}, RET), welche bei Strukturgrößen unterhalb der Lichtwellenlänge (193 nm) zum Einsatz kommen.

	== Beschreibung ==		== Beschreibung ==
	[[Datei:Optical proximity correction structures DE.svg\|~~thumb~~\|Zusatzstrukturen]]		[[Datei:Optical proximity correction structures DE.svg\|mini\|Zusatzstrukturen]]

	Bei der fotolithografischen Abbildung einer Struktur mit Dimensionen im Bereich innerhalb und unterhalb der verwendeten Wellenlänge, wie sie seit einigen Jahren in der Mikroelektronik der Fall ist, entstehen insbesondere durch wellenoptische Effekte (z. B. [[Beugung (Physik)\|Beugung]]) Abbildungsfehler. Die OPC versucht diese Effekte, wie Linienendenverkürzung, Kantenverrundungen oder Verbreiterung benachbarter Linien, durch zusätzliche Strukturen auf der Fotomaske zu kompensieren. Zu diesen Korrekturstrukturen, die auch mehrstufig verwendet werden, gehören:		Bei der fotolithografischen Abbildung einer Struktur mit Dimensionen im Bereich innerhalb und unterhalb der verwendeten Wellenlänge, wie sie seit einigen Jahren in der Mikroelektronik der Fall ist, entstehen insbesondere durch wellenoptische Effekte (z. B. [[Beugung (Physik)\|Beugung]]) Abbildungsfehler. Die OPC versucht diese Effekte, wie Linienendenverkürzung, Kantenverrundungen oder Verbreiterung benachbarter Linien, durch zusätzliche Strukturen auf der Fotomaske zu kompensieren. Zu diesen Korrekturstrukturen, die auch mehrstufig verwendet werden, gehören:
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	* T-förmige Strukturen an den Linienenden (engl.: {{lang\|en\|''hammerheads''}}), um Kantenverrundungen zu korrigieren		* T-förmige Strukturen an den Linienenden (engl.: {{lang\|en\|''hammerheads''}}), um Kantenverrundungen zu korrigieren
	* zusätzliche oder fehlende rechteckige/quadratische Bereiche (engl.: {{lang\|en\|''serifs''}}), um Kantenverrundungen zu korrigieren		* zusätzliche oder fehlende rechteckige/quadratische Bereiche (engl.: {{lang\|en\|''serifs''}}), um Kantenverrundungen zu korrigieren
	** zusätzlichen Bereiche an den konvexen Ecken		** zusätzlichen Bereiche an den konvexen Ecken
	** negative (fehlende) Bereiche an konkaven Ecken		** negative (fehlende) Bereiche an konkaven Ecken

	== Literatur ==		== Literatur ==
			* {{Literatur
	* {{Literatur\|Autor=Chris Mack\|Titel=Fundamental principles of optical lithography\|Verlag=Wiley-Interscience\|ISBN=9780470018934\|Jahr=2008\|Seiten=419ff\|Online={{Google Buch\|BuchID=nHm4e7rFNfgC\|Seite=419}}}}
			\|Autor=Chris Mack
			\|Titel=Fundamental principles of optical lithography
			\|Verlag=Wiley-Interscience
			\|Datum=2008
			\|ISBN=978-0-470-01893-4
			\|Seiten=419ff
			\|Online={{Google Buch\|BuchID=nHm4e7rFNfgC\|Seite=419}}}}

	== Weblinks ==		== Weblinks ==
			* {{Internetquelle
	* {{internetquelle \|autor= Rolf Froböse\|hrsg= tecChannel\|url= http://www.tecchannel.de/test_technik/grundlagen/402271/scharfe_sache_maskentechnologie/index4.html\|titel=RET- und OPC-Masken \|werk= Scharfe Sache: Maskentechnologie\|seiten= 4\|datum= 2004-02-23\|zugriff=2010-01-10\|kommentar=Bild einer DRAM-Struktur in unterschiedlichen Stufen der Herstellung}}
			\|autor=Rolf Froböse
			\|url=http://www.tecchannel.de/test_technik/grundlagen/402271/scharfe_sache_maskentechnologie/index4.html
			\|titel=RET- und OPC-Masken
			\|werk=Scharfe Sache: Maskentechnologie
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			\|datum=2004-02-23
			\|abruf=2010-01-10
			\|kommentar=Bild einer DRAM-Struktur in unterschiedlichen Stufen der Herstellung}}

