Erasable Programmable Read-Only Memory - Versionsgeschichte

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	== Aufbau und Funktionsweise ==		== Aufbau und Funktionsweise ==
	Ein EPROM enthält eine Matrix aus Speicherzellen, in denen jeweils ein [[Transistor]] ein [[Bit]] repräsentiert. Eine Speicherzelle besteht aus einem [[MOSFET]]-Transistor mit einer zusätzlichen Gateelektrode zwischen Gate und Kanal, die jedoch keinen Anschluss besitzt<ref name=„gawlik“>{{~~Webarchiv~~\|url=http://www.hs-augsburg.de/~bayer/Vorlesungen/mct_download/3SpeicherSS2002.pdf \|~~wayback~~=~~20170816132108~~ \|~~text~~=~~Archivierte~~ ~~Kopie~~ \|archiv-~~bot~~=~~2023~~-~~12-18~~ 16~~:48:39 InternetArchiveBot~~ }} ~~Peter Gawlik: Vorlesungsskript der Fachhochschule Augsburg~~</ref>. Es kann daher frei ein Potential annehmen und wird deshalb ''[[Floating Gate]]'' genannt. Es ist in einer sehr dünnen [[Siliciumdioxid]]-Schicht eingebettet. Bei normalen Betriebsverhältnissen können keine Elektronen hingelangen oder es verlassen. Zum Programmieren wird eine erhöhte Spannung an das Gate angelegt, sodass das ''Floating Gate'' geladen wird, indem energiereichere Elektronen durch die dünne Isolierschicht [[tunneleffekt\|tunneln]]. Dadurch verschiebt sich die Ansteuerspannung, bei der der Transistor einschaltet (Schwellspannung oder ''threshold''). Die Daten lassen sich nun beliebig oft auslesen, wobei die Lesespannung unterhalb der Programmierspannung liegt.		Ein EPROM enthält eine Matrix aus Speicherzellen, in denen jeweils ein [[Transistor]] ein [[Bit]] repräsentiert. Eine Speicherzelle besteht aus einem [[MOSFET]]-Transistor mit einer zusätzlichen Gateelektrode zwischen Gate und Kanal, die jedoch keinen Anschluss besitzt<ref name="„gawlik“">{{Internetquelle \|autor=Peter Gawlik \|url=http://www.hs-augsburg.de/~bayer/Vorlesungen/mct_download/3SpeicherSS2002.pdf \|titel=Aufbau und Organisation des Arbeitsspeichers \|hrsg=Fachhochschule Augsburg \|datum=2002 \|sprache=de \|archiv-url=https://web.archive.org/web/20170816132108/http://www.hs-augsburg.de/~bayer/Vorlesungen/mct_download/3SpeicherSS2002.pdf \|archiv-datum=2017-08-16 \|abruf=2024-02-21}}</ref>. Es kann daher frei ein Potential annehmen und wird deshalb ''[[Floating Gate]]'' genannt. Es ist in einer sehr dünnen [[Siliciumdioxid]]-Schicht eingebettet. Bei normalen Betriebsverhältnissen können keine Elektronen hingelangen oder es verlassen. Zum Programmieren wird eine erhöhte Spannung an das Gate angelegt, sodass das ''Floating Gate'' geladen wird, indem energiereichere Elektronen durch die dünne Isolierschicht [[tunneleffekt\|tunneln]]. Dadurch verschiebt sich die Ansteuerspannung, bei der der Transistor einschaltet (Schwellspannung oder ''threshold''). Die Daten lassen sich nun beliebig oft auslesen, wobei die Lesespannung unterhalb der Programmierspannung liegt.

