Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory - Versionsgeschichte

Wosch21149: Änderung 258022964 von ~2025-21640-8 rückgängig gemacht; keine Verbesserung

2025-07-18T12:31:56Z

Änderung 258022964 von ~2025-21640-8 rückgängig gemacht; keine Verbesserung

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	== Funktionsweise ==		== Funktionsweise ==
	Der Ausdruck „EEPROM“ beschreibt lediglich die Eigenschaften des Speichers, dass dieser nicht-flüchtig ist und allein mit elektrischer Energie gelöscht werden kann (im Gegensatz zu dem nur durch UV-Licht löschbaren [[EPROM]]). Der Ausdruck „EEPROM“ umfasst deshalb genau genommen ~~sowohl~~ die heute üblicherweise als EEPROM bezeichneten wort- oder byteweise löschbaren Speicher ~~wie~~ auch die neueren blockweise löschbaren Flashspeicher. Da bei letzteren die sonst pro Speicherzelle notwendigen Schreib-, Lese- und Löschtransistoren entfallen können, ist mit ihnen eine deutlich höhere [[Speicherdichte]] erreichbar.		Der Ausdruck „EEPROM“ beschreibt lediglich die Eigenschaften des Speichers, dass dieser nicht-flüchtig ist und allein mit elektrischer Energie gelöscht werden kann (im Gegensatz zu dem nur durch UV-Licht löschbaren [[EPROM]]). Der Ausdruck „EEPROM“ umfasst deshalb genau genommen die heute üblicherweise als EEPROM bezeichneten wort- oder byteweise löschbaren Speicher, als auch die neueren blockweise löschbaren Flashspeicher. Da bei letzteren die sonst pro Speicherzelle notwendigen Schreib-, Lese- und Löschtransistoren entfallen können, ist mit ihnen eine deutlich höhere [[Speicherdichte]] erreichbar.

	Ein EEPROM besteht aus einer Matrix aus [[Feldeffekttransistor]]en (FETs) mit isoliertem Steueranschluss ([[Floating Gate]]), in der jeder dieser FETs ein [[Bit]] repräsentiert. Beim Programmiervorgang wird auf das Floating Gate eine Ladung eingebracht, die nur durch den Löschvorgang wieder entfernt werden kann. Im Normalbetrieb bleibt die Ladung auf dem vollständig isolierten Gate erhalten.		Ein EEPROM besteht aus einer Matrix aus [[Feldeffekttransistor]]en (FETs) mit isoliertem Steueranschluss ([[Floating Gate]]), in der jeder dieser FETs ein [[Bit]] repräsentiert. Beim Programmiervorgang wird auf das Floating Gate eine Ladung eingebracht, die nur durch den Löschvorgang wieder entfernt werden kann. Im Normalbetrieb bleibt die Ladung auf dem vollständig isolierten Gate erhalten.

~2025-21640-8: /* Ausfallerscheinungen und Lebensdauer */

2025-07-18T12:28:37Z

Ausfallerscheinungen und Lebensdauer

← Nächstältere Version		Version vom 18. Juli 2025, 14:28 Uhr
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	* der begrenzten Lebensdauer bzw. Beschreibbarkeit („byte endurance“)<ref>{{Internetquelle \|autor=Lynn Reed, Vema Reddy \|url=https://www.tekmos.com/docmandocuments/support/white-papers/86-the-effects-of-repeated-refresh-cycles-on-the-oxide-integrity-of-eeprom \|titel=The Effects of Repeated Refresh Cycles on the Oxide Integrity of EEPROM Memories at High Temperature \|hrsg=Tekmos Inc. \|datum=2014 \|format=pdf \|sprache=en \|abruf=2023-12-17 }}</ref><ref>{{Webarchiv\|url=http://mientki.ruhosting.nl/data_www/pic/libs_hw/eeprom_problems.html \|wayback=20160304141409 \|text=EEPROM endurance, Online Quelle}}</ref>.		* der begrenzten Lebensdauer bzw. Beschreibbarkeit („byte endurance“)<ref>{{Internetquelle \|autor=Lynn Reed, Vema Reddy \|url=https://www.tekmos.com/docmandocuments/support/white-papers/86-the-effects-of-repeated-refresh-cycles-on-the-oxide-integrity-of-eeprom \|titel=The Effects of Repeated Refresh Cycles on the Oxide Integrity of EEPROM Memories at High Temperature \|hrsg=Tekmos Inc. \|datum=2014 \|format=pdf \|sprache=en \|abruf=2023-12-17 }}</ref><ref>{{Webarchiv\|url=http://mientki.ruhosting.nl/data_www/pic/libs_hw/eeprom_problems.html \|wayback=20160304141409 \|text=EEPROM endurance, Online Quelle}}</ref>.

