Diskussion:Extended Data Output Random Access Memory - Versionsgeschichte

Towopedia: /* änderungen */

2014-05-27T09:40:48Z

änderungen

← Nächstältere Version		Version vom 27. Mai 2014, 11:40 Uhr
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	Man kann doch nicht einfach was von irgendwelchen Webseiten abschreiben und damit einen kompletten Artikel umschreiben, wenn man nicht genug über die Materie weiss, um zu beurteilen, ob das richtig ist! Im Netz steht so viel Mist! --[[Benutzer:Mchelge\|Mchelge]] 23:09, 7. Dez 2004 (CET)		Man kann doch nicht einfach was von irgendwelchen Webseiten abschreiben und damit einen kompletten Artikel umschreiben, wenn man nicht genug über die Materie weiss, um zu beurteilen, ob das richtig ist! Im Netz steht so viel Mist! --[[Benutzer:Mchelge\|Mchelge]] 23:09, 7. Dez 2004 (CET)

	== ~~änderungen~~ ==		== "Änderungen" ==

	ich habe folgendes zum EDO gefunden bevor ich das aber einfach so reinsetze frag ich lieber mal nach ob das euer meinung nach so stimmt ?		ich habe folgendes zum EDO gefunden bevor ich das aber einfach so reinsetze frag ich lieber mal nach ob das euer meinung nach so stimmt ?
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	EDO DRAM steht für Extended-Data Output DRAM. Dieser Typ ist ein weiterer als SIMM-Modul verfügbarer Speicher und noch etwas schneller als FPM DRAM. Bei FPM-Speichern wird das elektrische Signal der Datenleitungen gelöscht (nicht zu verwechseln mit dem Inhalt der Speicherzelle, dieser bleibt erhalten!), wenn eine neue Adressinformation angelegt wird. Da die Weiterverarbeitung der Daten eine gewisse Zeitspanne in Anspruch nimmt, gibt es einen Zeitraum, in dem der Speicher "stillgehalten" werden muss, damit die an den Datenleitungen anliegenden elektrischen Signale aufgenommen und weiterverarbeitet werden können. Bei EDO-Speichern ist die Ausgangsstufe so gestaltet, dass anliegende Informationen auch dann beibehalten werden, wenn eine neue Adresse übertragen wird. Auf diese Weise kann simultan das anliegende Datenwort verarbeitet und die nächste angeforderte Adresse in den Speicherbaustein geladen werden. Auch hierdurch werden die Zykluszeiten verkürzt. Im Vergleich mit SDRAM war EDO-RAM noch immer langsamer, obwohl der Unterschied nicht mehr so deutlich ausfiel. Ältere Systeme mit 66 MHz Bustakt wurden häufig damit bestückt. Es gab sie in einseitiger und zweiseitiger Bestückung.		EDO DRAM steht für Extended-Data Output DRAM. Dieser Typ ist ein weiterer als SIMM-Modul verfügbarer Speicher und noch etwas schneller als FPM DRAM. Bei FPM-Speichern wird das elektrische Signal der Datenleitungen gelöscht (nicht zu verwechseln mit dem Inhalt der Speicherzelle, dieser bleibt erhalten!), wenn eine neue Adressinformation angelegt wird. Da die Weiterverarbeitung der Daten eine gewisse Zeitspanne in Anspruch nimmt, gibt es einen Zeitraum, in dem der Speicher "stillgehalten" werden muss, damit die an den Datenleitungen anliegenden elektrischen Signale aufgenommen und weiterverarbeitet werden können. Bei EDO-Speichern ist die Ausgangsstufe so gestaltet, dass anliegende Informationen auch dann beibehalten werden, wenn eine neue Adresse übertragen wird. Auf diese Weise kann simultan das anliegende Datenwort verarbeitet und die nächste angeforderte Adresse in den Speicherbaustein geladen werden. Auch hierdurch werden die Zykluszeiten verkürzt. Im Vergleich mit SDRAM war EDO-RAM noch immer langsamer, obwohl der Unterschied nicht mehr so deutlich ausfiel. Ältere Systeme mit 66 MHz Bustakt wurden häufig damit bestückt. Es gab sie in einseitiger und zweiseitiger Bestückung.

