Multi-Chip-Modul - Versionsgeschichte

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	Ein klassisches '''Multi-Chip-Modul''' ('''MCM''', manchmal auch ''MCP'' von {{enS\|Multi Chip Package}}) besteht aus mehreren einzelnen [[Integrierter Schaltkreis\|Mikrochips]] (bzw. [[Die (Halbleitertechnik)\|Dies]]), die in einem gemeinsamen [[Chipgehäuse\|Gehäuse]] planar (''nebeneinander'') untergebracht sind und nach außen wie ein Chip aussehen, so funktionieren und eingesetzt werden. Von außen sind solche Chips also nicht direkt erkennbar, sondern sehen aus wie viele andere auch.		Ein klassisches '''Multi-Chip-Modul''' ('''MCM''', manchmal auch ''MCP'' von {{enS\|Multi Chip Package}}) besteht aus mehreren einzelnen [[Integrierter Schaltkreis\|Mikrochips]] (bzw. [[Die (Halbleitertechnik)\|Dies]]), die in einem gemeinsamen [[Chipgehäuse\|Gehäuse]] planar (''nebeneinander'') untergebracht sind und nach außen wie ein Chip aussehen, so funktionieren und eingesetzt werden. Von außen sind solche Chips also nicht direkt erkennbar, sondern sehen aus wie viele andere auch. Ein MCM ist ein Sonderfall einer elektronischen [[Flachbaugruppe]] (Kompaktbaugruppe).

	Heute bezeichnet man mit MCM auch Module, die neben [[Halbleiter]]-Dies auch [[Mikromechanik\|mikromechanische]] Elemente oder [[Elektrisches_Bauelement #Einteilung\|diskrete passive Bauelement]]e wie z. B. [[Kondensator (Elektrotechnik)\|Kondensatoren]] oder [[Widerstand (Bauelement)\|Widerstände]] in [[surface-mounted device\|SMD]]-Bauformen beinhalten. Solche MCM sowie MCM mit ''vertikal'' angeordneten Komponenten ''(s. u. Die-Stacking)'' entsprechen allerdings viel mehr den Merkmalen eines '''System-in-Package''' (s. u.).		Heute bezeichnet man mit MCM auch Module, die neben [[Halbleiter]]-Dies auch [[Mikromechanik\|mikromechanische]] Elemente oder [[Elektrisches_Bauelement #Einteilung\|diskrete passive Bauelement]]e wie z. B. [[Kondensator (Elektrotechnik)\|Kondensatoren]] oder [[Widerstand (Bauelement)\|Widerstände]] in [[surface-mounted device\|SMD]]-Bauformen beinhalten. Solche MCM sowie MCM mit ''vertikal'' angeordneten Komponenten ''(s. u. Die-Stacking)'' entsprechen allerdings viel mehr den Merkmalen eines '''System-in-Package''' (s. u.).

⚫	[[Datei:Package on Package (Side view).PNG\|mini\|Zwei gestapelte Chips A und B auf jeweils eigenem Substrat 1,<br />mit Lotperlen 2, zusammen auf einer Basisplatine 3]]

	Die Einzelchips können speziell für die Integration in einem MCM entworfen werden. Dann hat man es meistens mit Einzelchips in völlig verschiedenen [[Technologie]]n zu tun, die sich nicht einfach auf einen einzigen Die integrieren lassen. Beispiele sind:		Die Einzelchips können speziell für die Integration in einem MCM entworfen werden. Dann hat man es meistens mit Einzelchips in völlig verschiedenen [[Technologie]]n zu tun, die sich nicht einfach auf einen einzigen Die integrieren lassen. Beispiele sind:
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	Es können aber auch Chips verwendet werden, die sonst allein in Gehäuse eingebaut und verwendet werden. Dieser Fall tritt dann ein, wenn man für [[Kleinserie]]n oder einen Schnellschuss die Entwicklungszeit für einen komplett integrierten Chip einsparen will. Die [[elektrische Verbindung]] zu einem MCM lässt sich nämlich wesentlich schneller entwickeln als die einzelnen Verbindungen zu separaten Chips.		Es können aber auch Chips verwendet werden, die sonst allein in Gehäuse eingebaut und verwendet werden. Dieser Fall tritt dann ein, wenn man für [[Kleinserie]]n oder einen Schnellschuss die Entwicklungszeit für einen komplett integrierten Chip einsparen will. Die [[elektrische Verbindung]] zu einem MCM lässt sich nämlich wesentlich schneller entwickeln als die einzelnen Verbindungen zu separaten Chips.

		⚫	Zur Funktionalität ist es meistens erforderlich, die Einzelchips untereinander elektrisch zu verbinden. Dies geschieht auf die Arten, wie sie auch sonst in der [[Mikroelektronik]] eingesetzt werden: direktes [[Drahtbonden\|Bonden]] auf [[miniaturisierung\|miniaturisierten]] Schaltungsträger ([[Leadframe]]s, [[Substrat (Materialwissenschaft)\|Substrat]]e, [[Leiterplatte]]n).
⚫	[[Datei:Wireless TSV (model).PNG\|mini]]

⚫	Zur Funktionalität ist es meistens erforderlich, die Einzelchips untereinander elektrisch zu verbinden. Dies geschieht auf die Arten, wie sie auch sonst in der [[Mikroelektronik]] eingesetzt werden: direktes [[Drahtbonden\|Bonden]] auf [[miniaturisierung\|miniaturisierten]] Schaltungsträger ([[Leadframe]]s, [[Substrat (Materialwissenschaft)\|Substrat]]e, [[Leiterplatte]]n~~). Damit ist ein MCM ein Sonderfall einer elektronischen [[Flachbaugruppe]] (Kompaktbaugruppe~~).

	Ein weiteres wichtiges Montage-Verfahren ist z. B. [[Flip Chip]].		Ein weiteres wichtiges Montage-Verfahren ist z. B. [[Flip Chip]].

⚫	Damit das komplette Bauteil bei gestapelten Dies nicht zu hoch wird, werden die Dies vorher manchmal mit einigem Aufwand dünn [[Schleifen (Fertigungsverfahren)\|geschliffen]]. Anschließend werden sie wie gewöhnliche Chips vergossen, zu den externen Pins gebondet und in ein Gehäuse verpackt.

	Eine neue Methode, gestapelte Dies untereinander zu verbinden, nennt sich TSV (für ''[[Silizium-Durchkontaktierung\|Through-Silicon-Vias]]''). Dabei werden die Die-Lagen wie bei [[Multilayer]]-Leiterplatten durch Löcher [[Elektrischer Kontakt\|kontaktiert]]. Zu viele Dies kann man aber nicht direkt übereinander stapeln, da es sonst zu [[Überhitzung]]sproblemen wegen der schwierigeren [[Wärmetransport\|Wärmeabfuhr]] kommt.

	== System-in-Package ==		== System-in-Package ==
	System-in-Package (SiP) ist ein [[Integration (Technik)\|Integrationsansatz]] in der [[Mikroelektronik]], der sich technisch befindet		System-in-Package (SiP) ist ein [[Integration (Technik)\|Integrationsansatz]] in der Mikroelektronik, der sich technisch befindet
	* zwischen der [[Mikroelektronik #Integrierte Schaltkreise\|monolithischen]] ''On-Chip''-Integration ({{lang\|en\|[[System-on-a-Chip]]}}, SoC) auf einem [[Die ~~(Halbleitertechnik)\|Die]]~~ (ungehauster [[Halbleiter]]-Chip) und		* zwischen der [[Mikroelektronik #Integrierte Schaltkreise\|monolithischen]] ''On-Chip''-Integration ({{lang\|en\|[[System-on-a-Chip]]}}, SoC) auf einem Die (ungehauster Halbleiter-Chip) und
	* der ''On-Board''-Integration [[Elektrisches_Bauelement #Diskrete_und_integrierte_Bauelemente\|diskreter Bauelemente]] auf einer [[Leiterplatte]] (PCB) bzw. auf einem Multi-Chip-Modul (MCM).		* der ''On-Board''-Integration [[Elektrisches_Bauelement #Diskrete_und_integrierte_Bauelemente\|diskreter Bauelemente]] auf einer [[Leiterplatte]] (PCB) bzw. auf einem Multi-Chip-Modul (MCM).
	Dabei werden [[Elektrisches_Bauelement #Aktive_und_passive_Bauelemente\|aktive und passive Bauelemente]] sowie weitere Komponenten mittels [[Mikrosystemtechnik\|Mikrosystemtechnologien]] in einem Gehäuse (genannt [[Chipgehäuse\|IC-Package]]) mittels der [[Aufbau- und Verbindungstechnik]] vereint.		Dabei werden [[Elektrisches_Bauelement #Aktive_und_passive_Bauelemente\|aktive und passive Bauelemente]] sowie weitere Komponenten mittels [[Mikrosystemtechnik\|Mikrosystemtechnologien]] in einem gemeinsamen Gehäuse (genannt [[Chipgehäuse\|IC-Package]]) mittels der [[Aufbau- und Verbindungstechnik]] vereint. Im Unterschied zu den bereits seit langem hergestellten Multi-Chip-Modulen, die planar (also zweidimensional) aufgebaut sind, lässt sich in einem SiP auch die vertikale Integration von Komponenten realisieren (3D-, [[2,5D-SiP]]).
		⚫	[[Datei:Package on Package (Side view).PNG\|mini\|Zwei gestapelte Chips A und B auf jeweils eigenem Substrat 1,<br />mit Lotperlen 2, zusammen auf einer Basisplatine 3]]
		⚫	Mit SiP im Aufbau verwandt sind die [[Package-on-Package]]-Systeme (PoP), in welchen verschiedene Halbleiter-Chips ''mit ihren einzelnen Gehäusen'' übereinander verbaut werden.<ref name="Fischbach">{{Literatur \|Autor=R. Fischbach, et al. \|Titel=From 3D Circuit Technologies and Data Structures to Interconnect Prediction \|Sammelwerk=Proc. of 2009 Int. Workshop on System Level Interconnect Prediction (SLIP) \|Datum=2009 \|Seiten=77–83 \|Online=[https://www.ifte.de/mitarbeiter/lienig/SLIP2009_pp77-84.pdf PDF] \|DOI=10.1145/1572471.1572485}}</ref>
		⚫	[[Datei:Wireless TSV (model).PNG\|mini]]
		⚫	Bei SIP werden die elektrischen Verbindungen zwischen den einzelnen Dies ausgeführt wahlweise durch [[Chipbonden\|Bonddrähte]], als leitfähige [[Dünnschicht]]en an den Seitenkanten der Dies oder als [[Silizium-Durchkontaktierung\|Durchkontaktierung des Dies]] ({{enS\|through-silicon via}}, TSV für ''Through-Silicon-Vias'').<ref name="LieDie">J. Lienig, M. Dietrich (Hrsg.): ''Entwurf integrierter 3D-Systeme der Elektronik.'' Springer, 2012, ISBN 978-3-642-30571-9, S. 10–11, [[doi:10.1007/978-3-642-30572-6]].</ref> Letzteres ist eine neue Methode, gestapelte Dies untereinander zu verbinden. Dabei werden die Die-Lagen wie bei [[Multilayer]]-Leiterplatten durch Löcher [[Elektrischer Kontakt\|kontaktiert]].