	In der Oxidschicht des Gates der in EEPROMs eingesetzten [[Floating-Gate-Transistor]]en sammeln sich eingefangene [[Elektron]]en an. Das elektrische Feld der eingefangenen Elektronen summiert sich ~~zu dem~~ Feld des ''Floating Gates'' und schmälert so das Fenster zwischen den Schwellenspannungen, die für die Speicherzustände Eins bzw. Null stehen. Nach einer bestimmten Anzahl von Schreibvorgängen wird die Differenz zu klein, um unterscheidbar zu bleiben, und die Speicherstelle bleibt dauerhaft auf dem programmierten Wert stehen. Hersteller geben üblicherweise die maximale Anzahl von Schreibvorgängen mit 10<sup>6</sup> oder mehr an.		In der Oxidschicht des Gates der in EEPROMs eingesetzten [[Floating-Gate-Transistor]]en sammeln sich eingefangene [[Elektron]]en an. Das elektrische Feld der eingefangenen Elektronen summiert sich zum Feld des ''Floating Gates'' und schmälert so das Fenster zwischen den Schwellenspannungen, die für die Speicherzustände Eins bzw. Null stehen. Nach einer bestimmten Anzahl von Schreibvorgängen wird die Differenz zu klein, um unterscheidbar zu bleiben, und die Speicherstelle bleibt dauerhaft auf dem programmierten Wert stehen. Hersteller geben üblicherweise die maximale Anzahl von Schreibvorgängen mit 10<sup>6</sup> oder mehr an.

	Die während der Speicherung in das ''Floating Gate'' eingebrachten Elektronen können durch die Isolierschicht lecken, dies vor allem bei erhöhten Temperaturen (z. B. ~~170…180~~ °C), dadurch einen Verlust des Ladungszustands verursachen und die Speicherstelle so in den gelöschten Zustand zurückversetzen. Hersteller gewährleisten üblicherweise die Beständigkeit gespeicherter Daten für einen Zeitraum von 10 Jahren<ref>System Integration - From Transistor Design to Large Scale Integrated Circuits</ref>.		Die während der Speicherung in das ''Floating Gate'' eingebrachten Elektronen können durch die Isolierschicht lecken, dies vor allem bei erhöhten Temperaturen (z. B. 170–180 °C), dadurch einen Verlust des Ladungszustands verursachen und die Speicherstelle so in den gelöschten Zustand zurückversetzen. Hersteller gewährleisten üblicherweise die Beständigkeit gespeicherter Daten für einen Zeitraum von zehn Jahren.<ref>System Integration - From Transistor Design to Large Scale Integrated Circuits</ref>

	Beim Beschreiben von Speicherzellen wird der Inhalt benachbarter Zellen dann verändert, wenn nach der letzten Änderung der Nachbarzelle insgesamt eine Anzahl von Schreibvorgängen auf dem Chip erfolgte (z. B. Zelle 0x0000 geändert, Zelle 0x0001 aktuell nicht geändert und nach der letzten Änderung von 0x0001 bisher an beliebiger Stelle insgesamt 1 Mio. Schreibvorgänge ~~insgesamt~~ dadurch dann Gefahr von Datenverlust auf Zelle 0x0001). Somit kann die Angabe für „write disturb“ zehnmal größer sein als die Angabe für „byte endurance“. Kurz bevor „write disturb“ erreicht wird, sollte ein Refresh des gesamten EEPROM erfolgen. Es wird jede Speicherzelle einzeln gelesen und neu beschrieben. Möglich ist auch, erst zu lesen dann zu löschen und danach neu zu schreiben.		Beim Beschreiben von Speicherzellen wird der Inhalt benachbarter Zellen dann verändert, wenn nach der letzten Änderung der Nachbarzelle insgesamt eine Anzahl von Schreibvorgängen auf dem Chip erfolgte (z. B. Zelle 0x0000 geändert, Zelle 0x0001 aktuell nicht geändert und nach der letzten Änderung von 0x0001 bisher an beliebiger Stelle insgesamt 1 Mio. Schreibvorgänge, dadurch dann Gefahr von Datenverlust auf Zelle 0x0001). Somit kann die Angabe für „write disturb“ zehnmal größer sein als die Angabe für „byte endurance“. Kurz bevor „write disturb“ erreicht wird, sollte ein Refresh des gesamten EEPROM erfolgen. Es wird jede Speicherzelle einzeln gelesen und neu beschrieben. Möglich ist auch, erst zu lesen dann zu löschen und danach neu zu schreiben.

