Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory - Versionsgeschichte

Siegbert v2: Einleitung belegt (steht fast 1:1 auf Englisch im genannten Buch)

2025-03-16T05:35:46Z

Einleitung belegt (steht fast 1:1 auf Englisch im genannten Buch)

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	[[Datei:Eeprom 9L05 smt DSC00579 wp.jpg\|mini\|Serielles EEPROM]]		[[Datei:Eeprom 9L05 smt DSC00579 wp.jpg\|mini\|Serielles EEPROM]]
	[[Datei:JAZZ Adrenaline Rush EEPROM.jpg\|mini\|Paralleles EEPROM von [[Alliance Semiconductor]] im [[Plastic Leaded Chip Carrier\|PLCC]]-[[Chipgehäuse]]]]		[[Datei:JAZZ Adrenaline Rush EEPROM.jpg\|mini\|Paralleles EEPROM von [[Alliance Semiconductor]] im [[Plastic Leaded Chip Carrier\|PLCC]]-[[Chipgehäuse]]]]
	Ein '''EEPROM''' (engl. Abk. für {{lang\|en\|''electrically erasable programmable read-only memory''}}, wörtlich: ''elektrisch löschbarer programmierbarer Nur-Lese-Speicher'', auch '''E<sup>2</sup>PROM''') ist ein [[Nichtflüchtiger Speicher\|nichtflüchtiger]], [[Elektronik\|elektronischer]] [[Datenspeicher\|Speicherbaustein]], dessen gespeicherte Information elektrisch gelöscht werden kann. Er ist verwandt mit anderen löschbaren Speichern, wie dem durch [[Ultraviolettstrahlung\|UV-Licht]] löschbaren [[Erasable Programmable Read-Only Memory\|EPROMs]] und dem ebenfalls elektrisch löschbaren [[Flash-Speicher]]. Er wird verwendet zur Speicherung kleinerer Datenmengen in elektrischen Geräten, bei denen die Information auch ohne anliegende Versorgungsspannung erhalten bleiben muss oder bei denen einzelne Speicherelemente bzw. [[Datenwort]]e einfach zu ändern sein müssen. Zur Speicherung größerer Datenmengen wie z. B. dem [[BIOS]] in [[Personal Computer\|PC-Systemen]] sind meist Flash-Speicher ökonomischer.		Ein '''EEPROM''' (engl. Abk. für {{lang\|en\|''electrically erasable programmable read-only memory''}}, wörtlich: ''elektrisch löschbarer programmierbarer Nur-Lese-Speicher'', auch '''E<sup>2</sup>PROM''') ist ein [[Nichtflüchtiger Speicher\|nichtflüchtiger]], [[Elektronik\|elektronischer]] [[Datenspeicher\|Speicherbaustein]], dessen gespeicherte Information elektrisch gelöscht werden kann. Er ist verwandt mit anderen löschbaren Speichern, wie dem durch [[Ultraviolettstrahlung\|UV-Licht]] löschbaren [[Erasable Programmable Read-Only Memory\|EPROMs]] und dem ebenfalls elektrisch löschbaren [[Flash-Speicher]].<ref>{{Literatur \|Autor=Piero Olivo, Enrico Zanoni \|Titel=Flash Memories: An Overview \|Hrsg=Paulo Cappelletti et al. \|Sammelwerk=Flash Memories \|Auflage=1 \|Verlag=Springer \|Ort=Boston \|Datum=1999 \|Sprache=en \|ISBN=0-7923-8487-3 \|Seiten=1–35}}</ref> Er wird verwendet zur Speicherung kleinerer Datenmengen in elektrischen Geräten, bei denen die Information auch ohne anliegende Versorgungsspannung erhalten bleiben muss oder bei denen einzelne Speicherelemente bzw. [[Datenwort]]e einfach zu ändern sein müssen. Zur Speicherung größerer Datenmengen wie z. B. dem [[BIOS]] in [[Personal Computer\|PC-Systemen]] sind meist Flash-Speicher ökonomischer.

	== Funktionsweise ==		== Funktionsweise ==

Wosch21149: /* Ausfallerscheinungen und Lebensdauer */ Archivlink geprüft. OK!

2024-12-03T10:04:35Z

Ausfallerscheinungen und Lebensdauer: Archivlink geprüft. OK!

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	* dem ungewollten Überschreiben benachbarter Speicherzellen, wenn eine Speicherzelle geändert wird (bezeichnet als „write disturb“),		* dem ungewollten Überschreiben benachbarter Speicherzellen, wenn eine Speicherzelle geändert wird (bezeichnet als „write disturb“),
	* dem begrenzten Erhaltungsvermögen des Speicherzustands der einzelnen Speicherplätze im EEPROM („retention“) und		* dem begrenzten Erhaltungsvermögen des Speicherzustands der einzelnen Speicherplätze im EEPROM („retention“) und
	* der begrenzten Lebensdauer bzw. Beschreibbarkeit („byte endurance“)<ref>{{Internetquelle \|autor=Lynn Reed, Vema Reddy \|url=https://www.tekmos.com/docmandocuments/support/white-papers/86-the-effects-of-repeated-refresh-cycles-on-the-oxide-integrity-of-eeprom \|titel=The Effects of Repeated Refresh Cycles on the Oxide Integrity of EEPROM Memories at High Temperature \|hrsg=Tekmos Inc. \|datum=2014 \|format=pdf \|sprache=en \|abruf=2023-12-17 }}</ref><ref>{{Webarchiv\|url=http://mientki.ruhosting.nl/data_www/pic/libs_hw/eeprom_problems.html \|wayback=20160304141409 \|text=EEPROM endurance, Online Quelle ~~\|archiv-bot=2024-12-02 23:41:34 InternetArchiveBot~~ }}</ref>.		* der begrenzten Lebensdauer bzw. Beschreibbarkeit („byte endurance“)<ref>{{Internetquelle \|autor=Lynn Reed, Vema Reddy \|url=https://www.tekmos.com/docmandocuments/support/white-papers/86-the-effects-of-repeated-refresh-cycles-on-the-oxide-integrity-of-eeprom \|titel=The Effects of Repeated Refresh Cycles on the Oxide Integrity of EEPROM Memories at High Temperature \|hrsg=Tekmos Inc. \|datum=2014 \|format=pdf \|sprache=en \|abruf=2023-12-17 }}</ref><ref>{{Webarchiv\|url=http://mientki.ruhosting.nl/data_www/pic/libs_hw/eeprom_problems.html \|wayback=20160304141409 \|text=EEPROM endurance, Online Quelle}}</ref>.