			Zu viele Dies kann man aber nicht direkt übereinander stapeln, da es sonst zu [[Überhitzung]]sproblemen wegen der schwierigeren [[Wärmetransport\|Wärmeabfuhr]] kommt.
⚫	Mit SiP im Aufbau verwandt sind die [[Package-on-Package]]-Systeme (PoP), in welchen verschiedene Halbleiter-Chips übereinander ~~vereint~~ werden.<ref name="Fischbach">{{Literatur \|Autor=R. Fischbach, et al. \|Titel=From 3D Circuit Technologies and Data Structures to Interconnect Prediction \|Sammelwerk=Proc. of 2009 Int. Workshop on System Level Interconnect Prediction (SLIP) \|Datum=2009 \|Seiten=77–83 \|Online=[https://www.ifte.de/mitarbeiter/lienig/SLIP2009_pp77-84.pdf PDF] \|DOI=10.1145/1572471.1572485}}</ref>

		⚫	Damit das komplette Bauteil bei gestapelten Dies nicht zu hoch wird, werden die Dies vorher manchmal mit einigem Aufwand dünn [[Schleifen (Fertigungsverfahren)\|geschliffen]]. Anschließend werden sie wie gewöhnliche Chips vergossen, zu den externen [[Chipgehäuse #Pins\|Pins]] gebondet und in ein Gehäuse verpackt.
⚫	Im Unterschied zu den bereits seit langem hergestellten Multi-Chip-Modulen, die planar (also zweidimensional) aufgebaut sind und somit zu den elektronischen [[Flachbaugruppe]]n gehören, lässt sich in einem ~~SiP~~ ~~auch~~ die ~~vertikale Integration von Komponenten realisieren (3D, [[2,5D SiP]]). Die~~ elektrischen Verbindungen zwischen den einzelnen Dies ~~werden~~ ausgeführt wahlweise durch [[Chipbonden\|Bonddrähte]], als leitfähige [[Dünnschicht]]en an Seitenkanten der Dies oder als [[Silizium-Durchkontaktierung\|Durchkontaktierung des Dies]] ({{enS\|through-silicon via}}, TSV).<ref name="LieDie">J. Lienig, M. Dietrich (Hrsg.): ''Entwurf integrierter 3D-Systeme der Elektronik.'' Springer, 2012, ISBN 978-3-642-30571-9, S. 10–11, [[doi:10.1007/978-3-642-30572-6]].</ref>

	SoC und SiP sind zwei wichtige Herstellungsverfahren für komplexe integrierte Halbleiterbausteine. Beim SiP können Dies verwendet werden, die auf unterschiedlichen [[Werkstoff\|Materialien]] basieren oder mit verschiedenen [[Prozessstruktur]]en hergestellt wurden. Zusätzlich lassen sich in einem SiP diskrete periphere Bauteile mit im Gehäuse integrieren. Beim SiP ist die Herstellung (das ''Packaging'') kostenintensiver als beim SoC, während eine komplette Integration aller Funktionalitäten auf einem Chip meist teurer ist.<ref name="Fischbach" /> Welche Variante günstiger ist, hängt sehr von der Funktionalität der Schaltung ab.		SoC und SiP sind zwei wichtige Herstellungsverfahren für komplexe integrierte Halbleiterbausteine. Beim SiP können Dies verwendet werden, die auf unterschiedlichen [[Werkstoff\|Materialien]] basieren oder mit verschiedenen [[Prozessstruktur]]en hergestellt wurden. Zusätzlich lassen sich in einem SiP diskrete periphere Bauteile mit im Gehäuse integrieren. Beim SiP ist die Herstellung (das ''Packaging'') kostenintensiver als beim SoC, während eine komplette Integration aller Funktionalitäten auf einem Chip meist teurer ist.<ref name="Fischbach" /> Welche Variante günstiger ist, hängt sehr von der Funktionalität der Schaltung ab.
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	== Siehe auch ==		== Siehe auch ==
	* [[Dickschicht-Hybridtechnik]]		* [[Dickschicht-Hybridtechnik]]
	* [[Flip-Chip-Montage]]

	== Weblinks ==		== Weblinks ==

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	Mit SiP im Aufbau verwandt sind die [[Package-on-Package]]-Systeme (PoP), in welchen verschiedene Halbleiter-Chips übereinander vereint werden.<ref name="Fischbach">{{Literatur \|Autor=R. Fischbach, et al. \|Titel=From 3D Circuit Technologies and Data Structures to Interconnect Prediction \|Sammelwerk=Proc. of 2009 Int. Workshop on System Level Interconnect Prediction (SLIP) \|Datum=2009 \|Seiten=77–83 \|Online=[https://www.ifte.de/mitarbeiter/lienig/SLIP2009_pp77-84.pdf PDF] \|DOI=10.1145/1572471.1572485}}</ref>		Mit SiP im Aufbau verwandt sind die [[Package-on-Package]]-Systeme (PoP), in welchen verschiedene Halbleiter-Chips übereinander vereint werden.<ref name="Fischbach">{{Literatur \|Autor=R. Fischbach, et al. \|Titel=From 3D Circuit Technologies and Data Structures to Interconnect Prediction \|Sammelwerk=Proc. of 2009 Int. Workshop on System Level Interconnect Prediction (SLIP) \|Datum=2009 \|Seiten=77–83 \|Online=[https://www.ifte.de/mitarbeiter/lienig/SLIP2009_pp77-84.pdf PDF] \|DOI=10.1145/1572471.1572485}}</ref>

	Im Unterschied zu den bereits seit langem hergestellten Multi-Chip-Modulen, die planar (also zweidimensional) aufgebaut sind und somit zu den elektronischen [[Flachbaugruppe]]n gehören, lässt sich in einem SiP auch die vertikale Integration von Komponenten realisieren (3D, [[2,5D SiP]]). Die elektrischen Verbindungen zwischen den einzelnen Dies werden ausgeführt wahlweise durch [[Chipbonden\|Bonddrähte]], als leitfähige [[Dünnschicht]]en an Seitenkanten der Dies oder als [[Silizium-Durchkontaktierung\|Durchkontaktierung]] des Dies ({{enS\|through-silicon via}}, TSV).<ref name="LieDie">J. Lienig, M. Dietrich (Hrsg.): ''Entwurf integrierter 3D-Systeme der Elektronik.'' Springer, 2012, ISBN 978-3-642-30571-9, S. 10–11, [[doi:10.1007/978-3-642-30572-6]].</ref>		Im Unterschied zu den bereits seit langem hergestellten Multi-Chip-Modulen, die planar (also zweidimensional) aufgebaut sind und somit zu den elektronischen [[Flachbaugruppe]]n gehören, lässt sich in einem SiP auch die vertikale Integration von Komponenten realisieren (3D, [[2,5D SiP]]). Die elektrischen Verbindungen zwischen den einzelnen Dies werden ausgeführt wahlweise durch [[Chipbonden\|Bonddrähte]], als leitfähige [[Dünnschicht]]en an Seitenkanten der Dies oder als [[Silizium-Durchkontaktierung\|Durchkontaktierung des Dies]] ({{enS\|through-silicon via}}, TSV).<ref name="LieDie">J. Lienig, M. Dietrich (Hrsg.): ''Entwurf integrierter 3D-Systeme der Elektronik.'' Springer, 2012, ISBN 978-3-642-30571-9, S. 10–11, [[doi:10.1007/978-3-642-30572-6]].</ref>

	SoC und SiP sind zwei wichtige Herstellungsverfahren für komplexe integrierte Halbleiterbausteine. Beim SiP können Dies verwendet werden, die auf unterschiedlichen [[Werkstoff\|Materialien]] basieren oder mit verschiedenen [[Prozessstruktur]]en hergestellt wurden. Zusätzlich lassen sich in einem SiP diskrete periphere Bauteile mit im Gehäuse integrieren. Beim SiP ist die Herstellung (das ''Packaging'') kostenintensiver als beim SoC, während eine komplette Integration aller Funktionalitäten auf einem Chip meist teurer ist.<ref name="Fischbach" /> Welche Variante günstiger ist, hängt sehr von der Funktionalität der Schaltung ab.		SoC und SiP sind zwei wichtige Herstellungsverfahren für komplexe integrierte Halbleiterbausteine. Beim SiP können Dies verwendet werden, die auf unterschiedlichen [[Werkstoff\|Materialien]] basieren oder mit verschiedenen [[Prozessstruktur]]en hergestellt wurden. Zusätzlich lassen sich in einem SiP diskrete periphere Bauteile mit im Gehäuse integrieren. Beim SiP ist die Herstellung (das ''Packaging'') kostenintensiver als beim SoC, während eine komplette Integration aller Funktionalitäten auf einem Chip meist teurer ist.<ref name="Fischbach" /> Welche Variante günstiger ist, hängt sehr von der Funktionalität der Schaltung ab.

