https://de.wikipedia.org/w/index.php?action=history&feed=atom&title=Diskussion%3ASynchronous_Dynamic_Random_Access_MemoryDiskussion:Synchronous Dynamic Random Access Memory - Versionsgeschichte2026-01-07T10:12:52ZVersionsgeschichte dieser Seite in WikipediaMediaWiki 1.46.0-wmf.7https://de.wikipedia.org/w/index.php?title=Diskussion:Synchronous_Dynamic_Random_Access_Memory&diff=251311004&oldid=prev2A02:3030:A09:D82B:A8BF:A676:86B0:B073 am 16. Dezember 2024 um 20:18 Uhr2024-12-16T20:18:47Z<p></p>
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</table>2A02:3030:A09:D82B:A8BF:A676:86B0:B073https://de.wikipedia.org/w/index.php?title=Diskussion:Synchronous_Dynamic_Random_Access_Memory&diff=155552624&oldid=prevTrueBlue: /* Kompatibilitätsprobleme */2016-06-22T22:37:21Z<p><span class="autocomment">Kompatibilitätsprobleme</span></p>
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<td style="background-color: #f8f9fa; color: #202122; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #eaecf0; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div>::Die Micron-Module waren nicht defekt; die wurden allesamt einzeln durchgetestet. Danach in Kombinationen zu 2 und 3 Modulen. Es handelte sich genau wie bei den Infineon-Modulen, die auch im 3er-Pack fehlerfrei funktionierten, um 16-Chip-Module mit 256 MiB Gesamtkapazität, ergo 128(!) MBit pro Chip. Das DFI K6BV3+ hat drei Modulslots, mit denen sich insgesamt max. 768 MiB-RAM-Ausbau realisieren lassen. 256-MB-Module mit 64-Mbit-Chips, von denen es ja dann 32 bräuchte (→ 64x32/8=256), habe ich nie getestet oder gesehen. Also vergiss deine Betrachtungen! Ansonsten halte ich es schon für berichtenswert, dass es Speichercontroller für SDRAM gab, die allein wegen des Modulaufbaus mit bestimmten 128-MB- und 256-MB-SDRAM-Modulen nicht korrekt funktionierten, obwohl sie mit solchen Modul-Speicherkapazitäten eigentlich umgehen konnten. [http://www.pctipp.ch/tipps-tricks/kummerkasten/hardware/artikel/ram-sdram-wird-nur-zur-haelfte-erkannt-23355/] zufolge, betraf das auch den Speichercontroller des i810-Chipsatzes. Man kann hierin einen Mangel der Spezifikation sehen. Das Handbuch des DFI K6BV3+ gibt zwar Hinweise(?) zur DIMM-Organisation,[http://www.dfi.com.tw/Upload/Manual/39210928.PDF] auf den Modulen selbst fehlten aber oft genug Angaben zum Aufbau. Die Erklärung mit der "zu hohe[n] kapazitive[n] Last durch zu viele parallele Speicherzellen" bräuchte in der Tat einen Beleg. --[[Benutzer:TrueBlue|TrueBlue]] ([[Benutzer Diskussion:TrueBlue|Diskussion]]) 21:07, 22. Jun. 2016 (CEST)</div></td>
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<td style="background-color: #f8f9fa; color: #202122; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #eaecf0; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div>::Die Micron-Module waren nicht defekt; die wurden allesamt einzeln durchgetestet. Danach in Kombinationen zu 2 und 3 Modulen. Es handelte sich genau wie bei den Infineon-Modulen, die auch im 3er-Pack fehlerfrei funktionierten, um 16-Chip-Module mit 256 MiB Gesamtkapazität, ergo 128(!) MBit pro Chip. Das DFI K6BV3+ hat drei Modulslots, mit denen sich insgesamt max. 768 MiB-RAM-Ausbau realisieren lassen. 256-MB-Module mit 64-Mbit-Chips, von denen es ja dann 32 bräuchte (→ 64x32/8=256), habe ich nie getestet oder gesehen. Also vergiss deine Betrachtungen! Ansonsten halte ich es schon für berichtenswert, dass es Speichercontroller für SDRAM gab, die allein wegen des Modulaufbaus mit bestimmten 128-MB- und 256-MB-SDRAM-Modulen nicht korrekt funktionierten, obwohl sie mit solchen Modul-Speicherkapazitäten eigentlich umgehen konnten. [http://www.pctipp.ch/tipps-tricks/kummerkasten/hardware/artikel/ram-sdram-wird-nur-zur-haelfte-erkannt-23355/] zufolge, betraf das auch den Speichercontroller des i810-Chipsatzes. Man kann hierin einen Mangel der Spezifikation sehen. Das Handbuch des DFI K6BV3+ gibt zwar Hinweise(?) zur DIMM-Organisation,[http://www.dfi.com.tw/Upload/Manual/39210928.PDF] auf den Modulen selbst fehlten aber oft genug Angaben zum Aufbau. Die Erklärung mit der "zu hohe[n] kapazitive[n] Last durch zu viele parallele Speicherzellen" bräuchte in der Tat einen Beleg. --[[Benutzer:TrueBlue|TrueBlue]] ([[Benutzer Diskussion:TrueBlue|Diskussion]]) 21:07, 22. Jun. 2016 (CEST)</div></td>