	== Literatur ==		== Literatur ==

~2025-21640-8: /* Anwendungsgebiete */

2025-07-18T12:25:47Z

Anwendungsgebiete

← Nächstältere Version		Version vom 18. Juli 2025, 14:25 Uhr
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	Zum einen ist es z. Z. noch nicht möglich, Flash über einen so weiten Temperaturbereich wie EEPROMs zuverlässig zu beschreiben. Allerdings macht hier die Prozesstechnik Fortschritte und Temperaturkompensation beim Schreiben verbessert das Verhalten.		Zum einen ist es z. Z. noch nicht möglich, Flash über einen so weiten Temperaturbereich wie EEPROMs zuverlässig zu beschreiben. Allerdings macht hier die Prozesstechnik Fortschritte und Temperaturkompensation beim Schreiben verbessert das Verhalten.

	Zum anderen kann es in bestimmten Anwendungen problematisch sein, wenn eine Page gelöscht werden soll,		Zum anderen kann es in bestimmten Anwendungen problematisch sein, wenn eine Page gelöscht werden soll, aber wegen der EEPROM-Emulation mittels Flash nicht sofort gelöscht werden kann und damit nicht feststeht, wann die Page gelöscht werden wird (was aber umgangen werden könnte, indem die Page eben, wenn sie gelöscht werden soll, zuerst absichtlich/gezielt vollgeschrieben wird).
	aber wegen der EEPROM-Emulation mittels Flash nicht sofort gelöscht werden kann, und es damit nicht feststeht, wann die Page gelöscht werden wird (was aber umgangen werden könnte, indem die Page eben, wenn sie gelöscht werden soll, zuerst absichtlich / gezielt vollgeschrieben wird).

	Neben Bausteinen mit parallel herausgeführten Adress- und Datenbussen gibt es auch EEPROMs in Gehäusen mit z. B. nur ~~8 ~~Anschlüssen, bei denen Adressen und Daten über einen seriellen Bus wie [[I²C]] ausgetauscht werden. Derartige EEPROMs werden z. B. auf [[Synchronous Dynamic Random Access Memory\|SDRAM]]-Modulen vom Hersteller zur Speicherung von Produktparametern verwendet, die dann von der [[Synchronous Dynamic Random Access Memory\|CPU]] ausgelesen werden können. Mit dieser Information im [[Serial Presence Detect\|SPD-EEPROM]] können die [[Speichermodul]]e im [[Personal Computer\|PC]] dann automatisch konfiguriert werden.		Neben Bausteinen mit parallel herausgeführten Adress- und Datenbussen gibt es auch EEPROMs in Gehäusen mit z. B. nur acht Anschlüssen, bei denen Adressen und Daten über einen seriellen Bus wie [[I²C]] ausgetauscht werden. Derartige EEPROMs werden z. B. auf [[Synchronous Dynamic Random Access Memory\|SDRAM]]-Modulen vom Hersteller zur Speicherung von Produktparametern verwendet, die dann von der [[Synchronous Dynamic Random Access Memory\|CPU]] ausgelesen werden können. Mit dieser Information im [[Serial Presence Detect\|SPD-EEPROM]] können die [[Speichermodul]]e im [[Personal Computer\|PC]] dann automatisch konfiguriert werden.