Acky69: zus. Links, redundanter Satz raus, Ausdruck

2024-11-21T20:14:07Z

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	Ein klassisches '''Multi-Chip-Modul''' ('''MCM''', manchmal auch ''MCP'' von {{enS\|Multi Chip Package}}) besteht aus mehreren einzelnen [[Integrierter Schaltkreis\|Mikrochips]] (bzw. [[Die (Halbleitertechnik)\|Dies]]), die in einem gemeinsamen Gehäuse planar (nebeneinander) untergebracht sind und nach außen wie ein Chip aussehen, so funktionieren und eingesetzt werden. Von außen sind solche Chips also nicht direkt erkennbar, sondern sehen aus wie viele andere auch. Heute wendet man die Bezeichnung MCM auch auf die Module an, die neben Halbleiter-[[Die (Halbleitertechnik)\|Dies]] [[Mikromechanik\|mikromechanische]] Elemente oder auch diskrete passive Bauelemente wie z. B. [[Kondensator (Elektrotechnik)\|Kondensatoren]] oder [[Widerstand (Bauelement)\|Widerstände]] in SMD-Bauformen ''(s. dazu [[surface-mounted device]])'' beinhalten. Solche MCM sowie MCM mit vertikal angeordneten Komponenten ''(s. u. Die-Stacking)'' entsprechen viel mehr den Merkmalen eines '''System-in-Package'''.		Ein klassisches '''Multi-Chip-Modul''' ('''MCM''', manchmal auch ''MCP'' von {{enS\|Multi Chip Package}}) besteht aus mehreren einzelnen [[Integrierter Schaltkreis\|Mikrochips]] (bzw. [[Die (Halbleitertechnik)\|Dies]]), die in einem gemeinsamen [[Chipgehäuse\|Gehäuse]] planar (''nebeneinander'') untergebracht sind und nach außen wie ein Chip aussehen, so funktionieren und eingesetzt werden. Von außen sind solche Chips also nicht direkt erkennbar, sondern sehen aus wie viele andere auch.

			Heute bezeichnet man mit MCM auch Module, die neben [[Halbleiter]]-Dies auch [[Mikromechanik\|mikromechanische]] Elemente oder [[Elektrisches_Bauelement #Einteilung\|diskrete passive Bauelement]]e wie z. B. [[Kondensator (Elektrotechnik)\|Kondensatoren]] oder [[Widerstand (Bauelement)\|Widerstände]] in [[surface-mounted device\|SMD]]-Bauformen beinhalten. Solche MCM sowie MCM mit ''vertikal'' angeordneten Komponenten ''(s. u. Die-Stacking)'' entsprechen allerdings viel mehr den Merkmalen eines '''System-in-Package''' (s. u.).
⚫	[[Datei:Package on Package (Side view).PNG\|mini\|Zwei gestapelte Chips A und B auf jeweils eigenem Substrat 1, mit Lotperlen 2, zusammen auf einer Basisplatine 3]]

		⚫	[[Datei:Package on Package (Side view).PNG\|mini\|Zwei gestapelte Chips A und B auf jeweils eigenem Substrat 1,<br />mit Lotperlen 2, zusammen auf einer Basisplatine 3]]
	Die Einzelchips können speziell für die Integration in einem MCM entworfen werden. Dann hat man es meistens mit Einzelchips in völlig verschiedenen Technologien zu tun, die sich nicht einfach auf einen einzigen Die integrieren lassen. Beispiele sind hier vor allem digitale [[Mikrocontroller]] und ihre [[Analogtechnik\|analogen]] [[Peripheriegerät\|Peripheriebausteine]] und/oder [[Flash-Speicher]], manchmal auch [[Mikroprozessor]]kerne und ihre sonst externen [[Cache]]-Bausteine, schließlich in [[Mobiltelefon\|Handys]] die Kombination von Prozessor, [[Halbleiterspeicher\|SRAM]]- und Flash-Speicher. Im Bereich der intelligenten Sensorik (wie [[Drucksensor]]en) werden z. B. Auswerte-Chip und Mikromechanik in ein Gehäuse verpackt. Diese Vorgehensweise stellt in der Regel eine preiswertere Alternative zur monolithischen Integration aller Bausteine in einem Halbleiter dar ''(siehe dazu „[[System on a Chip]]“)''.

			Die Einzelchips können speziell für die Integration in einem MCM entworfen werden. Dann hat man es meistens mit Einzelchips in völlig verschiedenen [[Technologie]]n zu tun, die sich nicht einfach auf einen einzigen Die integrieren lassen. Beispiele sind:
⚫	Es können aber auch Chips verwendet werden, die sonst allein in Gehäuse eingebaut und verwendet werden. Dieser Fall tritt dann ein, wenn man für ~~kleine Serien~~ oder einen Schnellschuss die Entwicklungszeit für einen komplett integrierten Chip einsparen will. Die Verbindung zu einem MCM lässt sich wesentlich schneller entwickeln.
			* vor allem digitale [[Mikrocontroller]] und ihre [[Analogtechnik\|analogen]] [[Peripheriegerät\|Peripheriebausteine]] und/oder [[Flash-Speicher]]
			* manchmal auch [[Mikroprozessor]][[Prozessorkern\|kerne]] und ihre sonst externen [[Cache]]-Bausteine
			* in [[Mobiltelefon\|Handys]] die Kombination von Prozessor, [[Halbleiterspeicher\|SRAM]]- und Flash-Speicher
			* im Bereich der [[Smart-Sensor\|intelligenten Sensorik]] (wie [[Drucksensor]]en) Auswerte-Chip und [[Mikromechanik]].

			Diese Vorgehensweise ist in der Regel preiswerter als die [[System on a Chip\|monolithische Integration aller Bausteine in einem Halbleiter]].

		⚫	Es können aber auch Chips verwendet werden, die sonst allein in Gehäuse eingebaut und verwendet werden. Dieser Fall tritt dann ein, wenn man für [[Kleinserie]]n oder einen Schnellschuss die Entwicklungszeit für einen komplett integrierten Chip einsparen will. Die [[elektrische Verbindung]] zu einem MCM lässt sich nämlich wesentlich schneller entwickeln als die einzelnen Verbindungen zu separaten Chips.

	[[Datei:Wireless TSV (model).PNG\|mini]]		[[Datei:Wireless TSV (model).PNG\|mini]]

	Zur Funktionalität ist es meistens erforderlich, die Einzelchips untereinander elektrisch zu verbinden. Dies geschieht auf die Arten, wie sie auch sonst in der [[Mikroelektronik]] eingesetzt werden: direktes [[Drahtbonden\|Bonden]] auf miniaturisierten Schaltungsträger (~~Leadframes~~, ~~Substrate~~, [[Leiterplatte]]n). Damit ~~stellt~~ ein MCM ein Sonderfall einer elektronischen [[Flachbaugruppe]] (Kompaktbaugruppe) ~~dar~~. Ein weiteres wichtiges Montage-Verfahren ist ~~dabei~~ z. B. [[Flip Chip]].		Zur Funktionalität ist es meistens erforderlich, die Einzelchips untereinander elektrisch zu verbinden. Dies geschieht auf die Arten, wie sie auch sonst in der [[Mikroelektronik]] eingesetzt werden: direktes [[Drahtbonden\|Bonden]] auf [[miniaturisierung\|miniaturisierten]] Schaltungsträger ([[Leadframe]]s, [[Substrat (Materialwissenschaft)\|Substrat]]e, [[Leiterplatte]]n). Damit ist ein MCM ein Sonderfall einer elektronischen [[Flachbaugruppe]] (Kompaktbaugruppe).

			Ein weiteres wichtiges Montage-Verfahren ist z. B. [[Flip Chip]].

			Damit das komplette Bauteil bei gestapelten Dies nicht zu hoch wird, werden die Dies vorher manchmal mit einigem Aufwand dünn [[Schleifen (Fertigungsverfahren)\|geschliffen]]. Anschließend werden sie wie gewöhnliche Chips vergossen, zu den externen Pins gebondet und in ein Gehäuse verpackt.

	Sind mehrere Chips die ein Gesamtsystem darstellen auf einem einzelnen Substrat, spricht man von '''System-in-Package''' (SiP). Damit das komplette Bauteil bei gestapelten Dies nicht zu hoch wird, werden die Dies vorher manchmal mit einigem Aufwand dünn geschliffen. Anschließend werden sie wie gewöhnliche Chips vergossen, zu den externen Pins gebondet und in ein Gehäuse verpackt. Eine neue Methode, gestapelte Dies untereinander zu verbinden, nennt sich TSV (für ''[[Silizium-Durchkontaktierung\|Through-Silicon-Vias]]''). Dabei werden die Die-Lagen wie bei Multilayer-Leiterplatten durch Löcher kontaktiert. Zu viele Dies kann man aber nicht direkt übereinander stapeln, da es sonst zu ~~Überhitzungsproblemen~~ wegen der schwierigeren Wärmeabfuhr kommt.		Eine neue Methode, gestapelte Dies untereinander zu verbinden, nennt sich TSV (für ''[[Silizium-Durchkontaktierung\|Through-Silicon-Vias]]''). Dabei werden die Die-Lagen wie bei [[Multilayer]]-Leiterplatten durch Löcher [[Elektrischer Kontakt\|kontaktiert]]. Zu viele Dies kann man aber nicht direkt übereinander stapeln, da es sonst zu [[Überhitzung]]sproblemen wegen der schwierigeren [[Wärmetransport\|Wärmeabfuhr]] kommt.