	[[Kategorie:Lithografie (Halbleitertechnik)]]		[[Kategorie:Lithografie (Halbleitertechnik)]]

Anmaron: /* Einleitung */

2018-02-06T20:59:03Z

Einleitung

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	[[Datei:Optical proximity correction DE.svg\|thumb\|Abbildungsfehler ohne OPC und Verbesserung mit OPC-Strukturen in der Fotomaske (Schema)]]		[[Datei:Optical proximity correction DE.svg\|thumb\|Abbildungsfehler ohne OPC und Verbesserung mit OPC-Strukturen in der Fotomaske (Schema)]]
	'''{{lang\|en\|Optical proximity correction}}''' (OPC, englisch, deutsch etwa: ''optische Nahbereichskorrektur'') ist in der [[Halbleitertechnik]] ein Verfahren zur Korrektur bzw. Verringerung von Abbildungsfehlern von Strukturen bei [[Fotolithografie (Halbleitertechnik)\|~~fotolithografische~~]] Prozessen. Es gehört zur Gruppe der Auflösungsverbesserungsverfahren (engl.: {{lang\|en\|resolution enhancement technique}}, RET), welche bei Strukturgrößen unterhalb der Lichtwellenlänge (193 nm) zum Einsatz kommen.		'''{{lang\|en\|Optical proximity correction}}''' (OPC, englisch, deutsch etwa: ''optische Nahbereichskorrektur'') ist in der [[Halbleitertechnik]] ein Verfahren zur Korrektur bzw. Verringerung von Abbildungsfehlern von Strukturen bei [[Fotolithografie (Halbleitertechnik)\|fotolithografischen]] Prozessen. Es gehört zur Gruppe der Auflösungsverbesserungsverfahren (engl.: {{lang\|en\|resolution enhancement technique}}, RET), welche bei Strukturgrößen unterhalb der Lichtwellenlänge (193 nm) zum Einsatz kommen.

	== Beschreibung ==		== Beschreibung ==

Linear77 am 23. Mai 2017 um 13:53 Uhr

2017-05-23T13:53:29Z

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	[[Datei:Optical proximity correction DE.svg\|thumb\|Abbildungsfehler ohne OPC und Verbesserung mit OPC-Strukturen in der Fotomaske (Schema)]]		[[Datei:Optical proximity correction DE.svg\|thumb\|Abbildungsfehler ohne OPC und Verbesserung mit OPC-Strukturen in der Fotomaske (Schema)]]
	'''{{lang\|en\|Optical proximity correction}}''' (OPC, englisch, deutsch etwa: ''optische Nahbereichskorrektur'') ist in der [[Halbleitertechnik]] ein Verfahren zur Korrektur bzw. Verringerung von Abbildungsfehlern von Strukturen bei [[Fotolithografie (Halbleitertechnik)\|fotolithografische]] Prozessen. Es gehört zur Gruppe der Auflösungsverbesserungsverfahren (engl.: {{lang\|en\|resolution enhancement technique}}, RET), welche bei Strukturgrößen unterhalb der Lichtwellenlänge (193 nm) zum Einsatz kommen.		'''{{lang\|en\|Optical proximity correction}}''' (OPC, englisch, deutsch etwa: ''optische Nahbereichskorrektur'') ist in der [[Halbleitertechnik]] ein Verfahren zur Korrektur bzw. Verringerung von Abbildungsfehlern von Strukturen bei [[Fotolithografie (Halbleitertechnik)\|fotolithografische]] Prozessen. Es gehört zur Gruppe der Auflösungsverbesserungsverfahren (engl.: {{lang\|en\|resolution enhancement technique}}, RET), welche bei Strukturgrößen unterhalb der Lichtwellenlänge (193 nm) zum Einsatz kommen.