	== Ausfallerscheinungen und Lebensdauer ==		== Ausfallerscheinungen und Lebensdauer ==

~2025-21640-8: /* Funktionsweise */

2025-07-18T12:23:17Z

Funktionsweise

← Nächstältere Version		Version vom 18. Juli 2025, 14:23 Uhr
Zeile 4:		Zeile 4:

	== Funktionsweise ==		== Funktionsweise ==
	Der Ausdruck „EEPROM“ beschreibt lediglich die Eigenschaften des Speichers, dass dieser nicht-flüchtig ist und allein mit elektrischer Energie gelöscht werden kann (im Gegensatz zu dem nur durch UV-Licht löschbaren [[EPROM]]). Der Ausdruck „EEPROM“ umfasst deshalb genau genommen die heute üblicherweise als EEPROM bezeichneten wort- oder byteweise löschbaren Speicher, ~~als~~ auch die neueren blockweise löschbaren Flashspeicher. Da bei letzteren die sonst pro Speicherzelle notwendigen Schreib-, Lese- und Löschtransistoren entfallen können, ist mit ihnen eine deutlich höhere [[Speicherdichte]] erreichbar.		Der Ausdruck „EEPROM“ beschreibt lediglich die Eigenschaften des Speichers, dass dieser nicht-flüchtig ist und allein mit elektrischer Energie gelöscht werden kann (im Gegensatz zu dem nur durch UV-Licht löschbaren [[EPROM]]). Der Ausdruck „EEPROM“ umfasst deshalb genau genommen sowohl die heute üblicherweise als EEPROM bezeichneten wort- oder byteweise löschbaren Speicher wie auch die neueren blockweise löschbaren Flashspeicher. Da bei letzteren die sonst pro Speicherzelle notwendigen Schreib-, Lese- und Löschtransistoren entfallen können, ist mit ihnen eine deutlich höhere [[Speicherdichte]] erreichbar.

	Ein EEPROM besteht aus einer Matrix aus [[Feldeffekttransistor]]en (FETs) mit isoliertem Steueranschluss ([[Floating Gate]]), in der jeder dieser FETs ein [[Bit]] repräsentiert. Beim Programmiervorgang wird auf das Floating Gate eine Ladung eingebracht, die nur durch den Löschvorgang wieder entfernt werden kann. Im Normalbetrieb bleibt die Ladung auf dem vollständig isolierten Gate erhalten.		Ein EEPROM besteht aus einer Matrix aus [[Feldeffekttransistor]]en (FETs) mit isoliertem Steueranschluss ([[Floating Gate]]), in der jeder dieser FETs ein [[Bit]] repräsentiert. Beim Programmiervorgang wird auf das Floating Gate eine Ladung eingebracht, die nur durch den Löschvorgang wieder entfernt werden kann. Im Normalbetrieb bleibt die Ladung auf dem vollständig isolierten Gate erhalten.

Siegbert v2: + GND

2025-06-26T12:31:10Z

+ GND

← Nächstältere Version		Version vom 26. Juni 2025, 14:31 Uhr
Zeile 53:		Zeile 53:
	== Einzelnachweise ==		== Einzelnachweise ==
	<references/>		<references/>

			{{Normdaten \|TYP=s \|GND=4151060-4}}

	{{Navigationsleiste programmierbare Logik}}		{{Navigationsleiste programmierbare Logik}}

Invisigoth67: typo

2025-06-26T12:26:33Z

typo

← Nächstältere Version		Version vom 26. Juni 2025, 14:26 Uhr
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	== Funktionsweise ==		== Funktionsweise ==
	Der Ausdruck „EEPROM“ beschreibt lediglich die Eigenschaften des Speichers, dass dieser nicht-flüchtig ist und allein mit elektrischer Energie gelöscht werden kann (im Gegensatz zu dem nur durch UV-Licht löschbaren [[EPROM]]). Der Ausdruck „EEPROM“ umfasst deshalb genau genommen die heute üblicherweise als EEPROM bezeichneten wort- oder byteweise löschbaren Speicher, als auch die neueren blockweise löschbaren Flashspeicher. Da bei letzteren die sonst pro Speicherzelle notwendigen Schreib-, Lese- und Löschtransistoren entfallen können, ist mit ihnen eine ~~deutliche~~ höhere [[Speicherdichte]] erreichbar.		Der Ausdruck „EEPROM“ beschreibt lediglich die Eigenschaften des Speichers, dass dieser nicht-flüchtig ist und allein mit elektrischer Energie gelöscht werden kann (im Gegensatz zu dem nur durch UV-Licht löschbaren [[EPROM]]). Der Ausdruck „EEPROM“ umfasst deshalb genau genommen die heute üblicherweise als EEPROM bezeichneten wort- oder byteweise löschbaren Speicher, als auch die neueren blockweise löschbaren Flashspeicher. Da bei letzteren die sonst pro Speicherzelle notwendigen Schreib-, Lese- und Löschtransistoren entfallen können, ist mit ihnen eine deutlich höhere [[Speicherdichte]] erreichbar.