	Zum Löschen wird üblicherweise kurzwellige [[Ultraviolettstrahlung]] verwendet, typischerweise 254 nm (4,9 [[Elektronenvolt\|eV]]) von [[Quecksilberdampflampe]]n, oder Strahlung mit noch kleinerer Wellenlänge. Dadurch werden durch den [[Photoelektrischer Effekt#Äußerer photoelektrischer Effekt\|äußeren photoelektrischen Effekt]] Fotoelektronen angeregt, die ausreichende Energie haben, die Isolierbarriere zu überwinden – die ''Floating Gates'' werden entladen. Das Bitmuster ist dadurch gelöscht und das EPROM in seinen ursprünglichen Zustand zurückversetzt. Dies betrifft immer den gesamten Chip, das Löschen nur eines Teilbereiches ist nicht möglich. Durch die harte UV-Strahlung entstehen außerdem immer auch Defekte im Halbleiter, so dass das Löschen nicht beliebig oft erfolgen kann.<ref name=„gawlik“/> EPROMs sind zum Löschen mit einem UV-C-transparenten Fenster versehen. Es besteht meist aus [[Kieselglas]], selten auch aus hochreiner [[Aluminiumoxynitrid\|transluzenter Aluminiumoxid-Keramik]] (DDR-Typen, z. B. U2732). Auch die fensterlosen nur einmal beschreibbaren Typen (OTP für ''One Time Programmable'') lassen sich mit [[Röntgenstrahlung]] löschen, da diese auch ohne Fenster durch das Gehäuse dringt und der Baustein selbst bis auf das Gehäuse der gleiche ist<!-- dafür braucht es eine Quelle, ob das praktikabel ohne Gitterschäden ist-->.		Zum Löschen wird üblicherweise kurzwellige [[Ultraviolettstrahlung]] verwendet, typischerweise 254 nm (4,9 [[Elektronenvolt\|eV]]) von [[Quecksilberdampflampe]]n, oder Strahlung mit noch kleinerer Wellenlänge. Dadurch werden durch den [[Photoelektrischer Effekt#Äußerer photoelektrischer Effekt\|äußeren photoelektrischen Effekt]] Fotoelektronen angeregt, die ausreichende Energie haben, die Isolierbarriere zu überwinden – die ''Floating Gates'' werden entladen. Das Bitmuster ist dadurch gelöscht und das EPROM in seinen ursprünglichen Zustand zurückversetzt. Dies betrifft immer den gesamten Chip, das Löschen nur eines Teilbereiches ist nicht möglich. Durch die harte UV-Strahlung entstehen außerdem immer auch Defekte im Halbleiter, so dass das Löschen nicht beliebig oft erfolgen kann.<ref name=„gawlik“/> EPROMs sind zum Löschen mit einem UV-C-transparenten Fenster versehen. Es besteht meist aus [[Kieselglas]], selten auch aus hochreiner [[Aluminiumoxynitrid\|transluzenter Aluminiumoxid-Keramik]] (DDR-Typen, z. B. U2732). Auch die fensterlosen nur einmal beschreibbaren Typen (OTP für ''One Time Programmable'') lassen sich mit [[Röntgenstrahlung]] löschen, da diese auch ohne Fenster durch das Gehäuse dringt und der Baustein selbst bis auf das Gehäuse der gleiche ist<!-- dafür braucht es eine Quelle, ob das praktikabel ohne Gitterschäden ist-->.

Aka: /* Weblinks */ https

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Weblinks: https

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	== Weblinks ==		== Weblinks ==
	{{Commonscat\|EPROM}}		{{Commonscat\|EPROM}}
	* [~~http~~://www.cpu-galaxy.at/CPU/Eproms%20Ram%20Rom.htm Fotos und technische Daten vieler Intel-EPROMs]		* [https://www.cpu-galaxy.at/CPU/Eproms%20Ram%20Rom.htm Fotos und technische Daten vieler Intel-EPROMs]
	* {{Webarchiv \|url=http://iroi.seu.edu.cn/books/asics/Book2/CH04/CH04.3.htm \|wayback=20150424013249 \|text=Funktionsweise von EPROM und EEPROM kurz beschrieben (englisch)}}		* {{Webarchiv \|url=http://iroi.seu.edu.cn/books/asics/Book2/CH04/CH04.3.htm \|wayback=20150424013249 \|text=Funktionsweise von EPROM und EEPROM kurz beschrieben (englisch)}}
	* [~~http~~://www.~~progshop~~.com/versand/know-how/eprom-programmierung.html Grundlagen und Aufbau der Bezeichnungen von EPROMs]		* [https://www.batronix.com/versand/know-how/eprom-programmierung.html Grundlagen und Aufbau der Bezeichnungen von EPROMs]

	== Einzelnachweise ==		== Einzelnachweise ==

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	== Aufbau und Funktionsweise ==		== Aufbau und Funktionsweise ==
	Ein EPROM enthält eine Matrix aus Speicherzellen, in denen jeweils ein [[Transistor]] ein [[Bit]] repräsentiert. Eine Speicherzelle besteht aus einem [[MOSFET]]-Transistor mit einer zusätzlichen Gateelektrode zwischen Gate und Kanal, die jedoch keinen Anschluss besitzt<ref name=„gawlik“>http://www.hs-augsburg.de/~bayer/Vorlesungen/mct_download/3SpeicherSS2002.pdf Peter Gawlik: Vorlesungsskript der Fachhochschule Augsburg</ref>. Es kann daher frei ein Potential annehmen und wird deshalb ''[[Floating Gate]]'' genannt. Es ist in einer sehr dünnen [[Siliciumdioxid]]-Schicht eingebettet. Bei normalen Betriebsverhältnissen können keine Elektronen hingelangen oder es verlassen. Zum Programmieren wird eine erhöhte Spannung an das Gate angelegt, sodass das ''Floating Gate'' geladen wird, indem energiereichere Elektronen durch die dünne Isolierschicht [[tunneleffekt\|tunneln]]. Dadurch verschiebt sich die Ansteuerspannung, bei der der Transistor einschaltet (Schwellspannung oder ''threshold''). Die Daten lassen sich nun beliebig oft auslesen, wobei die Lesespannung unterhalb der Programmierspannung liegt.		Ein EPROM enthält eine Matrix aus Speicherzellen, in denen jeweils ein [[Transistor]] ein [[Bit]] repräsentiert. Eine Speicherzelle besteht aus einem [[MOSFET]]-Transistor mit einer zusätzlichen Gateelektrode zwischen Gate und Kanal, die jedoch keinen Anschluss besitzt<ref name=„gawlik“>{{Webarchiv\|url=http://www.hs-augsburg.de/~bayer/Vorlesungen/mct_download/3SpeicherSS2002.pdf \|wayback=20170816132108 \|text=Archivierte Kopie \|archiv-bot=2023-12-18 16:48:39 InternetArchiveBot }} Peter Gawlik: Vorlesungsskript der Fachhochschule Augsburg</ref>. Es kann daher frei ein Potential annehmen und wird deshalb ''[[Floating Gate]]'' genannt. Es ist in einer sehr dünnen [[Siliciumdioxid]]-Schicht eingebettet. Bei normalen Betriebsverhältnissen können keine Elektronen hingelangen oder es verlassen. Zum Programmieren wird eine erhöhte Spannung an das Gate angelegt, sodass das ''Floating Gate'' geladen wird, indem energiereichere Elektronen durch die dünne Isolierschicht [[tunneleffekt\|tunneln]]. Dadurch verschiebt sich die Ansteuerspannung, bei der der Transistor einschaltet (Schwellspannung oder ''threshold''). Die Daten lassen sich nun beliebig oft auslesen, wobei die Lesespannung unterhalb der Programmierspannung liegt.