	== Beschreibung ==		== Beschreibung ==

Linear77: Erweitert mit Ursache

2017-05-23T13:49:35Z

Erweitert mit Ursache

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	[[Datei:Optical proximity correction DE.svg\|thumb\|Abbildungsfehler ohne OPC und Verbesserung mit OPC-Strukturen in der Fotomaske (Schema)]]		[[Datei:Optical proximity correction DE.svg\|thumb\|Abbildungsfehler ohne OPC und Verbesserung mit OPC-Strukturen in der Fotomaske (Schema)]]
	'''{{lang\|en\|Optical proximity correction}}''' (OPC, englisch, deutsch etwa: ''optische Nahbereichskorrektur'') ist in der [[Halbleitertechnik]] ein Verfahren zur Korrektur bzw. Verringerung von Abbildungsfehlern von Strukturen bei [[Fotolithografie (Halbleitertechnik)\|fotolithografische]] Prozessen. Es gehört zur Gruppe der Auflösungsverbesserungsverfahren (engl.: {{lang\|en\|resolution enhancement technique}}, RET).		'''{{lang\|en\|Optical proximity correction}}''' (OPC, englisch, deutsch etwa: ''optische Nahbereichskorrektur'') ist in der [[Halbleitertechnik]] ein Verfahren zur Korrektur bzw. Verringerung von Abbildungsfehlern von Strukturen bei [[Fotolithografie (Halbleitertechnik)\|fotolithografische]] Prozessen. Es gehört zur Gruppe der Auflösungsverbesserungsverfahren (engl.: {{lang\|en\|resolution enhancement technique}}, RET), welche bei Strukturgrößen unterhalb der Lichtwellenlänge (193 nm) zum Einsatz kommen.

	== Beschreibung ==		== Beschreibung ==

95.223.33.74: /* Beschreibung */ Satz eindeutiger formuliert

2016-05-16T11:22:01Z

Beschreibung: Satz eindeutiger formuliert

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	[[Datei:Optical proximity correction structures DE.svg\|thumb\|Zusatzstrukturen]]		[[Datei:Optical proximity correction structures DE.svg\|thumb\|Zusatzstrukturen]]

	Bei der fotolithografischen Abbildung einer Struktur mit Dimensionen im Bereich und unterhalb der verwendeten Wellenlänge, wie sie seit einigen Jahren in der Mikroelektronik der Fall ist, entstehen insbesondere durch wellenoptische Effekte (z. B. [[Beugung (Physik)\|Beugung]]) Abbildungsfehler. Die OPC versucht diese Effekte, wie Linienendenverkürzung, Kantenverrundungen oder Verbreiterung benachbarter Linien, durch zusätzliche Strukturen auf der Fotomaske zu kompensieren. Zu diesen Korrekturstrukturen, die auch mehrstufig verwendet werden, gehören:		Bei der fotolithografischen Abbildung einer Struktur mit Dimensionen im Bereich innerhalb und unterhalb der verwendeten Wellenlänge, wie sie seit einigen Jahren in der Mikroelektronik der Fall ist, entstehen insbesondere durch wellenoptische Effekte (z. B. [[Beugung (Physik)\|Beugung]]) Abbildungsfehler. Die OPC versucht diese Effekte, wie Linienendenverkürzung, Kantenverrundungen oder Verbreiterung benachbarter Linien, durch zusätzliche Strukturen auf der Fotomaske zu kompensieren. Zu diesen Korrekturstrukturen, die auch mehrstufig verwendet werden, gehören:
	* verlängerte Linienenden (engl.: {{lang\|en\|''line end extensions''}}), um Linienverkürzungen zu korrigieren		* verlängerte Linienenden (engl.: {{lang\|en\|''line end extensions''}}), um Linienverkürzungen zu korrigieren
	* teilweise verbreitete Linien (engl.: {{lang\|en\|''line end extensions''}}) zur Breitenkorrektur		* teilweise verbreitete Linien (engl.: {{lang\|en\|''line end extensions''}}) zur Breitenkorrektur

Cepheiden am 13. Januar 2015 um 22:06 Uhr

2015-01-13T22:06:45Z

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	== Literatur ==		== Literatur ==
	* {{Literatur\|Autor=Chris Mack\|Titel=Fundamental principles of optical lithography\|Verlag=Wiley-Interscience\|ISBN=9780470018934\|Jahr=2008\|Seiten=419ff\|Online={{Google Buch\|BuchID=nHm4e7rFNfgC\|~~Seite419~~}}}}		* {{Literatur\|Autor=Chris Mack\|Titel=Fundamental principles of optical lithography\|Verlag=Wiley-Interscience\|ISBN=9780470018934\|Jahr=2008\|Seiten=419ff\|Online={{Google Buch\|BuchID=nHm4e7rFNfgC\|Seite=419}}}}