	Ein EEPROM besteht aus einer Matrix aus [[Feldeffekttransistor]]en (FETs) mit isoliertem Steueranschluss ([[Floating Gate]]), in der jeder dieser FETs ein [[Bit]] repräsentiert. Beim Programmiervorgang wird auf das Floating Gate eine Ladung eingebracht, die nur durch den Löschvorgang wieder entfernt werden kann. Im Normalbetrieb bleibt die Ladung auf dem vollständig isolierten Gate erhalten.		Ein EEPROM besteht aus einer Matrix aus [[Feldeffekttransistor]]en (FETs) mit isoliertem Steueranschluss ([[Floating Gate]]), in der jeder dieser FETs ein [[Bit]] repräsentiert. Beim Programmiervorgang wird auf das Floating Gate eine Ladung eingebracht, die nur durch den Löschvorgang wieder entfernt werden kann. Im Normalbetrieb bleibt die Ladung auf dem vollständig isolierten Gate erhalten.

Siegbert v2: Einleitung belegt (steht fast 1:1 auf Englisch im genannten Buch)

2025-03-16T05:35:46Z

Einleitung belegt (steht fast 1:1 auf Englisch im genannten Buch)

← Nächstältere Version		Version vom 16. März 2025, 07:35 Uhr
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	[[Datei:Eeprom 9L05 smt DSC00579 wp.jpg\|mini\|Serielles EEPROM]]		[[Datei:Eeprom 9L05 smt DSC00579 wp.jpg\|mini\|Serielles EEPROM]]
	[[Datei:JAZZ Adrenaline Rush EEPROM.jpg\|mini\|Paralleles EEPROM von [[Alliance Semiconductor]] im [[Plastic Leaded Chip Carrier\|PLCC]]-[[Chipgehäuse]]]]		[[Datei:JAZZ Adrenaline Rush EEPROM.jpg\|mini\|Paralleles EEPROM von [[Alliance Semiconductor]] im [[Plastic Leaded Chip Carrier\|PLCC]]-[[Chipgehäuse]]]]
	Ein '''EEPROM''' (engl. Abk. für {{lang\|en\|''electrically erasable programmable read-only memory''}}, wörtlich: ''elektrisch löschbarer programmierbarer Nur-Lese-Speicher'', auch '''E<sup>2</sup>PROM''') ist ein [[Nichtflüchtiger Speicher\|nichtflüchtiger]], [[Elektronik\|elektronischer]] [[Datenspeicher\|Speicherbaustein]], dessen gespeicherte Information elektrisch gelöscht werden kann. Er ist verwandt mit anderen löschbaren Speichern, wie dem durch [[Ultraviolettstrahlung\|UV-Licht]] löschbaren [[Erasable Programmable Read-Only Memory\|EPROMs]] und dem ebenfalls elektrisch löschbaren [[Flash-Speicher]]. Er wird verwendet zur Speicherung kleinerer Datenmengen in elektrischen Geräten, bei denen die Information auch ohne anliegende Versorgungsspannung erhalten bleiben muss oder bei denen einzelne Speicherelemente bzw. [[Datenwort]]e einfach zu ändern sein müssen. Zur Speicherung größerer Datenmengen wie z. B. dem [[BIOS]] in [[Personal Computer\|PC-Systemen]] sind meist Flash-Speicher ökonomischer.		Ein '''EEPROM''' (engl. Abk. für {{lang\|en\|''electrically erasable programmable read-only memory''}}, wörtlich: ''elektrisch löschbarer programmierbarer Nur-Lese-Speicher'', auch '''E<sup>2</sup>PROM''') ist ein [[Nichtflüchtiger Speicher\|nichtflüchtiger]], [[Elektronik\|elektronischer]] [[Datenspeicher\|Speicherbaustein]], dessen gespeicherte Information elektrisch gelöscht werden kann. Er ist verwandt mit anderen löschbaren Speichern, wie dem durch [[Ultraviolettstrahlung\|UV-Licht]] löschbaren [[Erasable Programmable Read-Only Memory\|EPROMs]] und dem ebenfalls elektrisch löschbaren [[Flash-Speicher]].<ref>{{Literatur \|Autor=Piero Olivo, Enrico Zanoni \|Titel=Flash Memories: An Overview \|Hrsg=Paulo Cappelletti et al. \|Sammelwerk=Flash Memories \|Auflage=1 \|Verlag=Springer \|Ort=Boston \|Datum=1999 \|Sprache=en \|ISBN=0-7923-8487-3 \|Seiten=1–35}}</ref> Er wird verwendet zur Speicherung kleinerer Datenmengen in elektrischen Geräten, bei denen die Information auch ohne anliegende Versorgungsspannung erhalten bleiben muss oder bei denen einzelne Speicherelemente bzw. [[Datenwort]]e einfach zu ändern sein müssen. Zur Speicherung größerer Datenmengen wie z. B. dem [[BIOS]] in [[Personal Computer\|PC-Systemen]] sind meist Flash-Speicher ökonomischer.