	== System-in-Package ==		== System-in-Package ==

Acky69: /* System-in-Package */ zus. Links, übersichtlicher

2024-11-21T19:33:42Z

System-in-Package: zus. Links, übersichtlicher

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	== System-in-Package ==		== System-in-Package ==
			System-in-Package (SiP) ist ein [[Integration (Technik)\|Integrationsansatz]] in der [[Mikroelektronik]], der sich technisch befindet
⚫	System-in-Package (SiP) ist ein [[Integration (Technik)\|Integrationsansatz]] in der [[Mikroelektronik]], der sich technisch zwischen der [[Mikroelektronik#Integrierte Schaltkreise\|monolithischen]] On-Chip-Integration ({{lang\|en\|[[System-on-a-Chip]]}}, SoC) auf einem [[Die (Halbleitertechnik)\|Die]] (ungehauster Halbleiter-Chip) und der On-Board-Integration diskreter Bauelemente auf einer [[Leiterplatte]] (PCB) bzw. auf einem Multi-Chip-Modul (MCM) befindet. Dabei werden passive und aktive Bauelemente sowie weitere Komponenten mittels [[Mikrosystemtechnik\|Mikrosystemtechnologien]] in einem Gehäuse (genannt [[Chipgehäuse\|IC-Package]]) mittels der [[Aufbau- und Verbindungstechnik]] vereint. Mit SiP im Aufbau verwandt sind die [[Package-on-Package]] (PoP), in welchen verschiedene Halbleiter-Chips übereinander vereint werden.<ref name="Fischbach">{{Literatur \|Autor=R. Fischbach, et al. \|Titel=From 3D Circuit Technologies and Data Structures to Interconnect Prediction \|Sammelwerk=Proc. of 2009 Int. Workshop on System Level Interconnect Prediction (SLIP) \|Datum=2009 \|Seiten=77–83 \|Online=[https://www.ifte.de/mitarbeiter/lienig/SLIP2009_pp77-84.pdf PDF] \|DOI=10.1145/1572471.1572485}}</ref>
			* zwischen der [[Mikroelektronik #Integrierte Schaltkreise\|monolithischen]] ''On-Chip''-Integration ({{lang\|en\|[[System-on-a-Chip]]}}, SoC) auf einem [[Die (Halbleitertechnik)\|Die]] (ungehauster [[Halbleiter]]-Chip) und
			* der ''On-Board''-Integration [[Elektrisches_Bauelement #Diskrete_und_integrierte_Bauelemente\|diskreter Bauelemente]] auf einer [[Leiterplatte]] (PCB) bzw. auf einem Multi-Chip-Modul (MCM).
			Dabei werden [[Elektrisches_Bauelement #Aktive_und_passive_Bauelemente\|aktive und passive Bauelemente]] sowie weitere Komponenten mittels [[Mikrosystemtechnik\|Mikrosystemtechnologien]] in einem Gehäuse (genannt [[Chipgehäuse\|IC-Package]]) mittels der [[Aufbau- und Verbindungstechnik]] vereint.

		⚫	Mit SiP im Aufbau verwandt sind die [[Package-on-Package]]-Systeme (PoP), in welchen verschiedene Halbleiter-Chips übereinander vereint werden.<ref name="Fischbach">{{Literatur \|Autor=R. Fischbach, et al. \|Titel=From 3D Circuit Technologies and Data Structures to Interconnect Prediction \|Sammelwerk=Proc. of 2009 Int. Workshop on System Level Interconnect Prediction (SLIP) \|Datum=2009 \|Seiten=77–83 \|Online=[https://www.ifte.de/mitarbeiter/lienig/SLIP2009_pp77-84.pdf PDF] \|DOI=10.1145/1572471.1572485}}</ref>
⚫	Im Unterschied zu den bereits seit langem hergestellten Multi-Chip-Modulen, die planar (also zweidimensional) aufgebaut sind und somit zu den elektronischen [[Flachbaugruppe]]n gehören, lässt sich in einem SiP auch die vertikale Integration von Komponenten realisieren (3D, [[2,5D SiP]]). Die elektrischen Verbindungen zwischen den einzelnen Dies werden wahlweise durch [[Chipbonden\|Bonddrähte]], als leitfähige ~~Dünnschichten~~ an Seitenkanten der Dies oder als [[Silizium-Durchkontaktierung\|Durchkontaktierung]] des Dies ({{enS\|through-silicon via}}, TSV) ~~ausgeführt~~.<ref name="LieDie">J. Lienig, M. Dietrich (Hrsg.): ''Entwurf integrierter 3D-Systeme der Elektronik.'' Springer, 2012, ISBN 978-3-642-30571-9, S. 10–11, [[doi:10.1007/978-3-642-30572-6]].</ref>

		⚫	Im Unterschied zu den bereits seit langem hergestellten Multi-Chip-Modulen, die planar (also zweidimensional) aufgebaut sind und somit zu den elektronischen [[Flachbaugruppe]]n gehören, lässt sich in einem SiP auch die vertikale Integration von Komponenten realisieren (3D, [[2,5D SiP]]). Die elektrischen Verbindungen zwischen den einzelnen Dies werden ausgeführt wahlweise durch [[Chipbonden\|Bonddrähte]], als leitfähige [[Dünnschicht]]en an Seitenkanten der Dies oder als [[Silizium-Durchkontaktierung\|Durchkontaktierung]] des Dies ({{enS\|through-silicon via}}, TSV).<ref name="LieDie">J. Lienig, M. Dietrich (Hrsg.): ''Entwurf integrierter 3D-Systeme der Elektronik.'' Springer, 2012, ISBN 978-3-642-30571-9, S. 10–11, [[doi:10.1007/978-3-642-30572-6]].</ref>
⚫	SoC und SiP ~~stellen~~ zwei wichtige Herstellungsverfahren für komplexe integrierte Halbleiterbausteine ~~dar~~. Beim SiP können Dies verwendet werden, die auf unterschiedlichen Materialien basieren oder mit verschiedenen ~~Prozessstrukturen~~ hergestellt wurden. Zusätzlich lassen sich in einem SiP diskrete periphere Bauteile mit im Gehäuse integrieren. Beim SiP ist die Herstellung (Packaging) kostenintensiver als beim SoC, während eine komplette Integration aller Funktionalitäten auf einem Chip meist teurer ist.<ref name="Fischbach" /> Welche Variante günstiger ist, hängt sehr von der Funktionalität der Schaltung ab.

		⚫	SoC und SiP sind zwei wichtige Herstellungsverfahren für komplexe integrierte Halbleiterbausteine. Beim SiP können Dies verwendet werden, die auf unterschiedlichen [[Werkstoff\|Materialien]] basieren oder mit verschiedenen [[Prozessstruktur]]en hergestellt wurden. Zusätzlich lassen sich in einem SiP diskrete periphere Bauteile mit im Gehäuse integrieren. Beim SiP ist die Herstellung (das ''Packaging'') kostenintensiver als beim SoC, während eine komplette Integration aller Funktionalitäten auf einem Chip meist teurer ist.<ref name="Fischbach" /> Welche Variante günstiger ist, hängt sehr von der Funktionalität der Schaltung ab.
⚫	Zum Entwerfen von SiPs gibt es Design-Software von den großen [[Electronic Design Automation\|EDA]]-Anbietern. Bei der SiP ist es ökonomisch sinnvoll, mittels [[Known Good Die\|Known-Good-Die-Tests]] die Fehlerfreiheit der Chips bereits vor der Integration zu prüfen.

		⚫	Zum Entwerfen von SiPs gibt es Design-Software von den großen [[Electronic Design Automation\|EDA]]-Anbietern. Bei der SiP ist es [[Wirtschaftlichkeit\|ökonomisch]] sinnvoll, mittels [[Known Good Die\|Known-Good-Die-Tests]] die Fehlerfreiheit der Chips bereits vor der Integration zu prüfen.

	== Siehe auch ==		== Siehe auch ==

Suit am 10. November 2023 um 09:44 Uhr

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	Zur Funktionalität ist es meistens erforderlich, die Einzelchips untereinander elektrisch zu verbinden. Dies geschieht auf die Arten, wie sie auch sonst in der [[Mikroelektronik]] eingesetzt werden: direktes [[Drahtbonden\|Bonden]] auf miniaturisierten Schaltungsträger (Leadframes, Substrate, [[Leiterplatte]]n). Damit stellt ein MCM ein Sonderfall einer elektronischen [[Flachbaugruppe]] (Kompaktbaugruppe) dar. Ein weiteres wichtiges Montage-Verfahren ist dabei z. B. [[Flip Chip]].		Zur Funktionalität ist es meistens erforderlich, die Einzelchips untereinander elektrisch zu verbinden. Dies geschieht auf die Arten, wie sie auch sonst in der [[Mikroelektronik]] eingesetzt werden: direktes [[Drahtbonden\|Bonden]] auf miniaturisierten Schaltungsträger (Leadframes, Substrate, [[Leiterplatte]]n). Damit stellt ein MCM ein Sonderfall einer elektronischen [[Flachbaugruppe]] (Kompaktbaugruppe) dar. Ein weiteres wichtiges Montage-Verfahren ist dabei z. B. [[Flip Chip]].

	~~Stapelt man~~ mehrere Chips ~~übereinander~~, spricht man von ~~''Die-Stacking'' oder einem~~ '''System-in-Package''' (SiP). Damit das komplette Bauteil bei gestapelten Dies nicht zu hoch wird, werden die Dies vorher manchmal mit einigem Aufwand dünn geschliffen. Anschließend werden sie wie gewöhnliche Chips vergossen, zu den externen Pins gebondet und in ein Gehäuse verpackt. Eine neue Methode, gestapelte Dies untereinander zu verbinden, nennt sich TSV (für ''[[Silizium-Durchkontaktierung\|Through-Silicon-Vias]]''). Dabei werden die Die-Lagen wie bei Multilayer-Leiterplatten durch Löcher kontaktiert. Zu viele Dies kann man aber nicht direkt übereinander stapeln, da es sonst zu Überhitzungsproblemen wegen der schwierigeren Wärmeabfuhr kommt.		Sind mehrere Chips die ein Gesamtsystem darstellen auf einem einzelnen Substrat, spricht man von '''System-in-Package''' (SiP). Damit das komplette Bauteil bei gestapelten Dies nicht zu hoch wird, werden die Dies vorher manchmal mit einigem Aufwand dünn geschliffen. Anschließend werden sie wie gewöhnliche Chips vergossen, zu den externen Pins gebondet und in ein Gehäuse verpackt. Eine neue Methode, gestapelte Dies untereinander zu verbinden, nennt sich TSV (für ''[[Silizium-Durchkontaktierung\|Through-Silicon-Vias]]''). Dabei werden die Die-Lagen wie bei Multilayer-Leiterplatten durch Löcher kontaktiert. Zu viele Dies kann man aber nicht direkt übereinander stapeln, da es sonst zu Überhitzungsproblemen wegen der schwierigeren Wärmeabfuhr kommt.

