Synopsys

2011-10-08T08:47:26Z

Dongyeh:

{{Infobox Unternehmen
| Name = Synopsys, Inc.
| Logo = [[Datei:Synopsys Logo.svg|250px]]
| Unternehmensform = [[Aktiengesellschaft]]
| ISIN =
| Gründungsdatum = 1986
| Sitz = [[Mountain View (Santa Clara County, Kalifornien)|Mountain View]], [[Kalifornien]]
| Leitung = Aart J. de Geus ([[Chief Executive Officer|CEO]])
| Mitarbeiterzahl = 5200
| Umsatz = $1,212 Milliarden <small>2007</small>
| Bilanzsumme =
| Branche = [[Electronic Design Automation|EDA]] Software, [[Intellectual Property]]
| Homepage = [http://www.synopsys.com www.synopsys.com]
}}

'''Synopsys Inc.''' ([[Nasdaq]]: SNPS) ist ein Unternehmen im Bereich Halbleiter-Design-Software ([[Electronic Design Automation|EDA]]), Intellectual Properties ([[Intellectual Property|IP]]) und Design for Manufacturing (DFM)-Lösungen. Synopsys bietet außerdem Dienstleistungen auf genannten Gebieten an.

Synopsys wurde im Jahr 1986 unter dem Namen ''Optimal Solutions'' gegründet. Die Firma sollte [[Synthese (Elektrotechnik)|Synthese]]-Technologien weiterentwickeln und vermarkten, die ursprünglich bei [[General Electric]] entwickelt wurden. Synopsys war einer der Vorreiter auf diesem Gebiet und hatte großen Einfluss auf die Anwendung dieser Technologien. Synopsys entwarf Funktionsbibliotheken für seine [[Synthesetool]]s, die den Entwurf bestimmter Anwendungen erleichterten (z. B. die <tt>std.logic.arith</tt> für [[Very High Speed Integrated Circuit Hardware Description Language|VHDL]]). Diese Funktionsbibliotheken sind heute noch weit verbreitet, obwohl es mittlerweile äquivalente Standardbibliotheken gibt.

Mittlerweile haben sich die Aktivitäten Synopsys auf den gesamten Design-Flow ausgedehnt, das heißt die Produkte decken den gesamten Bereich von Entwurf über die Verifikation, die Folgenutzung durch IP, bis hin zur Schnittstelle zur Herstellung von [[Anwendungsspezifische Integrierte Schaltung|ASIC]]s und [[Field Programmable Gate Array|FPGA]]s ab.

== Einzelnachweise ==
<references/>

[[Kategorie:Unternehmen (Silicon Valley)]]
[[Kategorie:Softwarehersteller]]

[[en:Synopsys]]
[[es:Synopsys]]
[[fr:Synopsys]]
[[hy:Սինոփսիս]]
[[ja:シノプシス]]
[[zh:新思科技]]

Chemisch-mechanisches Polieren

2009-02-10T18:27:42Z

Dongyeh:

'''Chemisch-mechanisches Polieren (CMP)''' ([[englische Sprache|engl]]: ''{{lang|en|chemical mechanical polishing}}'', auch ''{{lang|en|chemical mechanical planarization}}'') ist ein [[Polieren|Polierverfahren]] in der [[Wafer]]bearbeitung um sehr dünne Schichten gleichmäßig abzutragen. Diese Methode wurde an US-amerikanischen Institutionen wie dem [[Center of Optical Manufacturing]] entwickelt und bei einigen europäischen Firmen (z. B. [[Fraunhofer Gesellschaft]]) erprobt.

== Funktionsprinzip ==

[[Bild:cmp_prinzip.jpg|thumb|right|Abb. 1: Funktionsprinzip des CMP]]

Der zu polierende [[Wafer]] wird von dem [[Carrier]] aufgenommen und mit einem definierten Druck auf den Polierteller mit dem Poliertuch gepresst. Währenddessen beginnen sich Carrier und Poliertuch in dieselbe Richtung zu drehen (es ist auch eine ungleichsinnige Drehrichtung möglich). Hier gibt es verschiedenste Möglichkeiten die Geschwindigkeiten zu variieren oder den Carrier in eine oszillierende Bewegung zu versetzen um so den Abtrag und dessen Gleichmäßigkeit zu optimieren.