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<td style="color: #202122; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #a3d3ff; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div>::Als mögliche Erklärung für die beobachteten Speicherfehler bei Bestückung mit Micron-Modulen könnte die unter [[Synchronous_Dynamic_Random_Access_Memory#Buffered/unbuffered_SDRAM]] beschriebene Belastung der Adress- und Steuerleitungen in Betracht kommen. Vielleicht verursachten die Micron-Module eine höhere Belastung als die Infineons und überforderten im 3er-Pack irgendwelche Leitungen des Speichercontrollers im VT82C598AT. --[[Benutzer:TrueBlue|TrueBlue]] ([[Benutzer Diskussion:TrueBlue|Diskussion]]) 00:35, 23. Jun. 2016 (CEST)</div></td>
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</table>TrueBluehttps://de.wikipedia.org/w/index.php?title=Diskussion:Synchronous_Dynamic_Random_Access_Memory&diff=155547790&oldid=prevTrueBlue: /* Kompatibilitätsprobleme */2016-06-22T20:15:11Z<p><span class="autocomment">Kompatibilitätsprobleme</span></p>
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<td colspan="2" style="background-color: #fff; color: #202122; text-align: center;">Version vom 22. Juni 2016, 21:15 Uhr</td>
</tr><tr>
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<td colspan="2" class="diff-lineno">Zeile 92:</td>
</tr>
<tr>
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<td style="background-color: #f8f9fa; color: #202122; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #eaecf0; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div>:Gruß --[[Benutzer:M-boettger|M-boettger]] 20:16, 22. Jun. 2016 (CEST)</div></td>
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<td style="color: #202122; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #a3d3ff; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div>::Die Micron-Module waren nicht defekt; die wurden allesamt einzeln durchgetestet. Danach in Kombinationen zu 2 und 3 Modulen. Es handelte sich genau wie bei<ins style="font-weight: bold; text-decoration: none;"> den</ins> Infineon-Modulen, die auch im 3er-Pack fehlerfrei funktionierten, um 16-Chip-Module mit 256 MiB Gesamtkapazität, ergo 128(!) MBit pro Chip. Das DFI K6BV3+ hat drei Modulslots, mit denen sich insgesamt max. 768 MiB-RAM-Ausbau realisieren lassen. 256-MB-Module mit 64-Mbit-Chips, von denen es ja dann 32 bräuchte (→ 64x32/8=256), habe ich nie getestet oder gesehen. Also vergiss deine Betrachtungen! Ansonsten halte ich es schon für berichtenswert, dass es Speichercontroller für SDRAM gab, die allein wegen des Modulaufbaus mit bestimmten 128-MB- und 256-MB-SDRAM-Modulen nicht korrekt funktionierten, obwohl sie mit solchen Modul-Speicherkapazitäten eigentlich umgehen konnten. [http://www.pctipp.ch/tipps-tricks/kummerkasten/hardware/artikel/ram-sdram-wird-nur-zur-haelfte-erkannt-23355/] zufolge, betraf das auch den Speichercontroller des i810-Chipsatzes. Man kann hierin einen Mangel der Spezifikation sehen. Das Handbuch des DFI K6BV3+ gibt zwar Hinweise(?) zur DIMM-Organisation,[http://www.dfi.com.tw/Upload/Manual/39210928.PDF] auf den Modulen selbst fehlten aber oft genug Angaben zum Aufbau. Die Erklärung mit der "zu hohe[n] kapazitive[n] Last durch zu viele parallele Speicherzellen" bräuchte in der Tat einen Beleg. --[[Benutzer:TrueBlue|TrueBlue]] ([[Benutzer Diskussion:TrueBlue|Diskussion]]) 21:07, 22. Jun. 2016 (CEST)</div></td>
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</table>TrueBluehttps://de.wikipedia.org/w/index.php?title=Diskussion:Synchronous_Dynamic_Random_Access_Memory&diff=155546634&oldid=prevTrueBlue: /* Kompatibilitätsprobleme */ erg.2016-06-22T19:27:57Z<p><span class="autocomment">Kompatibilitätsprobleme: </span> erg.</p>
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<td colspan="2" style="background-color: #fff; color: #202122; text-align: center;">Version vom 22. Juni 2016, 20:27 Uhr</td>
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<td colspan="2" class="diff-lineno">Zeile 92:</td>