	== Weblinks ==		== Weblinks ==

77.1.84.154 am 24. Februar 2014 um 13:47 Uhr

2014-02-24T13:47:03Z

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	[[Datei:Optical proximity correction DE.svg\|thumb\|Abbildungsfehler ohne OPC und Verbesserung mit OPC-Strukturen in der Fotomaske (Schema)]]		[[Datei:Optical proximity correction DE.svg\|thumb\|Abbildungsfehler ohne OPC und Verbesserung mit OPC-Strukturen in der Fotomaske (Schema)]]
	'''{{lang\|en\|Optical proximity correction}}''' (OPC, englisch, deutsch etwa: ''optische Nahbereichskorrektur'') ist in der [[Halbleitertechnik]] ein Verfahren zur Korrektur bzw. Verringerung von Abbildungsfehlern von Strukturen bei [[Fotolithografie (Halbleitertechnik)\|fotolithografische]] Prozessen. Es gehört zur Gruppe der Auflösungsverbesserungsverfahren (engl.: {{lang\|en\|~~resulution~~ enhancement technique}}, RET).		'''{{lang\|en\|Optical proximity correction}}''' (OPC, englisch, deutsch etwa: ''optische Nahbereichskorrektur'') ist in der [[Halbleitertechnik]] ein Verfahren zur Korrektur bzw. Verringerung von Abbildungsfehlern von Strukturen bei [[Fotolithografie (Halbleitertechnik)\|fotolithografische]] Prozessen. Es gehört zur Gruppe der Auflösungsverbesserungsverfahren (engl.: {{lang\|en\|resolution enhancement technique}}, RET).

	== Beschreibung ==		== Beschreibung ==

← Nächstältere Version		Version vom 5. Juli 2023, 11:57 Uhr
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	{{Lückenhaft\|Es fehlen Informationen zu typischen OPC-Methoden, von regelbasiert über modellbasiert (~~sparce~~ & dense OPC) bis hin zur inversen OPC-Modellierung }}		{{Lückenhaft\|Es fehlen Informationen zu typischen OPC-Methoden, von regelbasiert über modellbasiert (sparse / dense OPC) bis hin zur inversen OPC-Modellierung }}
	[[Datei:Optical proximity correction DE.svg\|mini\|Abbildungsfehler ohne OPC und Verbesserung mit OPC-Strukturen in der Fotomaske (Schema)]]		[[Datei:Optical proximity correction DE.svg\|mini\|Abbildungsfehler ohne OPC und Verbesserung mit OPC-Strukturen in der Fotomaske (Schema)]]
	'''{{lang\|en\|Optical proximity correction}}''' (OPC, englisch, deutsch etwa: ''optische Nahbereichskorrektur'') ist in der [[Halbleitertechnik]] ein Verfahren zur Korrektur bzw. Verringerung von Abbildungsfehlern von Strukturen bei [[Fotolithografie (Halbleitertechnik)\|fotolithografischen]] Prozessen. Es gehört zur Gruppe der [[Auflösungsverbesserungsverfahren]] (engl.: {{lang\|en\|resolution enhancement technique}}, RET), welche bei Strukturgrößen unterhalb der Lichtwellenlänge (193 nm) zum Einsatz kommen.		'''{{lang\|en\|Optical proximity correction}}''' (OPC, englisch, deutsch etwa: ''optische Nahbereichskorrektur'') ist in der [[Halbleitertechnik]] ein Verfahren zur Korrektur bzw. Verringerung von Abbildungsfehlern von Strukturen bei [[Fotolithografie (Halbleitertechnik)\|fotolithografischen]] Prozessen. Es gehört zur Gruppe der [[Auflösungsverbesserungsverfahren]] (engl.: {{lang\|en\|resolution enhancement technique}}, RET), welche bei Strukturgrößen unterhalb der Lichtwellenlänge (193 nm) zum Einsatz kommen.