	Zum Löschen wird üblicherweise kurzwellige [[Ultraviolettstrahlung]] verwendet, typischerweise 254 nm (4,9 [[Elektronenvolt\|eV]]) von [[Quecksilberdampflampe]]n, oder Strahlung mit noch kleinerer Wellenlänge. Dadurch werden durch den [[Photoelektrischer Effekt#Äußerer photoelektrischer Effekt\|äußeren photoelektrischen Effekt]] Fotoelektronen angeregt, die ausreichende Energie haben, die Isolierbarriere zu überwinden – die ''Floating Gates'' werden entladen. Das Bitmuster ist dadurch gelöscht und das EPROM in seinen ursprünglichen Zustand zurückversetzt. Dies betrifft immer den gesamten Chip, das Löschen nur eines Teilbereiches ist nicht möglich. Durch die harte UV-Strahlung entstehen außerdem immer auch Defekte im Halbleiter, so dass das Löschen nicht beliebig oft erfolgen kann.<ref name=„gawlik“/> EPROMs sind zum Löschen mit einem UV-C-transparenten Fenster versehen. Es besteht meist aus [[Kieselglas]], selten auch aus hochreiner [[Aluminiumoxynitrid\|transluzenter Aluminiumoxid-Keramik]] (DDR-Typen, z. B. U2732). Auch die fensterlosen nur einmal beschreibbaren Typen (OTP für ''One Time Programmable'') lassen sich mit [[Röntgenstrahlung]] löschen, da diese auch ohne Fenster durch das Gehäuse dringt und der Baustein selbst bis auf das Gehäuse der gleiche ist<!-- dafür braucht es eine Quelle, ob das praktikabel ohne Gitterschäden ist-->.		Zum Löschen wird üblicherweise kurzwellige [[Ultraviolettstrahlung]] verwendet, typischerweise 254 nm (4,9 [[Elektronenvolt\|eV]]) von [[Quecksilberdampflampe]]n, oder Strahlung mit noch kleinerer Wellenlänge. Dadurch werden durch den [[Photoelektrischer Effekt#Äußerer photoelektrischer Effekt\|äußeren photoelektrischen Effekt]] Fotoelektronen angeregt, die ausreichende Energie haben, die Isolierbarriere zu überwinden – die ''Floating Gates'' werden entladen. Das Bitmuster ist dadurch gelöscht und das EPROM in seinen ursprünglichen Zustand zurückversetzt. Dies betrifft immer den gesamten Chip, das Löschen nur eines Teilbereiches ist nicht möglich. Durch die harte UV-Strahlung entstehen außerdem immer auch Defekte im Halbleiter, so dass das Löschen nicht beliebig oft erfolgen kann.<ref name=„gawlik“/> EPROMs sind zum Löschen mit einem UV-C-transparenten Fenster versehen. Es besteht meist aus [[Kieselglas]], selten auch aus hochreiner [[Aluminiumoxynitrid\|transluzenter Aluminiumoxid-Keramik]] (DDR-Typen, z. B. U2732). Auch die fensterlosen nur einmal beschreibbaren Typen (OTP für ''One Time Programmable'') lassen sich mit [[Röntgenstrahlung]] löschen, da diese auch ohne Fenster durch das Gehäuse dringt und der Baustein selbst bis auf das Gehäuse der gleiche ist<!-- dafür braucht es eine Quelle, ob das praktikabel ohne Gitterschäden ist-->.