	== System-in-Package ==		== System-in-Package ==

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2022-11-27T13:44:49Z

Wird aktuell in diesem Artikel behandelt und ist auch eine Weiterleitung hierher

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	Ein klassisches '''Multi-Chip-Modul''' ('''MCM''', manchmal auch ''MCP'' von {{enS\|Multi Chip Package}}) besteht aus mehreren einzelnen [[Integrierter Schaltkreis\|Mikrochips]] (bzw. [[Die (Halbleitertechnik)\|Dies]]), die in einem gemeinsamen Gehäuse planar (nebeneinander) untergebracht sind und nach außen wie ein Chip aussehen, so funktionieren und eingesetzt werden. Von außen sind solche Chips also nicht direkt erkennbar, sondern sehen aus wie viele andere auch. Heute wendet man die Bezeichnung MCM auch auf die Module an, die neben Halbleiter-[[Die (Halbleitertechnik)\|Dies]] [[Mikromechanik\|mikromechanische]] Elemente oder auch diskrete passive Bauelemente wie z. B. [[Kondensator (Elektrotechnik)\|Kondensatoren]] oder [[Widerstand (Bauelement)\|Widerstände]] in SMD-Bauformen ''(s. dazu [[surface-mounted device]])'' beinhalten. Solche MCM sowie MCM mit vertikal angeordneten Komponenten ''(s. u. Die-Stacking)'' entsprechen viel mehr den Merkmalen eines ~~System-in-Package~~ ''~~(s. dazu „[[~~System-in-Package~~]]“)~~''.		Ein klassisches '''Multi-Chip-Modul''' ('''MCM''', manchmal auch ''MCP'' von {{enS\|Multi Chip Package}}) besteht aus mehreren einzelnen [[Integrierter Schaltkreis\|Mikrochips]] (bzw. [[Die (Halbleitertechnik)\|Dies]]), die in einem gemeinsamen Gehäuse planar (nebeneinander) untergebracht sind und nach außen wie ein Chip aussehen, so funktionieren und eingesetzt werden. Von außen sind solche Chips also nicht direkt erkennbar, sondern sehen aus wie viele andere auch. Heute wendet man die Bezeichnung MCM auch auf die Module an, die neben Halbleiter-[[Die (Halbleitertechnik)\|Dies]] [[Mikromechanik\|mikromechanische]] Elemente oder auch diskrete passive Bauelemente wie z. B. [[Kondensator (Elektrotechnik)\|Kondensatoren]] oder [[Widerstand (Bauelement)\|Widerstände]] in SMD-Bauformen ''(s. dazu [[surface-mounted device]])'' beinhalten. Solche MCM sowie MCM mit vertikal angeordneten Komponenten ''(s. u. Die-Stacking)'' entsprechen viel mehr den Merkmalen eines '''System-in-Package'''.

	[[Datei:Package on Package (Side view).PNG\|mini\|Zwei gestapelte Chips A und B auf jeweils eigenem Substrat 1, mit Lotperlen 2, zusammen auf einer Basisplatine 3]]		[[Datei:Package on Package (Side view).PNG\|mini\|Zwei gestapelte Chips A und B auf jeweils eigenem Substrat 1, mit Lotperlen 2, zusammen auf einer Basisplatine 3]]

Gregor Hagedorn: Siehe üblicher deutscher Plural im verlinkten Artikel

2021-09-21T11:36:07Z

Siehe üblicher deutscher Plural im verlinkten Artikel

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	Ein klassisches '''Multi-Chip-Modul''' ('''MCM''', manchmal auch ''MCP'' von {{enS\|Multi Chip Package}}) besteht aus mehreren einzelnen [[Integrierter Schaltkreis\|Mikrochips]] (bzw. [[Die (Halbleitertechnik)\|~~Dice~~]]), die in einem gemeinsamen Gehäuse planar (nebeneinander) untergebracht sind und nach außen wie ein Chip aussehen, so funktionieren und eingesetzt werden. Von außen sind solche Chips also nicht direkt erkennbar, sondern sehen aus wie viele andere auch. Heute wendet man die Bezeichnung MCM auch auf die Module an, die neben Halbleiter-[[Die (Halbleitertechnik)\|Dies]] [[Mikromechanik\|mikromechanische]] Elemente oder auch diskrete passive Bauelemente wie z. B. [[Kondensator (Elektrotechnik)\|Kondensatoren]] oder [[Widerstand (Bauelement)\|Widerstände]] in SMD-Bauformen ''(s. dazu [[surface-mounted device]])'' beinhalten. Solche MCM sowie MCM mit vertikal angeordneten Komponenten ''(s. u. Die-Stacking)'' entsprechen viel mehr den Merkmalen eines System-in-Package ''(s. dazu „[[System-in-Package]]“)''.		Ein klassisches '''Multi-Chip-Modul''' ('''MCM''', manchmal auch ''MCP'' von {{enS\|Multi Chip Package}}) besteht aus mehreren einzelnen [[Integrierter Schaltkreis\|Mikrochips]] (bzw. [[Die (Halbleitertechnik)\|Dies]]), die in einem gemeinsamen Gehäuse planar (nebeneinander) untergebracht sind und nach außen wie ein Chip aussehen, so funktionieren und eingesetzt werden. Von außen sind solche Chips also nicht direkt erkennbar, sondern sehen aus wie viele andere auch. Heute wendet man die Bezeichnung MCM auch auf die Module an, die neben Halbleiter-[[Die (Halbleitertechnik)\|Dies]] [[Mikromechanik\|mikromechanische]] Elemente oder auch diskrete passive Bauelemente wie z. B. [[Kondensator (Elektrotechnik)\|Kondensatoren]] oder [[Widerstand (Bauelement)\|Widerstände]] in SMD-Bauformen ''(s. dazu [[surface-mounted device]])'' beinhalten. Solche MCM sowie MCM mit vertikal angeordneten Komponenten ''(s. u. Die-Stacking)'' entsprechen viel mehr den Merkmalen eines System-in-Package ''(s. dazu „[[System-in-Package]]“)''.

	[[Datei:Package on Package (Side view).PNG\|mini\|Zwei gestapelte Chips A und B auf jeweils eigenem Substrat 1, mit Lotperlen 2, zusammen auf einer Basisplatine 3]]		[[Datei:Package on Package (Side view).PNG\|mini\|Zwei gestapelte Chips A und B auf jeweils eigenem Substrat 1, mit Lotperlen 2, zusammen auf einer Basisplatine 3]]

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	Ein klassisches '''Multi-Chip-Modul''' ('''MCM''', manchmal auch ''MCP'' von {{enS\|Multi Chip Package}}) besteht aus mehreren einzelnen [[Integrierter Schaltkreis\|Mikrochips]] (bzw. [[Die (Halbleitertechnik)\|Dice]]), die in einem gemeinsamen Gehäuse planar (nebeneinander) untergebracht sind und nach außen wie ein Chip aussehen, so funktionieren und eingesetzt werden. Von außen sind solche Chips also nicht direkt erkennbar, sondern sehen aus wie viele andere auch. Heute wendet man die Bezeichnung MCM auch auf die Module an, die neben Halbleiter- [[Die (Halbleitertechnik)\|Dies]] [[Mikromechanik\|mikromechanische]] Elemente oder auch diskrete passive Bauelemente wie z. B. [[Kondensator (Elektrotechnik)\|Kondensatoren]] oder [[Widerstand (Bauelement)\|Widerstände]] in SMD-Bauformen ''(s. dazu [[surface-mounted device]])'' beinhalten. Solche MCM sowie MCM mit vertikal angeordneten Komponenten ''(s. u. Die-Stacking)'' entsprechen viel mehr den Merkmalen eines System-in-Package ''(s. dazu „[[System-in-Package]]“)''.		Ein klassisches '''Multi-Chip-Modul''' ('''MCM''', manchmal auch ''MCP'' von {{enS\|Multi Chip Package}}) besteht aus mehreren einzelnen [[Integrierter Schaltkreis\|Mikrochips]] (bzw. [[Die (Halbleitertechnik)\|Dice]]), die in einem gemeinsamen Gehäuse planar (nebeneinander) untergebracht sind und nach außen wie ein Chip aussehen, so funktionieren und eingesetzt werden. Von außen sind solche Chips also nicht direkt erkennbar, sondern sehen aus wie viele andere auch. Heute wendet man die Bezeichnung MCM auch auf die Module an, die neben Halbleiter-[[Die (Halbleitertechnik)\|Dies]] [[Mikromechanik\|mikromechanische]] Elemente oder auch diskrete passive Bauelemente wie z. B. [[Kondensator (Elektrotechnik)\|Kondensatoren]] oder [[Widerstand (Bauelement)\|Widerstände]] in SMD-Bauformen ''(s. dazu [[surface-mounted device]])'' beinhalten. Solche MCM sowie MCM mit vertikal angeordneten Komponenten ''(s. u. Die-Stacking)'' entsprechen viel mehr den Merkmalen eines System-in-Package ''(s. dazu „[[System-in-Package]]“)''.

