Embedded Wafer Level Ball Grid Array - Versionsgeschichte

2A02:908:1865:E880:7821:DB78:B3CA:7BE0: /* Weblinks */ STATS ChipPAC wurde von JCET gekauft, daher verlinkte Website nur noch in archive.org

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Weblinks: STATS ChipPAC wurde von JCET gekauft, daher verlinkte Website nur noch in archive.org

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	== Weblinks ==		== Weblinks ==

	*''[http://www.statschippac.com/services/~/media/Files/Package%20Datasheets/eWLB.ashx eWLB. Embedded Wafer-Level Ball Grid Array].'' STATS ChipPAC, März 2010, abgerufen am 9. August 2010 (PDF, Produktinformation, englisch)		*''[https://web.archive.org/web/20160525154556/http://www.statschippac.com/services/~/media/Files/Package%20Datasheets/eWLB.ashx eWLB. Embedded Wafer-Level Ball Grid Array].'' STATS ChipPAC, März 2010, abgerufen am 9. August 2010 (PDF, Produktinformation, englisch)

Schnabeltassentier: satzbau

2017-07-05T18:19:23Z

satzbau

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	== Herstellung ==		== Herstellung ==

	Hingegen erlaubt die eWLB-Technologie Chips mit vielen Kontakten herzustellen. Das Gehäuse wird dabei nicht wie bei klassischen Wafer-Level-Packages auf dem Siliziumwafer sondern ~~auf~~ einem künstlichen Wafer hergestellt. Dazu wird ein im [[Integrierter Schaltkreis#Front-End\|Frontend]] fertig prozessierter Wafer gesägt und die vereinzelten Chips auf eine Trägerplatte umgesetzt. Die Chips werden dabei in einem größeren Abstand zueinander abgelegt, als dies auf dem Silizium der Fall war. Die Zwischenräume und der Randbereich werden nun durch eine Vergussmasse aufgefüllt. Nach deren Härtung ist ein künstlicher Wafer entstanden, der einen Rahmen aus Vergussmasse (Moldrahmen) um die Chips beinhaltet, auf dem zusätzliche Lötkontakte untergebracht werden können. Nach der Herstellung des künstlichen Wafers, der sogenannten Reconstitution, werden nun wie bei klassischen Wafer-Level-Packages die elektrischen Verbindungen zu den Lötanschlüssen (Verbindungslagen, auch Umverdrahtung genannt) in [[Dünnschichttechnik]] hergestellt. Es lassen sich mit dieser Technologie beliebig viele zusätzliche Lötkontakte im gewünschten Abstand auf dem Gehäuse unterbringen (engl. {{lang\|en\|fan-out design}}).		Hingegen erlaubt die eWLB-Technologie Chips mit vielen Kontakten herzustellen. Das Gehäuse wird dabei nicht wie bei klassischen Wafer-Level-Packages auf dem Siliziumwafer, sondern einem künstlichen Wafer hergestellt. Dazu wird ein im [[Integrierter Schaltkreis#Front-End\|Frontend]] fertig prozessierter Wafer gesägt und die vereinzelten Chips auf eine Trägerplatte umgesetzt. Die Chips werden dabei in einem größeren Abstand zueinander abgelegt, als dies auf dem Silizium der Fall war. Die Zwischenräume und der Randbereich werden nun durch eine Vergussmasse aufgefüllt. Nach deren Härtung ist ein künstlicher Wafer entstanden, der einen Rahmen aus Vergussmasse (Moldrahmen) um die Chips beinhaltet, auf dem zusätzliche Lötkontakte untergebracht werden können. Nach der Herstellung des künstlichen Wafers, der sogenannten Reconstitution, werden nun wie bei klassischen Wafer-Level-Packages die elektrischen Verbindungen zu den Lötanschlüssen (Verbindungslagen, auch Umverdrahtung genannt) in [[Dünnschichttechnik]] hergestellt. Es lassen sich mit dieser Technologie beliebig viele zusätzliche Lötkontakte im gewünschten Abstand auf dem Gehäuse unterbringen (engl. {{lang\|en\|fan-out design}}).
	Dadurch lässt sich die Wafer-Level-Packaging-Technologie auch für neue, platzsensitive Anwendungen einsetzen, bei denen die Chipfläche nicht für die Unterbringung der Kontakte in einem realisierbaren Abstand ausreicht. Die eWLB-Technologie wurde von der Firma [[Infineon]] entwickelt. Erste Bausteine sind Mitte 2009 auf den Markt gekommen (Mobiltelefon).		Dadurch lässt sich die Wafer-Level-Packaging-Technologie auch für neue, platzsensitive Anwendungen einsetzen, bei denen die Chipfläche nicht für die Unterbringung der Kontakte in einem realisierbaren Abstand ausreicht. Die eWLB-Technologie wurde von der Firma [[Infineon]] entwickelt. Erste Bausteine sind Mitte 2009 auf den Markt gekommen (Mobiltelefon).