Kreuzschnabel: /* Aufbau und Funktionsweise */ deutlicher

2023-07-30T08:07:45Z

Aufbau und Funktionsweise: deutlicher

← Nächstältere Version		Version vom 30. Juli 2023, 10:07 Uhr
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	Ein konventioneller Löschvorgang dauert ca. 10 bis 30 Minuten. Da die [[Ionisation]] nach dem Ausschalten der Lichtquelle nicht sofort wieder abgeklungen ist und die Bausteine je nach Bauart des Löschgerätes auch über die für das Programmieren zulässige Temperatur hinaus erhitzt werden, kann das Programmieren erst nach einer weiteren Wartezeit erfolgen. Die Zeiten können durch den Einsatz von Löschgeräten mit Blitzlampen deutlich verkürzt werden. Statt einer kontinuierlichen Bestrahlung werden dabei Lichtblitze verwendet. Falls die Vorgaben des Bausteinherstellers für das Löschen nicht korrekt eingehalten werden, kann eine scheinbar richtige Programmierung mit verkürzter Datenlebensdauer die Folge sein.		Ein konventioneller Löschvorgang dauert ca. 10 bis 30 Minuten. Da die [[Ionisation]] nach dem Ausschalten der Lichtquelle nicht sofort wieder abgeklungen ist und die Bausteine je nach Bauart des Löschgerätes auch über die für das Programmieren zulässige Temperatur hinaus erhitzt werden, kann das Programmieren erst nach einer weiteren Wartezeit erfolgen. Die Zeiten können durch den Einsatz von Löschgeräten mit Blitzlampen deutlich verkürzt werden. Statt einer kontinuierlichen Bestrahlung werden dabei Lichtblitze verwendet. Falls die Vorgaben des Bausteinherstellers für das Löschen nicht korrekt eingehalten werden, kann eine scheinbar richtige Programmierung mit verkürzter Datenlebensdauer die Folge sein.

	Das Quarzglas-Fenster sollte nach dem Programmieren mit einem lichtundurchlässigen Aufkleber geschützt werden. Dies verhindert nicht nur ein ungewolltes Löschen – ein ungeschütztes EPROM kann nach ca. 90 Tagen direkter Sonneneinstrahlung gelöscht sein – sondern ~~gewährleistet~~ ~~erst~~ ~~den~~ ~~regulären~~ ~~Betrieb des EPROM~~. ~~Die~~ ~~Beleuchtung~~ ~~von~~ ~~Halbleiterchips mit einem~~ gewöhnlichen ~~Fotoblitzgerät~~ kann kurzzeitige Datenverfälschung und damit ~~Computerausfälle~~ verursachen.		Das Quarzglas-Fenster sollte nach dem Programmieren mit einem lichtundurchlässigen Aufkleber geschützt werden. Dies verhindert nicht nur ein ungewolltes dauerhaftes Löschen – ein ungeschütztes EPROM kann nach ca. 90 Tagen direkter Sonneneinstrahlung gelöscht sein – sondern auch temporäre Verfälschungen durch Lichteinwirkung. Schon das Licht eines gewöhnlichen Fotoblitzgeräts kann in einem EPROM kurzzeitige Datenverfälschung und damit Fehlfunktionen verursachen.

	Übliche EPROMs haben 8 Bit breite Datenpfade, und die Gesamtspeicherkapazität ist in der Bezeichnung enthalten. So enthält ein 2764 64 KiB, die als {{nowrap\|8 Ki × 8}} organisiert sind.		Übliche EPROMs haben 8 Bit breite Datenpfade, und die Gesamtspeicherkapazität ist in der Bezeichnung enthalten. So enthält ein 2764 64 KiB, die als {{nowrap\|8 Ki × 8}} organisiert sind.

94.216.121.137: Tippfehler korrigiert: zum Löschen mit 254 nm Licht muss das Fenster UV-C-durchlässig sein (Kieselglas transmittiert sowohl UV-B als auch UV-C)

2023-07-15T05:25:35Z

Tippfehler korrigiert: zum Löschen mit 254 nm Licht muss das Fenster UV-C-durchlässig sein (Kieselglas transmittiert sowohl UV-B als auch UV-C)

← Nächstältere Version		Version vom 15. Juli 2023, 07:25 Uhr
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	Ein EPROM enthält eine Matrix aus Speicherzellen, in denen jeweils ein [[Transistor]] ein [[Bit]] repräsentiert. Eine Speicherzelle besteht aus einem [[MOSFET]]-Transistor mit einer zusätzlichen Gateelektrode zwischen Gate und Kanal, die jedoch keinen Anschluss besitzt<ref name=„gawlik“>http://www.hs-augsburg.de/~bayer/Vorlesungen/mct_download/3SpeicherSS2002.pdf Peter Gawlik: Vorlesungsskript der Fachhochschule Augsburg</ref>. Es kann daher frei ein Potential annehmen und wird deshalb ''[[Floating Gate]]'' genannt. Es ist in einer sehr dünnen [[Siliciumdioxid]]-Schicht eingebettet. Bei normalen Betriebsverhältnissen können keine Elektronen hingelangen oder es verlassen. Zum Programmieren wird eine erhöhte Spannung an das Gate angelegt, sodass das ''Floating Gate'' geladen wird, indem energiereichere Elektronen durch die dünne Isolierschicht [[tunneleffekt\|tunneln]]. Dadurch verschiebt sich die Ansteuerspannung, bei der der Transistor einschaltet (Schwellspannung oder ''threshold''). Die Daten lassen sich nun beliebig oft auslesen, wobei die Lesespannung unterhalb der Programmierspannung liegt.		Ein EPROM enthält eine Matrix aus Speicherzellen, in denen jeweils ein [[Transistor]] ein [[Bit]] repräsentiert. Eine Speicherzelle besteht aus einem [[MOSFET]]-Transistor mit einer zusätzlichen Gateelektrode zwischen Gate und Kanal, die jedoch keinen Anschluss besitzt<ref name=„gawlik“>http://www.hs-augsburg.de/~bayer/Vorlesungen/mct_download/3SpeicherSS2002.pdf Peter Gawlik: Vorlesungsskript der Fachhochschule Augsburg</ref>. Es kann daher frei ein Potential annehmen und wird deshalb ''[[Floating Gate]]'' genannt. Es ist in einer sehr dünnen [[Siliciumdioxid]]-Schicht eingebettet. Bei normalen Betriebsverhältnissen können keine Elektronen hingelangen oder es verlassen. Zum Programmieren wird eine erhöhte Spannung an das Gate angelegt, sodass das ''Floating Gate'' geladen wird, indem energiereichere Elektronen durch die dünne Isolierschicht [[tunneleffekt\|tunneln]]. Dadurch verschiebt sich die Ansteuerspannung, bei der der Transistor einschaltet (Schwellspannung oder ''threshold''). Die Daten lassen sich nun beliebig oft auslesen, wobei die Lesespannung unterhalb der Programmierspannung liegt.