	In der Oxidschicht des Gates der in EEPROMs eingesetzten [[Floating-Gate-Transistor]]en sammeln sich eingefangene [[Elektron]]en an. Das elektrische Feld der eingefangenen Elektronen summiert sich zu dem Feld des ''Floating Gates'' und schmälert so das Fenster zwischen den Schwellenspannungen, die für die Speicherzustände Eins bzw. Null stehen. Nach einer bestimmten Anzahl von Schreibvorgängen wird die Differenz zu klein, um unterscheidbar zu bleiben, und die Speicherstelle bleibt dauerhaft auf dem programmierten Wert stehen. Hersteller geben üblicherweise die maximale Anzahl von Schreibvorgängen mit 10<sup>6</sup> oder mehr an.		In der Oxidschicht des Gates der in EEPROMs eingesetzten [[Floating-Gate-Transistor]]en sammeln sich eingefangene [[Elektron]]en an. Das elektrische Feld der eingefangenen Elektronen summiert sich zu dem Feld des ''Floating Gates'' und schmälert so das Fenster zwischen den Schwellenspannungen, die für die Speicherzustände Eins bzw. Null stehen. Nach einer bestimmten Anzahl von Schreibvorgängen wird die Differenz zu klein, um unterscheidbar zu bleiben, und die Speicherstelle bleibt dauerhaft auf dem programmierten Wert stehen. Hersteller geben üblicherweise die maximale Anzahl von Schreibvorgängen mit 10<sup>6</sup> oder mehr an.

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2024-12-02T23:41:35Z

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	* dem ungewollten Überschreiben benachbarter Speicherzellen, wenn eine Speicherzelle geändert wird (bezeichnet als „write disturb“),		* dem ungewollten Überschreiben benachbarter Speicherzellen, wenn eine Speicherzelle geändert wird (bezeichnet als „write disturb“),
	* dem begrenzten Erhaltungsvermögen des Speicherzustands der einzelnen Speicherplätze im EEPROM („retention“) und		* dem begrenzten Erhaltungsvermögen des Speicherzustands der einzelnen Speicherplätze im EEPROM („retention“) und
	* der begrenzten Lebensdauer bzw. Beschreibbarkeit („byte endurance“)<ref>{{Internetquelle \|autor=Lynn Reed, Vema Reddy \|url=https://www.tekmos.com/docmandocuments/support/white-papers/86-the-effects-of-repeated-refresh-cycles-on-the-oxide-integrity-of-eeprom \|titel=The Effects of Repeated Refresh Cycles on the Oxide Integrity of EEPROM Memories at High Temperature \|hrsg=Tekmos Inc. \|datum=2014 \|format=pdf \|sprache=en \|abruf=2023-12-17 }}</ref><ref>[http://mientki.ruhosting.nl/data_www/pic/libs_hw/eeprom_problems.html EEPROM endurance, Online Quelle]</ref>.		* der begrenzten Lebensdauer bzw. Beschreibbarkeit („byte endurance“)<ref>{{Internetquelle \|autor=Lynn Reed, Vema Reddy \|url=https://www.tekmos.com/docmandocuments/support/white-papers/86-the-effects-of-repeated-refresh-cycles-on-the-oxide-integrity-of-eeprom \|titel=The Effects of Repeated Refresh Cycles on the Oxide Integrity of EEPROM Memories at High Temperature \|hrsg=Tekmos Inc. \|datum=2014 \|format=pdf \|sprache=en \|abruf=2023-12-17 }}</ref><ref>{{Webarchiv\|url=http://mientki.ruhosting.nl/data_www/pic/libs_hw/eeprom_problems.html \|wayback=20160304141409 \|text=EEPROM endurance, Online Quelle \|archiv-bot=2024-12-02 23:41:34 InternetArchiveBot }}</ref>.

	In der Oxidschicht des Gates der in EEPROMs eingesetzten [[Floating-Gate-Transistor]]en sammeln sich eingefangene [[Elektron]]en an. Das elektrische Feld der eingefangenen Elektronen summiert sich zu dem Feld des ''Floating Gates'' und schmälert so das Fenster zwischen den Schwellenspannungen, die für die Speicherzustände Eins bzw. Null stehen. Nach einer bestimmten Anzahl von Schreibvorgängen wird die Differenz zu klein, um unterscheidbar zu bleiben, und die Speicherstelle bleibt dauerhaft auf dem programmierten Wert stehen. Hersteller geben üblicherweise die maximale Anzahl von Schreibvorgängen mit 10<sup>6</sup> oder mehr an.		In der Oxidschicht des Gates der in EEPROMs eingesetzten [[Floating-Gate-Transistor]]en sammeln sich eingefangene [[Elektron]]en an. Das elektrische Feld der eingefangenen Elektronen summiert sich zu dem Feld des ''Floating Gates'' und schmälert so das Fenster zwischen den Schwellenspannungen, die für die Speicherzustände Eins bzw. Null stehen. Nach einer bestimmten Anzahl von Schreibvorgängen wird die Differenz zu klein, um unterscheidbar zu bleiben, und die Speicherstelle bleibt dauerhaft auf dem programmierten Wert stehen. Hersteller geben üblicherweise die maximale Anzahl von Schreibvorgängen mit 10<sup>6</sup> oder mehr an.