			=== Unterschied FPM ===
			Warum steht denn diese Erklärung nicht im Artikel? Da steht nur
			"Der EDO-RAM unterscheidet sich nun hierbei in einem kleinen Detail vom FPM-RAM." und dann wird über Kompatibilität bzgl. Mainboards und Controller geschwa--- erzählt, statt erstmal die technisch interessanten Aspekte zu beleuchten. [[Benutzer:Towopedia\|Towopedia]] ([[Benutzer Diskussion:Towopedia\|Diskussion]]) 11:40, 27. Mai 2014 (CEST)

	== Neuanfang ==		== Neuanfang ==

CopperBot: Bot: Signaturnachtrag für Beitrag von 79.217.158.100: "Neuer Abschnitt /* Pins und Parity */"

2012-04-20T20:38:52Z

Bot: Signaturnachtrag für Beitrag von 79.217.158.100: "Neuer Abschnitt Pins und Parity: "

← Nächstältere Version		Version vom 20. April 2012, 22:38 Uhr
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	== Pins und Parity ==		== Pins und Parity ==

	Es gab zwei Bauweisen: Die mit 30 Pins und die neueren mit 72 Pins. Das muss(!) erwähnt werden. Dazu kommt noch, dass es welche mit und ohne Parity-Chip(! - nicht -bit!) gab, die hatten dann ein Speicherbauteil mehr auf der Platine. Dann gab es die single-sided und double-sided Edos, d.h. sie waren einseitig bzw. beidseitig bestückt, was nicht unrelevant beim Einbau in diverse Motherboards bzw. Gerätschaften war - beispielsweise wegen schlichtem Platzmangel. Soviel ich mich noch erinnern kann, gab es auch EDO-Ram, der weit mehr als 70ns Zugriffszeiten hatten, ich meine 80ns und 90ns waren gar nicht so unüblich - ist alles eine Weile her...		Es gab zwei Bauweisen: Die mit 30 Pins und die neueren mit 72 Pins. Das muss(!) erwähnt werden. Dazu kommt noch, dass es welche mit und ohne Parity-Chip(! - nicht -bit!) gab, die hatten dann ein Speicherbauteil mehr auf der Platine. Dann gab es die single-sided und double-sided Edos, d.h. sie waren einseitig bzw. beidseitig bestückt, was nicht unrelevant beim Einbau in diverse Motherboards bzw. Gerätschaften war - beispielsweise wegen schlichtem Platzmangel. Soviel ich mich noch erinnern kann, gab es auch EDO-Ram, der weit mehr als 70ns Zugriffszeiten hatten, ich meine 80ns und 90ns waren gar nicht so unüblich - ist alles eine Weile her... <small>(''nicht [[Hilfe:Signatur\|signierter]] Beitrag von'' [[Spezial:Beiträge/79.217.158.100\|79.217.158.100]] ([[Benutzer Diskussion:79.217.158.100\|Diskussion]])<nowiki/> 22:08, 20. Apr. 2012 (CEST)) </small>

79.217.158.100: Neuer Abschnitt /* Pins und Parity */

2012-04-20T20:08:52Z

Neuer Abschnitt Pins und Parity

← Nächstältere Version		Version vom 20. April 2012, 22:08 Uhr
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	Wann wurde FPM-RAM eigentlich eingeführt? Und was war dessen Vorgänger? Falls es [[Ferritkernspeicher]] war: dann muss sich FPM-RAM ja unheimlich lange gehalten haben (von den 70ern bis in die 90er). -- [[Benutzer:Indoor-Fanatiker\|Indoor-Fanatiker]] 01:51, 1. Sep. 2011 (CEST)		Wann wurde FPM-RAM eigentlich eingeführt? Und was war dessen Vorgänger? Falls es [[Ferritkernspeicher]] war: dann muss sich FPM-RAM ja unheimlich lange gehalten haben (von den 70ern bis in die 90er). -- [[Benutzer:Indoor-Fanatiker\|Indoor-Fanatiker]] 01:51, 1. Sep. 2011 (CEST)

			== Pins und Parity ==

			Es gab zwei Bauweisen: Die mit 30 Pins und die neueren mit 72 Pins. Das muss(!) erwähnt werden. Dazu kommt noch, dass es welche mit und ohne Parity-Chip(! - nicht -bit!) gab, die hatten dann ein Speicherbauteil mehr auf der Platine. Dann gab es die single-sided und double-sided Edos, d.h. sie waren einseitig bzw. beidseitig bestückt, was nicht unrelevant beim Einbau in diverse Motherboards bzw. Gerätschaften war - beispielsweise wegen schlichtem Platzmangel. Soviel ich mich noch erinnern kann, gab es auch EDO-Ram, der weit mehr als 70ns Zugriffszeiten hatten, ich meine 80ns und 90ns waren gar nicht so unüblich - ist alles eine Weile her...