Das Poliertuch besteht zumeist aus Polyurethan-Schäumen oder mit Polyurethan behandelten Vlies-Materialien. Man hat hier die Möglichkeit zwischen unterschiedlichen Härten und Perforationen zu wählen.

Während des gesamten Poliervorgangs wird über ein Pumpensystem ''Slurry'' (ein chemisch und mechanisch aktives Poliermittel) auf den inneren Bereich des Poliertuches geleitet, das sich durch die Rotationsbewegung über das Poliertuch verteilt. So entsteht zwischen Wafer und Poliertuch ein dünner Slurryfilm der die zu polierenden Schichten chemisch angreift, mit den in ihm enthaltenden Abrasivpartikeln für eine mechanische Bearbeitung der Oberfläche sorgt und so zum Abtragen des Materials entscheidend beiträgt.

Das Polierergebnis hängt wesentlich von der Planarität des „[[Chuck (Maschinenteil)|Chucks]]“ und des Poliertellers ab, da jede Unebenheit und Verformung sich zwangsläufig auf den Wafer überträgt und das Ergebnis verschlechtert. Daher ist die Unterseite des Chucks mit einem [[Backing-Film]] beklebt, dessen weiche Faser Unebenheiten ausgleicht und mittels [[Adhäsion]] die Rotation des Chucks auf den Wafer überträgt.

Nach einer definierten Zeit wird der Wafer vom Poliertuch genommen und (innerhalb der CMP-Maschine) einer ersten Vorreinigung mit [[Reinstwasser|hochreinem DI-Wasser]] unterzogen. Die restlose Entfernung des Poliermittels beugt möglicher Kristall- und Kratzerbildung vor und unterbindet die fortlaufende Ätzung der Waferoberfläche.

Währenddessen beginnt der [[Konditionierer]] das Poliertuch für den nächsten Wafer vorzubereiten. Dies geschieht, indem eine rotierende Diamantscheibe unter Zugabe von [[DI-Wasser]] über das sich ebenfalls drehende Poliertuch gefahren wird, es auf diese Weise anrauht und die Poren im Poliertuch von Slurryresten und Material der Waferschichten befreit. Dieser Arbeitsschritt kann ein- oder mehrmals nach dem Polieren stattfinden aber auch während des Polierens gefahren werden. Man spricht in diesem Fall von ''in situ''–Konditionierung. Für welche Art der Konditionierung man sich entscheidet hängt stark vom Prozess ab.

== Motivation ==

[[Bild:Semiconductor fabrication with and without CMP DE.svg|thumb|right|Abb. 2: Zur Motivation des CMP. Links: ohne CMP, rechts: mit CMP nach den violett und rot farbcodierten Sputter-/Aufdampfprozessen]]

CMP hat sich in den letzten Jahren in der Halbleiterbranche zu einem Standardverfahren entwickelt. Wie in Abb. 2 illustriert, entstehen bei Sputter- und Aufdampfprozessen nach einigen Schichten starke Unebenheiten die zwangsläufig zum Abreißen einer höher gelegenen Schicht führen und so Mehrschichtsysteme schwer realisierbar werden lassen. Dazu kommt, dass in der [[Lithographie]] nur auf planaren Oberflächen eine genaue Abbildung möglich ist. Hier liegen die Vorteile des CMP klar auf der Hand: Nach dem Auftragen einer Schicht wird diese zurückpoliert und Unebenheiten werden so ausgeglichen. Anschließend kann man Fotolacke auftragen und präzise belichten, um nach verschiedensten Ätzprozessen wieder eine Schicht aufzutragen und zu polieren.

[[Kategorie:Halbleitertechnologie]]

[[en:Chemical-mechanical planarization]]
[[ja:化学機械研磨]]
[[zh:化学机械平坦化]]

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Chemisch-mechanisches Polieren