Mhandschug: /* Ausfallerscheinungen und Lebensdauer */Linktext korrigiert

2023-12-22T17:45:33Z

Ausfallerscheinungen und Lebensdauer: Linktext korrigiert

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	* dem ungewollten Überschreiben benachbarter Speicherzellen, wenn eine Speicherzelle geändert wird (bezeichnet als „write disturb“),		* dem ungewollten Überschreiben benachbarter Speicherzellen, wenn eine Speicherzelle geändert wird (bezeichnet als „write disturb“),
	* dem begrenzten Erhaltungsvermögen des Speicherzustands der einzelnen Speicherplätze im EEPROM („retention“) und		* dem begrenzten Erhaltungsvermögen des Speicherzustands der einzelnen Speicherplätze im EEPROM („retention“) und
	* der begrenzten Lebensdauer bzw. Beschreibbarkeit („byte endurance“)<ref>{{Internetquelle \|autor=Lynn Reed, Vema Reddy \|url=https://www.tekmos.com/docmandocuments/support/white-papers/86-the-effects-of-repeated-refresh-cycles-on-the-oxide-integrity-of-eeprom \|titel=The Effects of Repeated Refresh Cycles on the Oxide Integrity		* der begrenzten Lebensdauer bzw. Beschreibbarkeit („byte endurance“)<ref>{{Internetquelle \|autor=Lynn Reed, Vema Reddy \|url=https://www.tekmos.com/docmandocuments/support/white-papers/86-the-effects-of-repeated-refresh-cycles-on-the-oxide-integrity-of-eeprom \|titel=The Effects of Repeated Refresh Cycles on the Oxide Integrity of EEPROM Memories at High Temperature \|hrsg=Tekmos Inc. \|datum=2014 \|format=pdf \|sprache=en \|abruf=2023-12-17 }}</ref><ref>[http://mientki.ruhosting.nl/data_www/pic/libs_hw/eeprom_problems.html EEPROM endurance, Online Quelle]</ref>.
	of EEPROM Memories at High Temperature \|hrsg=Tekmos Inc. \|datum=2014 \|format=pdf \|sprache=en \|abruf=2023-12-17 }}</ref><ref>[http://mientki.ruhosting.nl/data_www/pic/libs_hw/eeprom_problems.html EEPROM endurance, Online Quelle]</ref>.

	In der Oxidschicht des Gates der in EEPROMs eingesetzten [[Floating-Gate-Transistor]]en sammeln sich eingefangene [[Elektron]]en an. Das elektrische Feld der eingefangenen Elektronen summiert sich zu dem Feld des ''Floating Gates'' und schmälert so das Fenster zwischen den Schwellenspannungen, die für die Speicherzustände Eins bzw. Null stehen. Nach einer bestimmten Anzahl von Schreibvorgängen wird die Differenz zu klein, um unterscheidbar zu bleiben, und die Speicherstelle bleibt dauerhaft auf dem programmierten Wert stehen. Hersteller geben üblicherweise die maximale Anzahl von Schreibvorgängen mit 10<sup>6</sup> oder mehr an.		In der Oxidschicht des Gates der in EEPROMs eingesetzten [[Floating-Gate-Transistor]]en sammeln sich eingefangene [[Elektron]]en an. Das elektrische Feld der eingefangenen Elektronen summiert sich zu dem Feld des ''Floating Gates'' und schmälert so das Fenster zwischen den Schwellenspannungen, die für die Speicherzustände Eins bzw. Null stehen. Nach einer bestimmten Anzahl von Schreibvorgängen wird die Differenz zu klein, um unterscheidbar zu bleiben, und die Speicherstelle bleibt dauerhaft auf dem programmierten Wert stehen. Hersteller geben üblicherweise die maximale Anzahl von Schreibvorgängen mit 10<sup>6</sup> oder mehr an.

Wosch21149: /* Ausfallerscheinungen und Lebensdauer */ Erscheinungsdatum / Konferenzdatum ist auf Tekmos-Website genannt (2014)

2023-12-17T22:01:09Z

Ausfallerscheinungen und Lebensdauer: Erscheinungsdatum / Konferenzdatum ist auf Tekmos-Website genannt (2014)

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	* dem begrenzten Erhaltungsvermögen des Speicherzustands der einzelnen Speicherplätze im EEPROM („retention“) und		* dem begrenzten Erhaltungsvermögen des Speicherzustands der einzelnen Speicherplätze im EEPROM („retention“) und
	* der begrenzten Lebensdauer bzw. Beschreibbarkeit („byte endurance“)<ref>{{Internetquelle \|autor=Lynn Reed, Vema Reddy \|url=https://www.tekmos.com/docmandocuments/support/white-papers/86-the-effects-of-repeated-refresh-cycles-on-the-oxide-integrity-of-eeprom \|titel=The Effects of Repeated Refresh Cycles on the Oxide Integrity		* der begrenzten Lebensdauer bzw. Beschreibbarkeit („byte endurance“)<ref>{{Internetquelle \|autor=Lynn Reed, Vema Reddy \|url=https://www.tekmos.com/docmandocuments/support/white-papers/86-the-effects-of-repeated-refresh-cycles-on-the-oxide-integrity-of-eeprom \|titel=The Effects of Repeated Refresh Cycles on the Oxide Integrity
	of EEPROM Memories at High Temperature \|hrsg=Tekmos Inc. \|datum= \|format=pdf \|sprache=en \|abruf=2023-12-17 }}</ref><ref>[http://mientki.ruhosting.nl/data_www/pic/libs_hw/eeprom_problems.html EEPROM endurance, Online Quelle]</ref>.		of EEPROM Memories at High Temperature \|hrsg=Tekmos Inc. \|datum=2014 \|format=pdf \|sprache=en \|abruf=2023-12-17 }}</ref><ref>[http://mientki.ruhosting.nl/data_www/pic/libs_hw/eeprom_problems.html EEPROM endurance, Online Quelle]</ref>.

	In der Oxidschicht des Gates der in EEPROMs eingesetzten [[Floating-Gate-Transistor]]en sammeln sich eingefangene [[Elektron]]en an. Das elektrische Feld der eingefangenen Elektronen summiert sich zu dem Feld des ''Floating Gates'' und schmälert so das Fenster zwischen den Schwellenspannungen, die für die Speicherzustände Eins bzw. Null stehen. Nach einer bestimmten Anzahl von Schreibvorgängen wird die Differenz zu klein, um unterscheidbar zu bleiben, und die Speicherstelle bleibt dauerhaft auf dem programmierten Wert stehen. Hersteller geben üblicherweise die maximale Anzahl von Schreibvorgängen mit 10<sup>6</sup> oder mehr an.		In der Oxidschicht des Gates der in EEPROMs eingesetzten [[Floating-Gate-Transistor]]en sammeln sich eingefangene [[Elektron]]en an. Das elektrische Feld der eingefangenen Elektronen summiert sich zu dem Feld des ''Floating Gates'' und schmälert so das Fenster zwischen den Schwellenspannungen, die für die Speicherzustände Eins bzw. Null stehen. Nach einer bestimmten Anzahl von Schreibvorgängen wird die Differenz zu klein, um unterscheidbar zu bleiben, und die Speicherstelle bleibt dauerhaft auf dem programmierten Wert stehen. Hersteller geben üblicherweise die maximale Anzahl von Schreibvorgängen mit 10<sup>6</sup> oder mehr an.