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<td style="color: #202122; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #ffe49c; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div>::Die Micron-Module waren nicht defekt; die wurden allesamt einzeln durchgetestet. Danach in Kombinationen zu 2 und 3 Modulen. Es handelte sich genau wie bei Infineon-Modulen, die auch im 3er-Pack fehlerfrei funktionierten, um 16-Chip-Module mit 256 MiB Gesamtkapazität, ergo 128(!) MBit pro Chip. 256-MB-Module mit 64-Mbit-Chips, von denen es ja dann 32 bräuchte (→ 64x32/8=256), habe ich nie getestet oder gesehen. Also vergiss deine Betrachtungen! Ansonsten halte ich es schon für berichtenswert, dass es Speichercontroller für SDRAM gab, die allein wegen des Modulaufbaus mit bestimmten 128-MB- und 256-MB-SDRAM-Modulen nicht korrekt funktionierten, obwohl sie mit solchen Modul-Speicherkapazitäten eigentlich umgehen konnten. [http://www.pctipp.ch/tipps-tricks/kummerkasten/hardware/artikel/ram-sdram-wird-nur-zur-haelfte-erkannt-23355/] zufolge, betraf das auch den Speichercontroller des i810-Chipsatzes. Man kann hierin einen Mangel der Spezifikation sehen. Die Erklärung mit der "zu hohe[n] kapazitive[n] Last durch zu viele parallele Speicherzellen" bräuchte in der Tat einen Beleg. --[[Benutzer:TrueBlue|TrueBlue]] ([[Benutzer Diskussion:TrueBlue|Diskussion]]) 21:07, 22. Jun. 2016 (CEST)</div></td>
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<td style="color: #202122; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #a3d3ff; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div>::Die Micron-Module waren nicht defekt; die wurden allesamt einzeln durchgetestet. Danach in Kombinationen zu 2 und 3 Modulen. Es handelte sich genau wie bei Infineon-Modulen, die auch im 3er-Pack fehlerfrei funktionierten, um 16-Chip-Module mit 256 MiB Gesamtkapazität, ergo 128(!) MBit pro Chip<ins style="font-weight: bold; text-decoration: none;">. Das DFI K6BV3+ hat drei Modulslots, mit denen sich insgesamt max. 768 MiB-RAM-Ausbau realisieren lassen</ins>. 256-MB-Module mit 64-Mbit-Chips, von denen es ja dann 32 bräuchte (→ 64x32/8=256), habe ich nie getestet oder gesehen. Also vergiss deine Betrachtungen! Ansonsten halte ich es schon für berichtenswert, dass es Speichercontroller für SDRAM gab, die allein wegen des Modulaufbaus mit bestimmten 128-MB- und 256-MB-SDRAM-Modulen nicht korrekt funktionierten, obwohl sie mit solchen Modul-Speicherkapazitäten eigentlich umgehen konnten. [http://www.pctipp.ch/tipps-tricks/kummerkasten/hardware/artikel/ram-sdram-wird-nur-zur-haelfte-erkannt-23355/] zufolge, betraf das auch den Speichercontroller des i810-Chipsatzes. Man kann hierin einen Mangel der Spezifikation sehen<ins style="font-weight: bold; text-decoration: none;">. Das Handbuch des DFI K6BV3+ gibt zwar Hinweise(?) zur DIMM-Organisation,[http://www.dfi.com.tw/Upload/Manual/39210928.PDF] auf den Modulen selbst fehlten aber oft genug Angaben zum Aufbau</ins>. Die Erklärung mit der "zu hohe[n] kapazitive[n] Last durch zu viele parallele Speicherzellen" bräuchte in der Tat einen Beleg. --[[Benutzer:TrueBlue|TrueBlue]] ([[Benutzer Diskussion:TrueBlue|Diskussion]]) 21:07, 22. Jun. 2016 (CEST)</div></td>
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</table>TrueBluehttps://de.wikipedia.org/w/index.php?title=Diskussion:Synchronous_Dynamic_Random_Access_Memory&diff=155545980&oldid=prevTrueBlue: /* Kompatibilitätsprobleme */2016-06-22T19:08:37Z<p><span class="autocomment">Kompatibilitätsprobleme</span></p>
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</table>TrueBluehttps://de.wikipedia.org/w/index.php?title=Diskussion:Synchronous_Dynamic_Random_Access_Memory&diff=155544839&oldid=prevM-boettger: /* Kompatibilitätsprobleme */2016-06-22T18:24:50Z<p><span class="autocomment">Kompatibilitätsprobleme</span></p>
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</tr>
</table>M-boettgerhttps://de.wikipedia.org/w/index.php?title=Diskussion:Synchronous_Dynamic_Random_Access_Memory&diff=155544662&oldid=prevM-boettger: /* Kompatibilitätsprobleme */2016-06-22T18:16:41Z<p><span class="autocomment">Kompatibilitätsprobleme</span></p>
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<td colspan="2" style="background-color: #fff; color: #202122; text-align: center;">Version vom 22. Juni 2016, 19:16 Uhr</td>