	[[Datei:Package on Package (Side view).PNG\|mini\|Zwei gestapelte Chips A und B auf jeweils eigenem Substrat 1, mit Lotperlen 2, zusammen auf einer Basisplatine 3]]		[[Datei:Package on Package (Side view).PNG\|mini\|Zwei gestapelte Chips A und B auf jeweils eigenem Substrat 1, mit Lotperlen 2, zusammen auf einer Basisplatine 3]]

RoBri: Revert: s dort

2021-07-03T20:02:51Z

Revert: s dort

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	Ein klassisches '''Multi-Chip-Modul''' ('''MCM''', manchmal auch ''MCP'' von {{enS\|Multi Chip Package}}) besteht aus mehreren einzelnen [[Integrierter Schaltkreis\|Mikrochips]] (bzw. [[Die (Halbleitertechnik)\|~~Dies~~]]), die in einem gemeinsamen Gehäuse planar (nebeneinander) untergebracht sind und nach außen wie ein Chip aussehen, so funktionieren und eingesetzt werden. Von außen sind solche Chips also nicht direkt erkennbar, sondern sehen aus wie viele andere auch. Heute wendet man die Bezeichnung MCM auch auf die Module an, die neben Halbleiter- [[Die (Halbleitertechnik)\|Dies]] [[Mikromechanik\|mikromechanische]] Elemente oder auch diskrete passive Bauelemente wie z. B. [[Kondensator (Elektrotechnik)\|Kondensatoren]] oder [[Widerstand (Bauelement)\|Widerstände]] in SMD-Bauformen ''(s. dazu [[surface-mounted device]])'' beinhalten. Solche MCM sowie MCM mit vertikal angeordneten Komponenten ''(s. u. Die-Stacking)'' entsprechen viel mehr den Merkmalen eines System-in-Package ''(s. dazu „[[System-in-Package]]“)''.		Ein klassisches '''Multi-Chip-Modul''' ('''MCM''', manchmal auch ''MCP'' von {{enS\|Multi Chip Package}}) besteht aus mehreren einzelnen [[Integrierter Schaltkreis\|Mikrochips]] (bzw. [[Die (Halbleitertechnik)\|Dice]]), die in einem gemeinsamen Gehäuse planar (nebeneinander) untergebracht sind und nach außen wie ein Chip aussehen, so funktionieren und eingesetzt werden. Von außen sind solche Chips also nicht direkt erkennbar, sondern sehen aus wie viele andere auch. Heute wendet man die Bezeichnung MCM auch auf die Module an, die neben Halbleiter- [[Die (Halbleitertechnik)\|Dies]] [[Mikromechanik\|mikromechanische]] Elemente oder auch diskrete passive Bauelemente wie z. B. [[Kondensator (Elektrotechnik)\|Kondensatoren]] oder [[Widerstand (Bauelement)\|Widerstände]] in SMD-Bauformen ''(s. dazu [[surface-mounted device]])'' beinhalten. Solche MCM sowie MCM mit vertikal angeordneten Komponenten ''(s. u. Die-Stacking)'' entsprechen viel mehr den Merkmalen eines System-in-Package ''(s. dazu „[[System-in-Package]]“)''.

	[[Datei:Package on Package (Side view).PNG\|mini\|Zwei gestapelte Chips A und B auf jeweils eigenem Substrat 1, mit Lotperlen 2, zusammen auf einer Basisplatine 3]]		[[Datei:Package on Package (Side view).PNG\|mini\|Zwei gestapelte Chips A und B auf jeweils eigenem Substrat 1, mit Lotperlen 2, zusammen auf einer Basisplatine 3]]

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	Mit SiP im Aufbau verwandt sind die [[Package-on-Package]]-Systeme (PoP), in welchen verschiedene Halbleiter-Chips übereinander vereint werden.<ref name="Fischbach">{{Literatur \|Autor=R. Fischbach, et al. \|Titel=From 3D Circuit Technologies and Data Structures to Interconnect Prediction \|Sammelwerk=Proc. of 2009 Int. Workshop on System Level Interconnect Prediction (SLIP) \|Datum=2009 \|Seiten=77–83 \|Online=[https://www.ifte.de/mitarbeiter/lienig/SLIP2009_pp77-84.pdf PDF] \|DOI=10.1145/1572471.1572485}}</ref>		Mit SiP im Aufbau verwandt sind die [[Package-on-Package]]-Systeme (PoP), in welchen verschiedene Halbleiter-Chips übereinander vereint werden.<ref name="Fischbach">{{Literatur \|Autor=R. Fischbach, et al. \|Titel=From 3D Circuit Technologies and Data Structures to Interconnect Prediction \|Sammelwerk=Proc. of 2009 Int. Workshop on System Level Interconnect Prediction (SLIP) \|Datum=2009 \|Seiten=77–83 \|Online=[https://www.ifte.de/mitarbeiter/lienig/SLIP2009_pp77-84.pdf PDF] \|DOI=10.1145/1572471.1572485}}</ref>

	Im Unterschied zu den bereits seit langem hergestellten Multi-Chip-Modulen, die planar (also zweidimensional) aufgebaut sind und somit zu den elektronischen [[Flachbaugruppe]]n gehören, lässt sich in einem SiP auch die vertikale Integration von Komponenten realisieren (3D, [[2,5D SiP]]). Die elektrischen Verbindungen zwischen den einzelnen Dies werden ausgeführt wahlweise durch [[Chipbonden\|Bonddrähte]], als leitfähige [[Dünnschicht]]en an Seitenkanten der Dies oder als [[Silizium-Durchkontaktierung\|Durchkontaktierung]] des Dies ({{enS\|through-silicon via}}, TSV).<ref name="LieDie">J. Lienig, M. Dietrich (Hrsg.): ''Entwurf integrierter 3D-Systeme der Elektronik.'' Springer, 2012, ISBN 978-3-642-30571-9, S. 10–11, [[doi:10.1007/978-3-642-30572-6]].</ref>		Im Unterschied zu den bereits seit langem hergestellten Multi-Chip-Modulen, die planar (also zweidimensional) aufgebaut sind und somit zu den elektronischen [[Flachbaugruppe]]n gehören, lässt sich in einem SiP auch die vertikale Integration von Komponenten realisieren (3D, [[2,5D SiP]]). Die elektrischen Verbindungen zwischen den einzelnen Dies werden ausgeführt wahlweise durch [[Chipbonden\|Bonddrähte]], als leitfähige [[Dünnschicht]]en an Seitenkanten der Dies oder als [[Silizium-Durchkontaktierung\|Durchkontaktierung des Dies]] ({{enS\|through-silicon via}}, TSV).<ref name="LieDie">J. Lienig, M. Dietrich (Hrsg.): ''Entwurf integrierter 3D-Systeme der Elektronik.'' Springer, 2012, ISBN 978-3-642-30571-9, S. 10–11, [[doi:10.1007/978-3-642-30572-6]].</ref>

	SoC und SiP sind zwei wichtige Herstellungsverfahren für komplexe integrierte Halbleiterbausteine. Beim SiP können Dies verwendet werden, die auf unterschiedlichen [[Werkstoff\|Materialien]] basieren oder mit verschiedenen [[Prozessstruktur]]en hergestellt wurden. Zusätzlich lassen sich in einem SiP diskrete periphere Bauteile mit im Gehäuse integrieren. Beim SiP ist die Herstellung (das ''Packaging'') kostenintensiver als beim SoC, während eine komplette Integration aller Funktionalitäten auf einem Chip meist teurer ist.<ref name="Fischbach" /> Welche Variante günstiger ist, hängt sehr von der Funktionalität der Schaltung ab.		SoC und SiP sind zwei wichtige Herstellungsverfahren für komplexe integrierte Halbleiterbausteine. Beim SiP können Dies verwendet werden, die auf unterschiedlichen [[Werkstoff\|Materialien]] basieren oder mit verschiedenen [[Prozessstruktur]]en hergestellt wurden. Zusätzlich lassen sich in einem SiP diskrete periphere Bauteile mit im Gehäuse integrieren. Beim SiP ist die Herstellung (das ''Packaging'') kostenintensiver als beim SoC, während eine komplette Integration aller Funktionalitäten auf einem Chip meist teurer ist.<ref name="Fischbach" /> Welche Variante günstiger ist, hängt sehr von der Funktionalität der Schaltung ab.

← Nächstältere Version		Version vom 21. November 2024, 22:14 Uhr
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	Ein klassisches '''Multi-Chip-Modul''' ('''MCM''', manchmal auch ''MCP'' von {{enS\|Multi Chip Package}}) besteht aus mehreren einzelnen [[Integrierter Schaltkreis\|Mikrochips]] (bzw. [[Die (Halbleitertechnik)\|Dies]]), die in einem gemeinsamen Gehäuse planar (nebeneinander) untergebracht sind und nach außen wie ein Chip aussehen, so funktionieren und eingesetzt werden. Von außen sind solche Chips also nicht direkt erkennbar, sondern sehen aus wie viele andere auch. Heute wendet man die Bezeichnung MCM auch auf die Module an, die neben Halbleiter-[[Die (Halbleitertechnik)\|Dies]] [[Mikromechanik\|mikromechanische]] Elemente oder auch diskrete passive Bauelemente wie z. B. [[Kondensator (Elektrotechnik)\|Kondensatoren]] oder [[Widerstand (Bauelement)\|Widerstände]] in SMD-Bauformen ''(s. dazu [[surface-mounted device]])'' beinhalten. Solche MCM sowie MCM mit vertikal angeordneten Komponenten ''(s. u. Die-Stacking)'' entsprechen viel mehr den Merkmalen eines '''System-in-Package'''.		Ein klassisches '''Multi-Chip-Modul''' ('''MCM''', manchmal auch ''MCP'' von {{enS\|Multi Chip Package}}) besteht aus mehreren einzelnen [[Integrierter Schaltkreis\|Mikrochips]] (bzw. [[Die (Halbleitertechnik)\|Dies]]), die in einem gemeinsamen [[Chipgehäuse\|Gehäuse]] planar (''nebeneinander'') untergebracht sind und nach außen wie ein Chip aussehen, so funktionieren und eingesetzt werden. Von außen sind solche Chips also nicht direkt erkennbar, sondern sehen aus wie viele andere auch.