Wosch21149: /* Ausfallerscheinungen und Lebensdauer */ Toten Link durch aktuellen ersetzt

2023-12-17T21:54:41Z

Ausfallerscheinungen und Lebensdauer: Toten Link durch aktuellen ersetzt

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	* dem ungewollten Überschreiben benachbarter Speicherzellen, wenn eine Speicherzelle geändert wird (bezeichnet als „write disturb“),		* dem ungewollten Überschreiben benachbarter Speicherzellen, wenn eine Speicherzelle geändert wird (bezeichnet als „write disturb“),
	* dem begrenzten Erhaltungsvermögen des Speicherzustands der einzelnen Speicherplätze im EEPROM („retention“) und		* dem begrenzten Erhaltungsvermögen des Speicherzustands der einzelnen Speicherplätze im EEPROM („retention“) und
	* der begrenzten Lebensdauer bzw. Beschreibbarkeit („byte endurance“)<ref>~~[http://www.tekmos.com/documents/support/white-papers/86-the-effects-of-repeated-refresh-cycles-on-the-oxide-integrity-of-eeprom?usg~~=~~AFQjCNEM9mga3z3PMLHKMcSnCCUi6920Tw&bvm=bv.104819420,d.bGg~~ Lynn Reed, Vema Reddy ~~"The Effects of Repeated Refresh Cycles on the Oxide Integrity of EEPROM Memories at High Temperature" Tekmos Inc.]{{Toter Link~~\|url=~~http~~://www.tekmos.com/~~documents~~/support/white-papers/86-the-effects-of-repeated-refresh-cycles-on-the-oxide-integrity-of-eeprom~~?usg=AFQjCNEM9mga3z3PMLHKMcSnCCUi6920Tw&bvm=bv.104819420,d.bGg~~ \|~~date~~=~~2023-12~~ ~~\|archivebot=2023-12-17~~ ~~08:06:35~~ ~~InternetArchiveBot~~ ~~}}</ref><ref>[http://mientki.ruhosting.nl/data_www/pic/libs_hw/eeprom_problems.html~~ ~~EEPROM~~ ~~endurance,~~ ~~Online~~ ~~Quelle]</ref>.~~		* der begrenzten Lebensdauer bzw. Beschreibbarkeit („byte endurance“)<ref>{{Internetquelle \|autor=Lynn Reed, Vema Reddy \|url=https://www.tekmos.com/docmandocuments/support/white-papers/86-the-effects-of-repeated-refresh-cycles-on-the-oxide-integrity-of-eeprom \|titel=The Effects of Repeated Refresh Cycles on the Oxide Integrity
			of EEPROM Memories at High Temperature \|hrsg=Tekmos Inc. \|datum= \|format=pdf \|sprache=en \|abruf=2023-12-17 }}</ref><ref>[http://mientki.ruhosting.nl/data_www/pic/libs_hw/eeprom_problems.html EEPROM endurance, Online Quelle]</ref>.

	In der Oxidschicht des Gates der in EEPROMs eingesetzten [[Floating-Gate-Transistor]]en sammeln sich eingefangene [[Elektron]]en an. Das elektrische Feld der eingefangenen Elektronen summiert sich zu dem Feld des ''Floating Gates'' und schmälert so das Fenster zwischen den Schwellenspannungen, die für die Speicherzustände Eins bzw. Null stehen. Nach einer bestimmten Anzahl von Schreibvorgängen wird die Differenz zu klein, um unterscheidbar zu bleiben, und die Speicherstelle bleibt dauerhaft auf dem programmierten Wert stehen. Hersteller geben üblicherweise die maximale Anzahl von Schreibvorgängen mit 10<sup>6</sup> oder mehr an.		In der Oxidschicht des Gates der in EEPROMs eingesetzten [[Floating-Gate-Transistor]]en sammeln sich eingefangene [[Elektron]]en an. Das elektrische Feld der eingefangenen Elektronen summiert sich zu dem Feld des ''Floating Gates'' und schmälert so das Fenster zwischen den Schwellenspannungen, die für die Speicherzustände Eins bzw. Null stehen. Nach einer bestimmten Anzahl von Schreibvorgängen wird die Differenz zu klein, um unterscheidbar zu bleiben, und die Speicherstelle bleibt dauerhaft auf dem programmierten Wert stehen. Hersteller geben üblicherweise die maximale Anzahl von Schreibvorgängen mit 10<sup>6</sup> oder mehr an.

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2023-12-17T08:06:35Z

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← Nächstältere Version		Version vom 17. Dezember 2023, 10:06 Uhr
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	* dem ungewollten Überschreiben benachbarter Speicherzellen, wenn eine Speicherzelle geändert wird (bezeichnet als „write disturb“),		* dem ungewollten Überschreiben benachbarter Speicherzellen, wenn eine Speicherzelle geändert wird (bezeichnet als „write disturb“),
	* dem begrenzten Erhaltungsvermögen des Speicherzustands der einzelnen Speicherplätze im EEPROM („retention“) und		* dem begrenzten Erhaltungsvermögen des Speicherzustands der einzelnen Speicherplätze im EEPROM („retention“) und
	* der begrenzten Lebensdauer bzw. Beschreibbarkeit („byte endurance“)<ref>[http://www.tekmos.com/documents/support/white-papers/86-the-effects-of-repeated-refresh-cycles-on-the-oxide-integrity-of-eeprom?usg=AFQjCNEM9mga3z3PMLHKMcSnCCUi6920Tw&bvm=bv.104819420,d.bGg Lynn Reed, Vema Reddy "The Effects of Repeated Refresh Cycles on the Oxide Integrity of EEPROM Memories at High Temperature" Tekmos Inc.]</ref><ref>[http://mientki.ruhosting.nl/data_www/pic/libs_hw/eeprom_problems.html EEPROM endurance, Online Quelle]</ref>.		* der begrenzten Lebensdauer bzw. Beschreibbarkeit („byte endurance“)<ref>[http://www.tekmos.com/documents/support/white-papers/86-the-effects-of-repeated-refresh-cycles-on-the-oxide-integrity-of-eeprom?usg=AFQjCNEM9mga3z3PMLHKMcSnCCUi6920Tw&bvm=bv.104819420,d.bGg Lynn Reed, Vema Reddy "The Effects of Repeated Refresh Cycles on the Oxide Integrity of EEPROM Memories at High Temperature" Tekmos Inc.]{{Toter Link\|url=http://www.tekmos.com/documents/support/white-papers/86-the-effects-of-repeated-refresh-cycles-on-the-oxide-integrity-of-eeprom?usg=AFQjCNEM9mga3z3PMLHKMcSnCCUi6920Tw&bvm=bv.104819420,d.bGg \|date=2023-12 \|archivebot=2023-12-17 08:06:35 InternetArchiveBot }}</ref><ref>[http://mientki.ruhosting.nl/data_www/pic/libs_hw/eeprom_problems.html EEPROM endurance, Online Quelle]</ref>.