Atc: /* Entwicklung */Leerzeichen ergänzt.

2015-10-27T06:44:45Z

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	== Entwicklung ==		== Entwicklung ==

	eWLB ist eine Weiterentwicklung der Wafer-Level-Ball-Grid-Array-Technologie (WLB, auch: {{lang\|en\|[[wafer level package]]}},WLP), die sich dadurch auszeichnet, dass alle notwendigen Bearbeitungsschritte für das Gehäuse auf dem [[Wafer]] durchgeführt werden. Dies erlaubt gegenüber den klassischen Gehäusetechnologien (z. B. [[Ball Grid Array]]) die Herstellung extrem kleiner und flacher Gehäuse mit exzellenten elektrischen und thermischen Eigenschaften bei besonders niedrigen Herstellungskosten.		eWLB ist eine Weiterentwicklung der Wafer-Level-Ball-Grid-Array-Technologie (WLB, auch: {{lang\|en\|[[wafer level package]]}}, WLP), die sich dadurch auszeichnet, dass alle notwendigen Bearbeitungsschritte für das Gehäuse auf dem [[Wafer]] durchgeführt werden. Dies erlaubt gegenüber den klassischen Gehäusetechnologien (z. B. [[Ball Grid Array]]) die Herstellung extrem kleiner und flacher Gehäuse mit exzellenten elektrischen und thermischen Eigenschaften bei besonders niedrigen Herstellungskosten.

	Bei WLBs, die auf dem [[Silizium]]wafer hergestellt werden, müssen alle Lötkontakte auf den Chip passen (engl. {{lang\|en\|fan-in design}}). Daher können lediglich Bausteine mit einer beschränkten Anzahl von Kontakten gehäust werden. Verwandte Bauformen sind [[Wafer Level Package]] und Ball Grid Array.		Bei WLBs, die auf dem [[Silizium]]wafer hergestellt werden, müssen alle Lötkontakte auf den Chip passen (engl. {{lang\|en\|fan-in design}}). Daher können lediglich Bausteine mit einer beschränkten Anzahl von Kontakten gehäust werden. Verwandte Bauformen sind [[Wafer Level Package]] und Ball Grid Array.

Cepheiden am 11. März 2015 um 19:57 Uhr

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	'''{{lang\|en\|Embedded Wafer Level Ball Grid Array}}''' ('''eWLB''') ist eine [[Gehäuse]]bauform für [[integrierte Schaltung]]en, bei der die Gehäuseanschlüsse auf einem aus Chips und Vergussmasse künstlich hergestellten [[Wafer]] erzeugt werden.		'''{{lang\|en\|Embedded Wafer Level Ball Grid Array}}''' ('''eWLB''') ist eine [[Gehäuse]]bauform für [[integrierte Schaltung]]en, bei der die Gehäuseanschlüsse auf einem aus Chips und Vergussmasse künstlich hergestellten [[Wafer]] erzeugt werden.

	==Entwicklung==		== Entwicklung ==

	eWLB ist eine Weiterentwicklung der Wafer-Level-Ball-Grid-Array-Technologie (WLB, auch: {{lang\|en\|[[wafer level package]]}},WLP), die sich dadurch auszeichnet, dass alle notwendigen Bearbeitungsschritte für das Gehäuse auf dem Wafer durchgeführt werden. Dies erlaubt gegenüber den klassischen Gehäusetechnologien (z. B. [[Ball Grid Array]]) die Herstellung extrem kleiner und flacher Gehäuse mit exzellenten elektrischen und thermischen Eigenschaften bei besonders niedrigen Herstellungskosten.		eWLB ist eine Weiterentwicklung der Wafer-Level-Ball-Grid-Array-Technologie (WLB, auch: {{lang\|en\|[[wafer level package]]}},WLP), die sich dadurch auszeichnet, dass alle notwendigen Bearbeitungsschritte für das Gehäuse auf dem [[Wafer]] durchgeführt werden. Dies erlaubt gegenüber den klassischen Gehäusetechnologien (z. B. [[Ball Grid Array]]) die Herstellung extrem kleiner und flacher Gehäuse mit exzellenten elektrischen und thermischen Eigenschaften bei besonders niedrigen Herstellungskosten.