			Heute bezeichnet man mit MCM auch Module, die neben [[Halbleiter]]-Dies auch [[Mikromechanik\|mikromechanische]] Elemente oder [[Elektrisches_Bauelement #Einteilung\|diskrete passive Bauelement]]e wie z. B. [[Kondensator (Elektrotechnik)\|Kondensatoren]] oder [[Widerstand (Bauelement)\|Widerstände]] in [[surface-mounted device\|SMD]]-Bauformen beinhalten. Solche MCM sowie MCM mit ''vertikal'' angeordneten Komponenten ''(s. u. Die-Stacking)'' entsprechen allerdings viel mehr den Merkmalen eines '''System-in-Package''' (s. u.).
⚫	[[Datei:Package on Package (Side view).PNG\|mini\|Zwei gestapelte Chips A und B auf jeweils eigenem Substrat 1, mit Lotperlen 2, zusammen auf einer Basisplatine 3]]

		⚫	[[Datei:Package on Package (Side view).PNG\|mini\|Zwei gestapelte Chips A und B auf jeweils eigenem Substrat 1,<br />mit Lotperlen 2, zusammen auf einer Basisplatine 3]]
	Die Einzelchips können speziell für die Integration in einem MCM entworfen werden. Dann hat man es meistens mit Einzelchips in völlig verschiedenen Technologien zu tun, die sich nicht einfach auf einen einzigen Die integrieren lassen. Beispiele sind hier vor allem digitale [[Mikrocontroller]] und ihre [[Analogtechnik\|analogen]] [[Peripheriegerät\|Peripheriebausteine]] und/oder [[Flash-Speicher]], manchmal auch [[Mikroprozessor]]kerne und ihre sonst externen [[Cache]]-Bausteine, schließlich in [[Mobiltelefon\|Handys]] die Kombination von Prozessor, [[Halbleiterspeicher\|SRAM]]- und Flash-Speicher. Im Bereich der intelligenten Sensorik (wie [[Drucksensor]]en) werden z. B. Auswerte-Chip und Mikromechanik in ein Gehäuse verpackt. Diese Vorgehensweise stellt in der Regel eine preiswertere Alternative zur monolithischen Integration aller Bausteine in einem Halbleiter dar ''(siehe dazu „[[System on a Chip]]“)''.

			Die Einzelchips können speziell für die Integration in einem MCM entworfen werden. Dann hat man es meistens mit Einzelchips in völlig verschiedenen [[Technologie]]n zu tun, die sich nicht einfach auf einen einzigen Die integrieren lassen. Beispiele sind:
⚫	Es können aber auch Chips verwendet werden, die sonst allein in Gehäuse eingebaut und verwendet werden. Dieser Fall tritt dann ein, wenn man für ~~kleine Serien~~ oder einen Schnellschuss die Entwicklungszeit für einen komplett integrierten Chip einsparen will. Die Verbindung zu einem MCM lässt sich wesentlich schneller entwickeln.
			* vor allem digitale [[Mikrocontroller]] und ihre [[Analogtechnik\|analogen]] [[Peripheriegerät\|Peripheriebausteine]] und/oder [[Flash-Speicher]]
			* manchmal auch [[Mikroprozessor]][[Prozessorkern\|kerne]] und ihre sonst externen [[Cache]]-Bausteine
			* in [[Mobiltelefon\|Handys]] die Kombination von Prozessor, [[Halbleiterspeicher\|SRAM]]- und Flash-Speicher
			* im Bereich der [[Smart-Sensor\|intelligenten Sensorik]] (wie [[Drucksensor]]en) Auswerte-Chip und [[Mikromechanik]].

			Diese Vorgehensweise ist in der Regel preiswerter als die [[System on a Chip\|monolithische Integration aller Bausteine in einem Halbleiter]].

		⚫	Es können aber auch Chips verwendet werden, die sonst allein in Gehäuse eingebaut und verwendet werden. Dieser Fall tritt dann ein, wenn man für [[Kleinserie]]n oder einen Schnellschuss die Entwicklungszeit für einen komplett integrierten Chip einsparen will. Die [[elektrische Verbindung]] zu einem MCM lässt sich nämlich wesentlich schneller entwickeln als die einzelnen Verbindungen zu separaten Chips.

	[[Datei:Wireless TSV (model).PNG\|mini]]		[[Datei:Wireless TSV (model).PNG\|mini]]

	Zur Funktionalität ist es meistens erforderlich, die Einzelchips untereinander elektrisch zu verbinden. Dies geschieht auf die Arten, wie sie auch sonst in der [[Mikroelektronik]] eingesetzt werden: direktes [[Drahtbonden\|Bonden]] auf miniaturisierten Schaltungsträger (~~Leadframes~~, ~~Substrate~~, [[Leiterplatte]]n). Damit ~~stellt~~ ein MCM ein Sonderfall einer elektronischen [[Flachbaugruppe]] (Kompaktbaugruppe) ~~dar~~. Ein weiteres wichtiges Montage-Verfahren ist ~~dabei~~ z. B. [[Flip Chip]].		Zur Funktionalität ist es meistens erforderlich, die Einzelchips untereinander elektrisch zu verbinden. Dies geschieht auf die Arten, wie sie auch sonst in der [[Mikroelektronik]] eingesetzt werden: direktes [[Drahtbonden\|Bonden]] auf [[miniaturisierung\|miniaturisierten]] Schaltungsträger ([[Leadframe]]s, [[Substrat (Materialwissenschaft)\|Substrat]]e, [[Leiterplatte]]n). Damit ist ein MCM ein Sonderfall einer elektronischen [[Flachbaugruppe]] (Kompaktbaugruppe).

			Ein weiteres wichtiges Montage-Verfahren ist z. B. [[Flip Chip]].

			Damit das komplette Bauteil bei gestapelten Dies nicht zu hoch wird, werden die Dies vorher manchmal mit einigem Aufwand dünn [[Schleifen (Fertigungsverfahren)\|geschliffen]]. Anschließend werden sie wie gewöhnliche Chips vergossen, zu den externen Pins gebondet und in ein Gehäuse verpackt.

	Sind mehrere Chips die ein Gesamtsystem darstellen auf einem einzelnen Substrat, spricht man von '''System-in-Package''' (SiP). Damit das komplette Bauteil bei gestapelten Dies nicht zu hoch wird, werden die Dies vorher manchmal mit einigem Aufwand dünn geschliffen. Anschließend werden sie wie gewöhnliche Chips vergossen, zu den externen Pins gebondet und in ein Gehäuse verpackt. Eine neue Methode, gestapelte Dies untereinander zu verbinden, nennt sich TSV (für ''[[Silizium-Durchkontaktierung\|Through-Silicon-Vias]]''). Dabei werden die Die-Lagen wie bei Multilayer-Leiterplatten durch Löcher kontaktiert. Zu viele Dies kann man aber nicht direkt übereinander stapeln, da es sonst zu ~~Überhitzungsproblemen~~ wegen der schwierigeren Wärmeabfuhr kommt.		Eine neue Methode, gestapelte Dies untereinander zu verbinden, nennt sich TSV (für ''[[Silizium-Durchkontaktierung\|Through-Silicon-Vias]]''). Dabei werden die Die-Lagen wie bei [[Multilayer]]-Leiterplatten durch Löcher [[Elektrischer Kontakt\|kontaktiert]]. Zu viele Dies kann man aber nicht direkt übereinander stapeln, da es sonst zu [[Überhitzung]]sproblemen wegen der schwierigeren [[Wärmetransport\|Wärmeabfuhr]] kommt.

	== System-in-Package ==		== System-in-Package ==

← Nächstältere Version		Version vom 22. Dezember 2024, 19:05 Uhr
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	Ein klassisches '''Multi-Chip-Modul''' ('''MCM''', manchmal auch ''MCP'' von {{enS\|Multi Chip Package}}) besteht aus mehreren einzelnen [[Integrierter Schaltkreis\|Mikrochips]] (bzw. [[Die (Halbleitertechnik)\|Dies]]), die in einem gemeinsamen [[Chipgehäuse\|Gehäuse]] planar (''nebeneinander'') untergebracht sind und nach außen wie ein Chip aussehen, so funktionieren und eingesetzt werden. Von außen sind solche Chips also nicht direkt erkennbar, sondern sehen aus wie viele andere auch. Ein MCM ist ein Sonderfall einer elektronischen [[Flachbaugruppe]] (Kompaktbaugruppe).		Ein klassisches '''Multi-Chip-Modul''' ('''MCM''', manchmal auch ''MCP'' von {{enS\|Multi Chip Package}}) besteht aus mehreren einzelnen [[Integrierter Schaltkreis\|Mikrochips]] (bzw. [[Die (Halbleitertechnik)\|Dies]]), die in einem gemeinsamen [[Chipgehäuse\|Gehäuse]] planar (''nebeneinander'') untergebracht sind und nach außen wie ein Chip aussehen, so funktionieren und eingesetzt werden. Von außen sind solche Chips also nicht direkt erkennbar, sondern sehen aus wie viele andere auch. Ein MCM ist ein Sonderfall einer elektronischen [[Flachbaugruppe]] (Kompaktbaugruppe).