	In der Oxidschicht des Gates der in EEPROMs eingesetzten [[Floating-Gate-Transistor]]en sammeln sich eingefangene [[Elektron]]en an. Das elektrische Feld der eingefangenen Elektronen summiert sich zu dem Feld des ''Floating Gates'' und schmälert so das Fenster zwischen den Schwellenspannungen, die für die Speicherzustände Eins bzw. Null stehen. Nach einer bestimmten Anzahl von Schreibvorgängen wird die Differenz zu klein, um unterscheidbar zu bleiben, und die Speicherstelle bleibt dauerhaft auf dem programmierten Wert stehen. Hersteller geben üblicherweise die maximale Anzahl von Schreibvorgängen mit 10<sup>6</sup> oder mehr an.		In der Oxidschicht des Gates der in EEPROMs eingesetzten [[Floating-Gate-Transistor]]en sammeln sich eingefangene [[Elektron]]en an. Das elektrische Feld der eingefangenen Elektronen summiert sich zu dem Feld des ''Floating Gates'' und schmälert so das Fenster zwischen den Schwellenspannungen, die für die Speicherzustände Eins bzw. Null stehen. Nach einer bestimmten Anzahl von Schreibvorgängen wird die Differenz zu klein, um unterscheidbar zu bleiben, und die Speicherstelle bleibt dauerhaft auf dem programmierten Wert stehen. Hersteller geben üblicherweise die maximale Anzahl von Schreibvorgängen mit 10<sup>6</sup> oder mehr an.

EugenMueller2004: Rechtschreibfehler Korrigiert (Parallels EEPROM -> Paralleles EEPROM)

2021-05-10T07:35:00Z

Rechtschreibfehler Korrigiert (Parallels EEPROM -> Paralleles EEPROM)

← Nächstältere Version		Version vom 10. Mai 2021, 09:35 Uhr
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	[[Datei:Eeprom 9L05 smt DSC00579 wp.jpg\|mini\|Serielles EEPROM]]		[[Datei:Eeprom 9L05 smt DSC00579 wp.jpg\|mini\|Serielles EEPROM]]
	[[Datei:JAZZ Adrenaline Rush EEPROM.jpg\|mini\|~~Parallels~~ EEPROM von [[Alliance Semiconductor]] im [[Plastic Leaded Chip Carrier\|PLCC]]-[[Chipgehäuse]]]]		[[Datei:JAZZ Adrenaline Rush EEPROM.jpg\|mini\|Paralleles EEPROM von [[Alliance Semiconductor]] im [[Plastic Leaded Chip Carrier\|PLCC]]-[[Chipgehäuse]]]]
	Ein '''EEPROM''' (engl. Abk. für {{lang\|en\|''electrically erasable programmable read-only memory''}}, wörtlich: ''elektrisch löschbarer programmierbarer Nur-Lese-Speicher'', auch '''E<sup>2</sup>PROM''') ist ein [[Nichtflüchtiger Speicher\|nichtflüchtiger]], [[Elektronik\|elektronischer]] [[Datenspeicher\|Speicherbaustein]], dessen gespeicherte Information elektrisch gelöscht werden kann. Er ist verwandt mit anderen löschbaren Speichern, wie dem durch [[Ultraviolettstrahlung\|UV-Licht]] löschbaren [[Erasable Programmable Read-Only Memory\|EPROMs]] und dem ebenfalls elektrisch löschbaren [[Flash-Speicher]]. Er wird verwendet zur Speicherung kleinerer Datenmengen in elektrischen Geräten, bei denen die Information auch ohne anliegende Versorgungsspannung erhalten bleiben muss oder bei denen einzelne Speicherelemente bzw. [[Datenwort]]e einfach zu ändern sein müssen. Zur Speicherung größerer Datenmengen wie z. B. dem [[BIOS]] in [[Personal Computer\|PC-Systemen]] sind meist Flash-Speicher ökonomischer.		Ein '''EEPROM''' (engl. Abk. für {{lang\|en\|''electrically erasable programmable read-only memory''}}, wörtlich: ''elektrisch löschbarer programmierbarer Nur-Lese-Speicher'', auch '''E<sup>2</sup>PROM''') ist ein [[Nichtflüchtiger Speicher\|nichtflüchtiger]], [[Elektronik\|elektronischer]] [[Datenspeicher\|Speicherbaustein]], dessen gespeicherte Information elektrisch gelöscht werden kann. Er ist verwandt mit anderen löschbaren Speichern, wie dem durch [[Ultraviolettstrahlung\|UV-Licht]] löschbaren [[Erasable Programmable Read-Only Memory\|EPROMs]] und dem ebenfalls elektrisch löschbaren [[Flash-Speicher]]. Er wird verwendet zur Speicherung kleinerer Datenmengen in elektrischen Geräten, bei denen die Information auch ohne anliegende Versorgungsspannung erhalten bleiben muss oder bei denen einzelne Speicherelemente bzw. [[Datenwort]]e einfach zu ändern sein müssen. Zur Speicherung größerer Datenmengen wie z. B. dem [[BIOS]] in [[Personal Computer\|PC-Systemen]] sind meist Flash-Speicher ökonomischer.