Indoor-Fanatiker: Neuer Abschnitt /* Geschichte */

2011-08-31T23:51:46Z

Neuer Abschnitt Geschichte

← Nächstältere Version		Version vom 1. September 2011, 01:51 Uhr
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	: Super, finde ich gut. Für die Verständlichkeit können vielleicht ein paar Timing-Diagramme helfen - ich versuche mal in den nächsten Tagen (/Wochen) welche (ab-) zu zeichnen.		: Super, finde ich gut. Für die Verständlichkeit können vielleicht ein paar Timing-Diagramme helfen - ich versuche mal in den nächsten Tagen (/Wochen) welche (ab-) zu zeichnen.
	--[[Benutzer:Mchelge\|Mchelge]] 16:50, 12. Dez 2004 (CET)		--[[Benutzer:Mchelge\|Mchelge]] 16:50, 12. Dez 2004 (CET)

			== Geschichte ==

			Wann wurde FPM-RAM eigentlich eingeführt? Und was war dessen Vorgänger? Falls es [[Ferritkernspeicher]] war: dann muss sich FPM-RAM ja unheimlich lange gehalten haben (von den 70ern bis in die 90er). -- [[Benutzer:Indoor-Fanatiker\|Indoor-Fanatiker]] 01:51, 1. Sep. 2011 (CEST)

Jpgoelz: - Diskussion:Extended Data Output RAM wurde nach Diskussion:Extended Data Output Random Access Memory verschoben

2005-12-11T17:17:18Z

- Diskussion:Extended Data Output RAM wurde nach Diskussion:Extended Data Output Random Access Memory verschoben

← Nächstältere Version	Version vom 11. Dezember 2005, 19:17 Uhr
(kein Unterschied)

Mchelge am 12. Dezember 2004 um 15:50 Uhr

2004-12-12T15:50:02Z

← Nächstältere Version		Version vom 12. Dezember 2004, 17:50 Uhr
Zeile 12:		Zeile 12:
	Dir von Dir gefundene Beschreibung trifft den Nagel ziemlich gut auf den Kopf. Ich habe den Artikel neu verfaßt. Jetzt dürfte er evtl. wieder zur Kategorie "richtig aber schwer verständlich" gehören ;-)		Dir von Dir gefundene Beschreibung trifft den Nagel ziemlich gut auf den Kopf. Ich habe den Artikel neu verfaßt. Jetzt dürfte er evtl. wieder zur Kategorie "richtig aber schwer verständlich" gehören ;-)
	--[[Benutzer:JürgenZ.\|JürgenZ.]] 03:49, 11. Dez 2004 (CET)		--[[Benutzer:JürgenZ.\|JürgenZ.]] 03:49, 11. Dez 2004 (CET)

			: Super, finde ich gut. Für die Verständlichkeit können vielleicht ein paar Timing-Diagramme helfen - ich versuche mal in den nächsten Tagen (/Wochen) welche (ab-) zu zeichnen.
			--[[Benutzer:Mchelge\|Mchelge]] 16:50, 12. Dez 2004 (CET)