	Zum Löschen wird üblicherweise kurzwellige [[Ultraviolettstrahlung]] verwendet, typischerweise 254 nm (4,9 [[Elektronenvolt\|eV]]) von [[Quecksilberdampflampe]]n, oder Strahlung mit noch kleinerer Wellenlänge. Dadurch werden durch den [[Photoelektrischer Effekt#Äußerer photoelektrischer Effekt\|äußeren photoelektrischen Effekt]] Fotoelektronen angeregt, die ausreichende Energie haben, die Isolierbarriere zu überwinden – die ''Floating Gates'' werden entladen. Das Bitmuster ist dadurch gelöscht und das EPROM in seinen ursprünglichen Zustand zurückversetzt. Dies betrifft immer den gesamten Chip, das Löschen nur eines Teilbereiches ist nicht möglich. Durch die harte UV-Strahlung entstehen außerdem immer auch Defekte im Halbleiter, so dass das Löschen nicht beliebig oft erfolgen kann.<ref name=„gawlik“/> EPROMs sind zum Löschen mit einem UV-B-transparenten Fenster versehen. Es besteht meist aus [[Kieselglas]], selten auch aus hochreiner [[Aluminiumoxynitrid\|transluzenter Aluminiumoxid-Keramik]] (DDR-Typen, z. B. U2732). Auch die fensterlosen nur einmal beschreibbaren Typen (OTP für ''One Time Programmable'') lassen sich mit [[Röntgenstrahlung]] löschen, da diese auch ohne Fenster durch das Gehäuse dringt und der Baustein selbst bis auf das Gehäuse der gleiche ist<!-- dafür braucht es eine Quelle, ob das praktikabel ohne Gitterschäden ist-->.		Zum Löschen wird üblicherweise kurzwellige [[Ultraviolettstrahlung]] verwendet, typischerweise 254 nm (4,9 [[Elektronenvolt\|eV]]) von [[Quecksilberdampflampe]]n, oder Strahlung mit noch kleinerer Wellenlänge. Dadurch werden durch den [[Photoelektrischer Effekt#Äußerer photoelektrischer Effekt\|äußeren photoelektrischen Effekt]] Fotoelektronen angeregt, die ausreichende Energie haben, die Isolierbarriere zu überwinden – die ''Floating Gates'' werden entladen. Das Bitmuster ist dadurch gelöscht und das EPROM in seinen ursprünglichen Zustand zurückversetzt. Dies betrifft immer den gesamten Chip, das Löschen nur eines Teilbereiches ist nicht möglich. Durch die harte UV-Strahlung entstehen außerdem immer auch Defekte im Halbleiter, so dass das Löschen nicht beliebig oft erfolgen kann.<ref name=„gawlik“/> EPROMs sind zum Löschen mit einem UV-C-transparenten Fenster versehen. Es besteht meist aus [[Kieselglas]], selten auch aus hochreiner [[Aluminiumoxynitrid\|transluzenter Aluminiumoxid-Keramik]] (DDR-Typen, z. B. U2732). Auch die fensterlosen nur einmal beschreibbaren Typen (OTP für ''One Time Programmable'') lassen sich mit [[Röntgenstrahlung]] löschen, da diese auch ohne Fenster durch das Gehäuse dringt und der Baustein selbst bis auf das Gehäuse der gleiche ist<!-- dafür braucht es eine Quelle, ob das praktikabel ohne Gitterschäden ist-->.