194.230.145.33 am 4. Mai 2021 um 13:31 Uhr

2021-05-04T13:31:34Z

← Nächstältere Version		Version vom 4. Mai 2021, 15:31 Uhr
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	Ein EEPROM besteht aus einer Matrix aus [[Feldeffekttransistor]]en (FETs) mit isoliertem Steueranschluss ([[Floating Gate]]), in der jeder dieser FETs ein [[Bit]] repräsentiert. Beim Programmiervorgang wird auf das Floating Gate eine Ladung eingebracht, die nur durch den Löschvorgang wieder entfernt werden kann. Im Normalbetrieb bleibt die Ladung auf dem vollständig isolierten Gate erhalten.		Ein EEPROM besteht aus einer Matrix aus [[Feldeffekttransistor]]en (FETs) mit isoliertem Steueranschluss ([[Floating Gate]]), in der jeder dieser FETs ein [[Bit]] repräsentiert. Beim Programmiervorgang wird auf das Floating Gate eine Ladung eingebracht, die nur durch den Löschvorgang wieder entfernt werden kann. Im Normalbetrieb bleibt die Ladung auf dem vollständig isolierten Gate erhalten.

	Bei (UV-löschbaren) EPROMs wird beim Schreiben die Ladung durch [[Injektion heißer Ladungsträger]] (engl. {{lang\|en\|''hot-carrier injection''}}, HCI) auf das Gate gebracht und kann nur durch Bestrahlung mit UV-Licht wieder entfernt werden.		Bei (UV-löschbaren) EPROMs wird beim Schreiben die Ladung durch [[Injektion heißer Ladungsträger]] (engl. {{lang\|en\|''hot-carrier injection''}}, HCI) auf das Gate gebracht und kann nur durch Bestrahlung mit [[Ultraviolettstrahlung\|UV-Licht]] wieder entfernt werden.

	Bei EEPROMs wird sowohl beim Schreiben als auch Löschen die Ladung durch [[Fowler-Nordheim-Tunneln]] auf das isolierte Gate aufgebracht bzw. von diesem entfernt.		Bei EEPROMs wird sowohl beim Schreiben als auch Löschen die Ladung durch [[Fowler-Nordheim-Tunneln]] auf das isolierte Gate aufgebracht bzw. von diesem entfernt.

Elmepi: Bild+, Links+

2021-03-17T17:05:56Z

Bild+, Links+

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	[[Datei:Eeprom 9L05 smt DSC00579 wp.jpg\|mini\|Serielles EEPROM]]		[[Datei:Eeprom 9L05 smt DSC00579 wp.jpg\|mini\|Serielles EEPROM]]
	[[Datei:JAZZ Adrenaline Rush EEPROM.jpg\|mini\|~~Parallels~~ EEPROM von [[Alliance Semiconductor]] im [[Plastic Leaded Chip Carrier\|PLCC]]-[[Chipgehäuse]]]]		[[Datei:JAZZ Adrenaline Rush EEPROM.jpg\|mini\|Paralleles EEPROM von [[Alliance Semiconductor]] im [[Plastic Leaded Chip Carrier\|PLCC]]-[[Chipgehäuse]]]]
	Ein '''EEPROM''' (engl. Abk. für {{lang\|en\|''electrically erasable programmable read-only memory''}}, wörtlich: ''elektrisch löschbarer programmierbarer Nur-Lese-Speicher'', auch '''E<sup>2</sup>PROM''') ist ein [[Nichtflüchtiger Speicher\|nichtflüchtiger]], [[Elektronik\|elektronischer]] [[Datenspeicher\|Speicherbaustein]], dessen gespeicherte Information elektrisch gelöscht werden kann. Er ist verwandt mit anderen löschbaren Speichern, wie dem durch [[Ultraviolettstrahlung\|UV-Licht]] löschbaren [[Erasable Programmable Read-Only Memory\|EPROMs]] und dem ebenfalls elektrisch löschbaren [[Flash-Speicher]]. Er wird verwendet zur Speicherung kleinerer Datenmengen in elektrischen Geräten, bei denen die Information auch ohne anliegende Versorgungsspannung erhalten bleiben muss oder bei denen einzelne Speicherelemente bzw. [[Datenwort]]e einfach zu ändern sein müssen. Zur Speicherung größerer Datenmengen wie z. B. dem [[BIOS]] in [[Personal Computer\|PC-Systemen]] sind meist Flash-Speicher ökonomischer.		Ein '''EEPROM''' (engl. Abk. für {{lang\|en\|''electrically erasable programmable read-only memory''}}, wörtlich: ''elektrisch löschbarer programmierbarer Nur-Lese-Speicher'', auch '''E<sup>2</sup>PROM''') ist ein [[Nichtflüchtiger Speicher\|nichtflüchtiger]], [[Elektronik\|elektronischer]] [[Datenspeicher\|Speicherbaustein]], dessen gespeicherte Information elektrisch gelöscht werden kann. Er ist verwandt mit anderen löschbaren Speichern, wie dem durch [[Ultraviolettstrahlung\|UV-Licht]] löschbaren [[Erasable Programmable Read-Only Memory\|EPROMs]] und dem ebenfalls elektrisch löschbaren [[Flash-Speicher]]. Er wird verwendet zur Speicherung kleinerer Datenmengen in elektrischen Geräten, bei denen die Information auch ohne anliegende Versorgungsspannung erhalten bleiben muss oder bei denen einzelne Speicherelemente bzw. [[Datenwort]]e einfach zu ändern sein müssen. Zur Speicherung größerer Datenmengen wie z. B. dem [[BIOS]] in [[Personal Computer\|PC-Systemen]] sind meist Flash-Speicher ökonomischer.