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<td colspan="2" class="diff-lineno">Zeile 77:</td>
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<td style="color: #202122; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #a3d3ff; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div>:Hallo, deiner Argumentation kann ich leider nicht folgen. Die beschriebene Inkompatibilität bezieht sich auf die Aussage, dass es generell ein Problem mit bestimmten Speichermodulen bei SDRAM gibt. Das ist aber nicht korrekt. Hier wurde ignoriert, dass es pro Chipsatz vorgaben zu den zu verwendenden Modulen gibt. In Ermangelung dieses Wissens auf fehlende Kompatibilität zu schließen ist nicht objektiv.</div></td>
</tr>
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<td style="color: #202122; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #a3d3ff; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div>:Beispiel aus dem gleichen Thema: SDRAM gibt es wie beschrieben buffered, unbuffered, registered, mit ECC und ohne. Jeder Chipsatzhersteller gibt an, welche dieser Typen unterstützt werden. Zurück zum MVP3: Laut Datenblatt wird unbuffered SDRAM mit und ohne ECC unterstützt. Ist demnach ein registered ECC SDRAM inkompatibel oder wird er schlichtweg nicht unterstützt? Mein PKW fährt mit Benzin - 98 Oktan sind ok. Unterstützt mein Auto bloß keinen Diesel oder ist Diesel etwa inkompatibel mit meinem Auto?</div></td>
</tr>
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<td style="color: #202122; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #a3d3ff; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div>:Darüber hinaus werden in dem Absatz zusätzlich Argumente vorgebracht um die Inkompatibilität noch zusätzlich zu untermauern, obwohl bereits das Datenblatt des Chipsatzes deutlich aussagt, dass max. 768MB SDRAM unterstützt werden. "512-MB- und 1024-MB-Module funktionieren auf Hauptplatinen mit VIAs Apollo-MVP3-Chipsatz gar nicht. Ein Grund kann eine zu hohe kapazitive Last durch zu viele parallele Speicherzellen sein, die die Treiber überfordert und zu weichen Taktflanken führt." Das hat nichts mit überforderten Treibern zu tun. Er kann es einfach nicht! Genau das gleiche gilt für "Ein typisches Beispiel sind 256-MB-PC-133-Module auf Super-Sockel 7-Mainboards mit dem Chipsatz VIA Apollo MVP3. Während ältere DIMMs, doppelseitig mit jeweils acht 128-Mbit-Chips bestückt, auf solchen Hauptplatinen fehlerfrei arbeiten, funktionieren neuere, nur einseitig mit acht 256-Mbit-Chips bestückte 256-MB-Speichermodule nicht oder werden nur als 128-MB-DIMM erkannt." Geht ja auch nicht. Der Beschreibung nach hat dann jeder einzelne SDRAM-IC mehr als 64MBit Kapazität, was der Chipsatz nicht unterstützt.</div></td>
</tr>
<tr>
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</tr>
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</tr>
<tr>
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</tr>
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</tr>
<tr>
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</tr>
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</table>M-boettgerhttps://de.wikipedia.org/w/index.php?title=Diskussion:Synchronous_Dynamic_Random_Access_Memory&diff=155540341&oldid=prevTrueBlue: /* Kompatibilitätsprobleme */2016-06-22T15:25:53Z<p><span class="autocomment">Kompatibilitätsprobleme</span></p>
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<td colspan="2" style="background-color: #fff; color: #202122; text-align: center;">← Nächstältere Version</td>
<td colspan="2" style="background-color: #fff; color: #202122; text-align: center;">Version vom 22. Juni 2016, 16:25 Uhr</td>
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</table>TrueBluehttps://de.wikipedia.org/w/index.php?title=Diskussion:Synchronous_Dynamic_Random_Access_Memory&diff=155540126&oldid=prevTrueBlue: Neuer Abschnitt /* Kompatibilitätsprobleme */2016-06-22T15:19:11Z<p>Neuer Abschnitt <span class="autocomment">Kompatibilitätsprobleme</span></p>
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<td colspan="2" style="background-color: #fff; color: #202122; text-align: center;">Version vom 22. Juni 2016, 16:19 Uhr</td>
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