	Ein konventioneller Löschvorgang dauert ca. 10 bis 30 Minuten. Da die [[Ionisation]] nach dem Ausschalten der Lichtquelle nicht sofort wieder abgeklungen ist und die Bausteine je nach Bauart des Löschgerätes auch über die für das Programmieren zulässige Temperatur hinaus erhitzt werden, kann das Programmieren erst nach einer weiteren Wartezeit erfolgen. Die Zeiten können durch den Einsatz von Löschgeräten mit Blitzlampen deutlich verkürzt werden. Statt einer kontinuierlichen Bestrahlung werden dabei Lichtblitze verwendet. Falls die Vorgaben des Bausteinherstellers für das Löschen nicht korrekt eingehalten werden, kann eine scheinbar richtige Programmierung mit verkürzter Datenlebensdauer die Folge sein.		Ein konventioneller Löschvorgang dauert ca. 10 bis 30 Minuten. Da die [[Ionisation]] nach dem Ausschalten der Lichtquelle nicht sofort wieder abgeklungen ist und die Bausteine je nach Bauart des Löschgerätes auch über die für das Programmieren zulässige Temperatur hinaus erhitzt werden, kann das Programmieren erst nach einer weiteren Wartezeit erfolgen. Die Zeiten können durch den Einsatz von Löschgeräten mit Blitzlampen deutlich verkürzt werden. Statt einer kontinuierlichen Bestrahlung werden dabei Lichtblitze verwendet. Falls die Vorgaben des Bausteinherstellers für das Löschen nicht korrekt eingehalten werden, kann eine scheinbar richtige Programmierung mit verkürzter Datenlebensdauer die Folge sein.

Michael2668: /* Aufbau und Funktionsweise */

2023-01-19T12:54:42Z

Aufbau und Funktionsweise

← Nächstältere Version		Version vom 19. Januar 2023, 14:54 Uhr
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	Ein EPROM enthält eine Matrix aus Speicherzellen, in denen jeweils ein [[Transistor]] ein [[Bit]] repräsentiert. Eine Speicherzelle besteht aus einem [[MOSFET]]-Transistor mit einer zusätzlichen Gateelektrode zwischen Gate und Kanal, die jedoch keinen Anschluss besitzt<ref name=„gawlik“>http://www.hs-augsburg.de/~bayer/Vorlesungen/mct_download/3SpeicherSS2002.pdf Peter Gawlik: Vorlesungsskript der Fachhochschule Augsburg</ref>. Es kann daher frei ein Potential annehmen und wird deshalb ''[[Floating Gate]]'' genannt. Es ist in einer sehr dünnen [[Siliciumdioxid]]-Schicht eingebettet. Bei normalen Betriebsverhältnissen können keine Elektronen hingelangen oder es verlassen. Zum Programmieren wird eine erhöhte Spannung an das Gate angelegt, sodass das ''Floating Gate'' geladen wird, indem energiereichere Elektronen durch die dünne Isolierschicht [[tunneleffekt\|tunneln]]. Dadurch verschiebt sich die Ansteuerspannung, bei der der Transistor einschaltet (Schwellspannung oder ''threshold''). Die Daten lassen sich nun beliebig oft auslesen, wobei die Lesespannung unterhalb der Programmierspannung liegt.		Ein EPROM enthält eine Matrix aus Speicherzellen, in denen jeweils ein [[Transistor]] ein [[Bit]] repräsentiert. Eine Speicherzelle besteht aus einem [[MOSFET]]-Transistor mit einer zusätzlichen Gateelektrode zwischen Gate und Kanal, die jedoch keinen Anschluss besitzt<ref name=„gawlik“>http://www.hs-augsburg.de/~bayer/Vorlesungen/mct_download/3SpeicherSS2002.pdf Peter Gawlik: Vorlesungsskript der Fachhochschule Augsburg</ref>. Es kann daher frei ein Potential annehmen und wird deshalb ''[[Floating Gate]]'' genannt. Es ist in einer sehr dünnen [[Siliciumdioxid]]-Schicht eingebettet. Bei normalen Betriebsverhältnissen können keine Elektronen hingelangen oder es verlassen. Zum Programmieren wird eine erhöhte Spannung an das Gate angelegt, sodass das ''Floating Gate'' geladen wird, indem energiereichere Elektronen durch die dünne Isolierschicht [[tunneleffekt\|tunneln]]. Dadurch verschiebt sich die Ansteuerspannung, bei der der Transistor einschaltet (Schwellspannung oder ''threshold''). Die Daten lassen sich nun beliebig oft auslesen, wobei die Lesespannung unterhalb der Programmierspannung liegt.