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			[[Datei:JAZZ Adrenaline Rush EEPROM.jpg\|mini\|Parallels EEPROM von [[Alliance Semiconductor]] im [[Plastic Leaded Chip Carrier\|PLCC]]-[[Chipgehäuse]]]]
	Ein '''EEPROM''' (engl. Abk. für {{lang\|en\|''electrically erasable programmable read-only memory''}}, wörtlich: ''elektrisch löschbarer programmierbarer Nur-Lese-Speicher'', auch '''E<sup>2</sup>PROM''') ist ein [[Nichtflüchtiger Speicher\|nichtflüchtiger]], [[Elektronik\|elektronischer]] [[Datenspeicher\|Speicherbaustein]], dessen gespeicherte Information elektrisch gelöscht werden kann. Er ist verwandt mit anderen löschbaren Speichern, wie dem durch [[Ultraviolettstrahlung\|UV-Licht]] löschbaren [[Erasable Programmable Read-Only Memory\|EPROMs]] und dem ebenfalls elektrisch löschbaren [[Flash-Speicher]]. Er wird verwendet zur Speicherung kleinerer Datenmengen in elektrischen Geräten, bei denen die Information auch ohne anliegende Versorgungsspannung erhalten bleiben muss oder bei denen einzelne Speicherelemente bzw. [[Datenwort]]e einfach zu ändern sein müssen. Zur Speicherung größerer Datenmengen wie z. B. dem [[BIOS]] in [[Personal Computer\|PC-Systemen]] sind meist Flash-Speicher ökonomischer.		Ein '''EEPROM''' (engl. Abk. für {{lang\|en\|''electrically erasable programmable read-only memory''}}, wörtlich: ''elektrisch löschbarer programmierbarer Nur-Lese-Speicher'', auch '''E<sup>2</sup>PROM''') ist ein [[Nichtflüchtiger Speicher\|nichtflüchtiger]], [[Elektronik\|elektronischer]] [[Datenspeicher\|Speicherbaustein]], dessen gespeicherte Information elektrisch gelöscht werden kann. Er ist verwandt mit anderen löschbaren Speichern, wie dem durch [[Ultraviolettstrahlung\|UV-Licht]] löschbaren [[Erasable Programmable Read-Only Memory\|EPROMs]] und dem ebenfalls elektrisch löschbaren [[Flash-Speicher]]. Er wird verwendet zur Speicherung kleinerer Datenmengen in elektrischen Geräten, bei denen die Information auch ohne anliegende Versorgungsspannung erhalten bleiben muss oder bei denen einzelne Speicherelemente bzw. [[Datenwort]]e einfach zu ändern sein müssen. Zur Speicherung größerer Datenmengen wie z. B. dem [[BIOS]] in [[Personal Computer\|PC-Systemen]] sind meist Flash-Speicher ökonomischer.

	== Funktionsweise ==		== Funktionsweise ==
	Der Ausdruck ~~"EEPROM"~~ beschreibt lediglich die Eigenschaften des Speichers, dass dieser nicht-flüchtig ist und allein mit elektrischer Energie gelöscht werden kann (im Gegensatz zu dem nur durch UV-Licht löschbaren [[EPROM]]). Der Ausdruck ~~"EEPROM"~~ umfasst deshalb genau genommen die heute üblicherweise als EEPROM bezeichneten wort- oder byteweise löschbaren Speicher, als auch die neueren blockweise löschbaren Flashspeicher. Da bei letzteren die sonst pro Speicherzelle notwendigen Schreib-, Lese- und Löschtransistoren entfallen können, ist mit ihnen eine deutliche höhere [[Speicherdichte]] erreichbar.		Der Ausdruck „EEPROM“ beschreibt lediglich die Eigenschaften des Speichers, dass dieser nicht-flüchtig ist und allein mit elektrischer Energie gelöscht werden kann (im Gegensatz zu dem nur durch UV-Licht löschbaren [[EPROM]]). Der Ausdruck „EEPROM“ umfasst deshalb genau genommen die heute üblicherweise als EEPROM bezeichneten wort- oder byteweise löschbaren Speicher, als auch die neueren blockweise löschbaren Flashspeicher. Da bei letzteren die sonst pro Speicherzelle notwendigen Schreib-, Lese- und Löschtransistoren entfallen können, ist mit ihnen eine deutliche höhere [[Speicherdichte]] erreichbar.

	Ein EEPROM besteht aus einer Matrix aus [[Feldeffekttransistor]]en (FETs) mit isoliertem Steueranschluss ([[Floating Gate]]), in der jeder dieser FETs ein [[Bit]] repräsentiert. Beim Programmiervorgang wird auf das Floating Gate eine Ladung eingebracht, die nur durch den Löschvorgang wieder entfernt werden kann. Im Normalbetrieb bleibt die Ladung auf dem vollständig isolierten Gate erhalten.		Ein EEPROM besteht aus einer Matrix aus [[Feldeffekttransistor]]en (FETs) mit isoliertem Steueranschluss ([[Floating Gate]]), in der jeder dieser FETs ein [[Bit]] repräsentiert. Beim Programmiervorgang wird auf das Floating Gate eine Ladung eingebracht, die nur durch den Löschvorgang wieder entfernt werden kann. Im Normalbetrieb bleibt die Ladung auf dem vollständig isolierten Gate erhalten.
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	== Anwendungsgebiete ==		== Anwendungsgebiete ==
	[[Datei:AT24C02 EEPROM 1480355 6 7 HDR Enhancer.jpg\|mini\|8-~~Pin~~ I²C-EEPROM]]		[[Datei:AT24C02 EEPROM 1480355 6 7 HDR Enhancer.jpg\|mini\|8-poliges I²C-EEPROM von [[STMicroelectronics]] im [[Dual in-line package]]]]
	EEPROMs können im Unterschied zu [[Flash-EEPROM]]s byteweise beschrieben und gelöscht werden. Im Vergleich zu Flash-EEPROMs, die zwischen 1 μs und 1 ms für einen Schreibzyklus benötigen, sind herkömmliche EEPROMs mit 1 ms bis 10 ms erheblich langsamer. EEPROMs verwendet man deshalb bevorzugt, wenn einzelne [[Byte\|Datenbytes]] in größeren Zeitabständen verändert und netzausfallsicher gespeichert werden müssen, wie zum Beispiel bei Konfigurationsdaten oder [[Betriebsstundenzähler]]n.		EEPROMs können im Unterschied zu [[Flash-EEPROM]]s byteweise beschrieben und gelöscht werden. Im Vergleich zu Flash-EEPROMs, die zwischen 1 μs und 1 ms für einen Schreibzyklus benötigen, sind herkömmliche EEPROMs mit 1 ms bis 10 ms erheblich langsamer. EEPROMs verwendet man deshalb bevorzugt, wenn einzelne [[Byte\|Datenbytes]] in größeren Zeitabständen verändert und netzausfallsicher gespeichert werden müssen, wie zum Beispiel bei Konfigurationsdaten oder [[Betriebsstundenzähler]]n.