	== Funktionsweise ==		== Funktionsweise ==

Wosch21149: /* Ausfallerscheinungen und Lebensdauer */ Archivlink geprüft. OK!

2024-12-03T10:04:35Z

Ausfallerscheinungen und Lebensdauer: Archivlink geprüft. OK!

← Nächstältere Version		Version vom 3. Dezember 2024, 12:04 Uhr
Zeile 37:		Zeile 37:
	* dem ungewollten Überschreiben benachbarter Speicherzellen, wenn eine Speicherzelle geändert wird (bezeichnet als „write disturb“),		* dem ungewollten Überschreiben benachbarter Speicherzellen, wenn eine Speicherzelle geändert wird (bezeichnet als „write disturb“),
	* dem begrenzten Erhaltungsvermögen des Speicherzustands der einzelnen Speicherplätze im EEPROM („retention“) und		* dem begrenzten Erhaltungsvermögen des Speicherzustands der einzelnen Speicherplätze im EEPROM („retention“) und
	* der begrenzten Lebensdauer bzw. Beschreibbarkeit („byte endurance“)<ref>{{Internetquelle \|autor=Lynn Reed, Vema Reddy \|url=https://www.tekmos.com/docmandocuments/support/white-papers/86-the-effects-of-repeated-refresh-cycles-on-the-oxide-integrity-of-eeprom \|titel=The Effects of Repeated Refresh Cycles on the Oxide Integrity of EEPROM Memories at High Temperature \|hrsg=Tekmos Inc. \|datum=2014 \|format=pdf \|sprache=en \|abruf=2023-12-17 }}</ref><ref>{{Webarchiv\|url=http://mientki.ruhosting.nl/data_www/pic/libs_hw/eeprom_problems.html \|wayback=20160304141409 \|text=EEPROM endurance, Online Quelle ~~\|archiv-bot=2024-12-02 23:41:34 InternetArchiveBot~~ }}</ref>.		* der begrenzten Lebensdauer bzw. Beschreibbarkeit („byte endurance“)<ref>{{Internetquelle \|autor=Lynn Reed, Vema Reddy \|url=https://www.tekmos.com/docmandocuments/support/white-papers/86-the-effects-of-repeated-refresh-cycles-on-the-oxide-integrity-of-eeprom \|titel=The Effects of Repeated Refresh Cycles on the Oxide Integrity of EEPROM Memories at High Temperature \|hrsg=Tekmos Inc. \|datum=2014 \|format=pdf \|sprache=en \|abruf=2023-12-17 }}</ref><ref>{{Webarchiv\|url=http://mientki.ruhosting.nl/data_www/pic/libs_hw/eeprom_problems.html \|wayback=20160304141409 \|text=EEPROM endurance, Online Quelle}}</ref>.

	In der Oxidschicht des Gates der in EEPROMs eingesetzten [[Floating-Gate-Transistor]]en sammeln sich eingefangene [[Elektron]]en an. Das elektrische Feld der eingefangenen Elektronen summiert sich zu dem Feld des ''Floating Gates'' und schmälert so das Fenster zwischen den Schwellenspannungen, die für die Speicherzustände Eins bzw. Null stehen. Nach einer bestimmten Anzahl von Schreibvorgängen wird die Differenz zu klein, um unterscheidbar zu bleiben, und die Speicherstelle bleibt dauerhaft auf dem programmierten Wert stehen. Hersteller geben üblicherweise die maximale Anzahl von Schreibvorgängen mit 10<sup>6</sup> oder mehr an.		In der Oxidschicht des Gates der in EEPROMs eingesetzten [[Floating-Gate-Transistor]]en sammeln sich eingefangene [[Elektron]]en an. Das elektrische Feld der eingefangenen Elektronen summiert sich zu dem Feld des ''Floating Gates'' und schmälert so das Fenster zwischen den Schwellenspannungen, die für die Speicherzustände Eins bzw. Null stehen. Nach einer bestimmten Anzahl von Schreibvorgängen wird die Differenz zu klein, um unterscheidbar zu bleiben, und die Speicherstelle bleibt dauerhaft auf dem programmierten Wert stehen. Hersteller geben üblicherweise die maximale Anzahl von Schreibvorgängen mit 10<sup>6</sup> oder mehr an.