JürgenZ.: /* änderungen */

2004-12-11T02:49:44Z

änderungen

← Nächstältere Version		Version vom 11. Dezember 2004, 04:49 Uhr
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	EDO DRAM steht für Extended-Data Output DRAM. Dieser Typ ist ein weiterer als SIMM-Modul verfügbarer Speicher und noch etwas schneller als FPM DRAM. Bei FPM-Speichern wird das elektrische Signal der Datenleitungen gelöscht (nicht zu verwechseln mit dem Inhalt der Speicherzelle, dieser bleibt erhalten!), wenn eine neue Adressinformation angelegt wird. Da die Weiterverarbeitung der Daten eine gewisse Zeitspanne in Anspruch nimmt, gibt es einen Zeitraum, in dem der Speicher "stillgehalten" werden muss, damit die an den Datenleitungen anliegenden elektrischen Signale aufgenommen und weiterverarbeitet werden können. Bei EDO-Speichern ist die Ausgangsstufe so gestaltet, dass anliegende Informationen auch dann beibehalten werden, wenn eine neue Adresse übertragen wird. Auf diese Weise kann simultan das anliegende Datenwort verarbeitet und die nächste angeforderte Adresse in den Speicherbaustein geladen werden. Auch hierdurch werden die Zykluszeiten verkürzt. Im Vergleich mit SDRAM war EDO-RAM noch immer langsamer, obwohl der Unterschied nicht mehr so deutlich ausfiel. Ältere Systeme mit 66 MHz Bustakt wurden häufig damit bestückt. Es gab sie in einseitiger und zweiseitiger Bestückung.		EDO DRAM steht für Extended-Data Output DRAM. Dieser Typ ist ein weiterer als SIMM-Modul verfügbarer Speicher und noch etwas schneller als FPM DRAM. Bei FPM-Speichern wird das elektrische Signal der Datenleitungen gelöscht (nicht zu verwechseln mit dem Inhalt der Speicherzelle, dieser bleibt erhalten!), wenn eine neue Adressinformation angelegt wird. Da die Weiterverarbeitung der Daten eine gewisse Zeitspanne in Anspruch nimmt, gibt es einen Zeitraum, in dem der Speicher "stillgehalten" werden muss, damit die an den Datenleitungen anliegenden elektrischen Signale aufgenommen und weiterverarbeitet werden können. Bei EDO-Speichern ist die Ausgangsstufe so gestaltet, dass anliegende Informationen auch dann beibehalten werden, wenn eine neue Adresse übertragen wird. Auf diese Weise kann simultan das anliegende Datenwort verarbeitet und die nächste angeforderte Adresse in den Speicherbaustein geladen werden. Auch hierdurch werden die Zykluszeiten verkürzt. Im Vergleich mit SDRAM war EDO-RAM noch immer langsamer, obwohl der Unterschied nicht mehr so deutlich ausfiel. Ältere Systeme mit 66 MHz Bustakt wurden häufig damit bestückt. Es gab sie in einseitiger und zweiseitiger Bestückung.

			== Neuanfang ==
			Dir von Dir gefundene Beschreibung trifft den Nagel ziemlich gut auf den Kopf. Ich habe den Artikel neu verfaßt. Jetzt dürfte er evtl. wieder zur Kategorie "richtig aber schwer verständlich" gehören ;-)
			--[[Benutzer:JürgenZ.\|JürgenZ.]] 03:49, 11. Dez 2004 (CET)

DennyS: änderungen

2004-12-08T20:46:45Z

änderungen

← Nächstältere Version		Version vom 8. Dezember 2004, 22:46 Uhr
Zeile 1:		Zeile 1:
	Tut mir Leid das ich das sagen muss - aber diese Artikel wurde böse verschlimmbessert. Von einem schwer verständlichem Artikel zu einem zu stark vereinfachten und jetzt sachlich falschen Artikel. Ich muss selber noch mal genau recherchieren, um das richtig hinzubekommen, daher kann ich es leider nicht gleich geradeziehen.		Tut mir Leid das ich das sagen muss - aber diese Artikel wurde böse verschlimmbessert. Von einem schwer verständlichem Artikel zu einem zu stark vereinfachten und jetzt sachlich falschen Artikel. Ich muss selber noch mal genau recherchieren, um das richtig hinzubekommen, daher kann ich es leider nicht gleich geradeziehen.
	Man kann doch nicht einfach was von irgendwelchen Webseiten abschreiben und damit einen kompletten Artikel umschreiben, wenn man nicht genug über die Materie weiss, um zu beurteilen, ob das richtig ist! Im Netz steht so viel Mist! --[[Benutzer:Mchelge\|Mchelge]] 23:09, 7. Dez 2004 (CET)		Man kann doch nicht einfach was von irgendwelchen Webseiten abschreiben und damit einen kompletten Artikel umschreiben, wenn man nicht genug über die Materie weiss, um zu beurteilen, ob das richtig ist! Im Netz steht so viel Mist! --[[Benutzer:Mchelge\|Mchelge]] 23:09, 7. Dez 2004 (CET)