	Zum Löschen wird üblicherweise kurzwellige Ultraviolettstrahlung verwendet, typischerweise 254 nm (4,9 [[Elektronenvolt\|eV]]) von [[Quecksilberdampflampe]]n, oder Strahlung mit noch kleinerer Wellenlänge. Dadurch werden durch den [[Photoelektrischer Effekt#Äußerer photoelektrischer Effekt\|äußeren photoelektrischen Effekt]] Fotoelektronen angeregt, die ausreichende Energie haben, die Isolierbarriere zu überwinden – die ''Floating Gates'' werden entladen. Das Bitmuster ist dadurch gelöscht und das EPROM in seinen ursprünglichen Zustand zurückversetzt. Dies betrifft immer den gesamten Chip, das Löschen nur eines Teilbereiches ist nicht möglich. Durch die harte UV-Strahlung entstehen außerdem immer auch Defekte im Halbleiter, so dass das Löschen nicht beliebig oft erfolgen kann.<ref name=„gawlik“/> EPROMs sind zum Löschen mit einem UV-B-transparenten Fenster versehen. Es besteht meist aus [[Kieselglas]], selten auch aus hochreiner [[Aluminiumoxynitrid\|transluzenter Aluminiumoxid-Keramik]] (DDR-Typen, z. B. U2732). Auch die fensterlosen nur einmal beschreibbaren Typen (OTP für ''One Time Programmable'') lassen sich mit [[Röntgenstrahlung]] löschen, da diese auch ohne Fenster durch das Gehäuse dringt und der Baustein selbst bis auf das Gehäuse der gleiche ist<!-- dafür braucht es eine Quelle, ob das praktikabel ohne Gitterschäden ist-->.		Zum Löschen wird üblicherweise kurzwellige [[Ultraviolettstrahlung]] verwendet, typischerweise 254 nm (4,9 [[Elektronenvolt\|eV]]) von [[Quecksilberdampflampe]]n, oder Strahlung mit noch kleinerer Wellenlänge. Dadurch werden durch den [[Photoelektrischer Effekt#Äußerer photoelektrischer Effekt\|äußeren photoelektrischen Effekt]] Fotoelektronen angeregt, die ausreichende Energie haben, die Isolierbarriere zu überwinden – die ''Floating Gates'' werden entladen. Das Bitmuster ist dadurch gelöscht und das EPROM in seinen ursprünglichen Zustand zurückversetzt. Dies betrifft immer den gesamten Chip, das Löschen nur eines Teilbereiches ist nicht möglich. Durch die harte UV-Strahlung entstehen außerdem immer auch Defekte im Halbleiter, so dass das Löschen nicht beliebig oft erfolgen kann.<ref name=„gawlik“/> EPROMs sind zum Löschen mit einem UV-B-transparenten Fenster versehen. Es besteht meist aus [[Kieselglas]], selten auch aus hochreiner [[Aluminiumoxynitrid\|transluzenter Aluminiumoxid-Keramik]] (DDR-Typen, z. B. U2732). Auch die fensterlosen nur einmal beschreibbaren Typen (OTP für ''One Time Programmable'') lassen sich mit [[Röntgenstrahlung]] löschen, da diese auch ohne Fenster durch das Gehäuse dringt und der Baustein selbst bis auf das Gehäuse der gleiche ist<!-- dafür braucht es eine Quelle, ob das praktikabel ohne Gitterschäden ist-->.

	Ein konventioneller Löschvorgang dauert ca. 10 bis 30 Minuten. Da die [[Ionisation]] nach dem Ausschalten der Lichtquelle nicht sofort wieder abgeklungen ist und die Bausteine je nach Bauart des Löschgerätes auch über die für das Programmieren zulässige Temperatur hinaus erhitzt werden, kann das Programmieren erst nach einer weiteren Wartezeit erfolgen. Die Zeiten können durch den Einsatz von Löschgeräten mit Blitzlampen deutlich verkürzt werden. Statt einer kontinuierlichen Bestrahlung werden dabei Lichtblitze verwendet. Falls die Vorgaben des Bausteinherstellers für das Löschen nicht korrekt eingehalten werden, kann eine scheinbar richtige Programmierung mit verkürzter Datenlebensdauer die Folge sein.		Ein konventioneller Löschvorgang dauert ca. 10 bis 30 Minuten. Da die [[Ionisation]] nach dem Ausschalten der Lichtquelle nicht sofort wieder abgeklungen ist und die Bausteine je nach Bauart des Löschgerätes auch über die für das Programmieren zulässige Temperatur hinaus erhitzt werden, kann das Programmieren erst nach einer weiteren Wartezeit erfolgen. Die Zeiten können durch den Einsatz von Löschgeräten mit Blitzlampen deutlich verkürzt werden. Statt einer kontinuierlichen Bestrahlung werden dabei Lichtblitze verwendet. Falls die Vorgaben des Bausteinherstellers für das Löschen nicht korrekt eingehalten werden, kann eine scheinbar richtige Programmierung mit verkürzter Datenlebensdauer die Folge sein.

Coronium: +Patent-Ref, EPROM von 1970

2023-01-09T18:49:52Z

+Patent-Ref, EPROM von 1970

← Nächstältere Version		Version vom 9. Januar 2023, 20:49 Uhr
Zeile 15:		Zeile 15:

	[[Datei:Intel 1702 1.jpg\|mini\|Intel 1702 mit 256 Byte]]		[[Datei:Intel 1702 1.jpg\|mini\|Intel 1702 mit 256 Byte]]
	Das EPROM wurde 1970 bei [[Intel]] von [[Dov Frohman]] entwickelt und als Intel 1702 auf den Markt gebracht.		Das EPROM wurde 1970 bei [[Intel]] von [[Dov Frohman]] entwickelt, patentiert<ref>{{Patent\| Land=US\| V-Nr=3660819\| Code=A\| Titel=Floating gate transistor and method for charging and discharging the same\| A-Datum=1970-06-15\| V-Datum=1972-05-02\| Anmelder=Intel Corp\| Erfinder=Dov Frohman-Bentchkowsky}}</ref> und als Intel 1702 auf den Markt gebracht.