InternetArchiveBot: InternetArchiveBot hat 1 Archivlink(s) ergänzt und 0 Link(s) als defekt/tot markiert.) #IABot (v2.0.9.5

2024-12-02T23:41:35Z

InternetArchiveBot hat 1 Archivlink(s) ergänzt und 0 Link(s) als defekt/tot markiert.) #IABot (v2.0.9.5

← Nächstältere Version		Version vom 3. Dezember 2024, 01:41 Uhr
Zeile 37:		Zeile 37:
	* dem ungewollten Überschreiben benachbarter Speicherzellen, wenn eine Speicherzelle geändert wird (bezeichnet als „write disturb“),		* dem ungewollten Überschreiben benachbarter Speicherzellen, wenn eine Speicherzelle geändert wird (bezeichnet als „write disturb“),
	* dem begrenzten Erhaltungsvermögen des Speicherzustands der einzelnen Speicherplätze im EEPROM („retention“) und		* dem begrenzten Erhaltungsvermögen des Speicherzustands der einzelnen Speicherplätze im EEPROM („retention“) und
	* der begrenzten Lebensdauer bzw. Beschreibbarkeit („byte endurance“)<ref>{{Internetquelle \|autor=Lynn Reed, Vema Reddy \|url=https://www.tekmos.com/docmandocuments/support/white-papers/86-the-effects-of-repeated-refresh-cycles-on-the-oxide-integrity-of-eeprom \|titel=The Effects of Repeated Refresh Cycles on the Oxide Integrity of EEPROM Memories at High Temperature \|hrsg=Tekmos Inc. \|datum=2014 \|format=pdf \|sprache=en \|abruf=2023-12-17 }}</ref><ref>[http://mientki.ruhosting.nl/data_www/pic/libs_hw/eeprom_problems.html EEPROM endurance, Online Quelle]</ref>.		* der begrenzten Lebensdauer bzw. Beschreibbarkeit („byte endurance“)<ref>{{Internetquelle \|autor=Lynn Reed, Vema Reddy \|url=https://www.tekmos.com/docmandocuments/support/white-papers/86-the-effects-of-repeated-refresh-cycles-on-the-oxide-integrity-of-eeprom \|titel=The Effects of Repeated Refresh Cycles on the Oxide Integrity of EEPROM Memories at High Temperature \|hrsg=Tekmos Inc. \|datum=2014 \|format=pdf \|sprache=en \|abruf=2023-12-17 }}</ref><ref>{{Webarchiv\|url=http://mientki.ruhosting.nl/data_www/pic/libs_hw/eeprom_problems.html \|wayback=20160304141409 \|text=EEPROM endurance, Online Quelle \|archiv-bot=2024-12-02 23:41:34 InternetArchiveBot }}</ref>.

	In der Oxidschicht des Gates der in EEPROMs eingesetzten [[Floating-Gate-Transistor]]en sammeln sich eingefangene [[Elektron]]en an. Das elektrische Feld der eingefangenen Elektronen summiert sich zu dem Feld des ''Floating Gates'' und schmälert so das Fenster zwischen den Schwellenspannungen, die für die Speicherzustände Eins bzw. Null stehen. Nach einer bestimmten Anzahl von Schreibvorgängen wird die Differenz zu klein, um unterscheidbar zu bleiben, und die Speicherstelle bleibt dauerhaft auf dem programmierten Wert stehen. Hersteller geben üblicherweise die maximale Anzahl von Schreibvorgängen mit 10<sup>6</sup> oder mehr an.		In der Oxidschicht des Gates der in EEPROMs eingesetzten [[Floating-Gate-Transistor]]en sammeln sich eingefangene [[Elektron]]en an. Das elektrische Feld der eingefangenen Elektronen summiert sich zu dem Feld des ''Floating Gates'' und schmälert so das Fenster zwischen den Schwellenspannungen, die für die Speicherzustände Eins bzw. Null stehen. Nach einer bestimmten Anzahl von Schreibvorgängen wird die Differenz zu klein, um unterscheidbar zu bleiben, und die Speicherstelle bleibt dauerhaft auf dem programmierten Wert stehen. Hersteller geben üblicherweise die maximale Anzahl von Schreibvorgängen mit 10<sup>6</sup> oder mehr an.