			== änderungen ==

			ich habe folgendes zum EDO gefunden bevor ich das aber einfach so reinsetze frag ich lieber mal nach ob das euer meinung nach so stimmt ?
			--[[Benutzer:DennyS\|DennyS]] 21:44, 8. Dez 2004 (CET)

			EDO DRAM steht für Extended-Data Output DRAM. Dieser Typ ist ein weiterer als SIMM-Modul verfügbarer Speicher und noch etwas schneller als FPM DRAM. Bei FPM-Speichern wird das elektrische Signal der Datenleitungen gelöscht (nicht zu verwechseln mit dem Inhalt der Speicherzelle, dieser bleibt erhalten!), wenn eine neue Adressinformation angelegt wird. Da die Weiterverarbeitung der Daten eine gewisse Zeitspanne in Anspruch nimmt, gibt es einen Zeitraum, in dem der Speicher "stillgehalten" werden muss, damit die an den Datenleitungen anliegenden elektrischen Signale aufgenommen und weiterverarbeitet werden können. Bei EDO-Speichern ist die Ausgangsstufe so gestaltet, dass anliegende Informationen auch dann beibehalten werden, wenn eine neue Adresse übertragen wird. Auf diese Weise kann simultan das anliegende Datenwort verarbeitet und die nächste angeforderte Adresse in den Speicherbaustein geladen werden. Auch hierdurch werden die Zykluszeiten verkürzt. Im Vergleich mit SDRAM war EDO-RAM noch immer langsamer, obwohl der Unterschied nicht mehr so deutlich ausfiel. Ältere Systeme mit 66 MHz Bustakt wurden häufig damit bestückt. Es gab sie in einseitiger und zweiseitiger Bestückung.

DennyS am 8. Dezember 2004 um 20:46 Uhr

2004-12-08T20:46:18Z

← Nächstältere Version		Version vom 8. Dezember 2004, 22:46 Uhr
Zeile 1:		Zeile 1:
	Tut mir Leid das ich das sagen muss - aber diese Artikel wurde böse verschlimmbessert. Von einem schwer verständlichem Artikel zu einem zu stark vereinfachten und jetzt sachlich falschen Artikel. Ich muss selber noch mal genau recherchieren, um das richtig hinzubekommen, daher kann ich es leider nicht gleich geradeziehen.		Tut mir Leid das ich das sagen muss - aber diese Artikel wurde böse verschlimmbessert. Von einem schwer verständlichem Artikel zu einem zu stark vereinfachten und jetzt sachlich falschen Artikel. Ich muss selber noch mal genau recherchieren, um das richtig hinzubekommen, daher kann ich es leider nicht gleich geradeziehen.
	Man kann doch nicht einfach was von irgendwelchen Webseiten abschreiben und damit einen kompletten Artikel umschreiben, wenn man nicht genug über die Materie weiss, um zu beurteilen, ob das richtig ist! Im Netz steht so viel Mist! --[[Benutzer:Mchelge\|Mchelge]] 23:09, 7. Dez 2004 (CET)		Man kann doch nicht einfach was von irgendwelchen Webseiten abschreiben und damit einen kompletten Artikel umschreiben, wenn man nicht genug über die Materie weiss, um zu beurteilen, ob das richtig ist! Im Netz steht so viel Mist! --[[Benutzer:Mchelge\|Mchelge]] 23:09, 7. Dez 2004 (CET)

	ich habe folgendes zum EDO gefunden bevor ich das aber einfach so reinsetze frag ich lieber mal nach ob das euer meinung nach so stimmt ?
	--[[Benutzer:DennyS\|DennyS]] 21:44, 8. Dez 2004 (CET)