	Bei WLBs, die auf dem [[Silizium]]wafer hergestellt werden, müssen alle Lötkontakte auf den Chip passen (engl. {{lang\|en\|fan-in design}}). Daher können lediglich Bausteine mit einer beschränkten Anzahl von Kontakten gehäust werden. Verwandte Bauformen sind [[Wafer Level Package]] und Ball Grid Array.		Bei WLBs, die auf dem [[Silizium]]wafer hergestellt werden, müssen alle Lötkontakte auf den Chip passen (engl. {{lang\|en\|fan-in design}}). Daher können lediglich Bausteine mit einer beschränkten Anzahl von Kontakten gehäust werden. Verwandte Bauformen sind [[Wafer Level Package]] und Ball Grid Array.
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	[[Datei:EWLB Crossection.png\|miniatur\|Schliffbild eines eWLB]]		[[Datei:EWLB Crossection.png\|miniatur\|Schliffbild eines eWLB]]

	==Herstellung==		== Herstellung ==

	Hingegen erlaubt die eWLB-Technologie Chips mit vielen Kontakten herzustellen. Das Gehäuse wird dabei nicht wie bei klassischen Wafer-Level-Packages auf dem Siliziumwafer sondern auf einem künstlichen Wafer hergestellt. Dazu wird ein im [[~~Integrierter_Schaltkreis~~#Front-End\|Frontend]] fertig prozessierter Wafer gesägt und die vereinzelten Chips auf eine Trägerplatte umgesetzt. Die Chips werden dabei in einem größeren Abstand zueinander abgelegt, als dies auf dem Silizium der Fall war. Die Zwischenräume und der Randbereich werden nun durch eine Vergussmasse aufgefüllt. Nach deren Härtung ist ein künstlicher Wafer entstanden, der einen Rahmen aus Vergussmasse (Moldrahmen) um die Chips beinhaltet, auf dem zusätzliche Lötkontakte untergebracht werden können. Nach der Herstellung des künstlichen Wafers, der sogenannten Reconstitution, werden nun wie bei klassischen Wafer-Level-Packages die elektrischen Verbindungen zu den Lötanschlüssen (Verbindungslagen, auch Umverdrahtung genannt) in [[Dünnschichttechnik]] hergestellt. Es lassen sich mit dieser Technologie beliebig viele zusätzliche Lötkontakte im gewünschten Abstand auf dem Gehäuse unterbringen (engl. {{lang\|en\|fan-out design}}).		Hingegen erlaubt die eWLB-Technologie Chips mit vielen Kontakten herzustellen. Das Gehäuse wird dabei nicht wie bei klassischen Wafer-Level-Packages auf dem Siliziumwafer sondern auf einem künstlichen Wafer hergestellt. Dazu wird ein im [[Integrierter Schaltkreis#Front-End\|Frontend]] fertig prozessierter Wafer gesägt und die vereinzelten Chips auf eine Trägerplatte umgesetzt. Die Chips werden dabei in einem größeren Abstand zueinander abgelegt, als dies auf dem Silizium der Fall war. Die Zwischenräume und der Randbereich werden nun durch eine Vergussmasse aufgefüllt. Nach deren Härtung ist ein künstlicher Wafer entstanden, der einen Rahmen aus Vergussmasse (Moldrahmen) um die Chips beinhaltet, auf dem zusätzliche Lötkontakte untergebracht werden können. Nach der Herstellung des künstlichen Wafers, der sogenannten Reconstitution, werden nun wie bei klassischen Wafer-Level-Packages die elektrischen Verbindungen zu den Lötanschlüssen (Verbindungslagen, auch Umverdrahtung genannt) in [[Dünnschichttechnik]] hergestellt. Es lassen sich mit dieser Technologie beliebig viele zusätzliche Lötkontakte im gewünschten Abstand auf dem Gehäuse unterbringen (engl. {{lang\|en\|fan-out design}}).
	Dadurch lässt sich die Wafer-Level-Packaging-Technologie auch für neue, platzsensitive Anwendungen einsetzen, bei denen die Chipfläche nicht für die Unterbringung der Kontakte in einem realisierbaren Abstand ausreicht. Die eWLB-Technologie wurde von der Firma [[Infineon]] entwickelt. Erste Bausteine sind Mitte 2009 auf den Markt gekommen (Mobiltelefon).		Dadurch lässt sich die Wafer-Level-Packaging-Technologie auch für neue, platzsensitive Anwendungen einsetzen, bei denen die Chipfläche nicht für die Unterbringung der Kontakte in einem realisierbaren Abstand ausreicht. Die eWLB-Technologie wurde von der Firma [[Infineon]] entwickelt. Erste Bausteine sind Mitte 2009 auf den Markt gekommen (Mobiltelefon).