	Heute bezeichnet man mit MCM auch Module, die neben [[Halbleiter]]-Dies auch [[Mikromechanik\|mikromechanische]] Elemente oder [[~~Elektrisches_Bauelement~~ #Einteilung\|diskrete passive Bauelement]]e wie z. B. [[Kondensator (Elektrotechnik)\|Kondensatoren]] oder [[Widerstand (Bauelement)\|Widerstände]] in [[surface-mounted device\|SMD]]-Bauformen beinhalten. Solche MCM sowie MCM mit ''vertikal'' angeordneten Komponenten ''(s. u. Die-Stacking)'' entsprechen allerdings viel mehr den Merkmalen eines '''System-in-Package''' (s. u.).		Heute bezeichnet man mit MCM auch Module, die neben [[Halbleiter]]-Dies auch [[Mikromechanik\|mikromechanische]] Elemente oder [[Elektrisches Bauelement #Einteilung\|diskrete passive Bauelement]]e wie z. B. [[Kondensator (Elektrotechnik)\|Kondensatoren]] oder [[Widerstand (Bauelement)\|Widerstände]] in [[surface-mounted device\|SMD]]-Bauformen beinhalten. Solche MCM sowie MCM mit ''vertikal'' angeordneten Komponenten ''(s. u. Die-Stacking)'' entsprechen allerdings viel mehr den Merkmalen eines '''System-in-Package''' (s. u.).

	Die Einzelchips können speziell für die Integration in einem MCM entworfen werden. Dann hat man es meistens mit Einzelchips in völlig verschiedenen [[Technologie]]n zu tun, die sich nicht einfach auf einen einzigen Die integrieren lassen. Beispiele sind:		Die Einzelchips können speziell für die Integration in einem MCM entworfen werden. Dann hat man es meistens mit Einzelchips in völlig verschiedenen [[Technologie]]n zu tun, die sich nicht einfach auf einen einzigen Die integrieren lassen. Beispiele sind:
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	Es können aber auch Chips verwendet werden, die sonst allein in Gehäuse eingebaut und verwendet werden. Dieser Fall tritt dann ein, wenn man für [[Kleinserie]]n oder einen Schnellschuss die Entwicklungszeit für einen komplett integrierten Chip einsparen will. Die [[elektrische Verbindung]] zu einem MCM lässt sich nämlich wesentlich schneller entwickeln als die einzelnen Verbindungen zu separaten Chips.		Es können aber auch Chips verwendet werden, die sonst allein in Gehäuse eingebaut und verwendet werden. Dieser Fall tritt dann ein, wenn man für [[Kleinserie]]n oder einen Schnellschuss die Entwicklungszeit für einen komplett integrierten Chip einsparen will. Die [[elektrische Verbindung]] zu einem MCM lässt sich nämlich wesentlich schneller entwickeln als die einzelnen Verbindungen zu separaten Chips.

	Zur Funktionalität ist es meistens erforderlich, die Einzelchips untereinander elektrisch zu verbinden. Dies geschieht auf die Arten, wie sie auch sonst in der [[Mikroelektronik]] eingesetzt werden: direktes [[Drahtbonden\|Bonden]] auf [[miniaturisierung\|miniaturisierten]] Schaltungsträger ([[Leadframe]]s, [[Substrat (Materialwissenschaft)\|Substrat]]e, [[Leiterplatte]]n).		Zur Funktionalität ist es meistens erforderlich, die Einzelchips untereinander elektrisch zu verbinden. Dies geschieht auf die Arten, wie sie auch sonst in der [[Mikroelektronik]] eingesetzt werden: direktes [[Drahtbonden\|Bonden]] auf [[miniaturisierung\|miniaturisierten]] Schaltungsträger ([[Leadframe]]s, [[Substrat (Materialwissenschaft)\|Substrat]]e, [[Leiterplatte]]n).

	Ein weiteres wichtiges Montage-Verfahren ist z. B. [[Flip Chip]].		Ein weiteres wichtiges Montage-Verfahren ist z. B. [[Flip Chip]].
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	System-in-Package (SiP) ist ein [[Integration (Technik)\|Integrationsansatz]] in der Mikroelektronik, der sich technisch befindet		System-in-Package (SiP) ist ein [[Integration (Technik)\|Integrationsansatz]] in der Mikroelektronik, der sich technisch befindet
	* zwischen der [[Mikroelektronik #Integrierte Schaltkreise\|monolithischen]] ''On-Chip''-Integration ({{lang\|en\|[[System-on-a-Chip]]}}, SoC) auf einem Die (ungehauster Halbleiter-Chip) und		* zwischen der [[Mikroelektronik #Integrierte Schaltkreise\|monolithischen]] ''On-Chip''-Integration ({{lang\|en\|[[System-on-a-Chip]]}}, SoC) auf einem Die (ungehauster Halbleiter-Chip) und
	* der ''On-Board''-Integration [[~~Elektrisches_Bauelement~~ #~~Diskrete_und_integrierte_Bauelemente~~\|diskreter Bauelemente]] auf einer [[Leiterplatte]] (PCB) bzw. auf einem Multi-Chip-Modul (MCM).		* der ''On-Board''-Integration [[Elektrisches Bauelement #Diskrete und integrierte Bauelemente\|diskreter Bauelemente]] auf einer [[Leiterplatte]] (PCB) bzw. auf einem Multi-Chip-Modul (MCM).
	Dabei werden [[~~Elektrisches_Bauelement~~ #~~Aktive_und_passive_Bauelemente~~\|aktive und passive Bauelemente]] sowie weitere Komponenten mittels [[Mikrosystemtechnik\|Mikrosystemtechnologien]] in einem gemeinsamen Gehäuse (genannt [[Chipgehäuse\|IC-Package]]) mittels der [[Aufbau- und Verbindungstechnik]] vereint. Im Unterschied zu den bereits seit langem hergestellten Multi-Chip-Modulen, die planar (also zweidimensional) aufgebaut sind, lässt sich in einem SiP auch die vertikale Integration von Komponenten realisieren (3D-, [[2,5D-SiP]]).		Dabei werden [[Elektrisches Bauelement #Aktive und passive Bauelemente\|aktive und passive Bauelemente]] sowie weitere Komponenten mittels [[Mikrosystemtechnik\|Mikrosystemtechnologien]] in einem gemeinsamen Gehäuse (genannt [[Chipgehäuse\|IC-Package]]) mittels der [[Aufbau- und Verbindungstechnik]] vereint. Im Unterschied zu den bereits seit langem hergestellten Multi-Chip-Modulen, die planar (also zweidimensional) aufgebaut sind, lässt sich in einem SiP auch die vertikale Integration von Komponenten realisieren (3D-, [[2,5D-SiP]]).
	[[Datei:Package on Package (Side view).PNG\|mini\|Zwei gestapelte Chips A und B auf jeweils eigenem Substrat 1,<br />mit Lotperlen 2, zusammen auf einer Basisplatine 3]]		[[Datei:Package on Package (Side view).PNG\|mini\|Zwei gestapelte Chips A und B auf jeweils eigenem Substrat 1,<br />mit Lotperlen 2, zusammen auf einer Basisplatine 3]]
	Mit SiP im Aufbau verwandt sind die [[Package-on-Package]]-Systeme (PoP), in welchen verschiedene Halbleiter-Chips ''mit ihren einzelnen Gehäusen'' übereinander verbaut werden.<ref name="Fischbach">{{Literatur \|Autor=R. Fischbach, et al. \|Titel=From 3D Circuit Technologies and Data Structures to Interconnect Prediction \|Sammelwerk=Proc. of 2009 Int. Workshop on System Level Interconnect Prediction (SLIP) \|Datum=2009 \|Seiten=77–83 \|Online=[https://www.ifte.de/mitarbeiter/lienig/SLIP2009_pp77-84.pdf PDF] \|DOI=10.1145/1572471.1572485}}</ref>		Mit SiP im Aufbau verwandt sind die [[Package-on-Package]]-Systeme (PoP), in welchen verschiedene Halbleiter-Chips ''mit ihren einzelnen Gehäusen'' übereinander verbaut werden.<ref name="Fischbach">{{Literatur \|Autor=R. Fischbach et al. \|Titel=From 3D Circuit Technologies and Data Structures to Interconnect Prediction \|Sammelwerk=Proc. of 2009 Int. Workshop on System Level Interconnect Prediction (SLIP) \|Datum=2009 \|Seiten=77–83 \|Online=[https://www.ifte.de/mitarbeiter/lienig/SLIP2009_pp77-84.pdf PDF] \|DOI=10.1145/1572471.1572485}}</ref>
	[[Datei:Wireless TSV (model).PNG\|mini]]		[[Datei:Wireless TSV (model).PNG\|mini]]
	Bei SIP werden die elektrischen Verbindungen zwischen den einzelnen Dies ausgeführt wahlweise durch [[Chipbonden\|Bonddrähte]], als leitfähige [[Dünnschicht]]en an den Seitenkanten der Dies oder als [[Silizium-Durchkontaktierung\|Durchkontaktierung des Dies]] ({{enS\|through-silicon via}}, TSV für ''Through-Silicon-Vias'').<ref name="LieDie">J. Lienig, M. Dietrich (Hrsg.): ''Entwurf integrierter 3D-Systeme der Elektronik.'' Springer, 2012, ISBN 978-3-642-30571-9, S. 10–11, [[doi:10.1007/978-3-642-30572-6]].</ref> Letzteres ist eine neue Methode, gestapelte Dies untereinander zu verbinden. Dabei werden die Die-Lagen wie bei [[Multilayer]]-Leiterplatten durch Löcher [[Elektrischer Kontakt\|kontaktiert]].		Bei SIP werden die elektrischen Verbindungen zwischen den einzelnen Dies ausgeführt wahlweise durch [[Chipbonden\|Bonddrähte]], als leitfähige [[Dünnschicht]]en an den Seitenkanten der Dies oder als [[Silizium-Durchkontaktierung\|Durchkontaktierung des Dies]] ({{enS\|through-silicon via}}, TSV für ''Through-Silicon-Vias'').<ref name="LieDie">J. Lienig, M. Dietrich (Hrsg.): ''Entwurf integrierter 3D-Systeme der Elektronik.'' Springer, 2012, ISBN 978-3-642-30571-9, S. 10–11, [[doi:10.1007/978-3-642-30572-6]].</ref> Letzteres ist eine neue Methode, gestapelte Dies untereinander zu verbinden. Dabei werden die Die-Lagen wie bei [[Multilayer]]-Leiterplatten durch Löcher [[Elektrischer Kontakt\|kontaktiert]].