← Nächstältere Version		Version vom 30. September 2019, 22:57 Uhr
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	{{Lückenhaft\|~~grund=~~Es fehlen Informationen zu typischen OPC-Methoden, von regelbasiert über modellbasiert (sparce & dense OPC) bis hin zur inversen OPC-Modellierung }}		{{Lückenhaft\|Es fehlen Informationen zu typischen OPC-Methoden, von regelbasiert über modellbasiert (sparce & dense OPC) bis hin zur inversen OPC-Modellierung }}
	[[Datei:Optical proximity correction DE.svg\|mini\|Abbildungsfehler ohne OPC und Verbesserung mit OPC-Strukturen in der Fotomaske (Schema)]]		[[Datei:Optical proximity correction DE.svg\|mini\|Abbildungsfehler ohne OPC und Verbesserung mit OPC-Strukturen in der Fotomaske (Schema)]]
	'''{{lang\|en\|Optical proximity correction}}''' (OPC, englisch, deutsch etwa: ''optische Nahbereichskorrektur'') ist in der [[Halbleitertechnik]] ein Verfahren zur Korrektur bzw. Verringerung von Abbildungsfehlern von Strukturen bei [[Fotolithografie (Halbleitertechnik)\|fotolithografischen]] Prozessen. Es gehört zur Gruppe der Auflösungsverbesserungsverfahren (engl.: {{lang\|en\|resolution enhancement technique}}, RET), welche bei Strukturgrößen unterhalb der Lichtwellenlänge (193 nm) zum Einsatz kommen.		'''{{lang\|en\|Optical proximity correction}}''' (OPC, englisch, deutsch etwa: ''optische Nahbereichskorrektur'') ist in der [[Halbleitertechnik]] ein Verfahren zur Korrektur bzw. Verringerung von Abbildungsfehlern von Strukturen bei [[Fotolithografie (Halbleitertechnik)\|fotolithografischen]] Prozessen. Es gehört zur Gruppe der Auflösungsverbesserungsverfahren (engl.: {{lang\|en\|resolution enhancement technique}}, RET), welche bei Strukturgrößen unterhalb der Lichtwellenlänge (193 nm) zum Einsatz kommen.

← Nächstältere Version		Version vom 16. Mai 2016, 13:22 Uhr
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	[[Datei:Optical proximity correction structures DE.svg\|thumb\|Zusatzstrukturen]]		[[Datei:Optical proximity correction structures DE.svg\|thumb\|Zusatzstrukturen]]

	Bei der fotolithografischen Abbildung einer Struktur mit Dimensionen im Bereich und unterhalb der verwendeten Wellenlänge, wie sie seit einigen Jahren in der Mikroelektronik der Fall ist, entstehen insbesondere durch wellenoptische Effekte (z. B. [[Beugung (Physik)\|Beugung]]) Abbildungsfehler. Die OPC versucht diese Effekte, wie Linienendenverkürzung, Kantenverrundungen oder Verbreiterung benachbarter Linien, durch zusätzliche Strukturen auf der Fotomaske zu kompensieren. Zu diesen Korrekturstrukturen, die auch mehrstufig verwendet werden, gehören:		Bei der fotolithografischen Abbildung einer Struktur mit Dimensionen im Bereich innerhalb und unterhalb der verwendeten Wellenlänge, wie sie seit einigen Jahren in der Mikroelektronik der Fall ist, entstehen insbesondere durch wellenoptische Effekte (z. B. [[Beugung (Physik)\|Beugung]]) Abbildungsfehler. Die OPC versucht diese Effekte, wie Linienendenverkürzung, Kantenverrundungen oder Verbreiterung benachbarter Linien, durch zusätzliche Strukturen auf der Fotomaske zu kompensieren. Zu diesen Korrekturstrukturen, die auch mehrstufig verwendet werden, gehören:
	* verlängerte Linienenden (engl.: {{lang\|en\|''line end extensions''}}), um Linienverkürzungen zu korrigieren		* verlängerte Linienenden (engl.: {{lang\|en\|''line end extensions''}}), um Linienverkürzungen zu korrigieren
	* teilweise verbreitete Linien (engl.: {{lang\|en\|''line end extensions''}}) zur Breitenkorrektur		* teilweise verbreitete Linien (engl.: {{lang\|en\|''line end extensions''}}) zur Breitenkorrektur