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	Nachteilig wirkt sich die erschwerte Inspektion und Reparatur der Bausteine (visuelle Inspektion nur eingeschränkt möglich) und die mechanischen Spannungen zwischen Gehäuse und Leiterplatte, die stärker zum Bauteil übertragen werden als bei anderen Gehäuseformen aus.		Nachteilig wirkt sich die erschwerte Inspektion und Reparatur der Bausteine (visuelle Inspektion nur eingeschränkt möglich) und die mechanischen Spannungen zwischen Gehäuse und Leiterplatte, die stärker zum Bauteil übertragen werden als bei anderen Gehäuseformen aus.

	==Weblinks==		== Weblinks ==

	*''[http://www.statschippac.com/services/~/media/Files/Package%20Datasheets/eWLB.ashx eWLB. Embedded Wafer-Level Ball Grid Array].'' STATS ChipPAC, März 2010, abgerufen am 9. August 2010 (PDF, Produktinformation, englisch)		*''[http://www.statschippac.com/services/~/media/Files/Package%20Datasheets/eWLB.ashx eWLB. Embedded Wafer-Level Ball Grid Array].'' STATS ChipPAC, März 2010, abgerufen am 9. August 2010 (PDF, Produktinformation, englisch)

HG32: /* Entwicklung */ - doppelter Link

2015-03-11T12:01:57Z

Entwicklung: - doppelter Link

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	eWLB ist eine Weiterentwicklung der Wafer-Level-Ball-Grid-Array-Technologie (WLB, auch: {{lang\|en\|[[wafer level package]]}},WLP), die sich dadurch auszeichnet, dass alle notwendigen Bearbeitungsschritte für das Gehäuse auf dem Wafer durchgeführt werden. Dies erlaubt gegenüber den klassischen Gehäusetechnologien (z. B. [[Ball Grid Array]]) die Herstellung extrem kleiner und flacher Gehäuse mit exzellenten elektrischen und thermischen Eigenschaften bei besonders niedrigen Herstellungskosten.		eWLB ist eine Weiterentwicklung der Wafer-Level-Ball-Grid-Array-Technologie (WLB, auch: {{lang\|en\|[[wafer level package]]}},WLP), die sich dadurch auszeichnet, dass alle notwendigen Bearbeitungsschritte für das Gehäuse auf dem Wafer durchgeführt werden. Dies erlaubt gegenüber den klassischen Gehäusetechnologien (z. B. [[Ball Grid Array]]) die Herstellung extrem kleiner und flacher Gehäuse mit exzellenten elektrischen und thermischen Eigenschaften bei besonders niedrigen Herstellungskosten.

	Bei WLBs, die auf dem [[Silizium]]wafer hergestellt werden, müssen alle Lötkontakte auf den Chip passen (engl. {{lang\|en\|fan-in design}}). Daher können lediglich Bausteine mit einer beschränkten Anzahl von Kontakten gehäust werden. Verwandte Bauformen sind [[Wafer Level Package]] und [[Ball Grid Array]].		Bei WLBs, die auf dem [[Silizium]]wafer hergestellt werden, müssen alle Lötkontakte auf den Chip passen (engl. {{lang\|en\|fan-in design}}). Daher können lediglich Bausteine mit einer beschränkten Anzahl von Kontakten gehäust werden. Verwandte Bauformen sind [[Wafer Level Package]] und Ball Grid Array.

	[[Datei:EWLB Crossection.png\|miniatur\|Schliffbild eines eWLB]]		[[Datei:EWLB Crossection.png\|miniatur\|Schliffbild eines eWLB]]

	==Herstellung==		==Herstellung==

KLBot2: Bot: 1 Interwiki-Link(s) nach Wikidata (:d:Q368513) migriert

2013-04-05T10:18:30Z

Bot: 1 Interwiki-Link(s) nach Wikidata (d:Q368513) migriert

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	[[Kategorie:Gehäuse]]		[[Kategorie:Gehäuse]]

	[[en:Embedded Wafer Level Ball Grid Array]]

培养皿: /* Herstellung */ wikilink edit (präz.)

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Herstellung: wikilink edit (präz.)