	EDO DRAM steht für Extended-Data Output DRAM. Dieser Typ ist ein weiterer als SIMM-Modul verfügbarer Speicher und noch etwas schneller als FPM DRAM. Bei FPM-Speichern wird das elektrische Signal der Datenleitungen gelöscht (nicht zu verwechseln mit dem Inhalt der Speicherzelle, dieser bleibt erhalten!), wenn eine neue Adressinformation angelegt wird. Da die Weiterverarbeitung der Daten eine gewisse Zeitspanne in Anspruch nimmt, gibt es einen Zeitraum, in dem der Speicher "stillgehalten" werden muss, damit die an den Datenleitungen anliegenden elektrischen Signale aufgenommen und weiterverarbeitet werden können. Bei EDO-Speichern ist die Ausgangsstufe so gestaltet, dass anliegende Informationen auch dann beibehalten werden, wenn eine neue Adresse übertragen wird. Auf diese Weise kann simultan das anliegende Datenwort verarbeitet und die nächste angeforderte Adresse in den Speicherbaustein geladen werden. Auch hierdurch werden die Zykluszeiten verkürzt. Im Vergleich mit SDRAM war EDO-RAM noch immer langsamer, obwohl der Unterschied nicht mehr so deutlich ausfiel. Ältere Systeme mit 66 MHz Bustakt wurden häufig damit bestückt. Es gab sie in einseitiger und zweiseitiger Bestückung.

DennyS am 8. Dezember 2004 um 20:45 Uhr

2004-12-08T20:45:57Z

← Nächstältere Version		Version vom 8. Dezember 2004, 22:45 Uhr
Zeile 1:		Zeile 1:
	Tut mir Leid das ich das sagen muss - aber diese Artikel wurde böse verschlimmbessert. Von einem schwer verständlichem Artikel zu einem zu stark vereinfachten und jetzt sachlich falschen Artikel. Ich muss selber noch mal genau recherchieren, um das richtig hinzubekommen, daher kann ich es leider nicht gleich geradeziehen.		Tut mir Leid das ich das sagen muss - aber diese Artikel wurde böse verschlimmbessert. Von einem schwer verständlichem Artikel zu einem zu stark vereinfachten und jetzt sachlich falschen Artikel. Ich muss selber noch mal genau recherchieren, um das richtig hinzubekommen, daher kann ich es leider nicht gleich geradeziehen.
	Man kann doch nicht einfach was von irgendwelchen Webseiten abschreiben und damit einen kompletten Artikel umschreiben, wenn man nicht genug über die Materie weiss, um zu beurteilen, ob das richtig ist! Im Netz steht so viel Mist! --[[Benutzer:Mchelge\|Mchelge]] 23:09, 7. Dez 2004 (CET)		Man kann doch nicht einfach was von irgendwelchen Webseiten abschreiben und damit einen kompletten Artikel umschreiben, wenn man nicht genug über die Materie weiss, um zu beurteilen, ob das richtig ist! Im Netz steht so viel Mist! --[[Benutzer:Mchelge\|Mchelge]] 23:09, 7. Dez 2004 (CET)

			ich habe folgendes zum EDO gefunden bevor ich das aber einfach so reinsetze frag ich lieber mal nach ob das euer meinung nach so stimmt ?
			--[[Benutzer:DennyS\|DennyS]] 21:44, 8. Dez 2004 (CET)

			EDO DRAM steht für Extended-Data Output DRAM. Dieser Typ ist ein weiterer als SIMM-Modul verfügbarer Speicher und noch etwas schneller als FPM DRAM. Bei FPM-Speichern wird das elektrische Signal der Datenleitungen gelöscht (nicht zu verwechseln mit dem Inhalt der Speicherzelle, dieser bleibt erhalten!), wenn eine neue Adressinformation angelegt wird. Da die Weiterverarbeitung der Daten eine gewisse Zeitspanne in Anspruch nimmt, gibt es einen Zeitraum, in dem der Speicher "stillgehalten" werden muss, damit die an den Datenleitungen anliegenden elektrischen Signale aufgenommen und weiterverarbeitet werden können. Bei EDO-Speichern ist die Ausgangsstufe so gestaltet, dass anliegende Informationen auch dann beibehalten werden, wenn eine neue Adresse übertragen wird. Auf diese Weise kann simultan das anliegende Datenwort verarbeitet und die nächste angeforderte Adresse in den Speicherbaustein geladen werden. Auch hierdurch werden die Zykluszeiten verkürzt. Im Vergleich mit SDRAM war EDO-RAM noch immer langsamer, obwohl der Unterschied nicht mehr so deutlich ausfiel. Ältere Systeme mit 66 MHz Bustakt wurden häufig damit bestückt. Es gab sie in einseitiger und zweiseitiger Bestückung.