Mhandschug: /* Ausfallerscheinungen und Lebensdauer */Linktext korrigiert

2023-12-22T17:45:33Z

Ausfallerscheinungen und Lebensdauer: Linktext korrigiert

← Nächstältere Version		Version vom 22. Dezember 2023, 19:45 Uhr
Zeile 37:		Zeile 37:
	* dem ungewollten Überschreiben benachbarter Speicherzellen, wenn eine Speicherzelle geändert wird (bezeichnet als „write disturb“),		* dem ungewollten Überschreiben benachbarter Speicherzellen, wenn eine Speicherzelle geändert wird (bezeichnet als „write disturb“),
	* dem begrenzten Erhaltungsvermögen des Speicherzustands der einzelnen Speicherplätze im EEPROM („retention“) und		* dem begrenzten Erhaltungsvermögen des Speicherzustands der einzelnen Speicherplätze im EEPROM („retention“) und
	* der begrenzten Lebensdauer bzw. Beschreibbarkeit („byte endurance“)<ref>{{Internetquelle \|autor=Lynn Reed, Vema Reddy \|url=https://www.tekmos.com/docmandocuments/support/white-papers/86-the-effects-of-repeated-refresh-cycles-on-the-oxide-integrity-of-eeprom \|titel=The Effects of Repeated Refresh Cycles on the Oxide Integrity		* der begrenzten Lebensdauer bzw. Beschreibbarkeit („byte endurance“)<ref>{{Internetquelle \|autor=Lynn Reed, Vema Reddy \|url=https://www.tekmos.com/docmandocuments/support/white-papers/86-the-effects-of-repeated-refresh-cycles-on-the-oxide-integrity-of-eeprom \|titel=The Effects of Repeated Refresh Cycles on the Oxide Integrity of EEPROM Memories at High Temperature \|hrsg=Tekmos Inc. \|datum=2014 \|format=pdf \|sprache=en \|abruf=2023-12-17 }}</ref><ref>[http://mientki.ruhosting.nl/data_www/pic/libs_hw/eeprom_problems.html EEPROM endurance, Online Quelle]</ref>.
	of EEPROM Memories at High Temperature \|hrsg=Tekmos Inc. \|datum=2014 \|format=pdf \|sprache=en \|abruf=2023-12-17 }}</ref><ref>[http://mientki.ruhosting.nl/data_www/pic/libs_hw/eeprom_problems.html EEPROM endurance, Online Quelle]</ref>.

	In der Oxidschicht des Gates der in EEPROMs eingesetzten [[Floating-Gate-Transistor]]en sammeln sich eingefangene [[Elektron]]en an. Das elektrische Feld der eingefangenen Elektronen summiert sich zu dem Feld des ''Floating Gates'' und schmälert so das Fenster zwischen den Schwellenspannungen, die für die Speicherzustände Eins bzw. Null stehen. Nach einer bestimmten Anzahl von Schreibvorgängen wird die Differenz zu klein, um unterscheidbar zu bleiben, und die Speicherstelle bleibt dauerhaft auf dem programmierten Wert stehen. Hersteller geben üblicherweise die maximale Anzahl von Schreibvorgängen mit 10<sup>6</sup> oder mehr an.		In der Oxidschicht des Gates der in EEPROMs eingesetzten [[Floating-Gate-Transistor]]en sammeln sich eingefangene [[Elektron]]en an. Das elektrische Feld der eingefangenen Elektronen summiert sich zu dem Feld des ''Floating Gates'' und schmälert so das Fenster zwischen den Schwellenspannungen, die für die Speicherzustände Eins bzw. Null stehen. Nach einer bestimmten Anzahl von Schreibvorgängen wird die Differenz zu klein, um unterscheidbar zu bleiben, und die Speicherstelle bleibt dauerhaft auf dem programmierten Wert stehen. Hersteller geben üblicherweise die maximale Anzahl von Schreibvorgängen mit 10<sup>6</sup> oder mehr an.