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	==Herstellung==		==Herstellung==

	Hingegen erlaubt die eWLB-Technologie Chips mit vielen Kontakten herzustellen. Das Gehäuse wird dabei nicht wie bei klassischen Wafer-Level-Packages auf dem Siliziumwafer sondern auf einem künstlichen Wafer hergestellt. Dazu wird ein im [[Frontend]] fertig prozessierter Wafer gesägt und die vereinzelten Chips auf eine Trägerplatte umgesetzt. Die Chips werden dabei in einem größeren Abstand zueinander abgelegt, als dies auf dem Silizium der Fall war. Die Zwischenräume und der Randbereich werden nun durch eine Vergussmasse aufgefüllt. Nach deren Härtung ist ein künstlicher Wafer entstanden, der einen Rahmen aus Vergussmasse (Moldrahmen) um die Chips beinhaltet, auf dem zusätzliche Lötkontakte untergebracht werden können. Nach der Herstellung des künstlichen Wafers, der sogenannten Reconstitution, werden nun wie bei klassischen Wafer-Level-Packages die elektrischen Verbindungen zu den Lötanschlüssen (Verbindungslagen, auch Umverdrahtung genannt) in [[Dünnschichttechnik]] hergestellt. Es lassen sich mit dieser Technologie beliebig viele zusätzliche Lötkontakte im gewünschten Abstand auf dem Gehäuse unterbringen (engl. {{lang\|en\|fan-out design}}).		Hingegen erlaubt die eWLB-Technologie Chips mit vielen Kontakten herzustellen. Das Gehäuse wird dabei nicht wie bei klassischen Wafer-Level-Packages auf dem Siliziumwafer sondern auf einem künstlichen Wafer hergestellt. Dazu wird ein im [[Integrierter_Schaltkreis#Front-End\|Frontend]] fertig prozessierter Wafer gesägt und die vereinzelten Chips auf eine Trägerplatte umgesetzt. Die Chips werden dabei in einem größeren Abstand zueinander abgelegt, als dies auf dem Silizium der Fall war. Die Zwischenräume und der Randbereich werden nun durch eine Vergussmasse aufgefüllt. Nach deren Härtung ist ein künstlicher Wafer entstanden, der einen Rahmen aus Vergussmasse (Moldrahmen) um die Chips beinhaltet, auf dem zusätzliche Lötkontakte untergebracht werden können. Nach der Herstellung des künstlichen Wafers, der sogenannten Reconstitution, werden nun wie bei klassischen Wafer-Level-Packages die elektrischen Verbindungen zu den Lötanschlüssen (Verbindungslagen, auch Umverdrahtung genannt) in [[Dünnschichttechnik]] hergestellt. Es lassen sich mit dieser Technologie beliebig viele zusätzliche Lötkontakte im gewünschten Abstand auf dem Gehäuse unterbringen (engl. {{lang\|en\|fan-out design}}).
	Dadurch lässt sich die Wafer-Level-Packaging-Technologie auch für neue, platzsensitive Anwendungen einsetzen, bei denen die Chipfläche nicht für die Unterbringung der Kontakte in einem realisierbaren Abstand ausreicht. Die eWLB-Technologie wurde von der Firma [[Infineon]] entwickelt. Erste Bausteine sind Mitte 2009 auf den Markt gekommen (Mobiltelefon).		Dadurch lässt sich die Wafer-Level-Packaging-Technologie auch für neue, platzsensitive Anwendungen einsetzen, bei denen die Chipfläche nicht für die Unterbringung der Kontakte in einem realisierbaren Abstand ausreicht. Die eWLB-Technologie wurde von der Firma [[Infineon]] entwickelt. Erste Bausteine sind Mitte 2009 auf den Markt gekommen (Mobiltelefon).

培养皿: + en link

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Cepheiden: /* Weblinks */

2010-08-09T18:26:39Z

Weblinks

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	==Weblinks==		==Weblinks==

	*[http://www.statschippac.com/services/~/media/Files/Package%20Datasheets/eWLB.ashx ~~Beschreibung~~ (englisch)]		*''[http://www.statschippac.com/services/~/media/Files/Package%20Datasheets/eWLB.ashx eWLB. Embedded Wafer-Level Ball Grid Array].'' STATS ChipPAC, März 2010, abgerufen am 9. August 2010 (PDF, Produktinformation, englisch)

Cepheiden: Änderungen von 216.31.253.4 (Diskussion) rückgängig gemacht und letzte Version von Jergen wiederhergestellt

2010-08-09T18:17:54Z

Änderungen von 216.31.253.4 (Diskussion) rückgängig gemacht und letzte Version von Jergen wiederhergestellt

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	*[http://www.~~infineonventures~~.com/~~cms~~/en/~~corporate~~/~~press~~/~~news~~/~~releases/2007/INFCOM200711-013~~.~~html~~ Beschreibung (englisch)]		*[http://www.statschippac.com/services/~/media/Files/Package%20Datasheets/eWLB.ashx Beschreibung (englisch)]