	== Aufbau und Funktionsweise ==		== Aufbau und Funktionsweise ==

Hutch: Abschnittlink korrigiert

2022-12-09T04:48:24Z

Abschnittlink korrigiert

← Nächstältere Version		Version vom 9. Dezember 2022, 06:48 Uhr
Zeile 33:		Zeile 33:

	<gallery caption="Beispiele" perrow="4">		<gallery caption="Beispiele" perrow="4">
	TMS2516 EPROM.jpg\|Ein EPROM TMS2516 im Keramikgehäuse mit 2 [[Binärpräfix#~~IEC-Präfixe~~ ~~zur~~ ~~Basis~~ 2\|KiB]], Produktionsjahr 1979		TMS2516 EPROM.jpg\|Ein EPROM TMS2516 im Keramikgehäuse mit 2 [[Binärpräfix#Verhältnis binärer und dezimaler Präfixe\|KiB]], Produktionsjahr 1979
	EPROM AM27C256 (2).jpg\|256-KiBit-EPROM im [[Lasergravur\|lasergravierten]] Keramikgehäuse, aus 1994		EPROM AM27C256 (2).jpg\|256-KiBit-EPROM im [[Lasergravur\|lasergravierten]] Keramikgehäuse, aus 1994
	Epromf.jpg\|256-KiBit-EPROM in Nahaufnahme mit [[Bonddraht\|Bonddrähten]].		Epromf.jpg\|256-KiBit-EPROM in Nahaufnahme mit [[Bonddraht\|Bonddrähten]].

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	\| unten = 1		\| unten = 1
	\| Bild1 = EPROMs_4M,_2M,_256k,_16kbit.jpg		\| Bild1 = EPROMs_4M,_2M,_256k,_16kbit.jpg
	\| Untertitel1 = verschiedene EPROMs [[v.l.n.r.]]: 4 MiBit im 40-poligen [[Dual in-line package]] (DIP-40), 2 MiBit (DIP-32), 256 [[Binärpräfix#~~IEC-Präfixe~~ ~~zur~~ ~~Basis~~ 2\|KiBit]] (DIP-28) und 16 KiBit (DIP-24)		\| Untertitel1 = verschiedene EPROMs [[v.l.n.r.]]: 4 MiBit im 40-poligen [[Dual in-line package]] (DIP-40), 2 MiBit (DIP-32), 256 [[Binärpräfix#Verhältnis binärer und dezimaler Präfixe\|KiBit]] (DIP-28) und 16 KiBit (DIP-24)
	\| Breite1 = 275		\| Breite1 = 275
	\| Bild2 = National NM27C256.jpg		\| Bild2 = National NM27C256.jpg

80.151.36.244: /* Aufbau und Funktionsweise */ Grammatik

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Aufbau und Funktionsweise: Grammatik

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	Das Quarzglas-Fenster sollte nach dem Programmieren mit einem lichtundurchlässigen Aufkleber geschützt werden. Dies verhindert nicht nur ein ungewolltes Löschen – ein ungeschütztes EPROM kann nach ca. 90 Tagen direkter Sonneneinstrahlung gelöscht sein – sondern gewährleistet erst den regulären Betrieb des EPROM. Die Beleuchtung von Halbleiterchips mit einem gewöhnlichen Fotoblitzgerät kann kurzzeitige Datenverfälschung und damit Computerausfälle verursachen.		Das Quarzglas-Fenster sollte nach dem Programmieren mit einem lichtundurchlässigen Aufkleber geschützt werden. Dies verhindert nicht nur ein ungewolltes Löschen – ein ungeschütztes EPROM kann nach ca. 90 Tagen direkter Sonneneinstrahlung gelöscht sein – sondern gewährleistet erst den regulären Betrieb des EPROM. Die Beleuchtung von Halbleiterchips mit einem gewöhnlichen Fotoblitzgerät kann kurzzeitige Datenverfälschung und damit Computerausfälle verursachen.

	Übliche EPROMs haben 8 Bit breite Datenpfade, und die Gesamtspeicherkapazität ist in der Bezeichnung enthalten. So enthält ein 2764 64 KiB, die als {{nowrap\|8 Ki × 8}} organisiert ~~waren~~.		Übliche EPROMs haben 8 Bit breite Datenpfade, und die Gesamtspeicherkapazität ist in der Bezeichnung enthalten. So enthält ein 2764 64 KiB, die als {{nowrap\|8 Ki × 8}} organisiert sind.

	Eine Weiterentwicklung des EPROM ist das elektrisch löschbare [[EEPROM]] ({{lang\|en\|electrically erasable PROM}}) und das [[Flash-Speicher\|Flash-EEPROM]]. Flash-EEPROMs haben mittlerweile die EPROMs weitgehend vom Markt verdrängt.		Eine Weiterentwicklung des EPROM ist das elektrisch löschbare [[EEPROM]] ({{lang\|en\|electrically erasable PROM}}) und das [[Flash-Speicher\|Flash-EEPROM]]. Flash-EEPROMs haben mittlerweile die EPROMs weitgehend vom Markt verdrängt.