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	== Ausfallerscheinungen und Lebensdauer ==		== Ausfallerscheinungen und Lebensdauer ==
	In EEPROMs gespeicherte Daten können von drei Arten von Ausfallerscheinungen betroffen sein:		In EEPROMs gespeicherte Daten können von drei Arten von Ausfallerscheinungen betroffen sein:
	* dem ungewollten Überschreiben benachbarter Speicherzellen, wenn eine Speicherzelle geändert wird (bezeichnet als ~~"write~~ ~~disturb"~~),		* dem ungewollten Überschreiben benachbarter Speicherzellen, wenn eine Speicherzelle geändert wird (bezeichnet als „write disturb“),
	* dem begrenzten Erhaltungsvermögen des Speicherzustands der einzelnen Speicherplätze im EEPROM (~~"retention"~~) und		* dem begrenzten Erhaltungsvermögen des Speicherzustands der einzelnen Speicherplätze im EEPROM („retention“) und
	* der begrenzten Lebensdauer bzw. Beschreibbarkeit (~~"byte~~ ~~endurance"~~)<ref>[http://www.tekmos.com/documents/support/white-papers/86-the-effects-of-repeated-refresh-cycles-on-the-oxide-integrity-of-eeprom?usg=AFQjCNEM9mga3z3PMLHKMcSnCCUi6920Tw&bvm=bv.104819420,d.bGg Lynn Reed, Vema Reddy "The Effects of Repeated Refresh Cycles on the Oxide Integrity of EEPROM Memories at High Temperature" Tekmos Inc.]</ref><ref>[http://mientki.ruhosting.nl/data_www/pic/libs_hw/eeprom_problems.html EEPROM endurance, Online Quelle]</ref>.		* der begrenzten Lebensdauer bzw. Beschreibbarkeit („byte endurance“)<ref>[http://www.tekmos.com/documents/support/white-papers/86-the-effects-of-repeated-refresh-cycles-on-the-oxide-integrity-of-eeprom?usg=AFQjCNEM9mga3z3PMLHKMcSnCCUi6920Tw&bvm=bv.104819420,d.bGg Lynn Reed, Vema Reddy "The Effects of Repeated Refresh Cycles on the Oxide Integrity of EEPROM Memories at High Temperature" Tekmos Inc.]</ref><ref>[http://mientki.ruhosting.nl/data_www/pic/libs_hw/eeprom_problems.html EEPROM endurance, Online Quelle]</ref>.

	In der Oxidschicht des Gates der in EEPROMs eingesetzten [[Floating-Gate-Transistor]]en sammeln sich eingefangene [[Elektron]]en an. Das elektrische Feld der eingefangenen Elektronen summiert sich zu dem Feld des ''Floating Gates'' und schmälert so das Fenster zwischen den Schwellenspannungen, die für die Speicherzustände Eins bzw. Null stehen. Nach einer bestimmten Anzahl von Schreibvorgängen wird die Differenz zu klein, um unterscheidbar zu bleiben, und die Speicherstelle bleibt dauerhaft auf dem programmierten Wert stehen. Hersteller geben üblicherweise die maximale Anzahl von Schreibvorgängen mit 10<sup>6</sup> oder mehr an.		In der Oxidschicht des Gates der in EEPROMs eingesetzten [[Floating-Gate-Transistor]]en sammeln sich eingefangene [[Elektron]]en an. Das elektrische Feld der eingefangenen Elektronen summiert sich zu dem Feld des ''Floating Gates'' und schmälert so das Fenster zwischen den Schwellenspannungen, die für die Speicherzustände Eins bzw. Null stehen. Nach einer bestimmten Anzahl von Schreibvorgängen wird die Differenz zu klein, um unterscheidbar zu bleiben, und die Speicherstelle bleibt dauerhaft auf dem programmierten Wert stehen. Hersteller geben üblicherweise die maximale Anzahl von Schreibvorgängen mit 10<sup>6</sup> oder mehr an.
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	Die während der Speicherung in das ''Floating Gate'' eingebrachten Elektronen können durch die Isolierschicht lecken, dies vor allem bei erhöhten Temperaturen (z. B. 170…180 °C), dadurch einen Verlust des Ladungszustands verursachen und die Speicherstelle so in den gelöschten Zustand zurückversetzen. Hersteller gewährleisten üblicherweise die Beständigkeit gespeicherter Daten für einen Zeitraum von 10 Jahren<ref>System Integration - From Transistor Design to Large Scale Integrated Circuits</ref>.		Die während der Speicherung in das ''Floating Gate'' eingebrachten Elektronen können durch die Isolierschicht lecken, dies vor allem bei erhöhten Temperaturen (z. B. 170…180 °C), dadurch einen Verlust des Ladungszustands verursachen und die Speicherstelle so in den gelöschten Zustand zurückversetzen. Hersteller gewährleisten üblicherweise die Beständigkeit gespeicherter Daten für einen Zeitraum von 10 Jahren<ref>System Integration - From Transistor Design to Large Scale Integrated Circuits</ref>.

	Beim Beschreiben von Speicherzellen wird der Inhalt benachbarter Zellen dann verändert, wenn nach der letzten Änderung der Nachbarzelle insgesamt eine Anzahl von Schreibvorgängen auf dem Chip erfolgte (z. B. Zelle 0x0000 geändert, Zelle 0x0001 aktuell nicht geändert und nach der letzten Änderung von 0x0001 bisher an beliebiger Stelle insgesamt 1 Mio. Schreibvorgänge insgesamt => dann Gefahr von Datenverlust auf Zelle 0x0001). Somit kann die Angabe für ~~"write~~ ~~disturb"~~ zehnmal größer sein als die Angabe für ~~"byte~~ ~~endurance"~~. Kurz bevor ~~"write~~ ~~disturb"~~ erreicht wird, sollte ein Refresh des gesamten EEPROM erfolgen. Es wird jede Speicherzelle einzeln gelesen und neu beschrieben. Möglich ist auch, erst zu lesen dann zu löschen und danach neu zu schreiben.		Beim Beschreiben von Speicherzellen wird der Inhalt benachbarter Zellen dann verändert, wenn nach der letzten Änderung der Nachbarzelle insgesamt eine Anzahl von Schreibvorgängen auf dem Chip erfolgte (z. B. Zelle 0x0000 geändert, Zelle 0x0001 aktuell nicht geändert und nach der letzten Änderung von 0x0001 bisher an beliebiger Stelle insgesamt 1 Mio. Schreibvorgänge insgesamt dadurch dann Gefahr von Datenverlust auf Zelle 0x0001). Somit kann die Angabe für „write disturb“ zehnmal größer sein als die Angabe für „byte endurance“. Kurz bevor „write disturb“ erreicht wird, sollte ein Refresh des gesamten EEPROM erfolgen. Es wird jede Speicherzelle einzeln gelesen und neu beschrieben. Möglich ist auch, erst zu lesen dann zu löschen und danach neu zu schreiben.

	== Literatur ==		== Literatur ==